「もうけ n」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In the p- and n-side electrodes 12 and 13, a power output terminal 15 is provided.例文帳に追加

ｐ側電極１２及びｎ側電極１３にはそれぞれ電力出力端子１５が設けられている。 - 特許庁

The storage medium 18 is provided with a plurality of sets (N sets) of a pair of semiconductor memory chips A_1 and B_1.例文帳に追加

記憶媒体１８は、１対の半導体メモリチップＡ_1 、Ｂ_1 が複数組（Ｎ組）設けられている。 - 特許庁

The gate 2 is provided on an n-type semiconductor substrate 1 via a gate insulating film 3.例文帳に追加

ゲート２は、ｎ型の半導体基板１上にゲート絶縁膜３を介して設けられている。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光層は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

Underneath this P+ diffusion region, an N region 85 having the same lateral extent is provided.例文帳に追加

このＰ＋拡散領域の下に同じ横方向の大きさを有するＮ領域（８５）が設けられる。 - 特許庁

A transfer gate 31_T is provided between the PD21 and the first n-type semiconductor region 32_a.例文帳に追加

ＰＤ２１と第１のｎ型半導体領域３２_aの間に転送ゲート３１_Tを設ける。 - 特許庁

The light-emitting part is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

前記発光部は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

Three magnetic sensors S1, S2 and S3 are provided at equal intervals in the middle of the magnetic poles N and S.例文帳に追加

磁極Ｎ、Ｓの中間には、３つの磁気センサＳ１、Ｓ２、Ｓ３が等間隔で設けられている。 - 特許庁

The p-side wiring portion and the n-side wiring portion are provided on the inorganic insulating film.例文帳に追加

ｐ側配線部及びｎ側配線部は無機絶縁膜上に設けられている。 - 特許庁

A p-type region 11 is provided at the upper part of a semiconductor substrate 10 of n-type silicon.例文帳に追加

ｎ型シリコンからなる半導体基板１０の上部には、ｐ型領域１１が設けられている。 - 特許庁

STRUCTURE HAVING METAL LAYER FOR DIE BONDING PROVIDED ON N-TYPE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｎ型半導体基板にダイボンド用金属層が設けられた構造体およびその製造方法 - 特許庁

An n-type gallium-nitride-based semiconductor layer 15 is formed on a board 13, and serves as, for example, a clad layer.例文帳に追加

ｎ型窒化ガリウム系半導体層１５は基板１３上に設けられ、例えばクラッド層である。 - 特許庁

A reflecting layer 12 is formed on the surface of a semiconductor substrate 1 constituted of (n)-type GaAs.例文帳に追加

たとえばｎ形のＧａＡｓからなる半導体基板１の表面に反射層１２が設けられている。 - 特許庁

An AlN epitaxial layer 15 is provided on the n surface area of the AlN support body 13.例文帳に追加

ＡｌＮエピタキシャル層１５は、ＡｌＮ支持基体１３のＮ面エリア上に設けられている。 - 特許庁

A p-side electrode 21 and an n-side electrode 22 are provided at a first region 10A and a second region 10B, respectively.例文帳に追加

第１領域１０Ａにｐ側電極２１、第２領域１０Ｂにｎ側電極２２を設ける。 - 特許庁

A grip portion 44 freely movable in the longitudinal direction N of the lever is arranged in the upper portion of the lever 40.例文帳に追加

レバー４０の上部に、その長手方向Ｎに移動自在なグリップ部４４を設ける。 - 特許庁

The ruthenium layer is formed so as to be brought into contact with the n-AlGaN layer.例文帳に追加

このルテニウム層は、ｎ−ＡｌＧａＮ層に接するように設けられている。 - 特許庁

The body region 8 is provided on the n-type semiconductor region 5 while leaving a gap L.例文帳に追加

ボディ領域８は、ｎ型半導体領域５上に間隙Ｌを残して設けられている。 - 特許庁

An amplifying gate 31_A is provided between the third and fourth n-type semiconductor regions 32_c, 32_d.例文帳に追加

第３、第４のｎ型半導体領域３２_c、３２_dの間に増幅ゲート３１_Aを設ける。 - 特許庁

On the reverse surface side of the n^- support substrate 1, an FS region 8 and a p collector region 9 are provided.例文帳に追加

ｎ^-支持基板１の裏面側には、ＦＳ領域８およびｐコレクタ領域９が設けられている。 - 特許庁

On a principal surface side of the optical device 10, a p-type electrode 15 and an n-type electrode 16 are provided.例文帳に追加

光デバイス１０の主面側には、ｐ電極１５，ｎ電極１６が設けられている。 - 特許庁

A p^+ collector region is provided on the surface layer of an n buffer region 7.例文帳に追加

ｎバッファ領域７の表面層には、ｐ^+コレクタ領域が設けられている。 - 特許庁

The active layer 25 is provided between the n-type clad layer 21 and the p-type clad layer 23.例文帳に追加

活性層２５はｎ型クラッド層２１とｐ型クラッド層２３との間に設けられる。 - 特許庁

The n-side barrier layer is provided between the multilayered laminate and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ側障壁層は、多層積層体とｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

An n-type drift layer 3 is formed through an insulating film 2 on a support substrate 1.例文帳に追加

支持基板１上に絶縁膜２を介してｎ型ドリフト層３が設けられている。 - 特許庁

The nozzle plate 31 is provided with a plurality of nozzles N for discharging liquid droplets Fb on a board 2.例文帳に追加

ノズルプレート３１には、基板２に液滴Ｆｂを吐出する複数のノズルＮが設けられている。 - 特許庁

A line transfer gate is provided between the fourth and fifth n-type semiconductor regions 32_d, 32_e.例文帳に追加

第４、第５のｎ型半導体領域３２_d、３２_eの間に行転送ゲートを設ける。 - 特許庁

Regions 7 and 9 having an MOSFET 8 and an LDMOS 10 formed therein are provided in an n-type silicon layer 2 of an SOI substrate 1.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１のｎ形シリコン層２にはＭＯＳＦＥＴ８，ＬＤＭＯＳ１０が形成された領域７，９を設ける。 - 特許庁

An emitter electrode comprising an n-type semiconductor film is disposed to contact in the base area 20.例文帳に追加

ベース領域２０には、ｎ型の半導体膜からなるエミッタ電極が接触して設けられている。 - 特許庁

A p type base region 2 is selectively provided on a surface of an n^- type drift region 1.例文帳に追加

ｎ^-型のドリフト領域１の表面に、ｐ型のベース領域２が選択的に設けられている。 - 特許庁

The insulating film is prepared between the p-side metal pillar and the n-side metal pillar.例文帳に追加

絶縁膜は、ｐ側金属ピラーとｎ側金属ピラーとの間に設けられている。 - 特許庁

An n type shell region 5 is provided between the drift region 1 and the base region 2.例文帳に追加

ｎ型のシェル領域５は、ドリフト領域１とベース領域２の間に設けられている。 - 特許庁

The FG-PMOS 150b has a drain and a source disposed in the n-type well 110.例文帳に追加

ＦＧ−ＰＭＯＳ１５０ｂは、ｎ型ウェル１１０中に設けられたソース及びドレインを有する。 - 特許庁

The SG-PMOS 150a has a drain and a source disposed in an n-type well 110.例文帳に追加

ＳＧ−ＰＭＯＳ１５０ａは、ｎ型ウェル１１０中に設けられたドレイン及びソースを有する。 - 特許庁

An n-type GaN-based semiconductor layer 15 is disposed on the principal plane 13a of the support 13.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ系半導体層１５は支持体１３の主面１３ａ上に設けられる。 - 特許庁

A p-type base region 2 is provided on a surface layer of an n^-type drift region 1.例文帳に追加

ｎ^-型のドリフト領域１の表面層に、ｐ型のベース領域２が設けられている。 - 特許庁

A surface layer on a reverse side of the n-type drift region 1 is provided with a p-type collector region 7.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域１の裏面の表面層には、ｐ型コレクタ領域７が設けられている。 - 特許庁

A low reflection film 46 is provided on the second surface of the n-type InP substrate 32.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板３２の裏面上に低反射膜４６が設けられている。 - 特許庁

An aperture 12 is formed at an n-Au electrode 106 for extracting the evanescent wave.例文帳に追加

ｎ−Ａｕ電極１０６に、エバネッセント波を取り出す開口１２を設ける。 - 特許庁

The screw head section of the screw N is buried in a recess 40 provided on the plastic member α.例文帳に追加

ネジＮは、プラスチック部材αに設けた凹部４０内に、そのネジ頭部が埋没する。 - 特許庁

In the extraction region, a P-type layer 11 is provided on an N^- drift layer 1.例文帳に追加

抜き取り領域において、Ｎ^−型ドリフト層１上にＰ型層１１が設けられている。 - 特許庁

A p-type base region 2 is provided in a surface layer of an n^- type drift region 1.例文帳に追加

ｎ^-型のドリフト領域１の表面層に、ｐ型のベース領域２が設けられている。 - 特許庁

The capacity element 6 is covered with an n-th layer interlayer insulating film 8 provided on the substrate 1.例文帳に追加

容量素子６は、基板１上に設けられた第ｎ層目の層間絶縁膜８によって覆われている。 - 特許庁

A surface opposite to the light emitting layer 4 in the n-type semiconductor layer 3 is made a light extraction surface to the outside.例文帳に追加

ｎ形半導体層３の光取り出し面にはグレーティング３ａを設けてある。 - 特許庁

Further, the pre-transfer guide 22 is provided for guiding the paper sheet to the transfer nip part N.例文帳に追加

又、当該転写ニップ部Ｎに用紙を案内するための転写前ガイド２２が設けられている。 - 特許庁