「もうけ n」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

On the n-type layer B-N, a p-type well region PWEL is uniformly provided.例文帳に追加

Ｎ型層Ｂ-N上にはＰ型のウェル領域ＰＷＥＬが一様に設けられている。 - 特許庁

An solenoid selector valve 105 is provided in the Z_1 on the most downstream side and valve units 60 are provided in the remaining Z_2-Z_n.例文帳に追加

最下流のＺ_1に電磁切換弁105を設け、残りのＺ_2〜Ｚ_nに弁ユニット60を設けた。 - 特許庁

The n-side lead-out electrode includes an n-side metal wiring layer and an n-side metal pillar provided on the n-side metal wiring layer.例文帳に追加

ｎ側引き出し電極は、ｎ側金属配線層とｎ側金属配線層上に設けられたｎ側金属ピラーとを有する。 - 特許庁

Electrodes 1, 2, 3 for applying n-phase AC voltage, where n is at least 2, are arranged on a specimen table 9, and a circuit for applying the n-phase AC voltage is arranged.例文帳に追加

試料台９に、ｎ＝２以上のｎ相交流電圧を印加する電極１、２、３を設け、ｎ相交流電圧を印加する回路を設ける。 - 特許庁

On the n^+-layer, electrodes for extracting signals are formed.例文帳に追加

ｎ＋層には信号を取り出すための電極を設ける。 - 特許庁

The exposed part 11a is provided with an n-side electrode 5.例文帳に追加

露出部１１ａにはｎ側電極５が設けられている。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided on the n-type layer.例文帳に追加

前記発光層は、前記ｎ形層の上に設けられている。 - 特許庁

An N-type buffer layer 6 is provided between the N^--type drift layer 1 and the P-type anode layer 2.例文帳に追加

Ｎ^−型ドリフト層１とＰ型アノード層２の間にＮ型バッファ層６が設けられている。 - 特許庁

Moreover, an n-side electrode 18 is provided at the rear of an n-type semiconductor substrate 12.例文帳に追加

また、ｎ側電極１８はｎ型半導体基板１２の裏面に設けられている。 - 特許庁

A p+ layer 16 is provided on the n+ layer 15 and the n++ buffer layer 20.例文帳に追加

ｐ＋層１６は、ｎ＋層１５およびｎ＋＋バッファ層２０の上に設けられている。 - 特許庁

The opening 18a of the exhaust duct 18 is provided between the process cartridge N and the fixing means I.例文帳に追加

排気ダクト18の開口18a は、プロセスカートリッジN と定着手段I の間に設けられている。 - 特許庁

A second region 10B includes a partial region of the n-type layer 12 and an n-side electrode 22 is provided.例文帳に追加

第２領域１０Ｂは、ｎ型層１２の一部領域を含み、ｎ側電極２２が設けられている。 - 特許庁

An n-type InP layer 36 is provided on the n-type InGaAs layer 34.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＧａＡｓ層３４上にｎ型ＩｎＰ層３６が設けられている。 - 特許庁

An n-type InGaAs layer 34 is provided on the first surface of the n-type InP substrate 32.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板３２の表面上にｎ型ＩｎＧａＡｓ層３４が設けられている。 - 特許庁

NPN transistors Tr21-Tr2n are disposed in respective blocks B_1-B_n.例文帳に追加

ＮＰＮ型トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２ｎを各ブロックＢ_1〜Ｂ_n毎に設ける。 - 特許庁

A positive hole reflecting layer may also be provided at any of n, n-, i, and p- types.例文帳に追加

なお正孔反射層はｎ、ｎ^-、ｉ、ｐ^-形のいずれにも設けることができる。 - 特許庁

An embedded n-type impurity region is provided in the vicinity of a boundary of a channel layer and an n^--type semiconductor layer.例文帳に追加

チャネル層とｎ−型半導体層の境界付近に埋め込みｎ型不純物領域を設ける。 - 特許庁

N numbers (N: plural number) of speakers 12 are spaced along a guiding direction 100.例文帳に追加

誘導方向１００に沿って互いに間隔を置いてＮ台（Ｎ；複数）のスピーカ１２，１２，…が設けられている。 - 特許庁

Each minute DC power sources D_1-D_n and the power switches SW_1-SW_n are provided with bypass paths P_1-P_n.例文帳に追加

各微小直流電源Ｄ_１〜Ｄ_ｎと電源スイッチＳＷ_１〜ＳＷ_ｎには，迂回路Ｐ_１〜Ｐ_ｎを設ける。 - 特許庁

N pieces of wiring lines 105, 106 to which N phases (N is a positive integer of 2 or more) of signals are supplied are located on the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板１０１上にＮ相（ただしＮは２以上の正の整数）の信号が供給されるＮ本の配線１０５,１０６が設けられる。 - 特許庁

The n-side wiring layer is provided on the insulating film, and is connected to the n-side electrode via the n-side contact.例文帳に追加

ｎ側配線層は、絶縁膜上に設けられ、ｎ側コンタクト部を介してｎ側電極と接続されている。 - 特許庁

The n-side wiring layer is prepared in the insulating film, and connected to the n-side electrode through the n-side contact part.例文帳に追加

ｎ側配線層は、絶縁膜内に設けられ、ｎ側コンタクト部を介してｎ側電極と接続されている。 - 特許庁

An optical switching member having an N×M array is prepared to transmit optical signals between optical fibers with N input ports and M output ports.例文帳に追加

N入力M出力光ファイバ間で光信号を通信するため、Ｎ×Ｍ配列の光学的切換部材を設ける。 - 特許庁

Then an n-type electrode 15 is formed on the n-type semiconductor layer 11 exposed by removing the layers and a p-type electrode 16 is formed on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

そして、前記p型半導体層およびi型半導体層を除去して露出したn型半導体層の上にn型電極15が設けられ、前記p型半導体層上にp型電極16が設けられている。 - 特許庁

An ESD protection diode is constructed by forming an n+ buried diffusion layer 8 on an N type silicon substrate and also forming an epitaxial layer 9 thereon.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板上にｎ＋埋込拡散層８を設けるとともに、この上にエピタキシャル層９を設け、静電保護ダイオードを構成する。 - 特許庁

An n+ cathode region 32 and an n-cathode region 34 are provided on a cathode electrode 30, and a p-channel region 36 is provided thereon.例文帳に追加

カソード電極３０上にｎ＋カソード領域３２、ｎ−カソード領域３４が設けられ、さらにｐ−チャネル領域３６が設けられる。 - 特許庁

The N^+ diffused layer 2 is provided between the floating gates while the N^+ diffused layer 4 is provided between the access gates.例文帳に追加

Ｎ^+拡散層２はフローティングゲート間に設けられ、Ｎ^+拡散層４はアクセスゲート間に設けられる。 - 特許庁

In this machine tool, (n) or more pieces of main shafts 5 (n≥3) are provided in parallel, and tool rests 4A, 4B such as turrets are provided between the main shafts 5.例文帳に追加

ｎ個以上（ｎ≧３）の主軸５を並べて設け、これら主軸５のそれぞれの間に、タレット等の刃物台４Ａ，４Ｂを設ける。 - 特許庁

An ultraviolet application unit (UV) is provided with the same number of photosensors 72(1)-72(n) for individually monitoring the emission state of a plurality of (n) ultraviolet lamps 64(1)-64(n) in a lamp chamber 66.例文帳に追加

この紫外線照射ユニット（ＵＶ）では、ランプ室６６内に複数（ｎ）個の紫外線ランプ６４(1)〜６４(n)の発光状態をそれぞれ個別的に監視するための同数の光センサ７２(1)〜７２(n)が設けられている。 - 特許庁

This apartment house 2 is provided with a parking shelf part 4 allowed to arrange the parking garage Pm-n exclusive to respective dwelling units allowed to park vehicles V in a position faced to a porch Dm-n of the respective dwelling units Hm-n (m indicates the floor, and n indicates the respective dwelling units) of the whole floors.例文帳に追加

マンション２に、全ての階の各住戸Ｈ_m-n （ｍは階、ｎは各住戸を示す）の玄関Ｄ_m-n に面する位置に車両Ｖが駐車できる各住戸専用の駐車場Ｐ_m-_n を設けることが可能な駐車棚部４を配置する。 - 特許庁

An n^- silicon carbide layer is provided on a silicon carbide substrate.例文帳に追加

ｎ”シリコンカーバイド層が、シリコンカーバイド基板上に設けられる。 - 特許庁

A back electrode 26 is arranged on the other N-type semiconductor substrate.例文帳に追加

また他方のｎ型半導体基板上に裏面電極２６を設ける。 - 特許庁

An n-type InP contact layer 20 is provided on the side face of a mesa.例文帳に追加

メサの側面にはｎ−ＩｎＰコンタクト層２０が設けられている。 - 特許庁

A common cathode electrode is provided on the rear surface of the n-type InP substrate.例文帳に追加

一方、ｎ型ＩｎＰ基板の裏面には、コモンのカソード電極を設けた。 - 特許庁

A P-type anode layer 2 is provided above an N^--type drift layer 1.例文帳に追加

Ｎ^−型ドリフト層１上にＰ型アノード層２が設けられている。 - 特許庁

The first n-type semiconductor layer 13 is formed on a substrate 11.例文帳に追加

第１のｎ型半導体層１３は基板１１上に設けられている。 - 特許庁

The N-type epitaxial layer 11 is disposed in the emitter aperture 19.例文帳に追加

エミッタ開口部１９にはＮ型エピタキシャル層１１が設けられる。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光層は、ｎ型、ｐ型半導体層の間に設けられる。 - 特許庁

An n-side electrode 19 is formed on the back surface 13b of the substrate 13.例文帳に追加

ｎ側電極１９は、基板１３の裏面１３ｂ上に設けられている。 - 特許庁

A p-type region 40 is provided on a part of the n-type InP layer 36.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ層３６の一部にｐ型領域４０が設けられている。 - 特許庁

P-type regions 2, 4 are provided on a first n-type region 1.例文帳に追加

ｐ型領域２、４は第１のｎ型領域１上に設けられている。 - 特許庁

An n-type channel region 5 is provided under the gate region 2.例文帳に追加

ｎ型のチャネル領域５が、ゲート領域２の下部に設けられる。 - 特許庁

Next, the timbering 11-(n+1) is provided in an upper part of the improvement body 15-n.例文帳に追加

次に、改良体１５−ｎの上部に支保工１１−（ｎ＋１）を設ける。 - 特許庁

In this manufacturing method, the high-concentration n type impurity region is prepared under the channel layer.例文帳に追加

チャネル層下方に、高濃度のｎ型不純物層を設ける。 - 特許庁

The base station 10 is provided with N base station transmission/reception antennas 20.例文帳に追加

基地局１０にＮ個の基地局送受信アンテナ２０を設ける。 - 特許庁