「もうけ n」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

A network load monitoring part 15 monitors a load on the network N according to a transmission state of the data transmission part 13 and a reception state of a data receiving part 23; a transmission control unit 14 provides a time (lag R) for packet transmission congestion between packets to be transmitted in accordance with a size of the monitored load on the network.例文帳に追加

ネットワーク負荷監視部１５は、データ送信部１３の送信状況とデータ受信部２３の受信状況によりネットワークＮの負荷を監視し、監視したネットワークの負荷の大きさに応じて、送信制御部１４が送信されるパケット間にパケットの送信停滞の時間（ラグＲ）を設ける。 - 特許庁

Among such gardening tags, the gardening tag 1 is provided with a memo pad sheet 4 which is folded in a flat expandable manner on the upper part of the tag body 3 and in which information N is described, and a holder 5 which is made of a water repellent film and holds the memo pad sheet 4 in a folded condition in the inside of the film.例文帳に追加

そして、このような園芸用タグのなかでも、本発明の園芸用タグ１は、タグ本体３の上部に平面展開可能に折り畳まれると共に情報Ｎが記載されたメモシート４と、この撥水性のフィルムから構成されると共にフィルムの内側にメモシート４を折り畳み状態で収納可能とする収容体５とが設けられていることを特徴とするものである。 - 特許庁

A multiphase clock supplying circuit 50 is installed, which generates a scan clock signal SCK (k) of (n+1) arising from the clock signal SCLK for test indicating implementation of scan path test, with no overlap mutually and in sequence, to supply the generated scan clock signal SCK (k) to scan flip-flop SFF of (n-1) and one scan flip-flop SFF*.例文帳に追加

スキャンパステストの実行を示すテスト用クロック信号ＳＣＬＫから互いに重複せず順に立ち上がる（ｎ＋１）個のスキャンクロック信号ＳＣＫ（ｋ）を生成する多相クロック供給回路５０を設け、生成したスキャンクロック信号ＳＣＫ（ｋ）を（ｎ−１）個のスキャンフリップフロップＳＦＦと１個のスキャンフリップフロップＳＦＦ＊とに供給する。 - 特許庁

A delay control circuit 6 for generating a delay control signal comprising a digital value DCTRL [n:0] for controlling a delay value is provided on a side of a central control circuit 2 for generating a reference signal actCLK on the basis of an external clock extCLK, and the central control circuit 2 supplies the reference signal and the delay control signal to a local control circuit 3.例文帳に追加

外部クロックｅｘｔＣＬＫに基づき基準信号ａｃｔＣＬＫを生成する中央制御回路２側に、遅延値を制御するディジタル値ＤＣＴＲＬ［ｎ：０］からなる遅延制御信号を生成する遅延制御回路６を設け、中央制御回路２からローカル制御回路３に対して基準信号と遅延制御信号とを供給する。 - 特許庁

This driving circuit is provided with a semiconductor switching element having C-MOS (complementary metal-oxide semiconductor) structure which receives the feeding of power from a picture signal wiring and which samples the potential of a picture signal and capacitances provided among respective gate electrodes of the P-channel transistor and the N-channel transistor of the semiconductor switching element having the C-MOS structure and the picture signal wiring.例文帳に追加

画像信号配線からの給電を受け、画像信号の電位をサンプリングするＣ—ＭＯＳ構成の半導体スイッチング素子と、前記Ｃ−ＭＯＳ構成の半導体スイッチング素子のＰチャネルトランジスタおよびＮチャネルトランジスタのそれぞれのゲート電極と前記画像信号配線との間に設けられた容量とを備えたことを特徴とする駆動回路。 - 特許庁

The harmonic analyzer converts measured analog signals into digital form, performs harmonic analysis, and is provided with a sampling clock generator 9 constituted of a digital circuit for generating a sampling clock which has a frequency N-times higher than a zero-cross signal on the basis of a zero-cross signal of the measured analog signals and which is used for the conversion of the measured analog signals into digital form.例文帳に追加

測定アナログ信号をディジタル化して高調波の解析を行う高調波解析装置であって、ディジタル回路で構成され、測定アナログ信号のゼロクロス信号に基づき、ゼロクロス信号のＮ倍の周波数を有し測定アナログ信号のディジタル化に用いるサンプリングクロックを生成するサンプリングクロック発生器を設けたことを特徴とするもの。 - 特許庁

A heat-sensitive recording material is provided with a heat- sensitive coloring layer containing usually a colorless or a light-color coloring compound and a developing compound capable of making the coloring compound develop color at the time of being heated and formed on a substrate, and a 4,4'-dihydroxydiphenyl sulfone or a 2,4'-dihydroxyphenyl sulfone and an N-(4- methylphenyl)acetoamide are contained therein.例文帳に追加

支持体上に通常無色ないし淡色の発色性化合物、該発色性化合物を熱時発色させうる顕色性化合物を含有する感熱発色層を設けた感熱記録材料において、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン又は２，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン及びＮ−（４−メチルフェニル）アセトアミドを含有することを特徴とする感熱記録材料。 - 特許庁

A processor 2 provided in the mobile telephone set generates a picture profile 5 for a picture going to be displayed by sequentially editing a plurality of picture templates I1-In stored in a memory 1 on the basis of a sequence and a coefficient instructed by a picture control signal 4 and displays the picture onto a picture display device 1.例文帳に追加

移動電話機内に設けられているプロセッサ２は、メモリ１中に記憶された複数の画像テンプレートＩ_1〜Ｉ_nを画像制御信号４により指示された順序および係数に基いて順次編集することにより表示しようとする画像の画像プロファイル５を作成し、その画像を画像表示装置１に表示させる。 - 特許庁

A first means (an error amplifier (2)1a), which detects the overshoot of output voltages, and a second means (a P channel transistor M19 and an N channel transistor M12), which increases currents flowing through the error amplifier while the overshoot of the output voltages is being detected, are provided in a voltage regulator equipped with an error amplifier.例文帳に追加

誤差増幅器を具備したボルテージレギュレータに、出力電圧のオーバーシュートを検出する第１の手段（誤差増幅器（２）１ａ）と、出力電圧のオーバーシュートを検出している間、誤差増幅器に流す電流を増加させる第２の手段（ＰチャネルトランジスタＭ１９、ＮチャネルトランジスタＭ１２）とを設ける。 - 特許庁

An N- or Ar-contg. inert gas is jetted to blow off O adsorbed in the surface, an inert gas blowing hole 1 is disposed in a preheating tank 10 of a reflow apparatus to positively substitute O for the inert gas, and solder is molten in the absence of O in a reflowing tank 13 disposed downstream of the preheating tank 10.例文帳に追加

窒素またはアルゴンを含む不活性ガスを噴射することで、表面に吸着した酸素を吹き飛ばし、前記不活性ガスと酸素との置換を積極的に行なうために、リフロー装置のプリヒート槽１０内に不活性ガス吹き出し口１を設け、プリヒート槽の下流側に配設されるはんだリフロー槽１３において無酸素状態ではんだ融を行なう。 - 特許庁

The crosslinkable diphenylsulfone compound is represented by general formula (1) (wherein, n is an integer of 1-10), and the thermal recording material is provided by forming on a support, a thermally color-developing layer containing a thermal recording developer comprising the crosslinkable diphenylsulfone compound, and a colorless or light color leuco dye.例文帳に追加

一般式（１）（式中、ｎは、１〜１０の整数を表す。）で表されるジフェニルスルホン架橋型化合物、及びこのジフェニルスルホン架橋型化合物からなる感熱記録用顕色物質と、無色又は淡色のロイコ染料からなる発色物質とを含有する感熱発色層を支持体上に設けてなる感熱記録材料である。 - 特許庁

This transplanting machine which is equipped with a traveling body 1 having left and right pairs of front and rear wheels 14, 15 tumbling in a gutter 30 between furrows and transplants a seedling N on the furrow R while travelling by striding over the furrow R has a scraper 33 in front of the front wheels 14, for leveling the placed soil 31 placed on the gutter 30 between the furrows after laying a mulch film 7.例文帳に追加

畝間溝３０を転動する左右一対の前後輪１４，１５を有する走行体１を備え、畝Ｒを跨いで走行しながら該畝Ｒに苗Ｎを植え付ける移植機において、マルチフィルム７が敷設された後の畝間溝３０上に置かれた置き土３１を均すスクレーパ３３を前輪１４の前方に設ける。 - 特許庁

The optical fiber strand (1) for the fiber grating is provided with a primary covering layer (3) and a secondary covering layer (4) on a glass optical fiber bare wire (2), and the primary covering layer (3) is constituted of a resin composition that incorporates silane coupling agent by 0.05-5 mass % and whose contactness with glass is set 5-20 N/m.例文帳に追加

ガラス光ファイバ裸線（２）上に一次被覆層（３）及び二次被覆層（４）が設けられてなる光ファイバ素線であって、該一次被覆層（３）が、シランカップリング剤を０．０５〜５質量％含有し、ガラスとの密着力が５〜２０Ｎ／ｍである樹脂組成物からなるファイバグレーティング用光ファイバ素線（１）。 - 特許庁

In the thermosensitive recording medium comprising a support overlaid with a thermosensitive recording layer including colorless or light-colored basic leuco dye and electron acceptive developer and a protective layer, 3-(N-ethyl-p ethylphenol amino)-6-methyl-7-anilinofluoran is included as the electron donative lueco dye in the thermosensitive recording layer and, at the same time the protective layer includes powdered cellulose in order to manifest excellent effects.例文帳に追加

支持体上に、無色又は淡色の塩基性ロイコ染料及び電子受容性顕色剤を含有する感熱記録層と保護層とを設けた感熱記録体であって、該感熱記録層が、電子供与性ロイコ染料として、３−（Ｎ−エチル−ｐメチルフェニルアミノ）−６−メチル−７−アニリノフルオランを含有し、且つ該保護層中が粉末セルロースを含有させることにより優れた効果が発現する。 - 特許庁

A common power supply system 11b of the first level shifter LS1, a common power supply system 12b of the second level shifter LS2, a common power supply system 13b of the third level shifter LS3, and a common power supply system 1nb of the n-th level shifter LSn are provided in the signal level conversion circuit 50, respectively, and supplied with high-potential electric power VCCX.例文帳に追加

第１のレベルシフタＬＳ１の共通電源系部１１ｂ、第２のレベルシフタＬＳ２の共通電源系部１２ｂ、第３のレベルシフタＬＳ３の共通電源系部１３ｂ、及び第ｎのレベルシフタＬＳｎの共通電源系部１ｎｂは、信号レベル変換回路５０の内部側にそれぞれ設けられ、高電位電源ＶＣＣＸが供給される。 - 特許庁

P-type wells HPW1 to HPW3 are provided separately from each other in the n-type buried well DNW of a semiconductor substrate 1S in a flash memory forming region; and a capacitor unit C, a data writing/erasing electric charge injection/discharge unit CWE, and a data readout MISFET QR are arranged in each of the p-type wells HPW1 to HPW3.例文帳に追加

フラッシュメモリの形成領域の半導体基板１Ｓのｎ型の埋込ウエルＤＮＷ内にｐ型のウエルＨＰＷ１〜ＨＰＷ３を互いに分離した状態で設け、そのウエルＨＰＷ１〜ＨＰＷ３にそれぞれ容量部Ｃ、データ書き込み・消去用の電荷注入放出部ＣＷＥおよびデータ読み出し用のＭＩＳ・ＦＥＴＱＲを配置した。 - 特許庁

An N- type thin-film source region 11 which is thinner than the source region 5 is so provided as to adjoin the source region 5 by an adjoining part R between the source region 5 and the drain region 6, so that, as shown with an allow Q2, a current path is formed from the drain region 6 to the source region 5 through the thin-film source region 11.例文帳に追加

そして、厚さがソース領域５より薄く、Ｎ^-型の薄膜ソース領域１１が、ソース領域５とドレイン領域６の間にソース領域５に隣接部Ｒで隣接するよう設けられ、矢印Ｑ２で示すようにドレイン領域６から薄膜ソース領域１１を介してソース領域５へ電流経路が形成される。 - 特許庁

A flat and nearly L-shaped eaves gutter joint B having eaves gutter fitting parts 10a and 10c at both ends thereof connecting ends of two eaves gutters N and M partitions the inside of one of the eaves gutter fitting parts 10c with a water stop wall 30, and the notch 31 is formed in the water stop wall 30 to hold the end of eaves gutter M.例文帳に追加

また、略Ｌ字状の平面形状に形成され、双方の軒樋Ｎ、Ｍの端部を接続する軒樋嵌合部１０ａ、１０ｃが両端に設けられている軒樋継手Ｂであって、いずれか一方の軒樋嵌合部１０ｃの内部側が止水壁３０によって仕切られ、該止水壁３０に軒樋Ｍの端部を保持する切り欠部３１が開口している。 - 特許庁

In the photodiode array 1 where a plurality of photodiodes 4 are formed in an array on the side of an n-type silicon substrate 3 opposite to the incident surface of a light L to be detected, a transparent resin film 6 transmitting the light L to be detected is provided on the incident surface side to cover at least regions on the incident surface side corresponding to the regions where the photodiodes 4 are formed.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板３の被検出光Ｌの入射面の反対面側に、複数のホトダイオード４がアレイ状に形成されたホトダイオードアレイにおいて、その入射面側の少なくともホトダイオード４が形成された領域と対応する領域を被覆し、被検出光Ｌを透過する透明樹脂膜６を入射面側に設けてホトダイオードアレイ１とする。 - 特許庁

In the peripheral region 4 surrounding the device active region 2, a plurality of p-type line-shaped resurfs 15 are provided extending in the opposing direction of the inner perimeter edge and the outer perimeter edge of the peripheral region 4, and n-type drift layers 7 and the p-type line-shaped resurfs 15 are alternately arranged in the direction intersecting the opposing direction.例文帳に追加

また、素子活性領域２を取り囲む外周領域４では、外周領域４の内周縁と外周縁との対向方向に延びるｐ型ライン状リサーフ部１５が複数設けられており、その対向方向と交差する方向において、ｎ型ドリフト層７とｐ型ライン状リサーフ部１５とが交互に並ぶ。 - 特許庁

For example, the capacitive element portion 14 is formed to include the same circuit patterns as those of memory cells and is formed by arranging in a matrix-manner a plurality of the potential compensating cells at the same time as forming a memory region 11 in a different region (a N well region 21d) from the memory region 11 provided on a semiconductor substrate 21a.例文帳に追加

たとえば、半導体基板２１ａ上に設けられるメモリ領域１１とは別の領域（Ｎウェル領域２１ｄ）に、メモリ領域１１の形成と同時に、メモリセルと同様の回路パターンを有する、複数の電位補償用セルをマトリクス状に配置してなる容量素子部１４を形成する。 - 特許庁

The fixing device 25 is provided with a parting claw contact sensor 210 which detects contact of recording paper with a parting claw 203 as a track abnormality detecting means to detect track abnormality in which the recording paper P having passed through a nip part N draws a track different from a normal one, thereby detecting parting abnormality at a parting part α.例文帳に追加

定着装置２５に軌跡異常検知手段として分離爪２０３に記録紙Ｐが接触したことを検知する分離爪接触センサ２１０を設けることにより、ニップ部Ｎを通過後の記録紙Ｐが通常とは異なる軌跡を描く、軌跡異常を検知することで、分離部αでの分離異常の発生を検知することになる。 - 特許庁

In addition, impurity ion groups 23a and 23b are implanted from gaps 19a and 19b formed between the accumulation electrodes 17a, 17b, 17c, etc. and the barrier electrodes 21a, 21b, etc., so as to form a barrier regions 23 on the surface of the n-type region 13 that correspond with the barrier electrodes 21a, 21b, etc.例文帳に追加

また、蓄積電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，〜とバリア電極２１ａ，２１ｂ，〜との間にそれぞれ設けられたギャップ１９ａ，１９ｂより不純物イオン群２３ａ，２３ｂを注入し、バリア電極２１ａ，２１ｂ，〜に対応する、ｎ型領域１３の表面部にそれぞれバリア領域２３を形成してなる構成とされている。 - 特許庁

A method for manufacturing the III nitride semiconductor light- emitting element having the high light-emitting intensity comprises the step of providing the light-emitting part having a barrier layer made of the III nitride semiconductor, containing nitrogen(N) and a group V element other than nitrogen and a light-emitting layer via a buffer layer on the Si substrate and having superior crystallinity of a lattice-matching heterojunction structure.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に緩衝層を介して、窒素（Ｎ）と窒素以外の第Ｖ族元素とを含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる障壁層と発光層とからなる格子整合系のヘテロ接合構造の結晶性に優れる発光部を設けることにより、高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

The optical variable attenuator 1 has an optical waveguide element 3, where optical variable attenuating circuits 2a to n attenuating and outputting inputted light are formed, mounted in a package 44, and highly heat conductive members 5a and 5b are provided between the optical waveguide element 3 and package 44 while divided into at least two or more parts.例文帳に追加

入力される光を減衰させて出力する光可変減衰回路２ａ〜ｎが形成された光導波路素子３を、パッケージ４４にマウントした光可変減衰器１において、光導波路素子３とパッケージ４４間に、高熱伝導部材５ａ，５ｂを、少なくとも２つ以上に分割して設けたものである。 - 特許庁

A high-concentration n-type diffusion layer 116 is formed in an isolation region 115 to reduce collector currents flowing through a parasitic npn transistor 102, thereby providing the drive circuit and the data line driver which improves resistance to noises between adjacent terminals while inhibiting an increase in a chip size, using a normal CMOS process.例文帳に追加

分離領域１１５に高濃度Ｎ型拡散層１１６を設けることにより、寄生ＮＰＮトランジスタ１０２のコレクタ電流を削減することができるので、通常のＣＭＯＳプロセスを用いて、チップサイズを抑制しながら隣接端子間のノイズに対する耐性を向上することのできる駆動回路およびデータ線ドライバを提供することができる。 - 特許庁

The micromirror device is obtained by using a semiconductor anisotropic etching process to process a silicon substrate and has a structure, wherein a shear-type strain gauge 3 which measures the angle of rotation of a mirror 1 and utilizes a piezoresistance effect is provided in a torsion bar 2 divided p-type or n-type semiconductor areas in a perpendicular direction of the silicon substrate.例文帳に追加

半導体異方性エッチングプロセスを使用してシリコン基板を加工したマイクロミラーデバイスであって、シリコン基板の厚さ方向にｐ型またはｎ型の半導体領域に分割したトーションバー２に、ミラー１の回転角を測定するピエゾ抵抗効果を利用したせん断型歪ゲージ３を設けた構造を特徴とする。 - 特許庁

In a heat-sensitive recording material wherein a heat-sensitive color-developing layer which contains a generally colorless or light-colored coloring compound and a color-developing compound capable of allowing the coloring compound to develop color in heating are provided on a substrate, 3,4-dihydroxyphenyl-p-trisulfone and N-(4-methylphenyl) acetoamide are contained.例文帳に追加

支持体上に通常無色ないし淡色の発色性化合物、該発色性化合物を熱時発色させうる顕色性化合物を含有する感熱発色層を設けた感熱記録材料において、３，４−ジヒドロキシフェニル−ｐ−トリルスルホン及びＮ−（４−メチルフェニル）アセトアミドを含有することを特徴とする感熱記録材料。 - 特許庁

The semiconductor light emitting diode includes a substrate and an n-type semiconductor layer, an active layer, a p-type semiconductor layer, and a p-type electrode having a first metal layer formed on the p-type semiconductor layer and a second metal layer formed on the first metal layer and reflecting light generated by the active layer, which are formed on the substrate in this order.例文帳に追加

基板、この基板上に順次に設けられたｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、ｐ型半導体層上に形成される第１金属層とこの第１金属層上に形成されて活性層から発生した光を反射させる第２金属層とを備えるｐ型電極と、を含む半導体発光ダイオードである。 - 特許庁

To provide a triangulation type distance detecting circuit that enables, when distances in a broad range, from long to short, are to be measured by triangulation, the accuracy of distance measurement to be enhanced by decreasing susceptibility to fluctuations in characteristics while securing a dynamic range for improving the S/N ratio in a simple configuration using no particularly precise components.例文帳に追加

三角測距によって遠距離から近距離までの広範囲な距離測定を行う場合に、特に高精度な部品を使用することなく簡単な構成でＳ／Ｎ比を上げるためのダイナミックレンジを確保しつつ、特性ばらつきの影響も受けにくくして距離測定精度の向上を可能とした三角測距方式の距離検出回路を提供する。 - 特許庁

A power semiconductor element is provided with first and second conductivity type semiconductor regions 1 and 3 provided in a substrate, where part of a P-N junction 2 formed between the regions 1 and 3 is sharpened and the radius of curvature of these sharpened parts is 0.5 μm or smaller.例文帳に追加

基板に設けられた第１導電型半導体領域１と、第２導電型半導体領域３とを備え、第１導電型半導体領域１と第２導電型半導体領域３との間に形成されるＰＮ接合２の一部が先鋭化されており、この先鋭化された部分の曲率半径が０．５μｍ以下である電力用素子を提供する。 - 特許庁

A shielding and transmitting member 80 is provided with: a column 81 where a plurality of shielding parts 81a for shielding emitted light from an LED 62a and a plurality of transmitting parts 81b transmitting the emitted light from an LED 62a are formed alternately by N-number.例文帳に追加

遮蔽透過部材８０には、ＬＥＤ６２ａからの出射光を遮蔽する複数の遮蔽部８１ａ、およびＬＥＤ６２ａからの出射光を透過させる複数の透過部８１ｂが交互にＮ個形成された列８１と、同様に複数の遮蔽部８２ａおよび複数の透過部８２ｂが交互にＮ個形成された列８２とが設けられている。 - 特許庁

The communication system has the server devices S (Sa, Sb, ..., Sz), and the terminal units (portable telephones) T1, T2 that are connected via a communication network N.例文帳に追加

通信ネットワークＮを介して接続されたサーバ装置Ｓ（Ｓａ、Ｓｂ…Ｓｚ）及び端末装置（携帯電話）Ｔ１、Ｔ２を有する通信システムであって、サーバ装置Ｓが複数設けられ、端末装置Ｔ１、Ｔ２は、当該端末装置Ｔ１、Ｔ２の位置を示す位置情報を取得する位置情報取得手段と、この位置情報に基づいて通信するサーバ装置Ｓを決定するサーバ装置決定手段と、を有する通信システムにより上記課題を解決する。 - 特許庁

A switch circuit SW1 is provided in a MRAM containing, for example, a TMR element Rij and an N channel MOS transistor Mij to apply either the reference voltage VrefN or the burn-in test reference voltage VrefB larger than the reference voltage VrefN to a memory element.例文帳に追加

例えばＴＭＲ素子ＲｉｊおよびＮチャネルＭＯＳトランジスタＭｉｊをメモリ素子として含むＭＲＡＭの場合において、参照電圧ＶｒｅｆＮをメモリ素子に印加するか、あるいは、参照電圧ＶｒｅｆＮよりも大きな値のバーンインテスト用参照電圧ＶｒｅｆＢをメモリ素子に印加するかを切り換えることが可能な切り換え回路ＳＷ１を設ける。 - 特許庁

The active energy line curable adhesive for a polarizing plate used for placing a transparent protective film on one side of a polarizer contains: a monofunctional monomer (A) containing an N-substituted amide-based monofunctional monomer (a) having a hydroxyl group; and a polyfunctional monomer (b) having at least one (meth)acrylic amide group.例文帳に追加

偏光子の少なくとも片面に透明保護フィルムを設けるために用いる、活性エネルギー線硬化型の偏光板用接着剤であって、前記偏光板用接着剤は、ヒドロキシル基を有するＮ−置換アミド系の単官能性モノマー（ａ）を含有する単官能性モノマー（Ａ）および（メタ）アクリルアミド基を少なくとも１つ有する多官能性モノマー（ｂ）を含有することを特徴とする偏光板用接着剤。 - 特許庁

Switching means QP and QN for controlling a subthreshold current flowing to a circuit (driving circuit) between the circuit and a positive power supply potential Vcc and between the circuit and a ground potential are provided in the circuit that operates mainly at an intermediate potential between the positive power supply potential and the ground potential.例文帳に追加

正の電源電位Ｖｃｃとグランド電位との中間電位を中心に動作を行う回路（駆動回路）に対して、回路と正の電源電位との間及び回路とグランド電位との間に回路に流れるサブスレッショルド電流を制御するためのスイッチ手段Ｑ_P、Ｑ_Nを設け、上記スイッチ手段は選択機能を有する。 - 特許庁

The modified plastic sheet is constituted by providing a resin layer containing particles on at least the single surface of a synthetic resin base material and the resin layer is formed so as to contain a polymer having an N-methylol group in its terminal or side chain or a polymer having a carboxyl group in its terminal or side chain as a binder resin.例文帳に追加

合成樹脂基材の少なくとも片面に粒子を含有する樹脂層を設けた改質プラスチックシートであって、前記樹脂層をバインダー樹脂として末端あるいは側鎖にＮ−メチロール基を有するポリマーおよび末端あるいは側鎖にカルボキシル基を有するポリマーを含有して形成させる。 - 特許庁

This drafting device D consisting of a pair of fiber-conveying means for conveying the fiber bundle F while gripping it at a nipping point N and stretching is provided by constituting one of the fiber-conveying means as an endless belt 12 so as to also concentrate the conveying force of the fiber bundle by the endless belt at the nipping point.例文帳に追加

繊維束Ｆをニップ点Ｎで把持しつつ、延伸しながら下流側へ搬送するための繊維送り手段の対よりなるドラフト装置Ｄにおいて、前記繊維送り手段の一方を無端ベルト１２で構成するとともに、該無端ベルトによる繊維束の送り力がニップ点において集中するように設けたことを特徴とするドラフト装置。 - 特許庁

In the back electrode type photoelectric conversion element equipped with semiconductor layers 60, 62 and electrodes 80, 82 for collecting carriers only onto the back side of a semiconductor substrate 40 constituted of a principal constituent of a group IV material, a quantum well unit 50 is provided between a p-layer and an n-layer which constitute a pn junction unit on the back side of the substrate.例文帳に追加

ＩＶ属材料を主成分とする半導体基板４０の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層６０，６２及び電極８０，８２を備えた裏面電極型の光電変換素子において、基板裏面側のｐｎ接合部を構成するｐ層とｎ層との間に量子井戸部５０を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

Comparators CM1 to CMn provided with two transistors Qy1 and Qy2 (on the condition that (y) is a number from 1 to (n)) constituting a differential circuit and a transistor Qy3 constituting a signal output circuit and further provided with at least either a transistor Qy4 for constituting an interruption circuit or a transistor Qy5 for constituting an instruction circuit are provided.例文帳に追加

差動回路を構成する２つのトランジスタＱ_ｙ１、Ｑ_ｙ２（ただし、ｙは１からｎの数）と、信号出力回路を構成するトランジスタＱ_ｙ３を具備し、さらに、遮断回路を構成するためのトランジスタＱ_ｙ４と指示回路を構成するためのトランジスタＱ_ｙ５の少なくとも一方を具備するコンパレータＣＭ１〜ＣＭｎを設ける。 - 特許庁

The container gripper for holding a bottle neck N of the bottle carried by a rotary bottle conveyer is equipped with pressing members 11a and 11b to engage with the bottle neck, a positioning member 13 to engage with an annular neck ring 140 of the bottle and an anti-tilting finger 15 to engage with the upper surface of the neck ring.例文帳に追加

回転式のボトル搬送装置により搬送されるボトルのボトルネック部Ｎを把持する容器グリップ装置であって、ボトルネック部に係合する押圧部材１１ａ、１１ｂと、ボトルの環状ネックリング部１４０に係合する位置決定部材１３と、環状ネックリング部上面に係合する傾斜防止フィンガー１５とを設けたことを特徴とする。 - 特許庁

The optical cross connecting system comprises an address detector inputting (n) pieces of wavelength components of optical wavelength multiplexing as input lights, an optical diffusion unit, and a condenser unit for outputting (m) pieces of wavelength components perpendicularly crossed with the optical diffusion unit, by controlling switching of a space lattice matrix of an optical shutter by obtaining information from the detector and connection information.例文帳に追加

光波長多重のｎ個の波長成分を入力光とするアドレス検出部および光拡散部を設け、アドレス検出部と接続情報から情報を得て光シャッタの空間格子マトリックスの開閉を制御し、そして光拡散部に直交するｍ個の波長成分を出力する集光部を構成することによって上記課題を克服している。 - 特許庁

In a signal driving circuit of an active matrix type liquid crystal display device, n switches 161 to 16n are provided between buffer circuits 151 to 15n to which voltages responsive to an image to be displayed are inputted through reference voltage selecting circuits 131 to 13n and output terminals T1 to Tn to which video signal lines are connected.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶表示装置の信号線駆動回路において、表示すべき画像に応じた電圧が基準電圧選択回路１３１〜１３ｎから入力されるバッファ回路１５１〜１５ｎと映像信号線が接続される出力端子Ｔ１〜Ｔｎとの間に、ｎ個の切換スイッチ１６１〜１６ｎを設ける。 - 特許庁

In this load sensing control circuit in a work machine, a damping adjusting means 34 formed by using an orifice 38 and a solenoid selector valve 39 switchable between an OFF position N for bypassing the orifice 38 and an ON position X for passing the orifice 38 is installed in a load pressure signal circuit 26 for introducing load pressure signals to compensator valves 13 to 18.例文帳に追加

コンペンセータバルブ１３〜１８に負荷圧信号を導入する負荷圧信号回路２６に、オリフィス３８と、該オリフィス３８をバイパスするＯＦＦ位置Ｎとオリフィス３８を通過するＯＮ位置Ｘとに切換自在な電磁切換弁３９とを用いて構成されるダンピング調整手段３４を設けた。 - 特許庁

A network controller 21 provided in a disk controller 20 transfers, to a host computer 10 which is a request source, read fragmented data in each disk device whose data reading is finished at every finish time of reading, without waiting complete finish of reading of each disk device DISK (1), DISK (2),..., DISK (n) configuring this disk array 30.例文帳に追加

ディスクコントローラ２０に設けられたネットワークコントローラ２１は、ディスクアレイ３０を構成する各ディスク装置ＤＩＳＫ（１），ＤＩＳＫ（２），…，ＤＩＳＫ（ｎ）の読み込み終了を待たずに、読み込み終了したディスク装置個々に、その読み込み終了の都度、読み込んだ断片化データを要求元のホスト計算機１０に伝送する。 - 特許庁