「なるいえ」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

単結晶基板２はＡｌ_2Ｏ_3、ＭｇＳｉＯ_4、ＭｇＡｌ_2Ｏ_4、ＢｅＡｌ_2Ｏ_4、Ｌｉ_2Ｂ_4Ｏ_7、ＳｉＯ_2からなる。例文帳に追加

The single crystal substrate 2 consists of Al2O3, MgSiO4, MgAl2O4, BeAl2O4, Li2B4SO7 and SiO2. - 特許庁

金属酸化物１４は、好ましくはＬｉ_vＣｏＯ_2、Ｃｏ_3Ｏ_4、Ｌｉ_vＡｌＯ_2又はＡｌ_2Ｏ_3からなる（０＜ｖ≦１．１）。例文帳に追加

The metal oxide 14 is, preferably, composed of Li_vCoO_2, Co_3O_4, Li_vAlO_2 or Al_2O_3 (0<v≤1.1). - 特許庁

区分の基準となる色合いを有する基準真珠における光強度Ａａ_１…Ａａ_ｎを測定する。例文帳に追加

Light intensities Aa_1-Aa_n in a reference pearl having a color tone that is the basis of classification are measured. - 特許庁

その後、Ｉｎを間欠供給してＩｎＡｓからなる量子ドット６１１を形成する（ｃ３）。例文帳に追加

Then, a quantum dot 611 consisting of InAs is formed by carrying out intermittent supply of In (c3). - 特許庁

活性層１７は、ＩｎＧａＮからなる少なくとも一つの半導体エピタキシャル層１９を含む。例文帳に追加

The active layer 17 includes at least one semiconductor epitaxial layer 19 composed of InGaN. - 特許庁

ＲＩＦは、領域ＤＡＮ−２の複製とＲＩＦ自身のＦＥとからなる。例文帳に追加

An RIF consists of the duplicate of the area DAN-2 and an FE of the RIF itself. - 特許庁

ＡａとＡｂ（単位はＮ／ｄ）は、Ａａ＞Ａｂ−７．８４×１０^-2Ｎ／ｄなる関係を満足する。例文帳に追加

Aa and Ab (unit: N/d) satisfy the relation: Aa>Ab-7.84×10^-2 N/d. - 特許庁

カーボンブラックは、ＩＳＡＦ級（Intermediate Super Abrasion Furnace Black）とＭＡＦ級（Medium Abrasion Furnace Black）の組合せからなる。例文帳に追加

The carbon black is composed of a combination of intermediate super abrasion furnace black and medium abrasion furnace black. - 特許庁

本光変調器１０は、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、ｎ−ＩｎＰ層１４、ＡｌＧａＩｎＡｓ系ＭＱＷ１６、ＧａＩｎＡｓＰ層１８、ｐ−ＩｎＰ層２０、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２２、ｐ−ＩｎＰ層２４、及び、ｐ−ＧａＩｎＡｓ層２６からなる積層構造を備える。例文帳に追加

This light modulator 10 has a laminated structure on an n-InP substrate 12, consisting of an n-InP layer 14, an MQW 16 of an AlGaInAs group, a GaIn AsP layer 18, a p-InP layer 20, a p-AlInAs layer 22, a p-InP layer 24, and a p-GaInAs layer 26. - 特許庁

スポットサイズ変換器付き半導体レーザにおいて，ＡｌＩｎＡｓからなる１つまたは複数のクラッド層と活性層を同時に選択成長させ，スポットサイズ変換部１０のＡｌＩｎＡｓのＡｌ組成比が，発光部２０のＡｌＩｎＡｓのＡｌ組成比よりも大きくなるように形成する。例文帳に追加

Related to a semiconductor laser with a spot size converter, one or more clad layers and active layers comprising AIlnAs are selectively grown at the same time, so that the Al composition ratio of AIlnAs of a spot size conversion part 10 is larger than that of a light-emitting part 20. - 特許庁

アニオン（Ｂ）とカチオン（Ｃ）からなるイオン性液体（Ａ）であり、アニオン（Ｂ）が式（３）で表されるアニオンなどからなる群より選ばれる、少なくとも１種であるイオン性液体（Ａ）からなる、イオン性液体。例文帳に追加

The ionic liquid (A) is at least one kind of the ionic liquids (A) comprising an anion (B) which is selected from the group consisting of an anion represented by formula (3) and the like, and a cation (C). - 特許庁

ＧａＡｓからなる第１半導体層とＩｎ_ＳＡｌ_１−ＳＡｓからなる第２半導体層との間における格子定数の調整を良好に行い、且つ、高抵抗が得られるバッファ層を備えてなる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a buffer layer for satisfactorily adjusting a lattice constant, and for obtaining high resistance between a first semiconductor layer made of GaAs and a second semiconductor layer made of InsAl1-SAs. - 特許庁

該下地基板の上に、ＡｌＮからなるバッファ層と、ＧａＮからなるチャネル層と、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）からなる障壁層とをエピタキシャル形成する。例文帳に追加

A buffer layer made of AlN, a channel layer made of GaN and a barrier layer made of Al_xIn_yGa_zN(x+y+z=1) are epitaxially formed on the base substrate. - 特許庁

発光素子１の発光層１３は、ＩｎＧａＮからなる井戸層１３１、ＧａＮからなるキャップ層１３２、ＡｌＧａＮからなる障壁層１３３が順に３〜５回繰り返し積層されたＭＱＷ構造である。例文帳に追加

A light-emitting layer 13 of a light emitting device 1 is the MQW structure to which a well layer 131 composed of InGaN, a cap layer 132 composed of GaN, and a barrier layer 133 composed of AlGaN are repeatedly laminated three to five times. - 特許庁

通信機器用半導体装置は，ＨＦＥＴの構造を有し、ＩｎＰ基板と、ＩｎＡｌＡｓからなるバッファ層及びスペーサ層と、バッファ層とスペーサ層に挟まれたＩｎＧａＡｓＰＮからなるチャネル層とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device for communication equipment has an HFET structure and comprises an InP substrate, a buffer layer and a spacer layer made of InAlAs, and a channel layer made of InGaAsPN between the buffer and spacer layers. - 特許庁

半絶縁性ＧａＡｓ基板４２上にバッファ層４３、ノンドープＩｎＧａＡｓのチャネル層４４、複数層からなる障壁層４５、ｎ＋型ＧａＡｓからなる膜厚５０ｎｍのコンタクト層４６が形成される。例文帳に追加

A buffer layer 43, a non-doped InGaAs channel layer 44, a barrier layer 45 composed of a plurality of layers, and an n^+-type contact layer 46 of thickness 50 nm are formed on a semi-insulating GaAs substrate 42. - 特許庁

ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓ、又はＡｌＩｎＧａＰの薄い層は、次にＧａＡｓから剥離されて弛緩し、薄い層の格子定数を望ましい上に重なるＡｌＩｎＧａＰのＬＥＤ層の格子定数まで増大させる。例文帳に追加

The very thin layer of InGaP, InGaAs or AlInGaP then exfoliates from GaAs and loosens thus increasing the lattice constant of the thin layer up to the lattice constant of the desired overlaying LED layer of AlInGaP. - 特許庁

Ｓｒ_２ＡｌＨ_７ なる組成を有する金属水素化物及びＢａＡｌＨ_５なる組成を有する金属水素化物。例文帳に追加

The metal hydride has a structure of Sr_2AlH_7 and a structure of BaAlH_5. - 特許庁

基板１上には、バッファ層２、ＧａＮからなるチャネル層３及びアンドープＡｌＧａＮからなるバリア層４が順次形成されている。例文帳に追加

A buffer layer 2, a channel layer 3 composed of GaN, and a barrier layer 4 composed of undoped AlGaN are sequentially formed on a substrate 1. - 特許庁

そして、ＡｌＧａＡｓからなる電流拡散層５が、ビッカース硬さで７００以上になるように硬く形成されている。例文帳に追加

Then, the current diffused layer 5 constituted of AlGaAs is formed so as to be made hard with Vickers hardness of 700 or more. - 特許庁

また、核生成層３はＺｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ａｌの少なくとも一種からなる金属の酸化物または窒化物からなる。例文帳に追加

The core forming layer 3 consists of an oxide or a nitride of a metal consisting at least one kind of metal of Zr, W, Ta, Nb, Si and Al. - 特許庁

発光層８とｐ−ＡｌＧａＮからなるｐ−クラッド層１０との間に、ｎ−ＧａＮからなるｎ−逆導電型層９が形成されている。例文帳に追加

An n-reverse conductivity layer 9 composed of n-GaN is formed between a luminous layer 8 and a p-clad layer 10 composed of p-AlGaN. - 特許庁

緩衝層１２上には、半絶縁性ＧａＮからなる電子走行層１３、ｎ−ＡｌＧａＮからなる電子供給層１４が順次形成される。例文帳に追加

On the buffer layer 12, an electron transit layer 13 formed of semi-insulating GaN and an electron supply layer 14 formed of n-AlGaN are sequentially formed. - 特許庁

ｎ−ＧａＮからなるｎコンタクト層１１中に、ｎ−ＡｌＧａＮからなる湾曲緩和層を挿入した。例文帳に追加

A curvature lessening layer composed of n-AlGaN is inserted to an n-contact layer 11 composed of n-GaN. - 特許庁

この発明の一の態様では、バリア層をＡｌＧａＮからなる第１のバリア層とＧａＮからなる第２のバリア層との２層構造とする。例文帳に追加

The barrier layer is set to be a two-layered structure of a first barrier layer formed of AlGaN and a second barrier layer formed of GaN. - 特許庁

ｉ−ＩｎＡｌＡｓからなるバッファ層１２とｎ−ＩｎＡｌＡｓからなるｎ型障壁層１５との間に形成された、ｉ−ＩｎＡｓからなる複数の量子ドット（量子箱）１３ａにより構成されるトラップ層１３を有している。例文帳に追加

The semiconductor device includes a trap layer 13 which has a plurality of quantum dots (quantum boxes) 13a of i-InAs and which is formed between a buffer layer 12 of i-InAlAss and an n-type barrier layer 15 of n- InAlAs. - 特許庁

中間層４上で量子ドット５の間の領域には、真性ＡｌＡｓからなるＡｌＡｓ層６が形成されている。例文帳に追加

An AlAs layer 6 made of intrinsic AlAs is formed on a region between the quantum dots 5 on the intermediate layer 4. - 特許庁

ＧａＡｓ基板１上にＡｌＧａＡｓからなる解放層２、歪層５および構成要素層６が形成される。例文帳に追加

A release layer 2 formed of AlGaAs, a strain layer 5 and a constituent element layer 6 are formed on a GaAs substrate 1. - 特許庁

窒化物半導体積層構造３は、光を発光可能な活性層１２を含み、ＧａＮ層、ＩｎＧａＮ層及びＡｌＧａＮ層からなる。例文帳に追加

The nitride semiconductor laminate structure 3 includes an active layer 12 capable of emitting light, and consists of a GaN layer, an InGaN layer and an AlGaN layer. - 特許庁

電位割合Ｈ＝ａ／ｂ＝（ＶＭ−ＶＬ）／（ＶＨ−ＶＬ）は、環境温度が低くなるほど１に近づくように、環境温度に応じて変化する。例文帳に追加

The potential ratio H=a/b=(VM-VL)/(VH-VL) changes according to the environmental temperature, as the potential ratio comes closer to one as the environmental temperature is lowered. - 特許庁

化合物の材料としては、ＧａＡｓとするか、または、ＣｄＴｅ、ＩｎＡｓおよびＧａＳｂからなる群から選ばれるいずれか１つとする。例文帳に追加

As material of the compound, GaAs or one selected from the group comprising CdTe, InAs and GaSb is adopted. - 特許庁

（１）Ｓｉ基板上にＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層とを交互に積層してなる周期構造を形成する。例文帳に追加

More specifically, in the process (1), a periodical structure where GaAs and AlGaAs layers are alternately laminated is formed on an Si substrate 2. - 特許庁

この時金属間化合物として、ＴｉＡｌ_3、ＮｉＡｌ_3、Ｃｏ_2Ａｌ_9等を添加すると更に優れた表面平滑性を有するめっき鋼材となる。例文帳に追加

At this time, when, as intermetallic compounds, TiAl_3, NiAl_3, Co_2Al_9, or the like, are further added thereto, the plated steel having more excellent surface smoothness can be obtained. - 特許庁

（２）Ｓｉ基板上にＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層とを交互に積層してなる周期構造を形成する。例文帳に追加

In the process (2), a periodical structure where the GaAs and AlGaAs layers are alternately laminated is formed on an Si substrate. - 特許庁

この構造をＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系など化合物半導体を用いて実現することにより、他の光学素子との集積化が容易となる。例文帳に追加

By realizing the structure by using the compound semiconductor of GaAs/AlGaAg system or the like, integration with another optical element is facilitated. - 特許庁

ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ系又はＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系のＨＢＴ用エピタキシャルウェハにおいて、そのコレクタ層１８を、ＧａＡｓより臨界電界強度の大きいＡｌＧａＩｎＰ等の半導体層とＧａＡｓ層から成る超格子構造とするか、又はＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰ又はＩｎＧａＡｓＰのいずれかから成る半導体層を、単層もしくは複数層挿入した構成とする。例文帳に追加

In an epitaxial wafer for HBT of InGaP/GaAs or AlGaAs/GaAs, the collector layer 18 is made to have a super-lattice structure composed of a semiconductor layer of AlGaInP or the like whose critical electrical field strength is higher than that of GaAs and a GaAs layer, or a configuration where one or more semiconductor layers of AlGaInP, InGaP, or InGaAsP are inserted. - 特許庁

あるいは、電解液に、ＧｕＯＴｆ、ＥＭＩｍＳＣＮ、ＥＭＩｍＯＴｆ、ＥＭＩｍＴＦＳＩ、ＥＭＩｍＴｆＡｃ、ＥＭＩｍＤＩＮＨＯＰ、ＥＭＩｍＭｅＳＯ_3 、ＥＭＩｍＤＣＡ、ＥＭＩｍＢＦ_4 、ＥＭＩｍＰＦ_6 、ＥＭＩｍＦＡＰ、ＥＭＩｍＥｔ_2 ＰＯ_4 およびＥＭＩｍＣＢ_11Ｈ_12からなる群より選ばれた少なくとも一種の添加剤を添加する。例文帳に追加

In another embodiment, at least one kind of additive selected from the group consisting of GuOTf, EMImSCN, EMImOTf, EMImTFSI, EMImTfAc, EMImDINHOP, EMImMeSO_3, EMImDCA, EMImBF_4, EMImPF_6, EMImFAP, EMImEt_2 PO_4, and EMImCB_11H_12 is added to the electrolytic solution. - 特許庁

単結晶シリコンからなるシリコン基板１０１の上に，酸化アルミニウムからなるＡｌ_2Ｏ_3層１０２，窒化アルミニウムからなるＡｌＮ層１０４，及び酸化アルミニウムからなるＡｌ_2Ｏ_3キャップ層１０５を備えるようにしたものである。例文帳に追加

On a single crystal silicon substrate 101, formed are an Al_2O_3 layer 102 composed of aluminum oxide, an AlN layer 104 composed of aluminum nitride, and an Al_2O_3 cap layer 105 composed of aluminum oxide. - 特許庁

サファイアよりなる基礎基板１１に、ＡｌＮよりなる分離層１２およびＧａＮよりなるバッファ層１３を介してＧａＮよりなる半導体結晶層１４を成長させる。例文帳に追加

A semiconductor crystal GaN layer 14 is grown on a sapphire base substrate 11 through the intermediary of an AlN isolation layer 12 and a GaN buffer layer 13. - 特許庁

高屈折率物質からなる固浸レンズ１５の出射平面に、Ａｌからなる第１の薄膜２５と、ＳｉＮからなる中間膜２６と、Ａｌからなる第２の薄膜２７とを設けた。例文帳に追加

A first thin film 25 composed of Al, an intermediate film 26 composed of SiN and a second thin film 27 composed of Al are formed on an output surface of a solid immersion lens 15 composed of material having high refractive index. - 特許庁

ｎ側コンタクト層と活性層との間には、ｎ側コンタクト層側から順に、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第１障壁層及びＩｎＧａＮからなる第１井戸層を含む第１超格子構造体と、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第２障壁層及びＩｎＧａＮからなる第２井戸層を含む第２超格子構造体と、が設けられている。例文帳に追加

A first superlattice structure, which includes a first barrier layer comprising GaN or InGaN and a first well layer comprising InGaN, and a second superlattice structure, which includes a second barrier layer comprising GaN or InGaN and a second well layer comprising InGaN, are provided between the n-side contact layer and the active layer, in the order from an n-side contact layer side. - 特許庁

ＰＴＤペプチドは、Ｃｙｓ−Ｌｙｓ−Ｌｙｓ−Ｌｙｓ−Ｌｙｓ−Ｌｙｓ−Ｌｙｓ−Ｌｙｓ−Ｌｙｓのアミノ酸配列からなるペプチドとすることができる。例文帳に追加

The PTD peptide comprises the amino acid sequence of Cys-Lys-Lys-Lys-Lys-Lys-Lys-Lys-Lys. - 特許庁

第１および第２窒化物半導体ガイド層１３、１５が、ＩｎＮ、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_（１−ｘ−ｙ）Ｎおよび組成の異なるＩｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_（１−ｘ−ｙ）Ｎ積層膜のいずれか１つである。例文帳に追加

The first and the second nitride semiconductor guide layers 13, 15 are each composed of any one of InN, In_xGa_yAl_(1-x-y) N, and In_xGa_yAl_(1-x-y) N laminated film of different compositions. - 特許庁

ＧａＡｓからなる基板１１の上にはＡｌＧａＩｎＰ層１２が形成されており、該ＡｌＧａＩｎＰ層の上には緩衝層１３を介してＡｌＧａＡｓ層１４が形成されている。例文帳に追加

The AlGaInP layer 12 is grown on a substrate 11 of GaAs, and the AlGaAs layer 14 is grown on the AlGaInP layer via a buffer layer 13. - 特許庁

サファイアよりなる基板１１の上には、ｎ型の窒化ガリウムよりなる第１の半導体層１２と、ＧａＮよりなる障壁層とＩｎＧａＮよりなる井戸層とが３対積層されてなる多重量子井戸活性層１３と、ｐ型の窒化ガリウムよりなる第２の半導体層１４とが順次形成されている。例文帳に追加

There are formed on a sapphire substrate 11 a first semiconductor layer 12 comprising n type gallium nitride, a multiple quantum well active layer 13 where 3 pairs of laminates of a GaN barrier layer and an InGaN well layer are laminated, and a p-type gallium nitride second semiconductor layer 14, sequentially. - 特許庁