「もうけ n」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

The compound semiconductor light emitting element 100 includes: an Si-Al substrate 101; protection layers 120 formed on top and bottom surfaces of the Si-Al substrate 101; and a p-type semiconductor layer 104, an active layer 105, and an n-type semiconductor layer 106 which are sequentially stacked on the protection layer 120 formed on the top surface of the Si-Al substrate 101.例文帳に追加

、Ｓｉ−Ａｌ合金基板１０１と、このＳｉ−Ａｌ合金基板１０１の上面及び下面に設けられた保護層１２０と、このＳｉ−Ａｌ合金基板１０１の上面に設けられた保護層１２０上に順に積層されているｐ型半導体層１０４、活性層１０５及びｎ型半導体層１０６とを含む化合物半導体発光素子１００を提供する。 - 特許庁

A means which detects a variation and a means which detects the luminance state in n pixels before and after the variation are provided with respect to video signal of colors in the right end and the left end in a cell constituted for every dot in order to express a color, and a means which calculates an extent of correction on the basis of two detection results.例文帳に追加

カラーを表現するために各ドット毎に構成するセル内で左端及び右端の色の映像信号に対し、変動量を検出する手段と、変動の前後ｎピクセル間の輝度状態を検出する手段を設け、２つの検出結果により補正量を算出する手段を設け、この出力によって、左端の色については変動の後、右端の色については、変動前のピクセルのレベルを補正量に応じて減じる。 - 特許庁

A magnet 1 having a S (or N) pole surface at the pipe side and an aluminum made contact member 2 provided at both sides of the magnet 1 and having a taper shaped pipe contact surface 2a capable of being in contact with a pipe outer peripheral surface and a pure iron made member 3 provided at the surface opposite side to the pipe side of the magnet 1 are provided.例文帳に追加

パイプ側にＳ（又はＮ）極面を有する磁石１と、磁石１の両側面に設けられ、パイプ外周面と接触可能なテーパ状のパイプ接触面２ａを有するアルミニウム製接触部材２と、磁石１のパイプ側とは逆側の面に設けられた純鉄製部材３とを備えることを特徴とするパイプ内を流れる流体の磁気活性化装置。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an N-type epitaxial wafer 11, an etching preventing electrode provided on the wafer 11, and a P electrode which is provided on the etching preventing electrode and is etched, in a prescribed electrode pattern by an etchant which is different from that used for etching the etching preventing electrode.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャルウェハー１１と、Ｎ型エピタキシャルウェハー１１上に設けられたエッチング防止電極と、エッチング防止電極の上に設けられ、エッチング防止電極をエッチングするエッチング剤とは異なるエッチング剤でエッチングされ、所定の電極パターンが形成されるＰ電極とを備える。 - 特許庁

The electronic element includes a carbon nanotube 1 having the characteristics of a P-type semiconductor and provided with a source electrode 6 and a drain electrode 7 each having the characteristics of an N-type semiconductor, on both ends; and a bias electrode 2 and a control electrode 3 provided so as to oppose each other with the carbon nanotube 1 sandwiched.例文帳に追加

Ｎ型半導体の特性を有するソース電極６及びドレイン電極７が両端に設けられた、Ｐ型半導体の特性を有するカーボンナノチューブ１と、カーボンナノチューブ１を挟んで対向するように設けられるバイアス電極２及び制御電極３と、を備える電子素子である。 - 特許庁

A semiconductor device is a p-channel MOS field-effect transistor which comprises a semiconductor substrate, a gate oxide film provided on the semiconductor substrate, a gate electrode provided on the gate oxide film, and two p^+ source/drain diffusion regions formed in an n-well region in the semiconductor substrate, each having a p^- offset region.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられたゲート酸化膜と、ゲート酸化膜上に設けられたゲート電極と、半導体基板内のｎウエル領域に形成され、それぞれＰ^−のオフセット領域を有する２つのＰ^＋のソース／ドレイン拡散領域とを有する、Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタである。 - 特許庁

In a photovoltaic device provided with a substantially intrinsic amorphous silicon layer containing hydrogen between an n-type single crystal silicon substrate and a p-type amorphous silicon layer containing hydrogen, a trap layer is formed between the p-type amorphous silicon layer and the intrinsic amorphous silicon layer, wherein the hydrogen concentration of the trap layer is lower than that of the intrinsic amorphous silicon layer.例文帳に追加

この発明は、ｎ型単結晶シリコン基板と水素を含有するｐ型非晶質シリコン層との間に、水素を含有する実質的に真性な非晶質シリコン層を設けた光起電力装置において、前記ｐ型非晶質シリコン層と前記真性な非晶質シリコン層との間に、前記真性な非晶質シリコン層の水素濃度より水素濃度が低いトラップ層を設ける。 - 特許庁

A Darlington connection of a bipolar transistor 7 and a bipolar transistor 2 with a load L is made, a P type MOS transistor 5 is provided between the emitter of the bipolar transistor 2 and the base of the bipolar transistor 7, and an N type MOS transistor 6 is provided between the base and emitter of the bipolar transistor 7.例文帳に追加

負荷Ｌにバイポーラトランジスタ７とバイポーラトランジスタ２がダーリントン接続され、バイポーラトランジスタ２のエミッタとバイポーラトランジスタ７のベース間にＰ型ＭＯＳトランジスタ５が設けられ、バイポーラトランジスタ７のベースとエミッタ間にＮ型ＭＯＳトランジスタ６が設けられる。 - 特許庁

A solid state image pickup device 100 includes: a plurality of AD conversion sections 140 disposed to each respective column for converting a pixel signal 151 converted by each of a plurality of unit pixels 111 arranged in the corresponding column into N-bit digital data 154; and a plurality of data holding sections 141 disposed to respective columns.例文帳に追加

本発明に係る固体撮像装置１００は、列毎に一つ設けられ、対応する列に配置された複数の単位画素１１１により変換された画素信号１５１をＮビットのデジタルデータ１５４に変換する複数のＡＤ変換部１４０と、列毎に一つ設けられた複数のデータ保持部１４１とを備える。 - 特許庁

This electrical system of a rice transplanter is characterized by disposing an AC-operated seedling exhaustion warning system N and an AC-operated head lamp 86 as electric loads to be operated with electric power generated with a power generator 101 rotated and driven with an engine 23 and further disposing a resistance 113 for validating a voltage range of a warning buzzer 114 of the electric load to the power generator 101.例文帳に追加

田植機の電装システムにおいて、エンジン２３で回転駆動される発電機１０１によって発電された電力で作動する電気負荷として、共に交流電源で作動する苗切れ警報装置Ｎと前照灯８６とを設け、電気負荷である警報ブザー１１４の発電機１０１に対する電圧範囲を有効とするための抵抗１１３を設ける。 - 特許庁

A center region of a semiconductor device 10 includes a p-type surface layer portion semiconductor region 38 provided at a surface layer portion of an n-type semiconductor substrate 20 and electrically connected to an emitter electrode 42, and a carrier shield region 52 provided partially in the surface layer portion semiconductor region 38.例文帳に追加

半導体装置１０の中心領域は、ｎ型の半導体基板２０の表層部に設けられているとともにエミッタ電極４２に電気的に接続されているｐ型の表層部半導体領域３８と、その表層部半導体領域３８内に部分的に設けられているキャリア遮蔽領域５２を備えている。 - 特許庁

The n-type channel stop layer forms a diode adjacent to the p-type channel stop layer in the p-type layer, and an i/o terminal or an n+-type layer and a p+-type layer connected to a V_ss power terminal in the p^--type layer is provided.例文帳に追加

ＥＳＤ保護素子をＮ型基板上にＰ−層とＮ−層が隣接して存在し、前記Ｐ−層と前記Ｎ−層の境目上にＮ型チャネルストップ層が存在し、前記Ｎ型チャネルストップ層は前記Ｎ−層内でＶｄｄ電源端子に接続されたＮ＋層と隣接し、前記Ｎ型チャネルストップ層は前記Ｐ−層内ではＰ型チャネルストップ層と隣接しダイオードを形成し、前記Ｐ−層内に入出力端子またはＶｓｓ電源端子に接続されているＮ＋層とＰ＋層が設けられた構造とした。 - 特許庁

In the MISFET type semiconductor device in which an n-type semiconductor pillar region and a p-type semiconductor pillar region are provided over a semiconductor substrate, generation of avalanche breakdown under an electrode pad and a gate wiring can be prevented by forming these gate electrode pad and gate wiring on the n^--type region in place of the semiconductor pillar region, and thereby the avalanche resistance voltage of the semiconductor device is improved.例文帳に追加

半導体基板上にｎ型半導体ピラー領域とｐ型半導体ピラー領域とが設けられたＭＩＳＦＥＴ型の半導体装置において、ゲート電極パッドやゲート配線を半導体ピラー領域の上に形成せず、ｎ^−型領域の上に形成することにより、これら電極パッドやゲート配線の下でアバランシェ・ブレークダウンが発生することを解消し、半導体装置のアバランシェ耐圧を改善できる。 - 特許庁

The spare element region has p-channel transistor regions 111 to 113, n-channel transistor regions 121 to 123, a plurality of gate electrodes 131 to 134 and 141 to 144 prepared on the p-channel transistor regions and n-channel transistor regions, bypass wires 151 to 155 formed on a wiring layer higher than the gate electrodes, and a principal wiring layer located still higher than the bypass wiring.例文帳に追加

予備素子領域は、Ｐチャンネルトランジスタ領域１１１〜１１３と、Ｎチャンネルトランジスタ領域１２１〜１２３と、Ｐチャンネルトランジスタ領域上及びＮチャンネルトランジスタ領域上に設けられた複数のゲート電極１３１〜１３４、１４１〜１４４と、ゲート電極よりも上層の配線層に形成されたバイパス配線１５１〜１５５と、バイパス配線よりも上層に位置する主配線層とを備える。 - 特許庁

A protective layer containing, as a binder, carboxy modified polyvinyl alcohol, a polyamide epichlorohydrin resin and a polyamine/amide resin is provided on the heat sensitive recording medium containing at least 3-(N-ethyl-p-methylphenylamino)-6-methyl-7-anilino fluorane as an electron donating leuco dye and the electron donative dye.例文帳に追加

少なくとも電子供与性ロイコ染料である３−（Ｎ−エチル−ｐメチルフェニルアミノ）−６−メチル−７−アニリノフルオランと、電子受容性顕色剤を含有する感熱記録層上に、バインダーとしてカルボキシ変成ポリビニルアルコール、ポリアミドエピクロロヒドリン系樹脂、及びポリアミン／アミド系樹脂を含有した保護層を設ける。 - 特許庁

The state change part comprises a first semiconductor layer composed of one semiconductor between a P type semiconductor and an N type semiconductor and second semiconductor layers composed of the other semiconductor and provided on the top and reverse of the first semiconductor layer across PN junction parts.例文帳に追加

この状態変化部は、Ｐ型半導体またはＮ型半導体のいずれか一方の半導体からなる第１半導体層と、前記Ｐ型半導体またはＮ型半導体の他方の半導体からなり前記第１半導体層の上下それぞれでＰＮ接合部を介して設けられた第２半導体層を備えて構成される。 - 特許庁

In a trigger sprayer A which sprays liquid in a cylinder part 22 from a nozzle part N by pressurizing with a piston body 3, the nozzle part has a rotary nozzle part 6, and a plurality of jet orifices 61A of the rotary nozzle part 6 are provided on a radius line of a definite distance from a center of the rotary nozzle.例文帳に追加

シリンダー部２２内の液をピストン体３で加圧しノズル部Ｎから噴射させるトリガースプレイヤーＡであって、ノズル部が回転ノズル部６を有し、該回転ノズル部６の噴射口６１Ａが回転ノズルの中心から一定半径線上に複数個設けられていることを特徴とするトリガースプレイヤー。 - 特許庁

A gap (A) is formed between the backflow prevention sheet 40a and the rotation sleeve 22a, and the top end 41 of the backflow prevention sheet 40a protrudes to the downstream side along the rotation direction of the rotation sleeve 22a from the nearest point N where the gap (A) between the backflow prevention member 40 and the rotation sleeve 22a is shortest.例文帳に追加

逆流防止シート４０ａと回転スリーブ２２ａとの間には隙間Ａを設けるとともに、逆流防止シート４０ａの先端部４１が、逆流防止部材４０と回転スリーブ２２ａとの隙間Ａが最短となる最近接点Ｎよりも回転スリーブ２２ａの回転方向下流側に突出する。 - 特許庁

In the cylindrical bond magnet made of magnetic powder and resin, the cylindrical bond magnet is a single body formed by injection molding, a trace of a gate is disposed at the center of an edge provided in an axial direction of the cylindrical bond magnet, and N and S poles are alternately subjected to multi-pole magnetization in an axial direction.例文帳に追加

本発明は、磁性粉末と樹脂からなる柱状のボンド磁石であって、上記柱状のボンド磁石は、射出成形によって成形された単一の成形体であり、ゲートの痕跡が柱状ボンド磁石の軸方向に設けられた端面の中央部に配置されているとともに、軸方向にＮ極とＳ極が交互に多極磁化されていていることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has, on an N^--type silicon substrate 2 (the drain region), a field clamp diode structure formed by forming an active region 4 as a functional element formation region provided in an inner region and a P^+-type low-resistance region 5 formed at the outermost peripheral portion of the active region 4 that continuously surrounds the active region 4.例文帳に追加

この半導体装置１は、Ｎ^-型のシリコン基板２（ドレイン領域）の上に、内方の領域に設けられた機能素子形成領域であるアクティブ領域４と、アクティブ領域４の最外周部に、アクティブ領域４を取り囲むように連続して形成されたＰ^+型の低抵抗領域５とが形成されてなるフィールドクランプダイオード構造を有している。 - 特許庁

In an output circuit including N-channel MOS transistors M1, M2, M6 and P-channel MOS transistors M3, M4, M5, a MOS transistor M7 having drain and gate connected to a drain of the MOS transistor M2 and a gate of the transistor M5, respectively, and a sources connected to a drain of the MOS transistor M4.例文帳に追加

ＮチャネルＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２，Ｍ６と、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＭ３，Ｍ４，Ｍ５を備える出力回路において、ドレインとゲートがＭＯＳトランジスタＭ２のドレインおよびトランジスタＭ５のゲートに接続され、ソースがＭＯＳトランジスタＭ４のドレインに接続されたＭＯＳトランジスタＭ７を設けた。 - 特許庁

The maintenance device of a printer including a fluid jetting head 24 where a plurality of nozzle openings for jetting ink to paper are provided to form a nozzle train N extending in a predetermined direction includes a linear member 33 provided to be tensioned in a nozzle train direction, and constituted to be movable between a retreat position where it separates from the nozzle opening and an abutting position where it abuts on the nozzle opening.例文帳に追加

用紙に対してインクを噴射する複数のノズル開口が所定方向に沿って延びるノズル列Ｎを形成するように設けられた流体噴射ヘッド２４を備えるプリンターのメンテナンス装置であって、ノズル列方向に沿って張設され、ノズル開口から離間した退避位置とノズル開口に当接する当接位置との間を移動可能に構成された線状部材３３を備える。 - 特許庁

The nanowire solar cell 1 includes: a semiconductor substrate 2; a plurality of nanowire semiconductors 4 and 5 forming p-n junctions; a transparent insulating material 6 with which the gap between the semiconductors 4 and 5 is filled; an electrode 7 covering the end of the semiconductors 4 and 5; and a passivation layer 10 provided between the semiconductor 5 and the transparent insulating material 6, and between the semiconductor 5 and the electrode 7.例文帳に追加

ナノワイヤ太陽電池１は、半導体基板２と、ｐｎ接合を構成する複数のナノワイヤ状の半導体４，５と、半導体４，５の間隙に充填された透明絶縁性材料６と、半導体４，５の端部を被覆する電極７と、半導体５と透明絶縁性材料６及び電極７との間に設けられたパッシベーション層１０とを備える。 - 特許庁

The fixing device is provided with: the endless pressure belt 71 pressure contacting a fixing roller 6; the pressing member 72 pressing the pressure belt 71 from the inside of the pressure belt 71, and constituting the nip part N between the fixing roller 6 and the pressing member 72; and an actuator element 73 energizing the pressing member 72 toward the fixing roller 6 and deformed by being electrified.例文帳に追加

加圧回転体７として、定着ローラ６に圧接する無端状の加圧ベルト７１と、加圧ベルト７１の内側から加圧ベルト７１を押圧し、定着ローラ６との間でニップ部Ｎを構成する押圧部材７２と、押圧部材７２を定着ローラ６の方向に付勢する、通電によって変形するアクチュエータ素子７３とを設ける。 - 特許庁

In this method for mounting an exterior wall plate, first a floor 4 on an nth (n is an integer) layer is constructed, and while a first floor skeleton fastener 21 and a second floor skeleton fastener 22 are provided to the floor 4, a curtain wall 1 is prepared, and the second floor skeleton fastener 22 is temporarily fixed to the second exterior wall plate fastener 12 of the curtain wall 1.例文帳に追加

外壁版取付け方法は、まず、第ｎ（ｎは整数）層の床４が構築されて、床４に第１床躯体ファスナー２１および第２床躯体ファスナー２２が設けられた状態で、カーテンウォール１を用意し、このカーテンウォール１の第２外壁版ファスナー１２に第２床躯体ファスナー２２を仮固定する。 - 特許庁

The solar cell includes a p-type layer 30, a buffer layer 31, an i-type layer 32 and an n-type layer 34, wherein the p-type layer 30 has a high-concentration amorphous silicon carbide layer 30a and a low-concentration amorphous silicon carbide layer 30b which has a lower dopant concentration of a p-type dopant than the high-concentration amorphous silicon carbide silicon layer 30a.例文帳に追加

ｐ型層３０と、バッファ層３１と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４とを備え、ｐ型層３０は高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａと、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａよりｐ型ドーパントのドーパント濃度が低い低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂを設ける。 - 特許庁

The digital signal of plural bits outputted from an internal circuit is inputted via an internal bus to one of D/A converters 28-34 by a multi- level interface provided n a microcomputer 2, and the digital signal is converted to an analog multi-level signal and outputted to the connected semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

マイクロコンピュータ２に設けられた多値インタフェースが、内部回路から出力された複数ビットのデジタル信号を、内部バスを介してＤ／Ａ変換器２８〜３４のいずれかに入力され、そのデジタル信号をアナログの多値信号に変換して接続された半導体集積回路装置に出力する。 - 特許庁

A variable delay circuit is provided with: a delay circuit block DLY_BK1 for delaying differential input signals through a plurality of stages of delay circuits DLY[1] to DLY[n]; and a duty ratio correction block DTCTL_BK1a for correcting a duty ratio through waveform addition and then outputting differential output signals.例文帳に追加

差動入力信号を複数段の遅延回路ＤＬＹ［１］〜ＤＬＹ［ｎ］によって遅延させる遅延回路ブロックＤＬＹ＿ＢＫ１と、ＤＬＹ［ｎ］からの出力を入力として、波形の加算によるデューティ比の補正を行った後に差動出力信号を出力するデューティ比補正ブロックＤＴＣＴＬ＿ＢＫ１ａを設ける。 - 特許庁

In a probe evaluation mode, test signals of predetermined frequency generated by a test signal generation section 51 are fed to signal wires 35 of N channels for connecting each of vibration elements to a transceiver section 2 provided in a diagnostic apparatus body via a test signal distribution section 52 having an output impedance substantially equal to the impedance of the vibration elements incorporated in an ultrasonic probe 3.例文帳に追加

プローブ評価モードにおいて試験信号発生部５１が発生した所定周波数の試験信号を、超音波プローブ３に内蔵された振動素子のインピーダンスと略等しい出力インピーダンスを有する試験信号分配部５２を介して前記振動素子の各々と診断装置本体１に設けられた送受信部２とを接続するＮチャンネルの信号線３５の各々に供給する。 - 特許庁

Further, a second storage means (AC prediction value buffer) for storing AC component predictive error (AC prediction value) as to each block is provided, (n+1) storage areas (AC-Bank) or more are provided to the second storage means and the second storage means can be used for a ring buffer by sequentially using the storage areas.例文帳に追加

また、各ブロックについてのＡＣ成分予測誤差（ＡＣ予測値）を記憶する第２の記憶手段（ＡＣ予測値バッファ）も備えるようにし、さらにその第２の記憶手段についても（ｎ＋１）個以上の記憶領域（AC-Bank）を設け、この記憶領域が順次用いられることで第２の記憶手段もリングバッファとして使用できるようにする。 - 特許庁

On a SiC semiconductor region 30 of a power MOSFET 100, having a Si semiconductor region 20 made of silicon(Si) and a SiC semiconductor region 30 made of silicon carbide(SiC), a p-type protective layer 40 is formed which makes contact with the Si semiconductor region 20 and a n-type drift layer 30b and is made of p-type SiC.例文帳に追加

珪素（Ｓｉ）から形成されたＳｉ半導体領域２０と炭化珪素（ＳｉＣ）から形成されたＳｉＣ半導体領域３０とを備えるパワーＭＯＳＦＥＴ１００のＳｉＣ半導体領域３０に、Ｓｉ半導体領域２０に接すると共にｎ型ドリフト層３０ｂに接するように設けられｐ型のＳｉＣからなるｐ型保護層４０を形成した。 - 特許庁

To manufacture easily an encoder 1 equipped with an unequal pitch part 8 without using a special-shaped polarization head equipped with an unequal pitch part or the like, concerning the encoder 1 wherein N-poles 5 and S-poles 6 of magnets are arranged at equal pitches alternately in the circumferential direction and the unequal pitch part 8 is provided on a part of the circumference.例文帳に追加

磁石のＮ極５およびＳ極６を円周方向交互に等ピッチで配置するとともに円周上一部に不等ピッチ部分８を設けたエンコーダー１において、不等ピッチ部を備えた特殊形状の着磁ヘッド等を用いなくても、不等ピッチ部分８を備えたエンコーダー１を容易に製造することができるようにする。 - 特許庁

The magnet type generator 1 buries a permanent magnet 15 to form a rotor 11 so that an N pole and an S pole are alternated in the circumferential direction of the disk face of a disk member 13, and provides a stator 12a (or 12b) provided with a magnetic polar tooth 16 opposed to the permanent magnet 15 on at least one disk face side of the rotor 11.例文帳に追加

本発明に係る磁石式発電機１は、円盤部材１３の円盤面の円周方向にＮ極とＳ極が交互になるように永久磁石１５を埋設して回転子１１を形成し、その回転子１１の少なくとも一方の円盤面側に、永久磁石１５と対向する磁極歯１６を備えた固定子１２ａ（又は１２ｂ）を設けたものである。 - 特許庁

Upon ejecting liquid droplets at a predetermined interval into the pattern area A that constitutes a pixel G on a substrate while the ejection head is scanned, non-ejection spaces N wherein a droplet is not ejected are provided in the inner area of the pattern area A, which inner area does not include the periphery of the bunk surrounding the pattern area A.例文帳に追加

基板上の画素Ｇを形成する描画対象領域Ａ内に、吐出ヘッドを走査させながら一定の吐出間隔にて液滴を吐出させる際に、描画対象領域Ａを取り囲むバンクに沿う外周側を除いた中央側に、描画対象領域Ａ内に液滴を吐出させない非吐出箇所Ｎを設けた。 - 特許庁

The fractional N PLL frequency synthesizer configured to temporally switch the division number of a variable frequency divider between two or more integer values has a variable notch filter 8 capable of controlling a suppression frequency and an attenuation between a voltage-controlled oscillator 2 and a loop filter 7, thereby suppressing fractional spurious emissions.例文帳に追加

可変分周器の分周数を２つ以上の整数値で時間的に切り替えるフラクショナルＮ方式のＰＬＬ周波数シンセサイザにおいて、電圧制御発振器２とループフィルタ７の間に、抑圧周波数および減衰量の制御を可能とする可変ノッチフィルタ８を設けることで、フラクショナルスプリアスを抑圧することができる。 - 特許庁

A first memory cell provided with a first selection transistor and a first memory capacitor and a second memory cell provided with a second selection transistor and a second memory capacitor are provided, the first selection transistor is an n-type channel transistor, the second selection transistor is a p-type transistor, and the memory cell is formed in an SOI board having an insulation layer.例文帳に追加

第１の選択トランジスタと第１のメモリキャパシタを備えた第１のメモリセルと、第２の選択トランジスタと第２のメモリキャパシタを備えた第２のメモリセルを設け、前記第１の選択トランジスタはｎ形チャネルトランジスタであり、前記第２の選択トランジスタはｐ形チャネルトランジスタであり、前記メモリセルは、絶縁層を有したＳＯＩ基板内に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element capable of achieving uniformity of current density by promoting current diffusion in a semiconductor film in a lateral direction and a stacked direction and capable of easily controlling color mixture of light using a phosphor, in the semiconductor light-emitting element in which an n-electrode and a p-electrode are provided on the same surface side of the semiconductor film.例文帳に追加

ｎ電極とｐ電極が半導体膜の同一面側に設けられた半導体発光素子において、半導体膜内における横方向および積層方向における電流拡散を促進させ電流密度の均一化を図るとともに蛍光体を用いた光の混色のコントロールを容易にすることができる半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The thermal transfer sheet which includes a heat-resisting lubricating layer overlying one side of a base material and an undercoating layer and a dye layer successively overlying the other side of the base material is charactirized in that the undercoating layer is formed by a copolymer resin of N-vinyl-2-pyrrolidone and vinyl acetate and a colloidal state inorganic pigment ultrafine particle as a principal component.例文帳に追加

本発明の熱転写シートは、基材の一方の面に耐熱滑性層を設け、該基材の他方の面に下引き層、染料層を順次形成した熱転写シートにおいて、該下引き層はビニルピロリドンと酢酸ビニルの共重合体樹脂とコロイド状無機顔料超微粒子を主成分として形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The first to (n)th clutch claws are set to 10 degrees or less in the play angle.例文帳に追加

ワンウェイクラッチは、外側部材の内周面に設けられたラチェット歯６０、内側部材の外周面に周方向に間隔を隔てて配置された第１から第ｎ（ｎは３以上の整数）のｎ個のクラッチ爪６１、及び第１から第ｎのクラッチ爪のうち複数のクラッチ爪を内側部材の外周側から係合位置に向けて付勢する付勢部材６２を有し、第１から第ｎのクラッチ爪は、遊び角が１０度以下である。 - 特許庁

A path receiving antenna which receives the sticking state signal sent from the RF part 36, a gate receiving antenna which receives a readout state signal sent from a bar code reader through the RF part 36, and a store controller which decides whether the article N is allowed to be carried out according to the readout state signal are provided in a store.例文帳に追加

店舗内に、ＲＦ部３６から送信された貼着状態信号を受信する通路受信アンテナと、バーコードリーダからＲＦ部３６を介して送信された読出状態信号を受信するゲート受信アンテナと、読出状態信号に基づいて商品Ｎの持ち出しを可否判定する店舗制御装置とを設ける。 - 特許庁

The amorphous semiconductor film is doped with a catalytic element, a crystal semiconductor film is formed by a first heat treatment, the catalytic element is transferred to an n-type dopant layer formed on the crystal semiconductor film by a second heat treatment, and the first/second island-like crystal semiconductor films are formed on the first/second gate electrodes by patterning.例文帳に追加

非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、第１の加熱処理により結晶性半導体膜を形成し、第２の加熱処理により、結晶性半導体膜に設けられたＮ型不純物層に、触媒元素を移動させ、パターニングして第１／第２のゲイト電極上に第１／第２の島状の結晶性半導体膜を形成する。 - 特許庁

A cleaning liquid is supplied between the upper surface Wa of a wafer W rotated around the rotary axis R of the wafer and the substrate opposite surface WF opposed thereto from a nozzle N having a tip part NS in the substrate opposite surface WF and a vibration disk VF provided in the substrate opposite surface WF imparts ultrasonic vibration to the cleaning liquid.例文帳に追加

ウエハの回転軸Ｒを中心として回転させられているウエハＷの上面Ｗａとこれに対向する基板対向面ＷＦとの間に、基板対向面ＷＦ内に先端部ＮＳを有するノズルＮが洗浄液を供給するとともに、この洗浄液に対して、基板対向面ＷＦ内に設けられた振動面ＶＦが超音波振動を付与する。 - 特許庁

The electrostatic protective circuit 100 has a diode 2 fitted between a connection point connecting the input pad 1 and the internal circuit 50 and a grounding terminal, and an N-channel MOS transistor 3 connected in series with the diode 2 and having the operating voltage lower than the signal voltage inputted from the input pad 1.例文帳に追加

この静電保護回路１００は、入力パッド１と内部回路５０とを接続する接続点と接地端子との間に設けられた、ダイオード２と、ダイオード２と直列に接続され、入力パッド１より入力される信号電圧よりも低い動作電圧を有するＮチャネルＭＯＳトランジスタ３とを備えている。 - 特許庁

A neutral position N for supplying pilot hydraulic oil outputted from right and left pilot valves 14 and 15 respectively to right and left control valves 12 and 13 corresponding to them, and switching valves 18 and 19 capable of being switched to first and second straight advancing positions X and Y supplying the pilot pressed oil outputted from one of both right and left valves to both right and left control valves are provided at a traveling hydraulic circuit.例文帳に追加

走行用油圧回路に、左右のパイロットバルブ１４、１５から出力されたパイロット圧油を対応する左右のコントロールバルブ１２、１３にそれぞれ供給する中立位置Ｎと、左右何れかのパイロットバルブから出力されたパイロット圧油を左右両方のコントロールバルブに供給する第一、第二直進位置Ｘ、Ｙとに切換できる切換バルブ１８、１９を設けた。 - 特許庁

The MOS field effect transistor having electric field relaxation layers 107A and 107B and a punch-through stopper layer 108 in gate-overlap structure symmetrically with the gate electrode 103 is provided with a P-type layer 110 of an opposite conductivity type from the N-type punch-through stopper layer 108 on a surface of the punch-through stopper layer 108 to have no rise in threshold voltage.例文帳に追加

ゲート電極１０３と対称的にゲートオーバーラップ構造の電界緩和層１０７Ａ、１０７Ｂとパンチスルーストッパー層１０８を有するＭＯＳ電界効果トランジスタにおいて、Ｎ型パンチスルーストッパー層１０８の表面に、このパンチスルーストッパー層１０８とは反対導電型のＰ型層１１０を設け、しきい値電圧が上昇しないようにしたもの。 - 特許庁