「なるいえ」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

量子ドット６１１は、Ｉｎ_ｙＡｌ_１−ｙＡｓ（ｙ＝０．５〜０．９）からなり、キャップ層６１２は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（ｘ＝０．０〜０．５）からなる。例文帳に追加

The cap layer 612 is made of Al_xGa_1-xAs (x=0.0-0.5). - 特許庁

下部レーザ５０の電流狭窄層は、ｎ型Ａｌ_０．７ＧａＡｓ９、ｎ型ＧａＡｓ１０、およびｐ型ＧａＡｓ１１からなる。例文帳に追加

The current constriction layer of the lower-part laser 50 is composed of an n-type Al0.7GaAs part 9, an n-type GaAs 10 and a p-type GaAs 11. - 特許庁

高濃度ｎ型ＧａＡｓからなる半導体基板１１上に、高濃度ｎ型ＧａＡｓからなる第１のコンタクト層１２、低濃度ｎ型ＧａＡｓからなる活性層１３、及び高濃度ｎ型ＩｎＧａＡｌＰからなる第２のコンタクト層１４の順に積層する。例文帳に追加

A first contact layer 12 consisting of a high density n type GaAs, an active layer 13 consisting of a low density n type GaAs and a second contact layer 14 consisting of a high density n type InGaAlP are sequentially stacked on a semiconductor substrate 11 consisting of a high density n type GaAs. - 特許庁

ＧａＡｓよりなる第２の基板３１にＡｌＧａＡｓ系半導体層よりなるレーザ発振部６０と、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層よりなるレーザ発振部７０とを設ける。例文帳に追加

A second substrate 31 made of GaAs is provided with: a laser oscillation part 60 made of an AlGaAs based semiconductor layer; and a laser oscillation part 70 made of an AlGaInP based semiconductor layer. - 特許庁

共鳴トンネルダイオードは、不純物がドープされたＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層９２と、ＡｌＡｓからなる第１の障壁層９４と、電気的に中性なＩｎＧａＡｓからなる井戸層９５と、ＡｌＡｓからなる第２の障壁層９６と、電子走行層９７〜９９と、不純物がドープされたＩｎＧａＡｓからなるコレクタ層１００とを有する。例文帳に追加

A resonance tunnel diode has an emitter layer 92 made of InGaAs doped with an impurity, a first barrier layer 94 made of AlAs, a well layer 95 made of electrically neutral InGaAs, a second barrier layer 96 made of AlAs, electron transit layers 97 to 99, and a collector layer 100 made of InGaAs doped with an impurity. - 特許庁

ＩｎＧａＡｌＡｓ系からなる引張り歪井戸層を有する半導体発光素子、もしくは、ＩｎＧａＡｓＰ系からなる引張り歪井戸層及びＩｎＧａＡｌＡｓ系からなる障壁層を有する半導体発光素子であって、幅広い温度範囲においても高性能かつ高信頼な半導体発光素子の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor electroluminescent device with an InGaAlAs-based well layer having tensile-strain, or a semiconductor electroluminescent device with an InGaAsP-based well layer having tensile strain and with an InGaAlAs-based barrier layer, which is high-performance and high-reliability in a wide temperature range. - 特許庁

ＧａＡｓ基板31上にＧａＡｓバッファ層32を積層後、ＧａＡｓ／Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３Ａｓからなる多層光学フィルタ層33、ＧａＡｓ光閉じ込め層34、ＧａＡｓ／Ｉｎ_０．２Ｇａ_０．８Ａｓ多重量子井戸活性層35、ＧａＡｓ光閉じ込め層36、Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３Ａｓキャリア閉じ込め層37を積層する。例文帳に追加

After laminating a GaAs buffer layer 32 on a GaAs substrate 31, a GaAs/Al0.7Ga0.3As - 特許庁

ＧａＡｓ基板上にＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ混晶からなる光反射層を形成し、その上にＡｌＧａＩｎＰ混晶からなるｐｎ接合を形成する。例文帳に追加

A light reflecting layer consisting of AlAs/AlGaAs mixed crystal is formed on a GaAs substrate and a pn junction consisting of AlGaInP mixed crystal is formed thereon. - 特許庁

サファイア基板１上に、ＡｌＮからなる緩衝層２、アンドープＧａＮからなる下地層３、ｎ−ＡｌＧａＮからなる第１の半導体層４、及びｎ^＋−ＧａＮからなる第２の半導体層５を順次に形成する。例文帳に追加

An AlN buffer layer 2, an undoped GaN base layer 3, a first n-AlGaN semiconductor layer 4, and a second n+-GaN semiconductor layer 5 are successively formed on a sapphire substrate 1. - 特許庁

ｎ型ＧａＡｓからなる基板１０上に、Ａｌ_ｘＧａ_1-xＰからなるｎ型クラッド層１２、ＧａＩｎＰからなる活性層１３、およびＡｌ_ｘＧａ_1-xＰからなるｐ型クラッド層１５を有する。例文帳に追加

The semiconductor light-emitting element includes, on a substrate 10 composed of n-type GaAs; an n-type clad layer 12 composed of Al_xGa_1-xP; an active layer 13 composed of GaInP; and the p-type clad layer 15 composed of Al_xGa_1-xP. - 特許庁

家や土地から成る財産例文帳に追加

property consisting of houses and land  - 日本語WordNet

モノクローナル抗体ＬＡ２例文帳に追加

MONOCLONAL ANTIBODY LA2 - 特許庁

ＩＳＤＮターミナルアダプタ例文帳に追加

ISDN TERMINAL ADAPTER - 特許庁

ＩＳＤＮターミナルアダプタ装置例文帳に追加

ISDN TERMINAL ADAPTER DEVICE - 特許庁

ＩＳＤＮ用ターミナルアダプタ例文帳に追加

TERMINAL ADAPTOR FOR ISDN - 特許庁

ＩＳＤＮターミナルアダプタ装置例文帳に追加

ISDN TERMINAL ADAPTOR - 特許庁

ＧａＩｎＮ層の成膜方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING GaInN LAYER - 特許庁

ＩＳＤＮターミナルアダプタ例文帳に追加

ISDN TERMINAL ADAPTOR - 特許庁

ＩＳＤＮターミナルシステム例文帳に追加

ISDN TERMINAL SYSTEM - 特許庁

このＨＴＢ用エピタキシャルウェハは、半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、ｎ^+-ＧａＡｓからなるコレクタコンタクト層８、ｎ−ＧａＡｓからなるコレクタ層７、ｐ^+-ＧａＡｓからなるベース層６、ｎ−ＩｎＧａＰからなるエミッタ層５、およびｎ^+-ＩｎＧａＡｓからなるノンアロイ層４をＭＯＶＰＥ法により成長させたものである。例文帳に追加

In an epitaxial wafer for HTV, a collector contact layer 8 of n+-GaAs, a collector layer 7 of n-GaAs, a base layer 6 of p+-GaAs, an emitter layer 5 of n-InGaP, and a non-alloy layer 4 of n+-InGaAs are grown by MOVPE method on a semi-insulating GaAs substrate. - 特許庁

（ａ）Ｖａｌ−Ｌｙｓ−Ｘ１−Ｖａｌ−Ａｓｎ−（Ｘ８）−Ｃｙｓ（ｂ）Ｖａｌ−Ｌｙｓ−Ｘ１−Ｖａｌ−Ｘ１−Ｔｈｒ−（Ｘ７）−Ｃｙｓ｛式中、Ｘは任意のアミノ酸を表し、Ｘｎ（ｎは自然数）はｎ残基の同じまたは異なる任意のアミノ酸Ｘからなるアミノ酸配列を示す。例文帳に追加

(a)Va1-Lys-X1-Va1-Asn-(X8)-Cys, (b)Va1-Lys-X1-Va1-X1-Thr-(X7)-Cys. - 特許庁

ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｌＡｓ系導波路をバットジョイント集積する製造プロセスにおいて、ＩｎＧａＡｌＡｓの成長温度である７００℃前後に昇温する際に、ＩｎＧａＡｌＡｓ系導波路を成長する下地となるＩｎＰの上にＩｎＧａＡｓＰ層が形成されている構成とする。例文帳に追加

In a manufacturing process for butt-joint-integrating the InGaAlAs-based waveguide on the InP substrate, an InGaAsP layer is formed on InP which becomes a substrate for growing the InGaAlAs-based waveguide, when a temperature is raised to the vicinity of 700°C being a growth temperature of InGaAlAs. - 特許庁

異なる視点から見ているとはいえ、彼はいまだに理解していなかった例文帳に追加

although he saw it in a different light, he still did not understand  - 日本語WordNet

46世池坊由紀（次期家元、池坊初の女性の家元となる）例文帳に追加

Forty-sixth Sosho, Yuki IKENOBO (next generation iemoto and the first female Ikenobo iemoto)  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

また「花」といえば桜を意味するようになるのもこの頃からである。例文帳に追加

The word 'Hana' (flowers) started to mean cherry blossoms around this time.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

兼通と兼家は不仲で、兼家は不遇の時期を過ごすことになる。例文帳に追加

Kanemichi and Kaneie did not get along, and Kaneie spent a period of unhappy days.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

そこで外戚の藤原兼家の知遇を得て、後にその家司となる。例文帳に追加

Then he was taken under FUJIWARA no Kaneie's wing, later becoming his keishi (household superintendent).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

したがってこの通堅が最後の「正統なる源氏長者」であったともいえる。例文帳に追加

Thus it may be said that Michikata was the last 'legitimate Genji choja.'  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

このため戦後、徳川家康の命で改易されて浪人となる。例文帳に追加

Therefore, he was deprived of his fief by order of Ieyasu TOKUGAWA and became a ronin (masterless samurai) after the battle.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

それぞれ逆の組合せもあるので、厳密にいえば12通りあることになる。例文帳に追加

Strictly speaking, there are twelve combinations because the order of two Chinese characters can be opposite.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

さらに、電極は、ＡｌあるいはＡｌを主成分とする合金からなる。例文帳に追加

The electrodes are made of Al or an alloy whose major component is Al. - 特許庁

このとき、被写体距離Ｌは、Ｌ：Ｓ＝ａ：ｘより、Ｌ＝Ｓａ／ｘとなる。例文帳に追加

The subject distance L becomes L=Sa/x from L:S=a:x. - 特許庁

補正後データＢａｆｔ（ビームＢ出力）は、 Ｂａｆｔ＝Ｂ＋Ｃとなる。例文帳に追加

Corrected data Baft (beam B output) becomes Baft=B+C. - 特許庁

組成ａ、ｂ、ｘはａ<ｘ<ｂなる関係が成立している。例文帳に追加

The compositions a, b and x satisfy a relation a<x<b. - 特許庁

基板およびＳＲＡＭユニットセルからなるＳＲＡＭデバイスである。例文帳に追加

The SRAM device includes a substrate and an SRAM unit cell. - 特許庁

ＴｉＡｌ金属間化合物のため、ターゲットが割れることがなくなる。例文帳に追加

Since the TiAl intermetallic compd. is used, the target is hardly broken. - 特許庁

ＧａＡｓからなる基板に備えられた素子およびその製造方法例文帳に追加

ELEMENT FABRICATED ON GaAs SUBSTRATE AND ITS FABRICATING METHOD - 特許庁

第２のIII族窒化物半導体は、例えばＩｎＧａＮ等からなる。例文帳に追加

A second group III nitride semiconductor is composed of, for example, InGaN etc. - 特許庁

井戸層は改質された３層の１ｎｍのＩｎＧａＮ薄膜からなる。例文帳に追加

The well layer includes quality reformed three layers of 1 nm InGaN thin films. - 特許庁

Ｄは、希土類、Ａｌ及びＣｒからなる群から選択される。例文帳に追加

D is selected from the group comprising rare earth elements, Al, and Cr. - 特許庁

井戸層は改質された３層の１ｎｍのＩｎＧａＮ薄膜からなる。例文帳に追加

The well layer consists of three layers of the reformed 1 nm InGaN thin film. - 特許庁

また、ＡｌＧａＮからなる挿入層１０３にホウ素が添加されている。例文帳に追加

Moreover, boron is added to the insert layer 103 consisting of AlGaN. - 特許庁

輻射層２は、金属表面１ａ上に積層され、ＡｌＴｉＮからなる。例文帳に追加

The radiation layer 2 is laminated on the metallic surface 1a and consists of AlTiN. - 特許庁

前記電子遮断層は好ましくはｐ型ＡｌＹＧａＮからなる。例文帳に追加

It is preferable that the electron blocking layer is made of p-type AlYGaN. - 特許庁

組成ａ、ｂ、ｘはａ<ｘ<ｂなる関係が成立している。例文帳に追加

The relation (a)<(x)<(b) is established between the compositions (a), (b) and (x). - 特許庁