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りん薄膜の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1537件
従って、隣接する透磁性薄膜毎の磁気モーメントの方向が反対になり、放出された全ての電磁波は、透磁性薄膜１０４により消去されるか、電磁波のエネルギーが消費されるまでいずれか１つのポリマー薄膜中で反射されるか、炭素化合物構造体により吸収されて熱エネルギーに変換される。例文帳に追加
Therefore, the direction of magnetic moment for each adjacent magnetically impermeable thin film becomes opposite, and all emitted electromagnetic waves are erased by the magnetically impermeable thin film 104, reflected in one polymer thin film until the energy of the electromagnetic wave is consumed, or absorbed by a carbon compound structure before being converted to thermal energy. - 特許庁
半導体装置が形成された複数の薄膜デバイス層を含む複数の薄膜層１６，２８，３６，４４が積層されており、少なくともいずれかの隣接する前記薄膜層１６，２８，３６，４４間に所定の熱伝導性を有する伝導層２４，３２，４０を備えていることを特徴とする電気デバイスにより、上記課題を解決する。例文帳に追加
In the electric device, a plurality of thin film layers 16, 28, 36, 44 containing a plurality of thin film device layers forming a semiconductor device are stacked, and conductive layers 24, 32, 40 having a given thermal conductivity are contained between at least any of the adjacent thin film layers 16, 28, 36, 44. - 特許庁
特に磁極部の形状を適正化してサイドフリンジの発生を抑制できるとともに、その他の特性の向上をも図り、且つ前記磁極部の形成の容易化及び適正化を図ることが可能な薄膜磁気ヘッドと、前記薄膜磁気ヘッドを用いた磁気装置、並びに前記薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。例文帳に追加
To provide a thin film magnetic head in which the shape of a magnetic pole part is made appropriate especially and occurrence of side fringe can be suppressed, while the other properties are improved, and the magnetic pole part is easily formed and the magnetic pole part can be made appropriate, a magnetic device using the thin film magnetic head, and the manufacturing method of the thin film magnetic head. - 特許庁
ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。例文帳に追加
An amorphous oxychalcogenide system thin film 102 is grown on a substrate 101 comprising a YSZ substrate, a MgO substrate, or the like, by the pulse laser deposition method and the sputtering method, and a single-crystal oxychalcogenide system thin film 103 is formed by crystallizing the amorphous oxychalcogenide system thin film 102 by the reactive solid-phase epitaxial growth method. - 特許庁
この発明による半導体薄膜の製造方法は、基板上に少なくとも半導体薄膜を形成し、半導体薄膜上に反射防止膜パターン及び反射膜パターンを互いに隣接するように形成し、基板上方から第１レーザを照射して反射防止膜パターンの下部に方向性の揃った半導体粒を形成する工程を備える。例文帳に追加
The method for manufacturing a semiconductor thin film comprises steps of forming at least a semiconductor thin film on a substrate, forming an anti-reflection film pattern and a reflection film pattern on the semiconductor thin film to be adjacent to each other, and forming direction-aligned semiconductor grains in the lower part of the anti-reflection film pattern by applying a first laser beam from the above side of the substrate. - 特許庁
リング支持板１１にて支持された振動リング１５の４方向に配置された各駆動面１６ａ〜１６ｄには振動リング１５の径方向に振動させるためのＰＺＴ薄膜が形成され、各駆動面１６ａ〜１６ｄのＰＺＴ薄膜上に駆動電極膜１９ａ〜１９ｄが設けられている。例文帳に追加
A PZT thin film for vibrating in the diameter direction of a vibration ring 15 is formed on drive surfaces 16a-16d being arranged in four directions of the vibration ring 15 that is supported by a ring support plate 11, and drive electrode films 19a-19d are provided on the PZT thin film of the drive surfaces 16a-16d. - 特許庁
9μmというかなり小さな幅にわたって薄膜厚さを0.3μmまでに減らすために、微細ミリングが350pAの(イオン)ビーム電流を使って始められた。例文帳に追加
Fine milling was started using the 350 pA beam current to reduce the membrane thickness down to 0.3 μm over a considerably small width of 9 μm. - 科学技術論文動詞集
半導体デバイス電極／配線、半導体デバイス電極用膜／配線用膜並びにＡｌ合金薄膜形成用スパッタリングターゲット例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE ELECTRODE / WIRING, SEMICONDUCTOR DEVICE ELECTRODE FILM/ WIRING FILM AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING ALUMINUM ALLOY THIN FILM - 特許庁
重イオン加速用銅製１／４波長共振空洞にニオビウムの超伝導薄膜をスパッタリングするための方法および装置例文帳に追加
METHOD AND DEVICE FOR SPUTTERING SUPERCONDUCTING THIN FILM OF NIOBIUM ON QUARTER-WAVE RESONANT CAVITY MADE OF COPPER FOR HEAVY ION ACCELERATION - 特許庁
水素原子検出装置及び方法、薄膜デバイス製造装置及び方法並びに水素原子モニタリング方法例文帳に追加
HYDROGEN ATOM DETECTING APPARATUS AND METHOD, MEMBRANE DEVICE MANUFACTURING EQUIPMENT AND METHOD, AND HYDROGEN ATOM MONITORING METHOD - 特許庁
酸素を欠損させたターゲットを使用し、微量に窒素を添加してスパッタリングを行うことにより窒素含有酸化物薄膜を作製する。例文帳に追加
A nitrogen-containing oxide thin film is made by sputtering an oxygen-deficient target in the presence of a small amount of added nitrogen. - 特許庁
シュウ酸と、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステルを含有する水溶液からなる透明導電薄膜用エッチング剤組成物。例文帳に追加
The etching agent composition for the transparent electrically conductive thin film consists of an aqueous solution containing oxalic acid and polyoxyalkylene alkyl ether phosphate. - 特許庁
酸素ガスにアルゴンガスが添加されて導入され、アルゴンイオンによるスパッタリングを行いながら、酸化珪素薄膜が作成される。例文帳に追加
The silicon oxide thin film is formed by introducing argon added oxygen, while performing argon-ion sputtering. - 特許庁
半導体デバイス電極／配線及び半導体デバイス電極用膜／配線用膜並びにＡｌ合金薄膜形成用スパッタリングターゲット例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE ELECTRODE/WIRING, ELECTRODE FILM/ WIRING FILM FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITION OF Al-ALLOY THIN FILM - 特許庁
化学量論組成でフッ素欠損のないフッ化物薄膜をマグネトロンスパッタリング法により得ることである。例文帳に追加
To obtain a fluoride thin film having stoichiometeric composition and free from fluorine defect by a magnetron sputtering method. - 特許庁
ゲルマニウム酸化鉛（ＰＧＯ）薄膜の金属有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）およびアニーリングのための方法およびシステム例文帳に追加
PROCESS AND SYSTEM FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION(MOCVD) FOR LEAD GERMANIUM OXIDE (PGO) THIN FILM AND ANNEALING - 特許庁
化合物半導体薄膜太陽電池用裏面電極および太陽電池、並びに上記裏面電極を製造するためのスパッタリングターゲット例文帳に追加
BACK-SURFACE ELECTRODE FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN-FILM SOLAR BATTERY, SOLAR BATTERY, AND SPUTTERING TARGET FOR MANUFACTURING THE BACK-SURFACE ELECTRODE - 特許庁
強誘電体薄膜素子およびその製造方法、ならびにこれを用いたインクジェット記録ヘッド及びインクジェットプリンタ例文帳に追加
FERROELECTRIC THIN FILM ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND INK JET RECORDING HEAD AND INK JET PRINTER USING THE SAME - 特許庁
また、ボロン元素に代えてアンチモン元素（Ｓｂ）やリン元素（Ｐ）を含む絶縁層で薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う構成とする。例文帳に追加
Additionally, the oxide semiconductor layer of the thin-film transistor is covered with an insulating layer containing antimony elements (Sb) or phosphorus elements (P) instead of the boron elements. - 特許庁
バリア層を構成層とする薄膜トランジスターおよび前記バリア層のスパッタ成膜に用いられるＣｕ合金スパッタリングターゲット例文帳に追加
THIN-FILM TRANSISTOR USING BARRIER LAYER AS STRUCTURE LAYER, AND Cu ALLOY SPUTTERING TARGET USED FOR SPUTTERING DEPOSITION OF THE BARRIER LAYER - 特許庁
密着性に優れた薄膜トランジスター用配線膜およびこの配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット例文帳に追加
WIRING FILM FOR THIN-FILM TRANSISTOR HAVING EXCELLENT ADHESION AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE SAME - 特許庁
化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法、およびＩｎ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット例文帳に追加
PRODUCTION METHOD OF LIGHT ABSORPTION LAYER FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM SOLAR CELL, AND In-Cu ALLOY SPUTTERING TARGET - 特許庁
その後、アセトンによるリンス処理、純水による洗浄処理および乾燥処理を行うことで、表面に薄膜Ｒが形成されたウエハＷを得る。例文帳に追加
Subsequent rinsing with acetone, cleaning with demineralized water and drying provides the wafers W with the thin films R formed on the surface. - 特許庁
平滑電極および向上されたメモリ保持性を有する薄膜強誘電体キャパシタを製造するためのＤＣスパッタリングプロセス例文帳に追加
DC-SPUTTERING PROCESS FOR MANUFACTURING THIN-FILM FERROELECTRIC CAPACITOR HAVING SMOOTHING ELECTRODE AND IMPROVED MEMORY RETENTIVITY - 特許庁
硬質炭素薄膜を有する摺動部材同士がなす摺動面に、グリセリンを含む潤滑剤を介在させた低摩擦摺動機構である。例文帳に追加
The low-friction sliding mechanism comprising a glycerin-containing lubricant interposed in a sliding face between sliding members having a hard carbon thin film. - 特許庁
スパッタリングターゲット及びその製造方法、反射型ＬＣＤ用反射板、反射配線電極、薄膜及びその製造方法例文帳に追加
SPUTTERING TARGET AND ITS PRODUCTION METHOD, REFLECTOR FOR LCD, REFLECTION WIRING ELECTRODE, AND THIN FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
スプリンクラーヘッドの表面に、光エネルギーによって細菌や臭い、汚れの分解作用を有する光触媒の薄膜が形成されている。例文帳に追加
On the surface of the sprinkler head, a thin film of a photocatalyst having the decomposing function of bacteria, smell and a stain by optical energy is formed. - 特許庁
圧電体薄膜素子およびその製造方法、ならびにこれを用いたインクジェット記録ヘッド及びインクジェットプリンタ例文帳に追加
PIEZOELECTRIC THIN FILM DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND INK JET RECORDING HEAD AND INK JET PRINTER USING THE DEVICE AND METHOD - 特許庁
真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の手段を用いて、表面に金属等の薄膜を形成した基板を得ることができる。例文帳に追加
A substrate for forming a thin film such as metal on the surface can be obtained by using such means as high-vacuum metal deposition, sputtering, and ion plating. - 特許庁
広い範囲の印加磁場角度に対して高い臨界電流密度を示す二ホウ化マグネシウム（ＭｇＢ_２）超電導薄膜を提供すること。例文帳に追加
To provide a magnesium diboride (MgB_2) superconductive thin film exhibiting high critical current density to a wide range of applied magnetic field angle. - 特許庁
スパッタリング装置における基板保持方法、並びに、プラズマ雰囲気中で基板表面に薄膜を形成する装置の基板ホルダー例文帳に追加
SUBSTRATE HOLDING METHOD IN SPUTTERING DEVICE AND SUBSTRATE HOLDER OF DEVICE FORMING THIN FILM ON SUBSTRATE SURFACE IN PLASMA ATMOSPHERE - 特許庁
薄膜デバイスに対してもゲッタリング効果が有効に発揮されるシリコン単結晶ウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a silicon single-crystal wafer that effectively exhibits gettering effect even on a thin film device. - 特許庁
薄膜化に対応できる高強度、高硬度の炭素保護膜を形成するためのガラス状炭素製スパッタリングターゲット材を提供する。例文帳に追加
To produce a sputtering target material made of glassy carbon for depositing a carbon protective film having high strength and high hardness and capable of corresponding to film-thinning. - 特許庁
本発明によれば、熱反応室に隣接して多結晶シリコンから形成された薄膜トランジスタが位置されている。例文帳に追加
A thin film transistor formed of polycrystalline silicon is positioned adjacently to a thermal reaction chamber. - 特許庁
スパッタリング用ターゲットおよびそれを用いて形成した誘電体光学薄膜並びにその製造方法例文帳に追加
TARGET FOR SPUTTERING AND THIN DIELECTRIC OPTICAL FILM FORMED BY USING THE SAME, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
シリコーン薄膜で被覆成型することによってプラスチックス部品上に一体化シーリング要素を製造する方法例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING INTEGRATED SEALING ELEMENT ON PLASTIC PART BY COATING-MOLDING IT WITH SILICONE THIN FILM - 特許庁
前駆体の無溶媒液体混合物を用いる多成分ＺｒＳｎＴｉおよびＨｆＳｎＴｉ酸化物薄膜の堆積およびアニーリング例文帳に追加
DEPOSITION AND ANNEALING OF MULTICOMPONENT ZrSnTi AND HfSnTi OXIDE THIN FILM USING SOLVENT LESS LIQUID MIXTURE OF PRECURSOR - 特許庁
フェナントロリン化合物、該化合物よりなる電子輸送材料、及び該化合物を含んでなる有機薄膜太陽電池例文帳に追加
PHENANTHROLINE COMPOUND, ELECTRON TRANSPORT MATERIAL COMPRISING THE SAME, AND ORGANIC THIN FILM SOLAR CELL COMPRISING THE COMPOUND - 特許庁
機能性薄膜、圧電体素子、インクジェット式記録ヘッド、プリンタ、圧電体素子の製造方法およびインクジェット式記録ヘッドの製造方法、例文帳に追加
FUNCTIONAL THIN FILM, PIEZOELECTRIC ELEMENT, INK JET RECORDING HEAD, PRINTER, MANUFACTURE OF PIEZOELECTRIC ELEMENT, AND MANUFACTURE OF INK JET RECORDING HEAD - 特許庁
そのような蛍燐光体を含有するコーテイングされた層は薄膜無機発光ダイオードの中に導入することができる。例文帳に追加
Coated layers containing such phosphors can be incorporated in thin film light-emitting diodes. - 特許庁
リン酸ジルコニウムを含有するセラミック担体１５は、その担体１５を形成する粒子単位毎にアルミナ薄膜３にて被覆されている。例文帳に追加
A ceramic carrier 15 containing zirconium phosphate is coated with thin alumina films 3 by each of particle units forming this carrier 15. - 特許庁
そして、このリングレンズ３０の表面に、光の透過が可能な膜厚を備え、金属意匠１６を構成する金属薄膜を形成する。例文帳に追加
A metal thin film having a film thickness capable of transmitting the light and composing the metal design 16 is formed on the surface of the lens 30. - 特許庁
半導体基板上に形成された薄膜の紫外線による安定したキュアリングを実行するための方法を与える。例文帳に追加
To provide a method for performing the stable curing of a thin film formed on a semiconductor substrate by means of the irradiation of an ultraviolet (UV) light. - 特許庁
次に、コーティングＢ（ｂ）工程において、樹脂薄膜１１上に、スパッタリングまたは蒸着によりＡｕなどの金属被膜１２を形成する。例文帳に追加
In a coating B(b) process, a metal coat 12 of Au is formed on the resin thin film 11 with sputtering or deposition. - 特許庁
イオンのチャネリングに起因するトランジスタ特性の劣化を抑制することのできる薄膜トランジスタを提供すること。例文帳に追加
To provide a thin film transistor which can suppress the degradation of transistor characteristics due to the channeling of ions. - 特許庁
プリント基板５の反搭載面５ｂ上の熱伝導薄膜層１５ｅに、はんだ３５により金属製のナット３７が接合されている。例文帳に追加
A nut 37 made of a metal is connected by a solder 35 to a heat transfer film layer 153 on an opposite mounting surface 5b of a circuit substrate 5. - 特許庁
端子電極２４ａ〜２４ｄは薄膜コイル層１２に埋め込まれており、且つ、積層体の隣接する２つの側面に露出面を有している。例文帳に追加
The terminal electrodes 24a to 24d are embedded in the thin film coil layer 12, and have an exposed surface at two adjacent sides of the laminate. - 特許庁
負極活物質層として、真空蒸着若しくはスパッタリングにより形成された珪素酸化物の薄膜を集電体の表面に形成する。例文帳に追加
A film of a silicon oxide formed by vacuum vapor deposition or sputtering is formed on a surface of a current collector as a negative electrode active material layer. - 特許庁
実施形態のスパッタリング用ターゲットは、薄膜形成に用いられるターゲット原子を含んで構成されている。例文帳に追加
The sputtering target is configured to include target atoms used for thin film deposition. - 特許庁
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