「もうけ n」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

(2) A first FP electrode 17a is provided on the (n) drift region 12d of the parallel pn layer outside the active region via an insulation film 19.例文帳に追加

（２）活性領域の外側の並列ｐｎ層のｎドリフト領域１２ｄ上に絶縁膜１９を介して第一ＦＰ電極１７ａを設ける。 - 特許庁

There is provided a server computer B1 connected to a management center computer A1 so as to enable communication via the Internet N.例文帳に追加

インターネットＮを介して通信可能に管理センタコンピュータＡ１と接続されるサーバコンピュータＢ１を設ける。 - 特許庁

A resistor element 12 is provided on the outer region of the N type epitaxial layer 10 and connected with the external connection region 2.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層１０の外側領域上に抵抗素子１２を設け、抵抗素子１２を外部接続領域２に接続する。 - 特許庁

This deinterleaver is provided between a Virterbi decoding circuit and an RS decoding circuit and performs block deinterleave for the unit of m×n data.例文帳に追加

本発明のデインタリーバは、ビタビ復号回路と、ＲＳ復号回路との間に設けられ、ｍ×ｎのデータ単位でブロックインタリーブを行う。 - 特許庁

A region where a source electrode 10 is in contact with a channel layer 7 is formed over the n-type semiconductor layers 21, 2.例文帳に追加

また、このｎ型半導体層２１，２の上の領域には、ソース電極１０とチャネル層７とが接する領域が設けられている。 - 特許庁

The magnets 3 are installed so that an N-pole and an S-pole face each other with the passage 2 between in which the gas oil 4 flows.例文帳に追加

軽油４が流れる流路２を挟んでＮ極とＳ極とが対向するように磁石３を設ける。 - 特許庁

FETQ11 to Q1(n+1) is provided for connecting both ends of the unit cells V1-Vn to the corresponding capacitors C1-Cn.例文帳に追加

ＦＥＴＱ１１〜Ｑ１（ｎ＋１）は、単位セルＶ１〜Ｖｎの両端を、対応するコンデンサＣ１〜Ｃｎに接続するために設けられている。 - 特許庁

A buffer for storing image data being recorded by n times of multipass and a buffer for storing image data not recorded by multipass are provided independently.例文帳に追加

ｎ回のマルチパスで記録する画像データを格納するバッファと、マルチパスで記録しない画像データを格納するバッファとを独立に設ける。 - 特許庁

On an n+-type semiconductor substrate 1, an --type epitaxial growth layer 2 is provided by a thickness of, for example, 15 μm or more.例文帳に追加

ｎ^+ 形の半導体基板１上に、ｎ^- 形のエピタキシャル成長層２が、たとえば１５μｍ以上の厚さに設けられている。 - 特許庁

The AlInAsP region 19 is provided between the n-type InP semiconductor region 13 and the AlGaInAs layer 17.例文帳に追加

ＡｌＩｎＡｓＰ領域１９は、ｎ型ＩｎＰ半導体領域１３とＡｌＧａＩｎＡｓ層１７との間に設けられている。 - 特許庁

In addition to processing of starting and general operation by a conventional automatic clutch function (S5-S12), N (neutral) position returning processing (S13-S24) is provided.例文帳に追加

従来のオートクラッチ機能による発進と通常運転の処理（Ｓ５〜Ｓ１２）に加えて、Ｎ（ニュートラル）位置戻し処理（Ｓ１３〜Ｓ２４）を設ける。 - 特許庁

A heavily doped region 22 is formed at the center between p-type semiconductor layers 4 sandwiching the n-type semiconductor layers 21, 2.例文帳に追加

このｎ型半導体層２１，２を挟むｐ型半導体層４間の中央には、高濃度領域２２が設けられている。 - 特許庁

By performing the statistical processing of the analyzed conversion table (averaging n values from maximum value/peak) and providing a threshold therefor, a discrimination means is set.例文帳に追加

この解析した変換テーブルを統計処理（最大値・ピークの上からｎ個平均）を行い、これに閾値を設けて判別手段とする。 - 特許庁

A first transistor M1 is an N-channel MOSFET, and is provided between the input terminal P1 and the output terminal P2.例文帳に追加

第１トランジスタＭ１はＮチャンネルのＭＯＳＦＥＴであって、入力端子Ｐ１と出力端子Ｐ２の間に設けられる。 - 特許庁

The array loudspeakers 1, 2 each comprising loudspeaker units arranged in m-rows and n-columns are provided in the left and right of a display apparatus 3.例文帳に追加

ディスプレイ装置３の左右にそれぞれｍ行ｎ列に配置されたスピーカーユニットを有するアレースピーカー１及び２が設けられる。 - 特許庁

In a lighting system 1 for vehicle, a lighting circuit 2A for simultaneously controlling lighting of each discharge lamp 4Ai (i=1, 2,..., N) is provided.例文帳に追加

車輌用照明装置１において、各放電灯４Ａi（ｉ＝１、２、・・・、Ｎ）を同時に点灯制御できるように構成された点灯回路２Ａを設ける。 - 特許庁

A semiconductor region 2 containing an n-type clad layer 7, and active layer 8, and a p-type clad layer 9 is provided on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上にｎ型クラッド層７、活性層８、ｐ型クラッド層９を含む半導体領域２を設ける。 - 特許庁

A current path region 21 made of an n-type group III nitride semiconductor is provided on the fourth area 27f.例文帳に追加

ｎ型III族窒化物半導体からなる電流経路領域２１は、第４のエリア２７ｆ上に設けられる。 - 特許庁

An N-type drain offset region 540 is formed in the semiconductor layer 200 so as to abut on the first well region 300 in a plan view.例文帳に追加

Ｎ型のドレインオフセット領域５４０は、半導体層２００に、平面視で第１ウェル領域３００と接するように設けられている。 - 特許庁

The low density impurity region 120 is provided on the drain in an n-type TFT, and the LDD is not provided in a p-type TFT.例文帳に追加

ｎ型ＴＦＴでは、ドレイン側に低濃度不純物領域１２０を設け、ｐ型ＴＦＴではＬＤＤを有しない構造とする。 - 特許庁

An energizing path for cooling is formed between an among the N-type pattern 3, the discharge electrode 6 and the P-type pattern 4.例文帳に追加

そして、Ｎ型パターン３、放電電極６及びＰ型パターン４の間に、冷却用の通電経路を設ける。 - 特許庁

In a semiconductor device, metal or metal nitride layers 18 and 19 which differ from each other are respectively provided on an N-type semiconductor layer and a P-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置に於いて、Ｎ型半導体層上とＰ型半導体層上とに異なる金属ないしは金属珪化物の層を設ける。 - 特許庁

A shutter member 23 rotating in synchronization with the exposure operation of the micromirrors M (m and n) is disposed between the forming surface and a light source.例文帳に追加

描画面と光源との間にマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）の露光作動に同期して回転するシャッタ部材２３を設ける。 - 特許庁

Then, the n-type GaAs layer 1 between the gate fingers 4 and 5 is provided continuously from the input end to the terminating end of a gate electrode.例文帳に追加

そして、ゲートフィンガー４，５間にあるｎ型ＧａＡｓ層１は、ゲート電極の入力端から終端まで連続して設けられている。 - 特許庁

On the surface layer of p body region 4, an n^+ emitter region 5 and a p^+ contact region 6 are provided adjacently.例文帳に追加

ｐボディ領域４の表面層には、ｎ^+エミッタ領域５とｐ^+コンタクト領域６とが接するように設けられている。 - 特許庁

Charging states of the power compensating devices 6 are provided to every two uninterruptible power supply systems (1 to n) connected in parallel are detected.例文帳に追加

並列接続された複数台の無停電電源装置（１〜ｎ）２毎に設けられた電力補償装置６の充電状態をそれぞれ検出する。 - 特許庁

The coating layer 13 whose front surface is substantially flat is formed on the rear surface S2 of the n-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

また、Ｎ型半導体基板１０の裏面Ｓ２上には、表面が実質的に平坦な被覆層１３が設けられている。 - 特許庁

An n-channel MOS transistor 17 for a switch is prepared in a power supply wiring 11 for supplying power to a thermal shutdown circuit 1.例文帳に追加

サーマルシャットダウン回路１に電源を供給するための電源配線１１にスイッチ用ＮｃｈＭＯＳトランジスタ１７が設けられている。 - 特許庁

A first to n-th stages of far infrared ray heaters 2 and near infrared ray heaters 3 are mounted on the inner surface of a chamber 1a.例文帳に追加

チャンバー（１ａ）の内表面に遠赤外線発熱体（２）と近赤外線発熱体（３）を第１段〜第ｎ段設ける。 - 特許庁

A transparent conductive layer 14 made of n-type zinc oxide is provided via an overcoat film 13 on the photoelectric conversion thin film transistor 12.例文帳に追加

光電変換薄膜トランジスタ１２上にはオーバーコート膜１３を介してｎ型酸化亜鉛からなる透明導電層１４が設けられている。 - 特許庁

A channel layer 17 is made of an n-type group III nitride semiconductor and is provided on the embedded gate region 15.例文帳に追加

チャネル層１７は、ｎ型III族窒化物半導体からなり、また埋め込みゲート領域１５上に設けられる。 - 特許庁

A P^---type impurity layer 12 is provided under N^--type impurity layers 2 and 3 which become a drain of the MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのドレインとなるＮ^−型不純物層２、３の下に、Ｐ^−−型不純物層１２を設ける。 - 特許庁

N_1 pieces (N_1 is 0 or a positive integer of N or less) of the wiring lines 105, 106 are located on one side of the conductive layer 103.例文帳に追加

導電体層１０３の一方面側には、Ｎ_1本（ただし、Ｎ_1はＮ以下の０または正の整数）の配線１０５,１０６が設けられる。 - 特許庁

When providing the floating gate by the material whose work function is higher than the semiconductor film, n-type impurity elements are introduced to the channel forming region.例文帳に追加

浮遊ゲートとして半導体膜より仕事関数が高い材料で設ける場合には、チャネル形成領域にｎ型の不純物元素を導入する。 - 特許庁

In addition to the processing (S5 to S12) of start and normal operation by the conventional auto-clutch function, an N (neutral) position reversing function (S13 to S24) is provided.例文帳に追加

従来のオートクラッチ機能による発進と通常運転の処理（Ｓ５〜Ｓ１２）に加えて、Ｎ（ニュートラル）位置戻し機能（Ｓ１３〜Ｓ２４）を設ける。 - 特許庁

Over the entire surface of the N^+-type silicon layer 4 and the P^+-type silicon layer 12, a buried oxide film 5 and an SOI layer 6 are provided.例文帳に追加

また、Ｎ^＋型シリコン層４及びＰ^＋型シリコン層１２上の全面に、埋込酸化膜５及びＳＯＩ層６を設ける。 - 特許庁

A means for performing cooing of the inside is provided in a cogeneration package N, with the cooling of the inside achieved by making the air circulate.例文帳に追加

コジェネレーションパッケージ（Ｎ）内に内部の冷却を行う手段を設け、空気を循環させて内部の冷却を行う。 - 特許庁

The N-type impurity layers N17, N18 and N19 are provided between the insulating layer of an SOI substrate and an element isolation insulating film in a PTI region.例文帳に追加

Ｎ型不純物層Ｎ１７，Ｎ１８，Ｎ１９はＰＴＩ領域においてＳＯＩ基板の絶縁層と、素子分離絶縁膜との間に設けられる。 - 特許庁

Disclosed is the driving method for the display panel in which N pixel sets are provided for each input terminal 14.例文帳に追加

本発明のディスプレイパネル駆動方法は，一の入力端子１４あたり，Ｎ個の画素セットが設けられているディスプレイパネルの駆動方法である。 - 特許庁

A reading gate 21 is installed on the n-type substrate 11 between the embedded photodiode 14 and the p-type well region 15.例文帳に追加

一方、埋め込みフォトダイオード１４およびＰ型ウェル領域１５の相互間の、Ｎ型基板１１上には、読み出し用ゲート２１が設けられている。 - 特許庁

The first guide layer 17 is formed between the n-type clad layer 15 and the active layer 13, and consists of a second group III-V compound semiconductor.例文帳に追加

第１のガイド層１７はｎ型クラッド層１５と活性層１３との間に設けられており、また第２のIII−Ｖ化合物半導体からなる。 - 特許庁

An alignment cylinder for aligning a plurality of insert nuts N fed from a part feeder on an alignment base 29 in one lateral row is provided.例文帳に追加

パーツフィーダから送給されるインサートナットＮを整列台２９上に複数個横１列に整列させる整列シリンダを設ける。 - 特許庁

The chair C has an upper frame part biasing means X for elastically biasing the upper frame part from the rear end position E to the normal position N.例文帳に追加

そして、後端位置（Ｅ）から通常位置（Ｎ）へと上フレーム部を弾性付勢する上フレーム部付勢手段Ｘを設けている。 - 特許庁

A first magnetic pole part 12a magnetized N pole and S pole around the rotation center, is provided inside of a magnet 12.例文帳に追加

マグネット１２の内側には、回転中心周りにＮ極とＳ極とを着磁した第１の磁極部１２ａが設けられている。 - 特許庁

An RF-dedicated light receiving surface is provided, and an S/N ratio is improved by band-synthesis with a signal from the other light receiving surface.例文帳に追加

ＲＦ専用の受光面を設け、他受光面からの信号との帯域合成によりＳ／Ｎ比を改善する。 - 特許庁