「もうけ n」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The P+ diffusion layers 4 and 5 and the N+ channel stop layers 6 and 7 are provided on the rear surface side to the incident surface of a semiconductor board 3.例文帳に追加

Ｐ^+拡散層４，５、及び、Ｎ^+チャンネルストップ層６，７は、半導体基板３の入射面に対する裏面側に設けられている。 - 特許庁

To know the effective concentration of a p-layer and an n-lyer of a striped parallel pn layer provided in a vertical super junction semiconductor element.例文帳に追加

縦型超接合半導体素子に設けられたストライプ状の並列ｐｎ層の各ｐ層およびｎ層の実効濃度を知ること。 - 特許庁

An input part T is disposed on the surface of the door H and a height thereof is set at a position where a user M can fit a knee N.例文帳に追加

入力部Ｔは扉Ｈ表面に設けられ、その高さは、使用者Ｍが膝Ｎを当てることができる位置に設定する。 - 特許庁

A service server 1 that supports creation of home page is installed on a communication network N of the Internet or the like.例文帳に追加

インターネットなどの通信ネットワークＮ上に、ホームページの作成を支援するサービスサーバ１を設ける。 - 特許庁

An n-th order phase shifter 2 is provided at least one of two channels in the precedent stage of power amplifiers 3 and 4 of the two channels.例文帳に追加

２つのチャンネルの電力増幅器３，４の前段に、２つのチャンネルの少なくとも一方にｎ次の位相シフタ２を設ける。 - 特許庁

A first portion N4a which is diffused shallow, and a second portion N4b which is diffused deep, are provided to the fourth n-type semiconductor region N4.例文帳に追加

第４のＮ形半導体領域Ｎ４に浅く拡散された第１の部分Ｎ4ａと深く拡散された第２の部分Ｎ4ｂとを設ける。 - 特許庁

A high concentration channel injection region 42 containing the N-type impurity at a higher concentration than the substrate 36 is provided at a center of the gate region 40.例文帳に追加

ゲート領域４０の中央に、基板３６に比して高い濃度でＮ型不純物を含む高濃度チャネル注入領域４２を設ける。 - 特許庁

Dummy word lines DWL1, DWL2, and a dummy plate line DPL are provided in a semiconductor memory, and they are crossed with bit lines BL1-BLn.例文帳に追加

半導体記憶装置内に、ダミーワード線ＤＷＬ_1 ，ＤＷＬ_2 およびダミープレート線ＤＰＬを設け、ビット線ＢＬ_1 〜ＢＬ_n と交差させる。 - 特許庁

The magnetic yokes 6 have the same number of (twelve) claws 6a as N poles and S poles of the magnet 5, provided at equal intervals around the entire circumference.例文帳に追加

磁気ヨーク６は、磁石５のＮ極及びＳ極と同数（１２個）の爪６ａが全周に等間隔に設けられている。 - 特許庁

The P+ diffusion layers 3 and 4 and the N+ channel stop layers 6 and 7 are formed at the back face side faced to the incident face of a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ^+拡散層３，４、及び、Ｎ^+チャンネルストップ層６，７は、半導体基板２の入射面に対する裏面側に設けられている。 - 特許庁

A source electrode S is provided to be joined to the p type base region 4 and n+type source region 5.例文帳に追加

ｐ型ベース領域４及びｎ＋型ソース領域５に接合するようにソース電極Ｓが設けられている。 - 特許庁

N_2 pieces (N_2 is 0 or a positive integer meeting a formula N_1+N_2=N) of the wiring lines 105, 106 are located on the other side of the conductive layer 103.例文帳に追加

導電体層１０３の他方面側には、Ｎ_2本（ただし、Ｎ_2は、Ｎ_1＋Ｎ_2＝Ｎとなる０または正の整数）の配線１０５,１０６が設けられる。 - 特許庁

Along a curved road 4, a master machine 1, the slave machines 2(2)-2(n), a relay slave machine 2(1), and a relay station 3 are arranged at predetermined intervals.例文帳に追加

曲折する道路４に沿って適宜間隔ずつ離して親機１、子機２（２）〜２（ｎ）、中継用子機２（１）、中継所３を設ける。 - 特許庁

On the active region 2a, an SiGe alloy layer 4 which works as a base layer, and an n-type diffusion layer 5 which works as an emitter layer are formed.例文帳に追加

活性領域２ａの上に、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５を設ける。 - 特許庁

This allows the amplifier to be provided for the two-dimensional array probe 1 having many transmitting/receiving elements to improve S/N.例文帳に追加

これにより、送受信素子数の多い２次元アレイプローブ１に増幅器を設けることを可能としてＳ／Ｎの向上を図ることができる。 - 特許庁

A plurality of capacitor units #A to #N that constitute a capacitor electrical storage device and a signal processing board 5 are provided on a capacitor panel 1.例文帳に追加

キャパシタ蓄電装置を構成する複数のキャパシタユニット＃Ａ〜＃Ｎと信号処理ボード５がキャパシタ盤１に設けられている。 - 特許庁

An n^+ type emitter region 3 and a p^+ type body region 4 are selectively provided on a surface of the base region 2.例文帳に追加

ベース領域２の表面には、ｎ^+型のエミッタ領域３およびｐ^+型のボディ領域４が選択的に設けられている。 - 特許庁

A core semiconductor region 19 is disposed between the n-type cladding region 15 and the p-type cladding region 17.例文帳に追加

コア半導体領域１９は、ｎ型クラッド領域１５とｐ型クラッド領域１７との間に設けられている。 - 特許庁

An n-type contact layer 27 coming into contact with an electrode 22 has an opening 27A bored in a region opposed to at least the electrode 21.例文帳に追加

電極２２に接するｎ型コンタクト層２７において、少なくとも電極２１との対向領域に開口２７Ａが設けられている。 - 特許庁

The N source layers 7 and the P+ body layers 8 are split by the trench gates 40, and not formed immediately under the trench gates 40.例文帳に追加

Ｎソース層７及びＰ^＋ボディ層８は、トレンチゲート４０により分断され、トレンチゲート４０直下には設けられていない。 - 特許庁

A switching circuit 30 is provided for each of the plurality of sub-arrays 1 to N via a plurality of delay elements 22.例文帳に追加

複数のサブアレイ１〜Ｎの各々に対して、複数の遅延素子２２を介して、スイッチング回路３０が設けられる。 - 特許庁

A metering pump for pressure-feeding to a dropping nozzle comprises a diaphragm pump P4, and a disk filter DF is provided toward the dropping nozzle N.例文帳に追加

滴下ノズルへ圧送する定量ポンプはダイアフラムポンプＰ４で、且つ滴下ノズルＮ寄りの位置にディスクフィルタＤＦが設けられている。 - 特許庁

An n-type cladding region 15 and a p-type cladding region 17 are disposed on the primary surface 13a of the support substrate 13.例文帳に追加

ｎ型クラッド領域１５及びｐ型クラッド領域１７は支持基体１３の主面１３ａ上に設けられている。 - 特許庁

The back york 26A has an opposed surface facing the N polar surface of the permanent magnet 30, and a groove 60A is installed in the opposed surface.例文帳に追加

バックヨーク２６Ａは、永久磁石３０のＮ極面と対向する対向面を有し、該対向面に溝６０Ａが設けられる。 - 特許庁

An nMOS transistor acting as an anti-fuse element 190 is provided with an N-type channel region 112a.例文帳に追加

アンチヒューズ素子１９０として機能するＮＭＯＳトランジスタにおいて、Ｎ型チャネル領域１１２ａが設けられている。 - 特許庁

In a thinning type IGBT element, an N-type hole stopper layer 19 is formed on a P-type float layer 18 of a dummy cell.例文帳に追加

間引き型のＩＧＢＴ素子において、ダミーセルのＰ型のフロート層１８にＮ型のホールストッパー層１９を設ける。 - 特許庁

On the second surface of the n-type InP substrate 32, a material or a structure having a higher reflectance to the incident light than that of the low reflection film 46 is not provided.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板３２の裏面には、低反射膜４６よりも入射光に対する反射率が高い物質又は構造が設けられていない。 - 特許庁

That is, the round bar 100 is applied as a high-temperature solid section disposed near the closed end in the tube axial direction inside of a combustion chamber N.例文帳に追加

つまり、この丸棒１００が燃焼室Ｎ内部の管軸方向における閉塞端近傍に設けられる高温固体部となる。 - 特許庁

Further, a recess part 6 is provided which reaches the p^+-type isolation layer 11 from the reverse side of the n-type drift region 1.例文帳に追加

また、ｎ型ドリフト領域１の裏面から、ｐ^+型分離層１１に達する凹部６が設けられている。 - 特許庁

The switch of an N^+ region 12 as a source/drain region is disposed so that it covers the branch end 141.例文帳に追加

少なくとも、この分岐端部１４１にかかるようにソース・ドレイン領域としてのＮ^+領域１２の切り替え部分が設けられる。 - 特許庁

The N+ channel stop layer 6 is so provided in lattice shape between adjoining P+ diffusion layers 4 and 5 as to separate them.例文帳に追加

Ｎ^+チャンネルストップ層６は隣り合うＰ^+拡散層４，５の間に設けられており、Ｐ^+拡散層４，５を分離するように格子形状を呈している。 - 特許庁

A buried oxide film 5 and an SOI layer 6 are provided on all the surfaces of the n^+-type silicon layers 4 and the p^+-silicon layers 12.例文帳に追加

また、Ｎ^＋型シリコン層４及びＰ^＋型シリコン層１２上の全面に、埋込酸化膜５及びＳＯＩ層６を設ける。 - 特許庁

In each magnetic rotating drum 35a, 35b, multipolar polarization is provided, and each magnetic pole of the N-pole and the S-pole is arranged alternately.例文帳に追加

磁気回転ドラム３５ａ，３５ｂは、多極着磁が設けられ、Ｎ極とＳ極の磁極が交互に配置されている。 - 特許庁

Luggage compartment tilting supports 3, 3 to be extended so as to tilt the floor part 12 are provided under a rear part of the luggage compartment N.例文帳に追加

荷室Ｎの後部下方側には、伸長して床部１２を傾斜させることができる荷室傾斜用支柱３，３が設けてある。 - 特許庁

The n+ type source diffusion layers 8 are formed locally at the parts of a diffusion layer forming region F extending in the transverse direction of the paper.例文帳に追加

ｎ＋型ソース拡散層８は、紙面の左右方向に延びた拡散層形成領域Ｆの一部に局在して設けられている。 - 特許庁

A selector valve 28 being switchable to a normal position N and an offset position O in combination with an operation of an operation lever 24 is arranged on main passages 22a and 22b.例文帳に追加

主管路２２ａ，２２ｂに操作レバー２４の操作に連動してノーマル位置Ｎとオフセット位置Ｏに切り換わる切換弁２８を設ける。 - 特許庁

To improve S/N by providing an amplifier for a two-dimensional array probe having many transmitting/receiving elements.例文帳に追加

送受信素子数の多い２次元アレイプローブ１に増幅器を設けることを可能としてＳ／Ｎの向上を図る。 - 特許庁

The tray 2 is provided with plural pot-housing parts 14 where pots 13 with seedlings N therein can be housed.例文帳に追加

そして、トレイ２には、苗Ｎが植えられたポット１３を収容可能なポット収容部１４が複数設けられている。 - 特許庁

A color filter is arranged with a cycle period N, and a series of vertical CCD is formed adjoining to a series of photosensor 2.例文帳に追加

繰り返し周期Ｎの色フィルタの配列がされ、フォトセンサ２の１列と隣接して垂直ＣＣＤの１列が設けられる。 - 特許庁

A magnetic shaft 15 where S poles and N poles are alternatively formed in the longitudinal direction thereof is provided along an optical axis.例文帳に追加

光軸に沿って長手方向にＳ極とＮ極が交互に形成された磁気シャフト１５を設ける。 - 特許庁

An n^++ source region 3 and drain region 4 are provided with a p^+ gate region 2 in-between.例文帳に追加

ｎ^＋＋型のソース領域３及びドレイン領域４が、ｐ^＋型のゲート領域２を挟んで設けられる。 - 特許庁

An N-pole magnet 8 and an S-pole magnet 9 are installed at opposed places in the end plates 4 of forms 2, and the lines of magnetic force 10 are generated.例文帳に追加

型枠２の端板４には、対面する位置にＮ極磁石８とＳ極磁石９とが設けられ、磁力線１０が発生されている。 - 特許庁

A p^+-type body contact region 6 and an n^+-type source region 7 are formed separately on a surface layer of the p-type base layer 5.例文帳に追加

ｐ型ベース層５の表面層には、ｐ^+型ボディコンタクト領域６とｎ^+型ソース領域７が互いに離れて設けられている。 - 特許庁

Then, a source electrode 70 is formed on the surface of the N-type SiC epitaxial area 20 which is not covered with the gate insulating film 40.例文帳に追加

ゲート絶縁膜４０に覆われないＮ型ＳｉＣエピタキシャル領域２０の表面にソース電極７０を設ける。 - 特許庁

An N-side electrode 12 and a P-side electrode 14 are provided to the one surface of the structure 20 opposed to its other surface closer to the substrate 11.例文帳に追加

ｎ側電極１２およびｐ側電極１４を構造部２０に対して基板１１の反対側に設ける。 - 特許庁