「もうけ n」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

A lane mark illuminating lamp 10 is provided as a vehicle lighting fixture forming a pair of lane mark illuminating light distribution patterns P (LM2) and P (LM1) in areas on the right and left sides of a front nearby area N on a road surface ahead of the vehicle.例文帳に追加

車両用灯具として、車両前方路面における正面近距離領域Ｎの左右両側に外れた領域に１対のレーンマーク照射配光パターンＰ（ＬＭ１）、Ｐ（ＬＭ２）を形成するレーンマーク照射灯１０を設ける。 - 特許庁

The screw has a shaft and a head portion joined to a proximal end of the shaft, the shaft defines a plurality N of lobes circumferentially spaced about a central longitudinal axis of the shaft, and a thread is formed on an outer surface of the shaft.例文帳に追加

ねじは、シャフトと、シャフトの基端部と結合した頭部とを設けており、シャフトは、シャフトの中心縦軸周囲の円周上で離間した複数Ｎの丸い突出部を画定しており、シャフトの外面上にねじ山が形成されている。 - 特許庁

In the insulating case 4, a nut holding part 6 for holding a hexagon nut N, with which the bolt B passed through the bolt through hole 50 is screwed between it and the external connection terminal 5, is formed in a position facing the external connection terminal 5 projecting from the case 4.例文帳に追加

絶縁ケース４には、このケース４から突出した外部接続端子５と対向する位置に、ボルト挿通孔５０に挿通されたボルトＢが螺合する六角ナットＮを外部接続端子５との間で挟持するナット挟持部６が設けられている。 - 特許庁

A synthetic resin sheet 4 or glass sheet 4 is bonded to the surface of the silicone hard coat layer 3 of a polycarbonate sheet 2 provided with the silicone hard coat layer 3, of which the surface wettability is set to 3.0×10-4 N or more by corona discharge treatment, through a bonding layer 5 comprising a polyurethane resin.例文帳に追加

コロナ放電処理されることによって表面の濡れ性が３．０×１０^^-4Ｎ以上となされたシリコーンハードコート層３が設けられたポリカーボネート板２の該コート層３表面に、ポリウレタン系樹脂からなる接合層５を介して合成樹脂板４又はガラス板４を接合する。 - 特許庁

A DDL circuit is provided between a first node and a second node, and the circuit is provided with a delay circuit in which a reference clock signal supplied to the first node is delayed based on a delay control signal and first to nth (n: integer of 2 or more) internal clock signals are generated.例文帳に追加

ＤＬＬ回路は、第１と第２のノード間に設けられ、遅延制御信号に基づいて前記第１のノードに供給される基準クロック信号を遅延させて第１から第ｎ（ｎは２以上の整数）の内部クロック信号を生成する遅延回路を具備する。 - 特許庁

A disc shaped permanent magnet, of which a polarity of either an N pole or an S pole is alternately magnetized at each predetermined angle from the center of a rotational axis 112, is used as a rotor 110 and a current path substrate 120 is disposed opposite to a magnetization surface of the rotor 110.例文帳に追加

回転軸１１２の中心から所定角度毎に、Ｎ極またはＳ極の何れかの極性に交互に着磁した円板形状の永久磁石をローター１１０とし、ローター１１０の着磁面と向かい合わせて電流経路基板１２０を設ける。 - 特許庁

The magnetic recording medium has an N-containing amorphous film, a film having a B2 structure and a Cr film or a Cr alloy film having a BCC structure disposed in this order on the nonmagnetic substrate and further has a Co-base magnetic film on the Cr film or the Cr alloy film.例文帳に追加

非磁性基板上にＮを含むアモルファス膜、Ｂ２構造を有する膜およびＣｒ膜もしくはＢＣＣ構造を有するＣｒ合金膜がこの順に設けられ、さらに該Ｃｒ膜もしくは該Ｃｒ合金膜の上にＣｏを主成分とする磁性膜を有する磁気記録媒体。 - 特許庁

Moreover, the vertically magnetized magnets (20Aa and 20Ab) are disposed on both of the N pole and S pole of the horizontally magnetized magnet (20A) so that the superimposition effect of the magnetic fields becomes stronger in comparison with the case of disposing the vertically magnetized magnet only on either side.例文帳に追加

また、垂直磁化磁石（２０Ａａおよび２０Ａｂ）は水平磁化磁石（２０Ａ）のＮ極とＳ極の両方に配置されているので、何れか一方にのみ垂直磁化磁石を設ける場合に比較して、磁場重畳効果はより強くなる。 - 特許庁

Each superconducting coil apparatus 2 is embedded, at a predetermined interval, in the same circumference of the armature side stator 12 centered about the rotating shaft 3, such that the opposite end faces 16a and 16b of the columnar magnetic body 16 face an N pole inductor 8 and an S pole inductor 10.例文帳に追加

各超電導コイル装置２は、柱状磁性体１６の両端面１６ａ，１６ｂが、Ｎ極誘導子８及びＳ極誘導子１０と対向するように、回転軸３を中心とする電機子側固定子１２の同一円周上に所定の間隔を設けて埋設されている。 - 特許庁

In the second magnetic pole region 22, a second reverse magnetic pole region 25 magnetized to the N-pole and the second magnetic pole region 22 are provided on a line along the center axis of the ring magnet 20 near the boundary lines 23 with the first magnetic pole regions 21 on both sides.例文帳に追加

また、第２の磁極領域２２において、両側の第１の磁極領域２１との境界線２３近傍には、Ｎ極に着磁された第２の逆磁極領域２５及び第２の磁極領域２２をリング磁石２０の中心線に沿った線上に設けた。 - 特許庁

This sowing mechanism is provided by installing a sowing roll 38 having many seed-housing recessed parts 44 on its outer circumferential surface and a hopper 39 storing the seeds by working cooperatively with the outer circumferential surface of the sowing roll 38 and feeding the seeds N to the above seed-housing recessed parts 44 in the mechanism frame 36.例文帳に追加

外周面に多数の種子収納凹部４４を有する播種ロール３８と、この播種ロール３８の外周面と協働して種子Ｎを溜めていて前記種子収納凹部４４に種子Ｎを供給するホッパ３９とを機構フレーム３６に設ける。 - 特許庁

A P type transistor 50 to be operated by a signal S1 from the differential amplifier circuit 10 and an N type transistor 52 to be operated by a signal S2 from the differential amplifier 30 are provided and a voltage between these transistors 50 and 52 becomes the output voltage VOUT.例文帳に追加

差動増幅回路１０からの信号Ｓ１により動作するＰ型トランジスタ５０と、差動増幅装置３０からの信号Ｓ２により動作するＮ型トランジスタ５２とが設けられ、このトランジスタ５０，５２の間の電圧が出力電圧Ｖ_OUTとなる。 - 特許庁

An optical image transmission unit 11A provided to each monitoring camera 11 converts a photographed image into an optical image with any of optical wavelengths λ1-λn according to a control signal with an optical wavelength λk sent from a supervisory center 20 and transmits the converted image to the supervisory center 20 via an optical fiber 10.例文帳に追加

各監視カメラ１１に設けられた光画像伝送ユニット１１Ａは、監視センター２０から送られてくる光波長λ_k の制御信号に従って撮影画像を光波長λ_1 〜λ_n の光画像に変換し、光ファイバ１０を介して監視センター２０に送出する。 - 特許庁

Two redundancy bit regions bitL and bitR where a memory cell has been divided for each bit are provided at both the end parts of the bit region divided into N for a same bit, and a bit region with bit fail or the like is relieved by the redundancy bit regions bitR and bitL.例文帳に追加

メモリセルがあるビット毎に分割された２つの冗長ビット領域ｂｉｔＬ，ｂｉｔＲを同じあるビット毎にＮ分割されたビット領域の両端部にそれぞれ設け、これら冗長ビット領域ｂｉｔＲ，ｂｉｔＬによりビット不良などが存在するビット領域を救済する。 - 特許庁

The whole size of the variable-resistance fuse circuit can be reduced, since it becomes unnecessary to form the polysilicon fuse 5 for trial opening by making n times as much as current of the VGATE generator 15 flow through the polysilicon fuse 5.例文帳に追加

ＶGATE発生器１５を流れる電流のｎ倍の電流がポリシリコンヒューズ５を流れるようにするため、試し切り用のポリシリコンヒューズ５を設ける必要がなくなり、抵抗変化型ヒューズ回路全体のサイズを縮小できる。 - 特許庁

The level shift circuit is provided with a p-channel MOS transistor(TR) M1 1 that configures a current source, n-channel MOS TRs M13, M14 that configure a current mirror, a p-channel MOS TR M12 for logical input and p-channel MOS TRs M15, M16 acting like a voltage limiter to limit the output voltage.例文帳に追加

電流源を構成するｐ型ＭＯＳトランジスタＭ１１と、カレントミラーを構成するｎ型ＭＯＳトランジスタＭ１３，Ｍ１４と、論理入力するｐ型ＭＯＳトランジスタＭ１２と、出力電圧を制限する電圧リミッタとなるｐ型ＭＯＳトランジスタＭ１５，Ｍ１６を設ける。 - 特許庁

This invention accomplishes the above purpose by the rotatry shaft with the magnetic cylinder, in which an O ring is fitted and fixed on the rotary shaft, the magnetic cylinder whose peripheral wall is alternately provided with N-S permanent magnet threads is fitted outside the O ring, and the rotary shaft and the magnetic cylinder are fixed by the elastic force of the O ring.例文帳に追加

この発明は、回転軸にＯリングを嵌装固定し、該Ｏリングの外側へ、周壁にＮ、Ｓ永久磁石条を交互に設けた磁着筒を嵌装し、前記回転軸と、前記磁着筒とを、Ｏリングの弾力により固定したことを特徴とする磁着筒付回転軸により目的を達成した。 - 特許庁

Since a rough is provided at an interface S1 between the insulating layer 11 and a semiconductor layer on it, in other words, at the interface between the insulating layer 11 and the n-type semiconductor layer 1 as well as at the interface between the insulating layer 11 and the p-type well region 4, the area of interface S1 is larger compared to a case of flatness.例文帳に追加

絶縁層１１と絶縁層１１上の半導体層との界面Ｓ１、つまり絶縁層１１とｎ形半導体層１との界面および絶縁層１１とｐ形ウェル領域４との界面に凹凸が設けられているので、平坦な場合に比べて界面Ｓ１の面積が大きい。 - 特許庁

An oxidation film (b) is provided on a silicon substrate (a), upon which cells (g, i, l, n and p) are constituted and then the silicon substrate (a) and the cells' upper metal current collector (p) are connected electrically so that a lower metal current collector (g) may be served also as electrodes of the capacitors (a, b and g).例文帳に追加

シリコン基板ａ上に酸化膜ｂを設け、その上に電池（ｇ，ｉ，ｌ，ｎ，ｐ）を構成し、シリコン基板ａと電池の上部金属集電体ｐを電気的に導通させ、下部金属集電体ｇがコンデンサ（ａ，ｂ，ｇ）の電極も兼ねる構造とする。 - 特許庁

In an induction motor where a stator having 3n teeth is allocated at the external circumference of a rotor of 2n poles, the main windings 4a, 4b and auxiliary windings 5a, 5b, which are concentratedly wound through insulation of tooth 3 of the stator 1 where n=2, are provided in the same polarity to the teeth 3 in every other three slots.例文帳に追加

２ｎ極の回転子の外周に３ｎ個の歯を有する固定子を配置した誘導電動機において、ｎ＝２とした固定子１の歯３に絶縁を施して集中巻する主巻線４ａ，４ｂおよび補助巻線５ａ，５ｂをそれぞれ３スロット置きの異なる歯３に同極となるように設ける。 - 特許庁

A magnetized part 9 is arranged only on the inner peripheral surface part of a ring core 4, and the magnetized part 9 is constituted by magnetizing an N pole on a position, facing the outer peripheral surface part of one flange 2 of a drum core 3, and magnetizing an S pole on a position facing an outer peripheral surface part of the other flange 2.例文帳に追加

リングコア４は内周面部にのみ着磁部９を設けており、この着磁部９はドラムコア３の一方の鍔２の外周面部に対向する位置にはＮ極を着磁するとともに、他方の鍔２の外周面部に対向する位置にはＳ極を着磁した構成である。 - 特許庁

The inside of a pipeline, etc., are cleaned by opening, closing, or opening and closing valves, a first valve V1 to a fourth valve V4, installed in a supply pipeline 1 for supplying a coating liquid to a coating nozzle N, in an air discharge pipeline 2 for discharging air from the coating nozzle, and in a pump-air discharge pipeline 3.例文帳に追加

塗布ノズルＮに塗布液を供給する供給配管１と、塗布ノズルＮからのノズル内エアー抜き用配管２、あるいはポンプ内エアー抜き用配管３の途中に設けられる第１バルブＶ1〜第４バルブＶ4を開、閉あるいは開閉動作せしめることで配管内などを洗浄する。 - 特許庁

The croquette is provided with a level difference part 7 at part of the side periphery of a croquette main body while a little difference N is caused between the width L of the upper half part 4 and the width M of the lower half part 5 based on the thickness direction center position of the croquette main body 1 so that the level difference part 7 functions as a mark for cutting the croquette with a knife.例文帳に追加

コロッケ本体１の厚さ方向中央位置を境にして、その上半部４の幅Ｌと下半部５の幅Ｍとに若干の差Ｎをもたせて、コロッケ本体の側周部６の一部に段差部７を設け、該段差部７を包丁切り込み時の目印にし得るようにしている。 - 特許庁

The device comprises a pulser ring 5 fit and fixed to a rotating member 2 and alternately provided with N-poles and S-poles in the circumferential direction, a magnetic ring 7 fit and fixed to a stationary member 1 and non-contactly opposed to the pulser ring 5 in an axial direction and a magnetic sensor 6 attached to the magnetic ring 7.例文帳に追加

回転部材２に嵌合固定されＮ極とＳ極が周方向交互に設けられてなるパルサリング５と、静止部材１に嵌合固定されパルサリング５に対して軸方向で非接触に対向する磁性リング７と、磁性リング７に取り付けられる磁気センサ６とを備える。 - 特許庁

A second frame 24 is mounted on the eaves edge side of the first frame 23, and connecting parts M and N connected mutually when the independent sheathing panel 4 is mounted on the second frame 24 are provided on the second frame 24 and the independent sheathing panel 4.例文帳に追加

そして、この第１フレーム２３の軒先側に第２フレーム２４を取り付け、この第２フレーム２４と独立の野地パネル４には、第２フレーム２４の上に独立の野地パネル４を載置したときに互いに連結することのできる連結部Ｍ、Ｎを設けた屋根ユニット２である。 - 特許庁

A liquid display part provided in an operation means 3 displays the position of the jammed paper P as well as displaying the status of all paper P existing inside the apparatus when the jamming of the paper P somewhere in the apparatus is detected by a detection apparatus S-n.例文帳に追加

操作手段３に設けられた液晶表示部は、用紙Ｐが装置内のいずれかの箇所でジャムを生じたことを検知装置Ｓ−ｎが検知した際に、当該用紙Ｐのジャムの位置を表示すると共に、装置内に存在している全ての用紙Ｐの状態を表示する。 - 特許庁

In the electron source 10, electron affinity and a work function of an electron emission section 48 can be sufficiently reduced since a projection section 56 made of a n-type diamond semiconductor as a conductive type is arranged on the electron emission section 48, and a sufficient amount of emitted electrons can be obtained.例文帳に追加

電子源１０では、導電型がｎ型のダイヤモンド半導体からなる突起部５６を電子放出部４８に設けていることから、電子放出部４８の電子親和力及び仕事関数を十分に低減させることができ、十分な量の電子放出が得られる。 - 特許庁

In a waste liquid treatment apparatus provided with a flocculation treatment part 1 for flocculating impurities contained in an alkaline waste liquid by an acidic flocculant, a neutralizing treatment part N for neutralizing an alkaline waste liquid by bringing the alkaline waste liquid before supplied to the flocculation treatment part 1 into contact with combustion exhaust gas is provided.例文帳に追加

アルカリ性廃液に含まれる不純物を酸性の凝集剤にて凝集させる凝集処理部１が設けられた廃液処理装置であって、凝集処理部１に供給される前のアルカリ性廃液を燃焼排ガスと接触させて、アルカリ性廃液を中和する中和処理部Ｎが設けられている。 - 特許庁

The frame member is formed of a shape steel having flange portions and the web portion, wherein the web portion has formed therein a number of discontinuous slots in n rows.例文帳に追加

フランジ部とウェブ部を有する形鋼からなり、前記ウェブ部に長さ方向に長孔がｎ列で不連続に多数設けられたフレーム材において、長孔の長さをＬ、孔間距離をａ、αを定数として熱経路差ＸをＸ＝(ｎ−α)(Ｌ−ａ)／２で表すとき、前記長孔を、１５ｍｍ≦Ｘ≦１５０ｍｍの関係を満たすように設ける。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an element-isolation insulating film 30 formed on a major surface 10a of a semiconductor layer 10, and having a first opening 38N and a second opening 38P; an n-type MOSFET 101N provided in the first opening; and a p-type MOSFET 101P provided in the second opening.例文帳に追加

半導体層１０の主面１０ａに形成され、第１開口部３８Ｎと第２開口部３８Ｐとを有する素子分離絶縁膜３０と、第１開口部の内側に設けられたｎ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｎと、第２開口部の内側に設けられたｐ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｐと、を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

An aluminum film is provided between a first gate insulating film having a higher dielectric constant than that of SiO_2 of an n-channel insulating gate transistor and a first metal gate electrode, and an aluminum oxide film is provided between a second gate insulating film having a higher dielectric constant than that of SiO_2 of a p-channel insulating gate transistor and a second metal gate electrode.例文帳に追加

ｎチャネル絶縁ゲートトランジスタのＳｉＯ_２より誘電率の高い第１のゲート絶縁膜と第１金属ゲート電極との間にアルミニウム膜を設けるとともに、ｐチャネル絶縁ゲートトランジスタのＳｉＯ_２より誘電率の高い第２ゲート絶縁膜と第２金属ゲート電極との間に酸化アルミニウム膜を設ける。 - 特許庁

When reinforcing columns 22 are installed up to an Nth story where N is an integer to construct a seismic strengthening frame 20 from lower stories to upper stories while connecting a frame portion in an amount of one story sequentially to an existing building 10, the height of the Nth reinforcing column 22 installed at the Nth story is set to a dimension larger than the height of an existing column 12 at the Nth story.例文帳に追加

下層階から上層階へと１階分のフレーム部分を順次既存建物１０に連結しつつ耐震補強フレーム２０を構築していくに際して、Ｎを整数として補強柱２２をＮ階まで設ける場合に、Ｎ階に設ける第Ｎ補強柱２２の高さを、Ｎ階の既存柱１２の高さよりも大きい寸法に設定する。 - 特許庁

A decorative floor material 1 of the present invention comprises: a core material 2, a cushioning material 3 provided to a surface side of the core material 2, and a mounting material 4 provided to a surface side of the cushioning material 3, where the core material 2 is made having bending rupture strength of 1 N/mm^2 or higher and the cushioning material is made having modulus of repulsion elasticity of 10-50%.例文帳に追加

本発明の化粧床材１は、芯材２と、前記芯材２の表面側に設けられたクッション材３と、前記クッション材３の表面側に設けられた表装材４と、を有し、前記芯材２が、曲げ破断強度１Ｎ／ｍｍ^２以上とされ、前記クッション材３が、反発弾性率１０〜５０とされている。 - 特許庁

Between a pair of electrodes 1 and 3, for example, a periodic structure 2 is provided which is formed by alternately laminating a plurality of semiconductor layers 2a such as n-type ZnO and a plurality of metal layers 2b such as Al, the thermoelectric conversion element is constituted by installing an insulating plate on the electrode 1 according to the necessity, and a heat generating source 4 abuts on the electrode 3 or the insulating plate.例文帳に追加

一対の電極１，３間に、例えばｎ型のＺｎＯ等の半導体層２ａとＡｌ等の金属層２ｂとが交互に複数積層された周期構造体２を設け、必要に応じて電極１上に絶縁板を設けて熱電変換素子を構成し、電極３上又は絶縁板上に発熱源４が当接する。 - 特許庁

A returning means Re having a compression spring 64 is installed between a runner frame 1 and a guide rail 8 supported thereon swingably and furnished with a top brush 17 capable of elevation and exerts an upward directed force to the guide rail 8 so that the guide rail 8 can easily return to the non-rocking position N to heighten the brushing effect for the oversurface by the top brush 17.例文帳に追加

走行フレーム１と、そこに揺動可能に支持されてトップブラシ１７を昇降可能に設けたガイドレール８との間に、圧縮バネ６４を有する戻し手段Ｒｅを設け、この戻し手段Ｒｅは、ガイドレール８に上方向の力を作用させて、そのガイドレール８を非揺動位置Ｎへ戻り易くしてトップブラシ１７による車体上面のブラシング効果を高める。 - 特許庁

The DC-DC converter is provided with a local feedback control precircuit 12 between a voltage input terminal IN and one terminal of a choke coil 10 or a node N_X, and provided with an output feedback control step-up circuit 14 between the other terminal of the choke coil 10 and a voltage output terminal OUT.例文帳に追加

このＤＣ−ＤＣコンバータは、電圧入力端子ＩＮとチョークコイル１０の一方の端子またはノードＮ_Xとの間に局所フィードバック制御型の前置回路１２を設け、チョークコイル１０の他方の端子と電圧出力端子ＯＵＴとの間に出力フィードバック制御型の昇圧回路１４とを設ける。 - 特許庁

A thermoelectric module 10 includes: a first substrate 11 having a first surface on which multiple plate like first electrodes 13 are provided; a second substrate 12 which has a second surface on which multiple plate like second electrodes 14 are provided and facing the first surface; and multiple P type thermoelectric elements 15 and multiple N type thermoelectric elements 16.例文帳に追加

複数の板状の第１電極１３が設けられる第１表面を有する第１基材１１と、複数の板状の第２電極１４が設けられ、かつ第１表面と対向する第２表面を有する第２基材１２と、複数のＰ型熱電素子１５及び複数のＮ型熱電素子１６と、を備えた熱電モジュール１０である。 - 特許庁

In the DFB laser 1 having an MQW-SCH active layer 4 and a grating provided on the MQW-SCH active layer 4 in a lamination structure provided on an n-type semiconductor substrate 2, a difference is more than 150 meV between the oscillation wavelength of the DFB laser 1 and the wavelength of a compound semiconductor band gap constituting the grating layer 6 of the grating.例文帳に追加

ｎ型半導体基板２上に設けられた積層構造内にＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４及びＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４上に設けられた回折格子を有するＤＦＢレーザ１において、前記ＤＦＢレーザ１の発振波長と、前記回折格子の回折格子層６を構成する化合物半導体バンドギャップ波長の差が１５０ｍｅＶ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

A line L1 is mounted for a group of photodiodes PD1,..., PDk, a line L2 for a group of photodiodes PDk+1,..., PDn as an output line that transmits photodiode signals to the part surrounded with an output circuit H, and either of the lines, L1 and L2, is selected to mount switches S1, S2 for connecting to the output circuit.例文帳に追加

フォトダイオードの信号を出力回路Ｈで囲まれた部分に伝送する出力ラインとして、フォトダイオードＰＤ_1、…、ＰＤ_kから成るグループに対してはラインＬ１を、フォトダイオードＰＤ_k+1、…、ＰＤ_nから成るグループに対してはラインＬ２をそれぞれ設けるとともに、これらの２つのラインＬ１及びＬ２のいずれか一方を選択して出力回路に接続するためのスイッチＳ１及びＳ２を設ける。 - 特許庁

The hopper ascent timing retarding device 51 of the recorder is equipped with a cam follower 49 for retardation installed on an edge guide 8 to be slid in the sheet width direction according to the sheets S and N placed and a retarding cam 47 installed on a rotary shaft 11 of a feed roller 9 and abutting to the cam follower 49.例文帳に追加

ホッパ上昇タイミング遅延装置５１は、載置された用紙Ｓ、Ｎの幅寸法に応じて用紙幅方向にスライドさせるエッジガイド８に対して設けられる遅延用カムフォロワ４９と、給送ローラ９の回転軸１１に対して設けられ、遅延用カムフォロワ４９に当接する遅延カム４７とを備えている。 - 特許庁

A power trench MOS gate device is provided with a heavily- doped semiconductor substrate 201, a deep trench gate 213 separated by an insulating layer 212 in an upper layer composed of an N-epitaxial layer 202, doped to a first conductivity-type and well layers 215 doped to a second conductivity-type, and a strongly conductive drain region 211 below the trench gate 213.例文帳に追加

重くドープした半導体基体２０１と、この基体上に第１導電型にドープしたＮ−エピタキシャル層２０２と第２導電型にドープしたウエル層２１５からなる上側層内に、絶縁層２１２で分離された深いトレンチゲート２１３とを設け、トレンチゲート２１３の下に強導電性ドレイン領域２１１を設ける。 - 特許庁

An N-phase arm provided on a DC intermediate portion controls a DC circuit intermediate point voltage which is virtually provided, and an inverse converter separates each phase voltage of three-phase output for an intermediate point of a filter capacitor into a normal component and a zero-phase component and controls the output voltage, thereby controlling the output voltage of the inverse converter into a sine wave.例文帳に追加

直流中間部に設けたＮ相アームは仮想的に設けた直流回路中性点電圧を制御し、逆変換器はフィルタコンデンサの中性点に対する三相出力各相電圧をノーマル成分と零相成分に分離して出力電圧を制御することにより、逆変換器の出力電圧を正弦波に制御する。 - 特許庁

An ion exchange resin 4 and a conductivity meter 6 for detecting the conductivity of a pure water produced by the ion exchange resin 4 are provided in a TN/TP (total N and total P) meter and the deteriorated state of the pure water produced by the ion exchange resin 4 is measured with the conductivity meter 6 to be displayed by a display lamp 8 provided outside the analyzer.例文帳に追加

ＴＮ／ＴＰ計内にイオン交換樹脂４と、イオン交換樹脂４で生成された純水の導電率を検出する導電率計６を設け、その導電率計６によってイオン交換樹脂４で生成された純水の劣化状況を計測し、装置外部に設けられた表示ランプ８によりその劣化状況を表示する。 - 特許庁

A spontaneously magnetized ferrite magnetic substance is coaxially placed on a microstrip TMn10 resonator (n: positive integer) formed by providing a metal disk and three time symmetric branching on a non- magnetic dielectric substrate, with which a ground conductor is provided on the back, and that ferrite magnetic substance is constituted so that the position of an electric field node coincides with one of said branching.例文帳に追加

裏面に接地導体が設けられた非磁性誘電体基板上に金属円板及び３回対称の分岐を設けることで形成されたマイクロストリップ形ＴＭ_ｎ１０共振器（ｎ：正の整数）上に、自発磁化されたフェライト磁性体を同軸に載置し、かつそのフェライト磁性体は、電界節の位置が上述した分岐の１つと一致するように構成されている。 - 特許庁

N-channel transistors having an LDD (lightly doped drain) structure are used for a driving transistor 121, a sampling transistor 125 disposed at the gate terminal of the driving transistor 121 and selectively sampling a pixel signal into the gate terminal G, and a detection transistor 123 to be used when a threshold voltage canceling circuit is provided as a drive signal regulating circuit.例文帳に追加

駆動トランジスタ１２１と、駆動トランジスタ１２１のゲート端側に設けられる、画素信号を選択的にゲート端Ｇに取り込むサンプリングトランジスタ１２５と、駆動信号一定化回路としての閾値電圧キャンセル回路を設ける際に使用される検知トランジスタ１２３とは、ｎチャネル型でかつＬＤＤ構造のものを使用する。 - 特許庁