「もうけ n」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

At least one button-shaped stopper N and N' for limiting displacements of the double U-shaped spring is provided at a predetermined location, for example, a location at which a maximum displacement occurs.例文帳に追加

ダブルＵ字形ばねの変位の制限のための少なくとも１つのネップ状ストッパＮ，Ｎ′が所定の箇所、例えば最大変位の生じる箇所に設けられている。 - 特許庁

The element 24 is a p-n diode, constituted of a p-type well and an n+-type diffused region 26 provided in the p-type well and allows negative charges to escape to a p-side substrate.例文帳に追加

第１の保護素子は、ｐウエルと、ｐウエル内に設けられたｎ^+ 拡散領域２６とから構成されたｐｎダイオードであって、負の電荷をｐ側基板に逃がす。 - 特許庁

The compound semiconductor device is provided with: a p-type GaN layer 2; an n-type GaN layer 3 formed on the p-type GaN layer 2 and depleted; and an undoped GaN layer 4 with thickness of ≥30 μm formed on the n-type GaN layer 3.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ層２と、ｐ型ＧａＮ層２上に形成され、空乏化されたｎ型ＧａＮ層３と、ｎ型ＧａＮ層３上に形成された厚さが３０μｍ以上のアンドープのＧａＮ層４と、が設けられている。 - 特許庁

Regions with which a wiring-shaped portion 17B of an n-electrode 17 and a wiring-shaped portion 18B of a p-electrode 18 are overlapped in a plan view, are provided with trenches 14 having a depth reaching an n-type layer 11 from a surface of a p-type layer 13.例文帳に追加

平面視においてｎ電極１７の配線状部１７Ｂおよび、ｐ電極１８の配線状部１８Ｂに重なる領域には、ｐ型層１３表面からｎ型層１１に達する深さの溝１４が設けられている。 - 特許庁

An accessing apparatus 1 is provided between a server 3 which provides two or more programs by two or more channels, and two or more terminals C_1-C_N for receiving programs which they require through a network 2 from the server 3.例文帳に追加

複数の番組を複数チャネルで提供するサーバ３と、サーバ３からネットワーク２を通してそれぞれが要求する番組を受信する複数の端末Ｃ_1−Ｃ_Nと、の間にアクセス装置１を設ける。 - 特許庁

Six faces (5) with strong magnetic force ( 50 gauss to 200 gauss) of N poles of permanent magnets and six faces (6) of weak magnetic force (5 gauss to 10 gauss) of N poles of permanent magnets are alternatively arranged at six points in the inside face of the rings (4) surrounding the rings (1).例文帳に追加

リング（４）の内側面に永久磁石のＮ極の磁力の強い（５０ガウス〜２００ガウス）面（５）と永久磁石のＮ極の磁力の弱い（５ガウス〜１０ガウス）面（６）を交互に６ヶ所ずつ設ける。 - 特許庁

Micromirrors 42 are arranged in M columns in horizontal direction and N lines in vertical direction to form a matrix on the DMD 40, and a single micromirror 44 is provided in the vicinity of M×N array.例文帳に追加

ＤＭＤ４０を、マイクロミラー４２を横方向にＭ個、縦方向にＮ個、マトリックス状に配列するとともに、そのＭ×Ｎの配列の近傍に単一のマイクロミラー４４を設ける。 - 特許庁

The light transmitting portion T and the light shielding portion N are arranged such that a light shielding portion N surrounded by the light transmitting portion T is provided so that a portion not irradiated with light in the irradiation process and not generating gas is left.例文帳に追加

透光部Ｔと遮光部Ｎの配置を、透光部Ｔによって周囲を閉囲された遮光部Ｎを設けるようにして、光照射工程において光が照射されず気体が発生しない部分を残す。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 7 and a silicide film 8 which are formed on the n-type diffusion layer 5 are so formed as to be extended over the n-type diffusion layer 5, the side wall film 6, and the element isolation film 3.例文帳に追加

ｎ型拡散層５の上の多結晶シリコン膜７およびシリサイド膜８は、ｎ型拡散層５、側壁膜６、及び素子分離膜３にまたがって設けられる。 - 特許庁

An ONO gate insulating film G of three-layered structure composed of Si oxide film 6/Si nitride film 5/Si oxide film 4 is formed on the surface of an N-type CCD channel region 3, and a poly-Si transfer electrode 7 is provided on the ONO gate insulating film G.例文帳に追加

n型CCDチャネル領域3表面に、Si酸化膜6/Si窒化膜5/Si酸化膜4の3層構造のONOゲート絶縁膜Gが形成され、ONOゲート絶縁膜G上に、ポリSi転送電極7を設けている。 - 特許庁

A light-transmitting transparent electrode layer 160 is stacked onto the n-type semiconductor layer 150, and is provided from one side of the optical absorption layer 130, the buffer layer 140, and the n-type semiconductor layer 150 to one of the back electrode layers 120.例文帳に追加

ｎ型半導体層１５０に積層するとともに光吸収層１３０、バッファ層１４０およびｎ型半導体層１５０の一側から裏面電極層１２０の一方に亘って透光性の透明電極層１６０を設ける。 - 特許庁

Since this transverse power MOS-FET comprises an n-deep drain layer, the electric field does not concentrate not only on the A part right under the end of a gate electrode 23 but on the B part of the end of an n+ drain layer 20.例文帳に追加

本発明の横型パワーＭＯＳ−ＦＥＴではｎディープドレイン層を設けたため、ゲート電極２３端直下Ａ部のみならずｎ＋ドレイン層２０端Ｂ部にも電界が集中しないようになった。 - 特許庁

Concerning M multi-microprocessors integrated on a semiconductor chip, N(N≥1) signal transmitting stages are provided for the signal transmission of each of microprocessors.例文帳に追加

半導体チップ上に集積されたＭ台のマルチマイクロプロセッサにおいて、各マイクロプロセッサの信号伝送にＮ（Ｎ≧１）段の信号伝送ステージを設ける。 - 特許庁

This mean value filter is provided with a counter for counting the number of input data, and filter coefficients 1/N and (N-1)/N are calculated from a counter value N.例文帳に追加

平均値出力を記憶する遅延レジスタを設け、新しい入力データに1/Ｎを掛け、遅延レジスタのデータ値に（Ｎ-1）/Ｎを掛けて加算した値を新しい平均値出力とする。 - 特許庁

A first transfer gate 240 provided between a memory cell MC and a bit line BL has P type and N type MOS transistors Xfer (P, N) connected to a sub-word line decoder SWDec.例文帳に追加

メモリセルＭＣとビット線ＢＬとの間に設けられた第１のトランスファーゲート２４０は、サブワード線デコーダＳＷＤｅｃに接続されたＰ型及びＮ型ＭＯＳトランジスタＸｆｅｒ（Ｐ，Ｎ）を有する。 - 特許庁

A constant current Ic flows through N-P-N transistors 13A, 13B even in the case of the small value of the laser current I17 because a constant current source 30 is mounted.例文帳に追加

また、定電流源３０を設けているため、レーザ電流Ｉ１７の値が小さな場合でも、定電流ＩｃがＮＰＮトランジスタ１３Ａ，１３Ｂに流れる。 - 特許庁

An aluminum wire 10 is provided on the n-type layer 6 and the p-type layer 8, and the n-type layer 2 and the p-type layer 3' are connected to a GND terminal via the aluminum wire 10.例文帳に追加

ｎ型拡散層６とｐ型拡散層８の上にはアルミニウム配線１０が設けられていて、ｎ型埋め込み層２とｐ型埋め込み層３´は、アルミニウム配線１０を介してＧＮＤ端子に接続する。 - 特許庁

Furthermore, this light emitter is provided with a p-type electrode 109 to contact with a ptype diffused region 107 and an n-side electrode 110 to contact with the n-type diffused region 120, on the surface side of the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

さらに、半導体基板１００の表面側に、ｐ型拡散領域１０７にコンタクトするｐ側電極１０９と、ｎ型拡散領域１２０にコンタクトするｎ側電極１１０を設ける。 - 特許庁

The packaging sheet has n pieces of cutting start points A located on an imaginary first circumference S1 on the inside of the packaging sheet 30 of a predetermined size, at equally divided n-positions on the first circumference S1.例文帳に追加

所定の大きさの包装シート３０の内側に位置した仮想の第一の円周Ｓ１上に位置し、第一の円周Ｓ１上をｎ等分した位置に設けられたｎ個の切込始点Ａを有する。 - 特許庁

Furthermore, an n-type gate electrode 6 prepared on the gate insulating film 5 of an n-type MIS transistor Qn includes a structure in which the second metal film 31 and the conductor film 32 are laminated in this order.例文帳に追加

また、ｎ型ＭＩＳトランジスタＱｎのゲート絶縁膜５上に設けられたｎ型ゲート電極６は、順に、第２金属膜３１と、導電体膜３２とが積層された構造を有している。 - 特許庁

This system is provided with active optical subscriber line terminating parts LT#1 to #n respectively housing a plurality of subscriber side devices NT through star couplers SC#1 to #n and a single reserve optical subscriber line terminating part LT#R connected to each of the SCs.例文帳に追加

それぞれスターカプラＳＣ＃１〜ｎを経て複数の加入者側装置ＮＴを収容する現用の光加入者線終端部ＬＴ＃１〜ｎと、前記各ＳＣと接続された単一の予備の光加入者線終端部ＬＴ＃Ｒを設ける。 - 特許庁

In a decoding apparatus which decodes a picture stream including image data carried out bidirectional predictive coding, N units of decoding parts 21 to 2N (N: two or more natural number) which process a picture stream in parallel are installed.例文帳に追加

双方向予測符号化された画像データを含む画像ストリームを復号する復号化装置内に、画像ストリームを並列に処理するＮ個（Ｎは、２以上の自然数）の復号化部２１〜２Ｎを設ける。 - 特許庁

Most of the liquiddrops, which have scattered from a washing nozzle 122 or the surface of a substrate G right below it, hit upon and adhere to some of trap plates 140(1) to 140(n) provided in multistage on the inwall of a nozzle cover 124.例文帳に追加

洗浄ノズル１２２やその直下の基板Ｇ表面から飛散した液滴の多くは、ノズルカバー１２４の内璧に多段に設けられたトラップ板１４０（1）〜１４０（n）の何れかに当り付着する。 - 特許庁

In the memory mat of this semiconductor memory, MCSLs are provided at every (n) pieces of column addresses and (n) lines of SCSLs are arranged at every one line of the MCSLs.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置のメモリマットには、列アドレスｎ個ごとにＭＣＳＬが設けられ、ＭＣＳＬ１本ごとにｎ本のＳＣＳＬが配置される。 - 特許庁

An N-channel MOSFET with the protection circuit is composed of the N-channel MOSFET and a diode.例文帳に追加

第１の電源と第２の電源との間に設け、第３の電源電圧を出力する定電圧回路において、その定電圧回路の出力回路を構成するＮチャネルＭＯＳＦＥＴを保護回路付きの構造とする。 - 特許庁

Each of switches SW1 to SWN for making an input terminal IN of the signal processor 11 conductive/nonconductive to each input section of signal processing units 1 to N is provided to a pre-stage of each input section of the signal processing units 1 to N.例文帳に追加

信号処理ユニット１〜Ｎには入力部の前に、入力部と信号処理装置１１の入力端子ＩＮとの間を導通または非導通とするスイッチＳＷ１〜ＳＷＮが設けられている。 - 特許庁

For the anode wiring 2-A to 2-D, 2-a to 2-d provided N channels are provided in advance, corresponding to the maximum number N of the drivers, which is possible to be mounted on the glass substrate.例文帳に追加

アノード配線２−Ａ〜２−Ｄ，２−ａ〜２−ｄは、ガラス基板１に搭載可能な最大のドライバ数Ｎに応じて予めＮ系統設けられる。 - 特許庁

Current induction layers 7 having an n-type impurity concentration higher than that of the other area of the n-type drift layer 14 are formed in a part of the drift area 14.例文帳に追加

ドリフト領域１４の一部には、ｎ型ドリフト層１４のうちの他の領域よりもｎ型不純物の濃度の高い電流誘導層７が設けられている。 - 特許庁

The rear surface of an n-type silicon substrate NSub is connected to a power source terminal, a p-type epitaxial layer PEpi2 is formed all over the surface of the n-type silicon substrate NSub, and an element forming part 2 is arranged on the epitaxial layer PEpi2.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板ＮＳｕｂの裏面を電源端子に接続し、Ｎ型シリコン基板ＮＳｕｂ上の全面にＰ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ２を形成し、その上に素子形成部２を設ける。 - 特許庁

An n-type epitaxial layer 2 is formed on an n-type silicon substrate 1, and an insulating layer 6 is provided on the epitaxial layer 2 where a taper 6 is formed for thinning toward the side of an opening 7 while the insulating layer has the opening 7.例文帳に追加

ｎ型のシリコン基板１上にｎ型のエピ層２が形成され、エピ層２上に、開口部７を有し、かつ、開口部７側に向かって薄くなるようにテーパ部６が形成された絶縁層６が設けられている。 - 特許庁

In the net body N in which the warps 1 and the weft 2 made of a synthetic resin are crossed alternately and each intersection section is fixed, the net body N for civil engineering works are constituted by installing an optical fiber sensor 5 to at least one warp 1a.例文帳に追加

合成樹脂製の縦糸１と横糸２を互いに交差させ、それぞれの交点部分を固着した網体Ｎであって、少なくとも一本の縦糸１ａに光ファイバーセンサー５を設けた構成の土木用網体Ｎとする。 - 特許庁

A current constriction layer 24 which limits the current injection region of the active layer 30 is interposed between the N-type contact layer 21 and the N-type guide layer 23.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層２１とｎ型ガイド層２３との間には、活性層３０の電流注入領域を制限する電流狭窄層２４が設けられている。 - 特許庁

A correction electrode 18 is provided in a position with ions such as C_mH_n ions heavier than He ions applied thereto.例文帳に追加

Ｃ_ｍＨ_ｎイオンなどのＨｅイオンより重たいイオンが照射される位置に補正電極１８を設ける。 - 特許庁

In Pelter elements 40, n-type semiconductors and p-type semiconductors are sandwiched and installed between quadrangular metal plates 41, 41.例文帳に追加

ペルチエ素子４０は四角形の金属板４１、４１の間に、ｎ形およびｐ形半導体が挟み設けられている。 - 特許庁

Two n-side electrodes 52A and B are provided in a contact layer 54 by the mesa as a common counter electrode opposite to the p-side electrode 48.例文帳に追加

２個のｎ側電極５２Ａ、Ｂが、ｐ側電極４８に対向する共通対向電極として、メサ脇のコンタクト層５４に設けられている。 - 特許庁

The pyrolysis residue n is cooled by installing a horizontal cooling screw conveyer 11 in the downstream side of the pyrolysis drum 1.例文帳に追加

熱分解ドラム１の下方に横型の冷却スクリューコンベヤ１１を設けて熱分解残渣ｎを冷却する。 - 特許庁

An InAlGaN layer 19 is provided between a quantum well light emitting layer 13 and an n-type gallium nitride semiconductor layer 15.例文帳に追加

ＩｎＡｌＧａＮ層１９は量子井戸発光層１３とｎ型窒化ガリウム系半導体層１５との間に設けられる。 - 特許庁

An n-type semiconductor region 21 and a p-type semiconductor region 22 are provided for constituting a zener diode as a protective element in the semiconductor substrate 5.例文帳に追加

半導体基板５に保護素子としてのツェナーダイオードを構成するためのｎ型半導体領域２１とp型半導体領域２２とを設ける。 - 特許庁

A surface denaturation layer 20 and reaction layer 31 is disposed, between the GaN substrate 1 and n electrode 10.例文帳に追加

ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間には、表面変性層２０および反応層３１が設けられる。 - 特許庁

A buried-type semiconductor laser 12 and a high mesa ridge type modulator 14 are provided on an n-type InP substrate 10.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、埋め込み型半導体レーザ１２とハイメサリッジ型変調器１４が設けられている。 - 特許庁

The board 1 includes a p-type semiconductor board 2 containing B, and an n-type epitaxial growth layer 3 containing P, which is formed on the semiconductor board 2.例文帳に追加

基板１は、Ｂを含むＰ型半導体基板２および基板２上に設けられているリンを含むＮ型エピタキシャル成長層３からなる。 - 特許庁

The second inductor 320 is provided in the m-th wiring layer (t≥m≥n+2) of the multilayer wiring layer 400 and is located above the first inductor 310.例文帳に追加

第２インダクタ３２０は、多層配線層４００の第ｍ配線層（ｔ≧ｍ≧ｎ＋２）に設けられ、第１インダクタ３１０の上方に位置している。 - 特許庁

A logic circuit (G(n, m)) having a waveform-shaping function is provided between the main scanning line ML and the sub scanning line SGL.例文帳に追加

メイン走査線ＭＬとサブ走査線ＳＧＬ間には、波形整形機能をもつ論理回路（Ｇ（ｎ，ｍ））を設ける。 - 特許庁

An opening is formed at a light intercepting electrode, through which p-n electrodes in a semiconductor laser device are aligned to corresponding electrodes in the heat sink.例文帳に追加

遮光電極に開口部を設け、そこを通して半導体レーザのｐ、ｎ電極をヒートシンクの対応する電極に合わせる。 - 特許庁

In the operation region of the epitaxial growth layer 2, an n++-type embedded layer 6 is provided from the border part with a semiconductor substrate 1 extending upward.例文帳に追加

そのエピタキシャル成長層２の動作領域で、半導体基板１との境界部から上方にかけて、ｎ^++形の埋込層６が設けられている。 - 特許庁