「もうけ n」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

Microcapsules 100 of the microphone parts are provided with high-gain initial- stage amplifiers 104 to improve the S/N.例文帳に追加

また、各マイク部のマイクカプセル１００には、高利得の初段アンプ１０４を設け、Ｓ／Ｎを改善する。 - 特許庁

A diffusion control layer 24 is provided to a part of an aperture 28 of a diffusing mask 26 in a process of form p-n junction with diffusion.例文帳に追加

拡散によりpn接合を形成する工程で、拡散マスク２６の開口部２８の一部に、拡散制御層２４を設ける。 - 特許庁

Only one-way communication connecting function part 26 needs to be provided on the side of the MPUs 21 (1) to 21 (n) to simplify the constitution and reduce the power consumption.例文帳に追加

ＭＰＵ２１（１）〜２１（ｎ）の側に設ける両方向通信接続機能部２６が１つで済み、構成簡便で消費電力を低減し得る。 - 特許庁

On a path where the output of the first error amplifier 12 reaches the gates of the output transistors M1, n-pieces of switches SWs are provided.例文帳に追加

ｎ個のスイッチＳＷは、第１誤差増幅器１２の出力が、出力トランジスタＭ１のゲートに至る経路上に設けられる。 - 特許庁

N type MOS transistors 48, 50 capable of connecting the open ends of the SWL <0> to SWL <7> to the ground potential are provided.例文帳に追加

ＳＷＬ<０>〜ＳＷＬ<７>の開放端を、接地電位に接続可能なＮ型ＭＯＳトランジスタ４８，５０を設ける。 - 特許庁

Moreover, a mechanism making the N type MOS transistor 48, 50 to be in ON states when the adjacent subword lines are to be activated is provided.例文帳に追加

隣接するサブワードラインが活性化される際にＮ型ＭＯＳトランジスタ４８，５０をオン状態とする機構を設ける。 - 特許庁

A first p-type impurity region is provided on a surface of a n--type semiconductor layer almost at the center of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の略中央のｎ−型半導体層表面に第１ｐ型不純物領域を設ける。 - 特許庁

A mechanical base 10 is provided with an erroneous insertion preventing means N for selecting insertion permission and prevention in linkage with the insertion of the cartridge 8.例文帳に追加

メカベース１０に、カートリッジ８の挿入に連動して挿入可能、挿入阻止の２通りを選択する誤挿入阻止手段Ｎを設けた。 - 特許庁

The bias adjusting magnet 3 is installed so that the upper or lower surface thereof can form an N-pole or an S-pole.例文帳に追加

バイアス調整用マグネット３は、図の上面又は下面をＮ極又はＳ極とするように設けられている。 - 特許庁

A cargo presence detection means 105 connected with a control unit 106 operating the valve unit 50 is provided in each zone Z_1 to Z_n.例文帳に追加

各ゾーンＺ_１〜Ｚ_ｎ に、弁ユニット５０を作動させるコントロールユニット１０６に接続した在荷検出手段１０５を設けた。 - 特許庁

A needlelike projection N1 having a flat tip and a needlelike projection N2 having a round tip are mixed and provided as the needlelike projection N.例文帳に追加

針状突起Ｎとしては、先端が平面状のものＮ_１と先端が丸みを帯びたものＮ_２とを混在して設ける。 - 特許庁

P-type wells 107 and 197 and n-type wells 109 and 199 are provided in the digital circuit region 123.例文帳に追加

デジタル回路領域１２３には、Ｐ型ウェル１０７、１９７、Ｎ型ウェル１０９、１９９が設けられている。 - 特許庁

There are provided n ink supply ports 100 in the longitudinal direction at the end in the short direction of a common liquid chamber 55.例文帳に追加

共通液室５５の短手方向の端部には、長手方向にそってｎ個のインク補給口１００が設けられている。 - 特許庁

A gap (δ_1) is provided between the loop part and N power supply lines to electromagnetically realize the power supply to the loop part.例文帳に追加

ループ部とＮ本の給電線の各々との間にギャップ（δ_1）が設けられ、ループ部への給電を電磁結合によって行う。 - 特許庁

The case main body 10 is provided with a strap 14 by which carrying of the internal observing device N is facilitated on the shoulder.例文帳に追加

ケース本体１０には内部観察装置Ｎを肩に掛けたりして、持ち運びし易くするためのストラップ１４が設けてある。 - 特許庁

A carry-in means N is provided for receiving the heated and cooked food for transporting to the conveyor 2.例文帳に追加

前記搬入口３の外側には、前記加熱調理された食材を受け取ってコンベヤ２へ移送するための搬入手段Ｎが設けられる。 - 特許庁

A member 25 for preventing a fall of the seedlings N in the attitude concerned is installed at the rear end of the first seedling stand 2f.例文帳に追加

また、第一苗台２ｆの後端に、当該姿勢での予備苗Ｎの落下を防止する部材２５を設ける。 - 特許庁

A reference time measuring sensor 23 for measuring the transit time of the stem part of the Welsh onion N is installed on nearly the extension of the transit time measuring sensor 20.例文帳に追加

この通過時間計測センサ２０のほぼ延長線上に、長葱Ｎの茎部の通過時間を計測する基準時間計測センサ２３を設ける。 - 特許庁

The transfer nip part N is provided between the photoreceptor 12 and the transfer roller 15 disposed opposite to the photoreceptor 12.例文帳に追加

感光体１２と感光体１２に対向して配置された転写ローラ１５との間には、転写ニップ部Ｎが設けられている。 - 特許庁

One to n areas of counters 1011 to record use frequency of card utilization equipment 1020 in a memory of the card 1010 are provided.例文帳に追加

カードのメモリに、カード利用機器の利用回数を記録するカウンタの領域を１〜ｎ個設ける。 - 特許庁

N-type signal accumulation portions 202 for converting light into electric charge and accumulating the electric charge are provided in a P-well 201.例文帳に追加

Ｐウェル２０１の内部に、光を電荷に変換して蓄積するＮ型の信号蓄積部２０２が設けられている。 - 特許庁

Furthermore, a member 35 for preventing a fall of the preliminary seedlings N in the attitude concerned is installed at the front end of the fixed seedling stand 2m.例文帳に追加

さらに、固定苗台２ｍの前端に、当該姿勢での予備苗Ｎの落下を防止する部材３５を設ける。 - 特許庁

Grating 3a is prepared in the light extraction surface of the n-type semiconductor layer 3, and a sealing part 14 composed of resin is formed in clearance between the light emitting element A and the base substrate B.例文帳に追加

また、発光ダイオード素子Ａとベース基板Ｂとの間の隙間には樹脂からなる封止部１４を設けてある。 - 特許庁

In addition, a p-type latch-up preventing layer PL is provided between a p^+-type contact layer PC and the n-type hole barrier layer NHB.例文帳に追加

さらに、ｐ^＋型コンタクト層ＰＣとｎ型ホールバリア層ＮＨＢの間にｐ型ラッチアップ防止層ＰＬを設ける。 - 特許庁

A positive electrode 100 and a negative electrode 200 are adjacently mounted on a reverse surface of the n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面には、正極１００および負極２００が隣接するように設けられている。 - 特許庁

The rotational driving member is provided with a spiral magnetic binding part made of an N pole spiral part and an S pole spiral part on its surface.例文帳に追加

回転駆動部材はその表面にＮ極螺旋部とＳ極螺旋部からなる螺旋状磁気結合部が設けられる。 - 特許庁

On an n-type area 2 in the surface of which the concentration of electrons is increased, an opening 6 is provided in the field insulating film 5.例文帳に追加

表面電子濃度が高くされたｎ型領域２上において、フィールド絶縁膜５に開口部６が設けられる。 - 特許庁

An N-channel MOS transistor M21 is provided between the dot side of the secondary winding S of a transformer T and the base terminal of a transistor T1.例文帳に追加

トランスＴの二次巻き線Ｓのドット側とトランジスタＴ１のベース端子との間にＮ型ＭＯＳトランジスタＭ２１を設ける。 - 特許庁

An n-well 23 and a p-well 24 are formed on a silicon substrate 22, and a memory cell forming region 25 is formed in the p-well 24.例文帳に追加

シリコン基板２２に、Ｎウェル２３、Ｐウェル２４を形成し、Ｐウェル２４にはメモリセル形成領域２５を設ける。 - 特許庁

A buffer layer 2, an n-type clad layer 3, a multiple well structure active layer 4, and a p-type clad layer 5 are provided on a silicon wafer 1 of low resistance.例文帳に追加

低抵抗のシリコン基板１の上にバッファ層２、ｎ型クラッド層３、多重井戸構造活性層４、ｐ型クラッド層５を設ける。 - 特許庁

A security engine part 40 is provided in parallel with INF parts 1 to n in a form of an artificial INF part to provide a security engine function.例文帳に追加

ＩＮＦ部１〜ｎと並列的に擬似ＩＮＦ部のような形にてセキュリティエンジン部４０を設け、セキュリティエンジン機能を持たせる。 - 特許庁

The synthetic resin plates 30 from the surface to the (n)th are provided with prepared hole constitution holes 33 which form a prepared hole 34 for game pin.例文帳に追加

また、前面からｎ枚目までの合成樹脂板３０には下穴構成穴３３が設けられ、これらにて遊技釘用の下穴３４を形成している。 - 特許庁

An output transistor 10 of N-channel MOSFET is provided between the input terminal 102 and an output terminal 104.例文帳に追加

入力端子１０２と出力端子１０４の間には、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴの出力トランジスタ１０が設けられる。 - 特許庁

On the front surface of the n-type bulk layer 2 side of the semiconductor device 100, a high-breakdown voltage NMOS 10 and a low-breakdown voltage NMOS 20 are provided.例文帳に追加

また，半導体装置１００のＮ型バルク層２側の表面には，高耐圧ＮＭＯＳ１０と低耐圧ＮＭＯＳ２０とが設けられている。 - 特許庁

An LDD region 207, formed in an n-channel TFT 302 working as a drive circuit improves resistance with respect hot carrier injection.例文帳に追加

駆動回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴ３０２に設けられたＬＤＤ領域２０７はホットキャリア注入に対する耐性を高める。 - 特許庁

A current blocking layer 11 containing an N-type inversion region is formed on a side surface of a ridge-shaped clad layer 9.例文帳に追加

リッジ形状のクラッド層９の側面にｎ型反転領域を含む電流阻止層１１を設ける。 - 特許庁

The n-side contact electrode is provided in contact with a non-light emitting part in the second surface at an inside of a second aperture.例文帳に追加

ｎ側コンタクト電極は、第２の開口の内側で、第２の面における非発光部に接して設けられている。 - 特許庁

An n-type impurity region is provided continuously at the bottom part of the channel region at the lower parts of the source region, gate region, and drain region.例文帳に追加

ソース領域下方、ゲート領域下方およびドレイン領域下方のチャネル領域底部に連続したｎ型不純物領域を設ける。 - 特許庁

(1) A parallel pn layer of (n) drift regions 12d, 12f, 12h, 12j, 12l, and (p) partition regions 12c, 12e, 12g, 12i, 12k, 12m is provided outside an active region.例文帳に追加

（１）活性領域の外側にｎドリフト領域１２d，１２f，１２h，１２ｊ，１２ｌ，ｐ仕切り領域１２ｃ，１２ｅ，１２ｇ，１２ｉ，１２ｋ，１２ｍの並列ｐｎ層を設ける。 - 特許庁

A positive electrode 100 and a negative electrode 200 are mounted adjacently on the rear of the n-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面には、正極１００および負極２００が隣接するように設けられている。 - 特許庁

An n-type region 40 for reading electric charge is provided in the substrate 10 from the lower part 121 of the protrusion 120 to the body 110.例文帳に追加

基板１０内には突出部１２０の下部１２１から基板本体部１１０に渡って電荷読み出し用のＮ型領域４０が設けられている。 - 特許庁

In the master machine 1, the slave machines 2(2)-2(n), and the relay slave machine 2(1), a temperature sensor, a humidity sensor, a rain gauge and the like are arranged for collecting information about the location.例文帳に追加

親機１、子機２（２）〜２（ｎ）、中継用子機２（１）に温度、湿度、雨量等の地点情報収集用のセンサを設ける。 - 特許庁

A negative carrier 120 for transporting a negative film N from a film loading section 12 to a sticking section 14 is integrally provided with a discharge tray 230.例文帳に追加

ネガフィルムＮをフィルム装填部１２から貼付け部１４へ搬送するネガキャリア１２０には、排出トレイ２３０が一体に設けられている。 - 特許庁

In a vehicular multistage transmission 3, a neutral position N is provided on a splitter on the input side.例文帳に追加

本発明の車両用多段変速機３は、入力側のスプリッタにニュートラルポジションＮを設けたものである。 - 特許庁

A plant 2 is provided with an AGC(Advanced Group Computer) 4 for collecting the information on a plurality of coating and developing processors M_1 to M_n.例文帳に追加

工場２側に，複数の塗布現像処理装置Ｍ１〜Ｍｎの情報を収集するＡＧＣ４を設ける。 - 特許庁