「もうけ n」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the air injecting ports 28a and 29a are provided to be close to a neck part N right under the flange part F, carrying ability of the vessels B by air is improved, and the flange part F is set to float to reduce a slide resistance to upper surfaces of the guide rails 26 and 27, thereby the vessels B can be efficiently carried.例文帳に追加

空気噴射口２８ａ，２９ａが鍔部Ｆの直下において首部Ｎに近接するように設けられているので、空気による容器Ｂの搬送能力を向上し、鍔部Ｆを浮上させて案内レール２６，２７の上面との摺動抵抗を軽減し、容器Ｂを効率的に搬送する。 - 特許庁

The polyester film contains what is represented by formula (1), wherein n is an integer of 3 or more, and has a thickness of 20-100 μm, wherein the polyester film has a phosphorus content of 0.30-2.00 wt.% and a melting point of 247°C or more and includes a coating layer provided in a film production process.例文帳に追加

下記式（１）を含有する、厚さ２０〜１００μｍのポリエステルフィルムであり、ポリエステルフィルム中のリン含有量が０．３０〜２．００重量％であり、２４７℃以上の融点を有し、フィルム製造工程内で設けられた塗布層を有する。 - 特許庁

A permanent magnet motor provided with an arc-shaped magnet which is alternately magnetized in N and S polarities, is configured such that a magnet curvature is reduced so as to increase the length of the air gap at the edge of a magnet relative to the center of the polarity of a permanent magnet, and a dummy slot is formed at the tip of a tooth of a stator.例文帳に追加

Ｎ極とＳ極が交互に着磁された円弧状磁石を用いた永久磁石形モータにおいて、永久磁石の極中心に対して、磁石端部のエアギャップ長を大きくなるように磁石曲率を小さくし、かつステータのティース先端に疑似スロットを設ける構成とした。 - 特許庁

Two pairs of magnetic groups M1, M2 where magnets 1 to the number of 2n (n:a natural number) are circularly arranged respectively are provided, and magnetic poles of magnets at the shortest distance between the groups are arranged so as to attract each other; and each magnetic group M1, M2 is made to rotate mutually in synchronism in the reverse direction about the center axis.例文帳に追加

２ｎ（ｎ：自然数）個の磁石１を円状に配置した磁石群をＭ１，Ｍ２と2組設け、群間で最短距離にある磁石の磁極は吸引し合うように配置し、磁石群Ｍ１とＭ２は互いに同期させて逆方向に、中心軸の周りを回転させる。 - 特許庁

The device is provided with a control circuit 36, the contents of (n-1) stages of a binary counter 24 allotted to the most significant bit are stored in memory cells of the first (n-1) pieces of the EEPROM, the contents of nth or (n+1)-th memory cell are varied with alternate cycles.例文帳に追加

制御回路（３６）を設け、最上位ビットに割り当てた２進カウンタ（２４）のｎ−１段の内容をＥＥＰＲＯＭの最初のｎ−１個のメモリセルに記憶し、ｎ番目または（ｎ＋１）番目のメモリセルの内容を交互するサイクルで変える。 - 特許庁

Transmission line blocks, (a), (b), ..., (n) of transmission lines 1 and 2 in the multiple system are provided with changeover switches 3a, 3b, ..., 3n and line fault detectors 4a, 4b, ..., 4n and line fault information 10 from each line fault detector is collected to a centralized supervisory and control apparatus 6.例文帳に追加

複数系統の伝送路１，２の各伝送路区間ａ，ｂ，・・・，ｎには、それぞれ切替スイッチ３ａ，３ｂ，・・・，３ｎ、および回線障害検出装置４ａ，４ｂ，・・・，４ｎが設けられ、各回線障害検出装置からの回線障害情報１０は集中監視制御装置６に集められる。 - 特許庁

Then the weight coefficient α is multiplied by the output of an adder 46 placed at a next-stage finger 42d, and a corrected interference replica h'n-1,m,k generated at the preceding stage is added to the result of multiplication and then outputted as a corrected interference replica h'n,m,k of the present stage.例文帳に追加

また、後段フィンガ４２ｄに設けられた加算器４６の出力に対して重み係数αを乗算し、その乗算結果に対して前ステージで生成された修正済み干渉レプリカｈ’_n-1,m,kを加算し、それを現ステージの修正済み干渉レプリカｈ’_n,m____,kとして出力する。 - 特許庁

To form the LDD regions with the concentration inclination of the impurity element, the gate electrode with a tapered part is provided, and the ionized N- or P-type impurity element is accelerated by an electric field, is allowed to pass through the gate electrode and a gate insulating film 142, and is added to a semiconductor layer.例文帳に追加

このような不純物元素の濃度勾配を有するＬＤＤ領域を形成するために、テーパー部を有するゲート電極を設け、イオン化したＮ又はＰ型不純物元素を、電界で加速してゲート電極とゲート絶縁膜１４２を通過させて半導体層に添加する方法を用いる。 - 特許庁

In the reflection type liquid crystal display device having a plurality of data line pairs consisting of two pieces of wiring each, scanning lines, and pixels, a pair of complementary inverters consisting of P-channel type thin film transistors and N-channel type thin film transistors is arranged for the pixels, to make the device to be of low power consumption.例文帳に追加

２本の配線でなるデータ線対と、走査線と、画素をそれぞれ複数有する反射型液晶表示装置において、画素には、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタとＮチャネル型の薄膜トランジスタとでなる相補型インバータを１対設け、低消費電力とする。 - 特許庁

Hybrid welding equipment commonly using the laser welding by irradiating laser beams 9 and the MIG welding by a MIG torch 2 has a magnetic field generation mechanism 11 to continuously rotate a bar-like magnet 13 with one end as an N-pole and the other end as an S-pole, and an air shutter 12 in a vertical direction.例文帳に追加

レーザ光９の照射によるレーザ溶接とＭＩＧトーチ２によるＭＩＧ溶接とを併用したハイブリッド溶接装置において、一端をＮ極、他端をＳ極とする棒状の磁石１３を連続回転させる磁界発生機構１１と、エアシャッター１２とを上下に設ける。 - 特許庁

The body 10 is provided with a rotating support mechanism 13 for supporting the distance sensor 3 in a manner enabling the sensor to rotate about a vertical axis M perpendicular to the wall surface of the door frame 4 and about a horizontal axis N parallel to the wall surface of the door frame 4.例文帳に追加

ボディ１０には、測距センサ３を扉枠４の壁面と直交する垂直軸線Ｍ回り及び扉枠４の壁面と平行な水平軸線Ｎ回りにそれぞれ回転可能に支持するための回転支持機構１３が設けられる。 - 特許庁

Letting the number of the disk-shaped coils laminated on the outer radius side or inner radius side of a conductor pattern 2 be n, at least n-1 through-holes 7 for lamination are similarly provided adjacently to one another in aggregate in each disk-shaped coil.例文帳に追加

積層用スルーホール７は、導体パターン２の外周側または内周側に積層されるディスク型コイルの枚数ｎに対して少なくともｎ−１となる個数が各ディスク型コイルで共通して近接集合されて設けられている。 - 特許庁

In a P-channel MOS transistor 50 having an SOI structure, an element formation region 20 the surrounding of which is isolated by an element isolation region is provided with a gate electrode 7, a P^+ drain layer 8, a P^+ source layer 9, a P^+ source layer 11, and an N^+ layer 10.例文帳に追加

ＳＯＩ構造Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタ５０は、周囲を素子分離領域で分離された素子形成領域２０に、ゲート電極７、Ｐ^＋ドレイン層８、Ｐ^＋ソース層９、Ｐ^＋ソース層１１、及びＮ^＋層１０が設けられる。 - 特許庁

A (P^+)-type embedded layer 55 in contact with the bottom of this P-type well area 52 is formed, and an N-type embedded layer 56 which is formed partially interposed with this (P^+)-type embedded layer 55 and electrically separates the P-type well area 52 from the P-type single crystal silicon substrate 50 is formed.例文帳に追加

このＰ型ウエル領域５２の底部に接するＰ＋型埋め込み層５５、このＰ＋型埋め込み層５５に部分的に重畳して形成され、Ｐ型ウエル領域５２を単結晶シリコン基板５０から電気的に分離するＮ型埋め込み層５６を設ける。 - 特許庁

A SiC substrate 10 is provided with a first active area 12 comprising alternate lamination of a high concentration n-type doped layer 12a and an undoped layer 12b, and with a second active area 13 comprising alternate lamination of a high concentration p-type doped layer 13a and an undoped layer 13b in this order from below.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１０には、高濃度のｎ型ドープ層１２ａと、アンドープ１２ｂとを交互に積層してなる第１の活性領域１２と、高濃度のｐ型ドープ層１３ａとアンドープ層１３ｂとを交互に積層してなる第２の活性領域１３とが下方から順に設けられている。 - 特許庁

The super-junction semiconductor element makes a current flow in an ON state, and provides an n^-high-resistance layer 32a located between a semiconductor substrate region 32 which becomes depletion in an OFF state and a low-resistance layer 31, for having the same conductivity type as the low-resistance layer 31 and a low impurity concentration.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する半導体基体領域３２と低抵抗層３１との間に低抵抗層３１と同じ導電型で、かつ不純物濃度が低いｎ^-高抵抗層３２aを設ける。 - 特許庁

A plurality of blades 14 are provided projecting from the axial inner end face 11a of the core metal 11 on the radially inner side of the seal lip 13b which is on the sealed space N side in the circumferential direction for generating airflow toward a radially outward direction by rotating along with the core metal 11.例文帳に追加

密封空間Ｎ側となるシールリップ１３ｂの径方向内方には、芯金１１の軸方向内側端面１１ａに突設され芯金１１とともに回転することで径方向外方へ向かう空気の流れを生じさせる羽根部１４が、周方向に沿って複数設けられている。 - 特許庁

An eaves gutter joint A having eaves gutter fitting parts 1a each connecting the end of an eaves gutter N at both ends thereof is provided with a water stop wall 3 between two parts fitting with two eaves gutters, and a notch 31 is formed in this water stop wall 3 to hold the end of the other eaves gutter M.例文帳に追加

一方の軒樋Ｎの端部を接続する軒樋嵌合部１ａが両端に設けられている軒樋継手Ａであって、両軒樋嵌合部の間が止水壁３によって仕切られ、該止水壁３に他方の軒樋Ｍの端部を保持する切り欠部３１が開口している。 - 特許庁

A memory cell array having (n+1) bit lines arranged in parallel inclusive of their redundant parts is divided into a plurality of blocks BLK1-BLK8, and substitution designation parts 11a1-11a8 are provided, which each designate bit lines having defective memory cells to each of the blocks BLK1-BLK8, respectively.例文帳に追加

冗長分を含めて平行に配置されたｎ＋１本のビット線を有するメモリセルアレイを複数のブロックＢＬＫ１〜ＢＬＫ８に分割し、各ブロックＢＬＫ１〜ＢＬＫ８に対してそれぞれ不良メモリセルを有するビット線を指定する置換指定部１１ａ１〜１１ａ８を設ける。 - 特許庁

The light emitting device includes a substrate 2 having a recess 2a and insulation characteristics, and a laminate 1 composed of an n-type semiconductor layer 1c, a light emitting layer 1b and a p-type semiconductor layer 1a arranged in the recess 2a, where the light emitting layer 1b touches the inner surface of the recess 1a.例文帳に追加

発光素子は、凹部２ａを有し、絶縁性を有する基板２と、凹部２ａ内に設けられ、ｎ型半導体層１ｃと発光層１ｂとｐ型半導体層１ａとから構成された積層体１であって、発光層１ｂが凹部１ａの内面と接触している積層体１と、を具備する。 - 特許庁

Paper P fixed at a nip part N between the fixing roller 16 and the pressure roller 18, when the separability from the fixing roller 16 is low, is separated by a separating roller 20, in which heat-resistant resin sheets 20b are radially arranged on a shaft core member 20a.例文帳に追加

定着ローラ１６と加圧ローラ１８のニップ部Ｎで定着された用紙Ｐは、定着ローラ１６に対する分離性が低い場合、軸芯部材２０ａに耐熱樹脂シート２０ｂが放射状に設けられた分離ローラ２０により分離される。 - 特許庁

On the surface of the P^- reduced surface field layer 6, a semiinsulating film 8 composed of polysilicon 22 filling the gap between silica fine particles 21 is provided while extending up to a part on the surface of the P^+ layer 5 and the N^+ stopper layer 7.例文帳に追加

Ｐ^−リサーフ層６の表面上には、シリカ微粒子２１とシリカ微粒子２１間に充填された多結晶シリコン２２から構成された半絶縁性膜８がＰ^＋層５及びＮ^＋ストッパ層７の表面上の一部まで延在して設けられている。 - 特許庁

In addition, a well control layer 113 capable of independently controlling its well potential V_BC is formed on a lower layer of the n-well 110, where a p-type MOS transistor T1 is formed and the semiconductor substrate 100 is provided with a substrate potential control layer capable of independently controlling its substrate potential V_SC.例文帳に追加

さらに、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＴ１の形成されるＮウェル１１０の下層には、そのウェル電位Ｖ_ＢＣを独立して制御するためのウェル制御層１１３を形成し、半導体基板１００にも、その基板電位Ｖ_ＳＣを独立して制御することのできる基板電位制御層を設ける。 - 特許庁

On the active region 2a, an SiGe alloy layer 4 functioning as a base layer and an n-type diffusion layer 5 functioning as a emitter layer are formed, and are encircled with a side wall film 6 consisting of a silicon oxide film.例文帳に追加

活性領域２ａの上には、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５が設けられ、さらにＳｉＧｅ合金層４およびｎ型拡散層５は、シリコン酸化膜からなる側壁膜６で囲われている。 - 特許庁

A p-type diffused region 15 constituting an LED 20 is made in the region within the opening 19a of an n-type semiconductor substrate 12 and in its vicinity by diffusing p-type impurities from the opening 19 provided in an interlayer insulating film 19.例文帳に追加

ＬＥＤ２０を構成するｐ型拡散領域１５は、層間絶縁膜１９に設けられた開口部１９からｐ型不純物を拡散させることにより、ｎ型半導体基板１２の開口部１９ａ内の領域およびその周辺領域に形成されている。 - 特許庁

The conductive thin film layers are in a cluster state and have a first layer including a p-type semiconductor and a Lewis acid, and a second layer provided closer to the anode side than the first layer and including an N-type semiconductor and an alkaline metal or an alkaline earth metal.例文帳に追加

導電体薄膜層は、クラスター状であり、Ｐ型半導体とルイス酸とを含む第１の層と、第１の層よりも陽極側に設けられ、Ｎ型半導体と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属とを含む第２の層とを有する。 - 特許庁

When the carbon nanocoils are grown by a CVD method by supplying a raw material gas for growing the carbon nanocoils above a substrate on which a catalyst film is deposited, a film having Ti-O-N bond is provided between the substrate and the catalyst film, and then the carbon nanocoils are grown on the catalyst.例文帳に追加

触媒を成膜した基板上にカーボンナノコイル成長用原料ガスを供給し、ＣＶＤ法でカーボンナノコイルを成長させる際に、基板と触媒膜との間にＴｉ−Ｏ−Ｎ結合を有する膜を設けて触媒上にカーボンナノコイルを成長させる。 - 特許庁

In an example of this invention, an optical waveguide of the semiconductor optical modulator is equipped with an optical waveguide layer 20 with an electro-optic effect, a cladding layer 10 composed of an n-type semiconductor, and an intermediate layer 40 arranged between the cladding layer and the optical waveguide layer.例文帳に追加

本発明の一実施例による半導体光変調器の光導波路は、電気光学効果を有する光導波層２０と、ｎ型半導体からなるクラッド層１０と、このクラッド層と光導波層との間に設けられた中間層４０とを備える。 - 特許庁

A bypass resistor RB is provided to form a bypath By of a current supplied to the semiconductor light source 10 having one end that is a second connection node N2 of the N channel field effect transistor M1 and the semiconductor light source 10.例文帳に追加

半導体光源１０へ供給される電流のバイパス経路ＢｙであってＮチャネル電界効果型トランジスタＭ１と半導体光源１０との第２接続ノードＮ２を一端とするバイパス経路Ｂｙを形成するようにバイパス抵抗ＲＢを設けた。 - 特許庁

Then, on both sides of polycrystalline silicon films 117 (= gate electrode layer), N^- type impurity diffused layers 118a and 118b and P^- type impurity diffused layers 119a and 119b (LDD regions) are formed.例文帳に追加

予め、シリコン基板１００に、シリコン酸化膜１０７、１０８を設け、その後、多結晶シリコン膜１１７（＝ゲート電極層）の両側に、Ｎ^-型不純物拡散層１１８ａ、１１８ｂ、及びＰ^-型不純物拡散層１１９ａ、１１９ｂ（以上、ＬＤＤ領域）を形成する。 - 特許庁

This phase shift mask is provided with a translucent film having a phase difference 2nπ (n=0, 1, 2, 3, ...) at a part adjacent to a phase shift part, and transmissivity to light transmitted through the adjacent region is made low to cut leak light from the region.例文帳に追加

本発明の位相シフトマスクは、位相シフト部に隣接する部分に、位相差２ｎπ（ｎ＝０，１，２，３・・・）となる半透明膜を設け、隣接する領域を透過する光の透過率を低くすることにより、この領域からの漏れ光をカットする。 - 特許庁

A protective film, which is made of a dielectric film which is transparent with respect to the laser beam and having a film thickness within the range of 10 nm-λ/4n (λ is oscillation wavelength, n is refractive index), is provided on an upper multilayer reflection mirror directly or via another compound semiconductor layer.例文帳に追加

そして、レーザ光に対して透明で、かつ膜厚が１０ｎｍ以上λ／４ｎ（λ＝発振波長、ｎ＝屈折率）以下の範囲の誘電体膜からなる保護膜が、上部多層膜反射鏡上に、直接、又は他の化合物半導体層を介して設けられている。 - 特許庁

The entire system consists of a 1st device 1, a 2nd device 2 and a third device 3 or the (n)-th device 4, and these devices are respectively provided with an interface with a data configuration conforming to IEEE1394 and connected as digital buses a, b and c in a daisy chain system.例文帳に追加

全体システム第１機器１と第２機器２と第３機器３ないし第ｎ機器４で構成され、これらのそれぞれには、ＩＥＥＥ１３９４に準拠したデータ構成でなるインターフェイスが設けられ、それがデジタルバスａ，ｂ，ｃとしてディジチェーン方式で接続されている。 - 特許庁

A p-type layer 27 having a lower impurity concentration than a substrate p+ layer 26 using a high concentration p-type semiconductor substrate (e.g. silicon substrate) is formed on the substrate p+ layer 26 with n-type photoelectric conversion regions 14 provided at upper portions of the p-type layer 27.例文帳に追加

高濃度のＰ型の半導体基板（例えばシリコン基板）である基板Ｐ^+層２６上に、基板Ｐ^+層２６よりも不純物濃度が低いＰ型層２７を形成し、Ｐ型層２７の上側位置にＮ型光電変換領域１４を設ける。 - 特許庁

The heating/cooling unit 2 is provided between a heat supply part 6 and the heating/cooling heat-radiation part 7, and comprises a heating/cooling thermoelectric conversion element part 31 provided with a heating/cooling n-type thermoelectric conversion element 22 and a heating/cooling p-type thermoelectric conversion element 21.例文帳に追加

加熱冷却ユニット２は、熱供給部６と加熱冷却用放熱部７との間に設けられ、加熱冷却用ｎ型熱電変換素子２２と加熱冷却用ｐ型熱電変換素子２１とを有する加熱冷却用熱電変換素子部３１を備えている。 - 特許庁

A heating roll for fixing 40 in the fixing device is provided with a sliding shaft 7 as a braking means to impart braking force by which the speed-increasing phenomenon of rotation is suppressed at a period at least before the rear end part Pe of the recording paper comes out a fixing nip part N.例文帳に追加

定着装置における定着用の加熱ロール４０に、記録用紙の後端部Ｐｅが定着ニップ部Ｎを少なくとも抜け出る前の時期に回転の増速現象を抑制するための制動力を付与する制動手段としてのスベリ軸７を設けた。 - 特許庁

This ground treatment apparatus is provided with an inclined conveyor mechanism 4 having a backward-rising inclined conveyor 3 on a mobile body 2, and a lifting means 5 for lifting the seedling boxes N which are spread on the ground by hooking their edges Na is placed on the front end of the inclined conveyor mechanism 4.例文帳に追加

移動車体２上に後上がり傾斜状のコンベヤ手段３を有する傾斜コンベヤ機構４を設けており、この傾斜コンベヤ機構４の前端に、地上に展開している苗箱Ｎの縁部Ｎａに掛合して持ち上げる持ち上げ手段５を備える。 - 特許庁

An object 3 to be heated by heating elements 2A and 2B, fixing film 4 heated by the object 3, and a pressure roller 5 which is a pressing member to form a nip N between the object 3 and the roller by coming into contact with the object 3 across the fixing film 4 are provided.例文帳に追加

発熱体２Ａ，２Ｂにより加熱される被加熱体３と、その被加熱体３により加熱される定着フィルム４と、被加熱体３に定着フィルム４を介して接触してその間にニップＮを形成する加圧部材である加圧ローラ５とを設ける。 - 特許庁

In order to allow even one caring person to help the bathing person moving to the prescribed position a recess part is formed at the water receiving part 1 of a stretcher S and an auxiliary water receiver is installed on the side of a litter corresponding to the part 41'n the stretcher of the special bathing device.例文帳に追加

一人の介護者でも入浴者を所定位置にまで移動介助出来るように、ストレッチャーＳの水受け１に凹み部分４を設けると共に、この凹み部分４に対応して補助水受け２３を担架側に設置した特殊入浴装置のストレッチャーである。 - 特許庁

A semiconductor laminate portion 6 is formed on one surface of a substrate 1 by laminating a nitride semiconductor layer including an n-type layer 3 and a p-type layer 5 to form a light emitting layer, and a translucent conductive layer 7 is provided on the surface side of the semiconductor laminate portion 6.例文帳に追加

基板１の一面上に、ｎ形層３およびｐ形層５を含む窒化物半導体層が発光層を形成するように積層されることにより半導体積層部６が形成され、その半導体積層部６の表面側に透光性導電層７が設けられている。 - 特許庁

By providing the cranked portion A1, the lengths of routes from the positive pole P of the battery 45 to the negative pole N of the battery 45 through the capacitors 50 to 52 and the resistances of the routes are equalized.例文帳に追加

折り返された部分Ａ１を設けることで、バッテリ４５の正極Ｐから各コンデンサ５０〜５２をそれぞれ介してバッテリ４５の負極Ｎに至る経路の長さが互いに等しくされ、当該経路における抵抗が互いに等しくされている。 - 特許庁

If a sender needs an image (S202; N), an externally connected external input device 106 and a built-in display device 104 are used to create an image (S203), and the created image is temporarily stored in a RAM 102 provided in an IP telephone through a bus line 107 (S204).例文帳に追加

送信者が必要であれば（Ｓ２０２；Ｎ）、外部接続された外部入力装置１０６と内蔵された表示装置１０４を用いて画像を作成し（Ｓ２０３）、この作成画像はＩＰ電話内に設けられたＲＡＭ１０２にバスライン１０７を介して一時保存される（Ｓ２０４）。 - 特許庁

Disclosed is the portable electronic equipment 1 provided with the strap attaching part T for locking a strap S1 on the housing 8, wherein the strap attaching part T comprises a female screw member N arranged so that a female screw and a through-hole H2 formed on a periphery side surface may be exposed from a surface of the housing 8.例文帳に追加

筐体８にストラップＳ１を係止するストラップ取付部Ｔが設けられた携帯電子機器１であって、ストラップ取付部Ｔは、雌ネジ部及び周側面に形成した貫通孔Ｈ２が筐体８の表面から露出するように配置された雌ネジ部材Ｎからなる。 - 特許庁

The electro-optic device comprises: m scanning lines; n data lines; a plurality of transistors (100) provided to correspond to respective intersections of the scanning lines and data lines; a plurality of electro-optic elements, each connected to either one of the transistors, and m common potential lines (42).例文帳に追加

電気光学装置は、ｍ本の走査線と、ｎ本のデータ線と、走査線とデータ線との各交点に対応して設けられた複数のトランジスタ(100)と、各々が何れかのトランジスタと接続された複数の電気光学素子と、ｍ本の共通電位線(42)と、を備える。 - 特許庁

In an unloaded normal condition in which a rim assembled to a normal rim J and a normal internal pressure is filled, a bead 4 is provided with a rim protector protruding and extending outwards in a tire axial direction beyond a virtual bead outline N smoothly connecting outside surfaces of the bead 4 and a side wall 3 to each other.例文帳に追加

正規リムＪにリム組みし正規内圧を充填した無負荷の正規状態において、ビード部４に、ビード部４とサイドウォール部３との外表面を滑らかに接続する仮想ビード輪郭線Ｎよりもタイヤ軸方向外側に突出してタイヤ周方向にのびるリムプロテクタ９を設ける。 - 特許庁