「もうけ n」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The information recording medium includes N information layers on a substrate 1, where N is an integer of two or more.例文帳に追加

本発明の情報記録媒体は、基板１上にＮ個の情報層（Ｎは２以上の整数）が設けられている。 - 特許庁

In the cylinder tube 2, N-piece pieces of oil ports 12 are formed which are provided for each of the N-pieces of sub liquid chambers.例文帳に追加

シリンダチューブ２には、それぞれがＮ個のサブ液体室ごとに設けられたＮ個の油口１２が形成される。 - 特許庁

In the case of the nut N being coated with resin, a spring holding type sensor pin pressed by the nut N is provided at the front face of the conduction sensor.例文帳に追加

ナットＮが樹脂コートされている場合には、導通センサの前面にナットＮにより押圧されるスプリング保持式のセンサピンを設ける。 - 特許庁

This signal processor is provided with an A/D converter 10 for converting an analog signal into an n bit digital signal Sa_n.例文帳に追加

アナログ信号をｎビットのディジタル信号Ｓａ_ｎに変換するＡ／Ｄコンバータ１０を設ける。 - 特許庁

The N+ channel stop layer 7 is so provided in frame as to be continuous to the N+ channel stop layer 6 outside the array of the P+ diffusion layer 5.例文帳に追加

Ｎ^+チャンネルストップ層７はＰ^+拡散層５の配列の外側にＮ^+チャンネルストップ層６と連続して枠状に設けられている。 - 特許庁

A light emission device is provided with a plurality of LEDs 3a, 3b, and 3c which are arrayed in a matrix of n×m (n, m; positive integers) pieces.例文帳に追加

ｎ個×ｍ個（ｎ、ｍは、それぞれ正の整数）のマトリクス状に配列された複数の各ＬＥＤ３ａ、３ｂ、３ｃを設ける。 - 特許庁

The optical amplification part 30n is provided on the slit path Pn, and optically amplifies the signal light transferred on the split path Pn for output.例文帳に追加

光増幅部３０_nは、分岐経路Ｐ_n上に設けられており、この分岐経路Ｐ_nを伝搬する信号光を光増幅して出力する。 - 特許庁

Next, the natural ground 23 forward of the facing 25 is excavated by a distance L and a timbering work 27-(n+1) is provided at the upper portion of the reinforcing work 29-(n+1).例文帳に追加

次に、切羽２５の前方の地山２３をＬだけ掘削し、補強工２９−（ｎ＋１）の上部に支保工２７−（ｎ＋１）を設ける。 - 特許庁

An N-type CCD channel region 3 is provided in the P-type well region 2 and divided in a vertical direction by P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

p型ウェル領域2に、n型CCDチャネル領域3が設けられ、p^+型チャネル阻止領域12で垂直方向に分割されている。 - 特許庁

Means is provided in order to control the output variables in a clocked manner and to store the output variables of the switching device between the time points t_n-1 and t_n.例文帳に追加

時点ｔ_n-1とｔ_nとの間におけるスイッチング装置の出力変数をクロック制御されて記憶するための手段が設けられている。 - 特許庁

Besides, N channel type transistors 8 and 9 are provided for relaxing the voltages with which the N channel type transistors 5-7 are applied.例文帳に追加

また、Ｎチャネル型トランジスタ５〜７に印加される電圧を緩和するためにＮチャネル型トランジスタ８、９が設けられている。 - 特許庁

The projection part 12B is provided over the entire region of the range A_n where the teeth 11 are not present in the york part 12.例文帳に追加

突出部12Bは、ヨーク部12においてティース11が存在しない範囲A_nの全域に亘って設けられている。 - 特許庁

A mesh-like deep n-type well 113 is provided in contact with undersurfaces of the p-type well 107 and the n-type well 109.例文帳に追加

Ｐ型ウェル１０７、Ｎ型ウェル１０９の下面に接して、メッシュ状のディープＮ型ウェル１１３が設けられている。 - 特許庁

A mesh-like deep n-type well 111 is provided in contact with undersurfaces of the p-type well 103 and the n-type well 105.例文帳に追加

Ｐ型ウェル１０３、Ｎ型ウェル１０５の下面に接して、メッシュ状のディープＮ型ウェル１１１が設けられている。 - 特許庁

A number of back lights connected with the inverter circuits inside the respective blocks when n of blocks are provided is n.例文帳に追加

ブロックをｎ個設けた場合の各ブロック内のインバータ回路に接続されるバックライト数をｎ個とする。 - 特許庁

A first conductor film 7 is provided on the bottom face of the opening 6 in such a way that the film 7 covers the n-type area 2 while the film 7 is in contact with the n-type are 2.例文帳に追加

第１の導体膜７は、開口部６の底面のｎ型領域２に接するとともに、ｎ型領域２を覆うように設けられる。 - 特許庁

The ferromagnetic elements 15(N), 16(S) and a plurality of ferromagnetic elements 26(N), 27(S) are respectively provided on a clutch substrate in a rectangular shape.例文帳に追加

強磁性体１５（Ｎ），１６（Ｓ）、強磁性体２６（Ｎ），２７（Ｓ）はそれぞれクラッチ基板上に短冊状に複数設ける。 - 特許庁

In addition, an n-type diffusion layer 6 is provided on the layer 2, and an n-type diffusion layer 6' is provided in the p-type layer 3'.例文帳に追加

また、ｎ型埋め込み層２の上にはｎ型拡散層６が、ｐ型埋め込み層３´にはｎ型拡散層６´が設けられている。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device is provided with an n-type well 133 which is formed immediately under the n-type well 101 and connected therewith.例文帳に追加

さらに、半導体装置は、Ｎ型ウェル１０１の直下に設けられており、Ｎ型ウェル１０１と接続する、Ｎ型ウェル１３３を備える。 - 特許庁

A wind prevention fence 6 is provided on an upper part of the side of the main vessel body 2 at a position apart from a bow N on the bow N side from the upper structure 3.例文帳に追加

主船体２の船側上部には、船首Ｎから離間し、かつ上部構造物３よりも船首Ｎ側の位置に、防風フェンス６を設ける。 - 特許庁

A second n-type region 3 is provided on the p-type regions 2, 4 spaced apart from the first n-type region 1 by the p-type regions 2, 4.例文帳に追加

第２のｎ型領域３は、ｐ型領域２、４によって第１のｎ型領域１と隔てられ、ｐ型領域２、４上に設けられている。 - 特許庁

An n+ layer 15 is provided on the part opposed to the circumferential face P1oof the second main face, and has an impurity concentration higher than that of the n-substrate 11.例文帳に追加

ｎ＋層１５は、第２主面の内周面Ｐ１ｉに対向する部分の上に設けられ、ｎ−基板１１よりも高い不純物濃度を有している。 - 特許庁

The N+ channel stop layers 7 are formed like a frame so as to be continued with the N+ channel stop layers 6 outside the array of the P+ diffusion layers 3.例文帳に追加

Ｎ^+チャンネルストップ層７はＰ^+拡散層３の配列の外側にＮ^^+チャンネルストップ層６と連続して枠状に設けられている。 - 特許庁

A deep n-type well 133 is provided at the bottom surface side of the SRAM-P type well 185 and the SRAM-N type well 189.例文帳に追加

ＳＲＡＭ−Ｐ型ウェル１８５およびＳＲＡＭ−Ｎ型ウェル１８９よりも底面側には、ディープＮ型ウェル１３３が設けられている。 - 特許庁

Permanent magnets 13 and 14, in which N and S poles are arranged alternately in its circumferential direction, are provided on the inside periphery of the rotor 11 and the outside periphery of the rotor 12.例文帳に追加

ロータ11の内周、およびロータ12の外周に、N,S極の円周方向交互配置になる永久磁石13,14を設ける。 - 特許庁

A stacker crane 8 for moving between a warehousing-delivery station 18 arranged on the ground and the parking garage Pm-n arranged in the parking shelf part and exclusive to the prescribed dwelling units Hm-n of the prescribed floor, is attached to the apartment building along the parking shelf part.例文帳に追加

そして、地上に設けた入出庫ステーション１８と、駐車棚部に設けた所定の階の所定の住戸Ｈ_m-n の専用の駐車場Ｐ_m-n との間を移動し、且つ、それらの間で車両を移送することができるスタッカークレーン８を、駐車棚部に沿ってマンションに付設した。 - 特許庁

An n-type lightly doped drift layer 11 is provided so as to cover an n-type heavily doped drain layer 41 from an internal section side of a p-type silicon substrate 100, and an n-type lightly doped drift layer 12 is provided so as to cover an n-type heavily doped source layer 42 likewise.例文帳に追加

Ｎ型高濃度ドレイン層４１にＰ型シリコン基板１００の内部側から被さるようにＮ型低濃度ドリフト層１１が設けられており、同様にＮ型高濃度ソース層４２に対してＮ型低濃度ドリフト層１２が設けられている。 - 特許庁

This network immune system is provided with an authentication management server 6 to be provided on a computer 3_1, a mobile object management server 7 to be provided on a computer 3_1 and transfer management servers 5 to be provided on computers 3_2 _to _n.例文帳に追加

コンピュータ３_1に設ける認証管理サーバ６と、コンピュータ３_1に設ける移動オブジェクト管理サーバ７と、コンピュータ３_2〜nに設ける移動管理サーバ５とを有する。 - 特許庁

The deep n-type well is further provided with a second deep n-type well 103 provided at the bottom surface side of the p-type Si substrate 101 more than the first deep n-type well 105, and has n-type impurity concentration different from that of the firs deep n-type well 105.例文帳に追加

ディープｎ型ウェルは、第一のディープｎ型ウェル１０５よりもｐ型Ｓｉ基板１０１の底面側に設けられており、第一のディープｎ型ウェル１０５と異なるｎ型の不純物濃度を有する第二のディープｎ型ウェル１０３を備える。 - 特許庁

Proximity sensors 30(1), 30(2),..., 30(N) are provided for switches 1, 2,..., N which output function signals for driving on-board equipment 60, 62 to detect a human body approaching a switch.例文帳に追加

車載機器６０，６２の駆動用の操作信号を出力する複数の操作スイッチSW(1)，SW(2)，・・・，SW(n)に対応してそれら各操作スイッチSW(1)，SW(2)，・・・，SW(n)に対する人体の一部の近接を検知する近接センサ３０(1)，３０(2)，・・・，３０(n)が設けられる。 - 特許庁

A semiconductor apparatus includes: an n+ type semiconductor substrate 1; an n- type drift region 2 formed on the upper surface of the n+ type semiconductor substrate 1; an anode electrode 3 formed on the upper surface of the n- type drift region 2 and forming a Schottky junction A with the n- type drift region 2; and a cathode electrode 4 electrically connected to the n+ type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ＋型半導体基板１と、ｎ＋型半導体基板１の上面上に設けられたｎ−型ドリフト領域２と、ｎ−型ドリフト領域２の上面上に設けられ、ｎ−型ドリフト領域２とショットキー接合Ａを形成するアノード電極３と、ｎ＋型半導体基板１に電気的に接続されたカソード電極４とを備える。 - 特許庁

An n-type semiconductor region 12 and a p-type semiconductor region 13 are provided on a semi-insulating GaAs substrate 11 and an n-type ohmic electrode 14 is provided on the n-type semiconductor region 12, while a p-type ohmic electrode 15 is provided on the p-type semiconductor region 13.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上にｎ型半導体領域１２とｐ型半導体領域１３を設け、ｎ型半導体領域１２上にｎ型オーミック電極１４を設け、ｐ型半導体領域１３上にｐ型オーミック電極１５を設けている。 - 特許庁

Furthermore, a base electrode 5 is provided on the p-type base layer 3 located adjacent to the n-type emitter layer 4, a collector layer 6 is provided on the n-type collector layer 2, and an emitter electrode 7 is provided on the n-type emitter layer 4.例文帳に追加

さらに、ｐ型ベース層３上にはｎ型エミッタ層４に隣接してベース電極５が設けられ、ｎ型コレクタ層２上にはコレクタ電極６が設けられ、ｎ型エミッタ層４上にはエミッタ電極７が設けられている。 - 特許庁

The air discharge device includes: N pieces of central air outlets 31 provided in the centerline region; N pieces of larboard side air outlets 32 provided in the larboard side region; and N pieces of starboard side air outlets 33 provided in the starboard side region.例文帳に追加

前記空気吹き出し装置は、前記センターライン領域に設けられたＮ個の中央空気吹き出し口３１と、前記左舷側領域に設けられた前記Ｎ個の左舷側空気吹き出し口３２と、前記右舷側領域に設けられた前記Ｎ個の右舷側空気吹き出し口３３とを含む。 - 特許庁

An n^- semiconductor layer 2 being an epitaxial layer is provided on a p^- semiconductor substrate.例文帳に追加

ｐ^-半導体基板１上にはエピタキシャル層であるｎ^-半導体層２が設けられている。 - 特許庁

A Schottky junction 16 is formed by providing an anode electrode 15 in an n-offset region 6.例文帳に追加

ｎオフセット領域６にアノード電極１５を設けてショットキー接合１６を形成する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer is provided between the n-type semiconductor layer and the electrode.例文帳に追加

ｐ形半導体層は、ｎ形半導体層と電極との間に設けられる。 - 特許庁

A first inductor 310 is provided in the n-th wiring layer of the multilayer wiring layer 400.例文帳に追加

第１インダクタ３１０は、多層配線層４００の第ｎ配線層に設けられている。 - 特許庁

An n^+ region of silicon carbide is provided on the buried region of p^+ silicon carbide.例文帳に追加

シリコンカーバイドのｎ^＋領域が、ｐ^＋シリコンカーバイドの埋込み領域上に設けられる。 - 特許庁

A semiconductor layer 12 is provided on an n-type GaN substrate 10 (semiconductor substrate).例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１０（半導体基板）上に半導体層１２が設けられている。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer is provided between the n-type semiconductor layer and the electrode.例文帳に追加

前記ｐ形半導体層は、前記ｎ形半導体層と前記電極との間に設けられる。 - 特許庁

Multiple pairs (m×n) of TFTs (Thin Film Transistors) 116 and pixel electrodes 118 are provided.例文帳に追加

ＴＦＴ（Thin Film Transistor）１１６と画素電極１１８との組が、ｍ×ｎ個設けられている。 - 特許庁

A beamlike member 3 composed of n-type polysilicon is installed on a silicon substrate 2.例文帳に追加

シリコン基板２上に、ｎ型ポリシリコンからなる梁状部材３を設ける。 - 特許庁

A p-type silicon carbide well region is provided on the n^- silicon carbide layer.例文帳に追加

ｐ型シリコンカーバイドウェル領域が、ｎシリコンカーバイド層上に設けられる。 - 特許庁

An active region 13 is provided between a p-type semiconductor layer 15 and an n-type semiconductor layer 17.例文帳に追加

活性領域１３は、ｐ型半導体層１５とｎ型半導体層１７との間に設けられている。 - 特許庁