「もうけ n」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

An insulating layer 32 is provided on a pad electrode 10b on the n side of the bluish violet semiconductor laser element 10.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子１０のｎ側パッド電極１０ｂ上に絶縁層３２が設けられている。 - 特許庁

Nitrogen gas and pressured air are selectively introduced to secondary piping 21-24 which are arranged in the (n+2) to (n-1)-th floors of the building 1.例文帳に追加

建物１の（ｎ＋２）〜（ｎ−１）階に設けた２次側配管２１〜２４内に対し、窒素ガスと加圧空気とを選択的に導入する。 - 特許庁

Driving of an electric motor provided on the turbo supercharger is controlled based on the determined target revolution number N_t-trg of the supercharger.例文帳に追加

求められた目標過給機回転数Ｎｔ＿ｔｒｇに基づいてターボ過給機に設けられた電動機の駆動を制御する。 - 特許庁

An active layer (not shown) composed of a nitride semiconductor material is formed between the n-type semiconductor layer 2 and the p-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

ｎ形半導体層２とｐ形半導体層３との間には窒化物半導体材料からなる活性層（図示せず）が設けられている。 - 特許庁

In the lens barrel for microscope, a lens frame 9 holding imaging lenses 8 is slidably provided along an optical axis (n) in the lens barrel frame 2 of the lens barrel.例文帳に追加

顕微鏡用鏡筒の鏡筒枠２に、結像レンズ８を保持するレンズ枠９を光軸ｎに沿って摺動自在に設けた。 - 特許庁

A flattening layer 21 is formed between the n-type gallium-nitride-based semiconductor layer 15 and the light-emitting layer 17, and includes a gallium-nitride-based semiconductor region.例文帳に追加

平坦化層２１は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１５と発光層との間に設けられ、また窒化ガリウム系半導体領域からなる。 - 特許庁

A guide door 34 which holds a nut N in a standby space R under energization from a spring member 35 is provided in the reciprocal passage of the piston rod 32.例文帳に追加

ピストンロッド３２の往復通路には、バネ部材３５に付勢されて待機スペースＲにナットＮを保持するガイド扉３４が設けられる。 - 特許庁

A cut-off mechanism N for regulating the swinging angles of the hopper 5 and the screw conveyor 20 to a prescribed angle is provided.例文帳に追加

そしてホッパ（５）およびスクリューコンベア（２０）の揺動角度を所定角度に規制するカットオフ機構（Ｎ）を設ける。 - 特許庁

On both the sides of an intrinsic semiconductor layer, n-type semiconductor layers 6 and p-type semiconductor layers 5 are alternately provided.例文帳に追加

真性半導体層の両側にｎ型半導体層６およびｐ型半導体層５を交互に設けた。 - 特許庁

The semiconductor layer 20 is provided with a source/drain 21, 22 that is the N+ type semiconductor layer, and thus a NMOS transistor 2 is formed.例文帳に追加

半導体層２０にはＮ^+型半導体層であるソース／ドレイン２１，２２が設けられ、ＮＭＯＳトランジスタ２を形成する。 - 特許庁

The gasket material includes a fluorine-containing rubber layer having a Vickers hardness of 15 to 30 N/mm^2, being provided on one side or both sides of a metal plate.例文帳に追加

ビッカース硬度で15〜30N/mm^2であるフッ素ゴム層を、金属鈑の片面または両面に設けたことを特徴とするガスケット用素材。 - 特許庁

A semiconductor layer 150 consists of an N-type semiconductor layer 151, an intrinsic semiconductor layer 152 and a P-type semiconductor layer 153.例文帳に追加

上記光起電力素子の半導体層中に、下記Ａ及びＢに示される少なくとも一つの緩衝層を設ける。 - 特許庁

A retreat part 6 is selectively formed on the main surface of the conductive substrate 1, and an n electrode 7 is formed so as to fill the retreat part 6.例文帳に追加

導電性基板１の主面には後退部６が選択的に形成され、ｎ電極７は後退部６を充填するように設けられている。 - 特許庁

The manual mode operation position of the shift lever 17 is arranged nearer the seat ND next to the driver seat than the N range position of the shift lever 17.例文帳に追加

シフトレバー１７のマニュアルモード操作位置が、シフトレバー１７のＮレンジ位置よりも助手席ＮＤ側に設けられている。 - 特許庁

A light-emitting layer 17 is formed on the n-type gallium-nitride-based semiconductor layer 15, and has a quantum well structure 23.例文帳に追加

発光層１７は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１５上に設けられ、また量子井戸構造２３を有する。 - 特許庁

A p-type polysilicon layer 7 is disposed on a n-type semiconductor layer 2 which is a single crystal silicon layer.例文帳に追加

単結晶シリコン層であるｎ−型半導体層２の上に、ｐ型の多結晶シリコン層７を設ける。 - 特許庁

The light-emitting part is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer and includes a first light-emitting layer.例文帳に追加

発光部は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、第１発光層を含む。 - 特許庁

The gate (24) is provided between the source (13) and the drain (17) and on an n-conductive-type channel layer (18).例文帳に追加

このゲート（２４）を、ソース（１３）とドレイン（１７）の間及びｎ導電型チャネル層（１８）上に設ける。 - 特許庁

Thereby, the high temperature side regenerator Gn is compact as a combustion room space is not needed in a group of the pipes 16.例文帳に追加

これにより、各伝熱管１６の管群の中に燃焼室スペースを設ける必要がなく高温側再生器Ｇ_nのコンパクト化が図れる。 - 特許庁

These tunnel junction structures are covered with the n-type spacer layer 25 provided on the second spacer layer.例文帳に追加

これらのトンネル接合構造は、第２のスペーサ層上に設けられたｎ型スペーサ層２５によって覆われている。 - 特許庁

A first epitaxial layer 12 high in the concentration of n-type impurities is provided on a p-type silicon wafer 11.例文帳に追加

Ｐ型シリコンウェーハ１１上には、Ｎ型不純物の濃度が高い第１のエピタキシャル層１２が設けられている。 - 特許庁

A pair of p-type side electrode 8 and n-type side electrode 7 are provided on the window layer 5 and on the rear surface of the substrate 1.例文帳に追加

そのウインドウ層５上および半導体基板１の裏面に一対のｐ側電極８およびｎ側電極７が設けられている。 - 特許庁

An n+ emitter layer (6) formed at the lower portion of an emitter electrode (21) includes unit regions (60) arranged, spaced from each other at predetermined intervals.例文帳に追加

エミッタ電極（２１）下部に設けられるｎ＋エミッタ層（６）を、所定の間隔で互いに離れて配置される単位領域（６０）で構成する。 - 特許庁

The n-side electrode is provided outside the p-side electrode and in the periphery of the p-side electrode in a planar view.例文帳に追加

前記ｎ側電極は、平面視において、前記ｐ側電極よりも外側で前記ｐ側電極の周りに設けられている。 - 特許庁

The n-side electrode is provided outside the p-side electrode and in the periphery of the p-side electrode in a planar view.例文帳に追加

ｎ側電極は、平面視においてｐ側電極よりも外側でｐ側電極の周りに設けられている。 - 特許庁

A guard ring area 17 of a p-type group III nitride semiconductor is provided on the second area 13c of the n-type barium nitride semiconductor layer 13.例文帳に追加

ｐ型III族窒化物半導体のガードリング領域１７はｎ型窒化ガリウム系半導体層１３の第２のエリア１３ｃ上に設けられる。 - 特許庁

The second n-type semiconductor layer 19 is formed between the active layer 15 and the p-type semiconductor layer 17.例文帳に追加

第２のｎ型半導体層１９は、活性層１５とｐ型半導体層１７との間に設けられている。 - 特許庁

Two trench grooves 29 are formed so as to reach the high-resistance layer 15 but not to reach the n-type buffer layer 13.例文帳に追加

２つのトレンチ溝２９は、高抵抗層１５に達するとともにｎ型バッファ層１３に達しないように設けられる。 - 特許庁

An N+ type drain region 520 higher in concentration than the drain offset region 540 is formed inside the drain offset region 540.例文帳に追加

ドレインオフセット領域５４０よりも高濃度のＮ＋型のドレイン領域５２０は、ドレインオフセット領域５４０内に設けられている。 - 特許庁

The robot system assigns n work sections to robot controllers 4a-4d provided at arm robots 6a-6d respectively.例文帳に追加

アームロボット６ａ〜６ｄに設けられたロボットコントローラ４ａ〜４ｄには、ｎ個の作業区分を割り振る。 - 特許庁

N sets, from first to nth, of a contact S and an oscillator V for undergoing contact by an object such as the human body and a finger are installed.例文帳に追加

人体、手指といった対象物の接触を受けるための接触子Ｓと発振器Ｖの組を、１番目からｎ番目までｎ組設ける。 - 特許庁

The p^+-type gate semiconductor 4 is provided on the first to the third regions 3a to 3c of the n-type drift semiconductor 3.例文帳に追加

ｐ^＋型ゲート半導体部４は、ｎ型ドリフト半導体部３の第１〜第３の領域３ａ〜３ｃ上に設けられている。 - 特許庁

The SBD region 20 includes a p type diffusion region 21 provided on an upper surface of the n type epitaxial layer 2 and having a second impurity concentration.例文帳に追加

ＳＢＤ領域２０は、ｎ型エピタキシャル層２の上面に設けられ第２の不純物濃度を有するｐ型拡散領域２１を備える。 - 特許庁

M work sections less than n sections are assigned to a robot controller 4e provided at an arm robot 6e.例文帳に追加

アームロボット６ｅに設けられたロボットコントローラ４ｅには、ｎ個よりも少ないｍ個の作業区分を割り振る。 - 特許庁

A resist pattern 22 in required shape is formed on the cathode surface side of a silicon thermal oxide film 21a of an N--type semiconductor substrate 45 (S1a).例文帳に追加

まず、ｎ^-型半導体基板４５のシリコン熱酸化膜２１ａのカソード面側に所望のパターンのレジスト２２を設ける(Ｓ１ａ)。 - 特許庁

A switching part 50 made up of N-channels semiconductors is provided between a battery 12 and an inverter 28.例文帳に追加

バッテリ１２とインバータ２８との間にＮチャネル半導体スイッチからなるスイッチ部５０を設ける。 - 特許庁

Furthermore, n^+-type areas 17 are arranged as the heavily doped layer of source/drain at the both sides with the area of a gate electrode 15 interposed.例文帳に追加

さらにソース・ドレインの高濃度拡散層としてＮ^＋型領域１７がゲート電極１５の領域を隔てて両側に設けられている。 - 特許庁

An n^+-type 3rd semiconductor layer 14 is formed on a part of the surface layer part of the 2nd semiconductor layer 13.例文帳に追加

第２の半導体層１３の表層部の一部にＮ^＋型の第３の半導体層１４が設けられている。 - 特許庁

Furthermore, N sets of interrupt monitor signal wires for the PCI bus are provided and connected to interrupt signals outputted from each camera module.例文帳に追加

また、ＰＣＩバスの割り込み監視信号線をＮ本設け、各カメラモジュールから出力される割り込み信号を接続する。 - 特許庁

The input point 218 and input point 219 are set deviating each other by a distance of L1=(1/4+N)λ wavelength in carrier direction of a waveguide 220.例文帳に追加

入力点２１８と入力点２１９とは、導波路２２０の搬送方向において距離Ｌ１＝（１／４＋Ｎ）λ波長だけずれて設けられる。 - 特許庁

A surface degeneration layer 20 is provided between the GaN substrate 1 and the n electrode 10 to function as carrier supply layer.例文帳に追加

ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間には、キャリア供給層として機能する表面変性層２０が設けられる。 - 特許庁

A medium with a refractive index (n) larger than 1 is provided in regions (b' and b'') between the masks (13 and 103) and the lens systems (14 and 104).例文帳に追加

マスク（１３,１０３）とレンズシステム（１４,１０４）との間の領域（ｂ’,ｂ’’）に、屈折率（ｎ）が１より大きい媒質が設けられる。 - 特許庁

Furthermore, a disordered window structure part 16 is provided by injecting a B or N ions to the end face of the window structure part or near it, and then heating.例文帳に追加

さらに窓構造部の端面及びその近傍にＢあるいはＮのイオン注入とその後の加熱により無秩序化した窓構造部１６を設ける。 - 特許庁

A round n-type surface buffer region 5 is formed on the bottom surface of the second trench 4.例文帳に追加

この第２トレンチ４の底面には、角のない形状のｎ型表面バッファ領域５が設けられている。 - 特許庁

Then, monomer in the circumferential area N is polymerized by irradiating the monomer with the ultraviolet rays from the substrate side where the ultraviolet ray transmitting part 19a is provided.例文帳に追加

そして、紫外線透過部１９ａを設けた基板側から紫外線を照射して周辺領域Ｎのモノマーをポリマー化する。 - 特許庁