「りん薄膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

基板１０、ゲート電極３０、ゲート誘電体層４０、ソース電極５０、ドレイン電極６０及び有機半導体層７０の薄膜トランジスター１０において、ゲート誘電体層４０を、高い誘電率と高いキャパシタンスを有し、かつコーティング法やプリンティング法で形成されるポリ(４−ビニルフェノール−コ−アクリロニトリル)系ポリマーで構成する。例文帳に追加

A thin film transistor 10 comprises a substrate 10, a gate electrode 30, gate dielectric layer 40, a source electrode 50, a drain electrode 60, and an organic semiconductor layer 70, wherein the gate dielectric layer 40 comprises a poly(4-vinylphenol-co-acrylonitrile)-based polymer which has a high dielectric constant and a high capacitance and is formed by coating or printing. - 特許庁

そして、ヒートシンク基板３４と共にＭＯＳデバイスが形成されたｎ型シリコン基板３０をダイシングカットすることで、ヒートシンク１０７と一体化された半導体チップ１０６を形成でき、ヒートシンク１０７と共に半導体チップ１０６を取り扱うことができるため、この後の工程でも薄膜状態でのハンドリングを行わなくて済むようにできる。例文帳に追加

Then an n-type silicon substrate 30 where the MOS device is formed is cut by dicing together with the heat sink substrate 34 to form a semiconductor chip 106 united with the heat sink 107, and the semiconductor chip 106 can be handled together with the heat sink 107, so the handling in the thin-film state is not necessary even in subsequent processes. - 特許庁

ドライバコンポーネント１１０と、ドライバコンポーネント１１０とは別個に製造され、開口のない流体薄膜を含んだＭＥＭＳコンポーネント１１２と、ドライバコンポーネント１１０およびＭＥＭＳコンポーネント１１２を作動的に接合する結合フィーチャ３３２と、ＭＥＭＳコンポーネント１１２に取り付けられたノズルプレート１１４を備えるＭＥＭＳ型インクジェットプリントヘッドである。例文帳に追加

The MEMS type inkjet printing head is provided with a driver component 110, an MEMS component 112 which is fabricated separately from the driver component 110, including an aperture-free fluid thin membrane, a bonding feature 332 which operatively joins the driver component 110 and the MEMS component 112, and a nozzle plate 114 attached to the MEMS component 112. - 特許庁

密度が近い隣接層が存在するなどの理由でＸ線反射率法による膜厚測定ができない場合でも，配向性を考慮した回折Ｘ線強度の理論ロッキングカーブを測定ロッキングカーブにパラメータフィッティングすることで，Ｘ線回折法によって薄膜の膜厚を測定可能にする。例文帳に追加

To measure the thickness of a thin film by an X-ray diffraction method by performing the parameter fitting of a theoretical rocking curve of diffracted X-ray intensity considering orientation to a measured rocking curve, even when film thickness measurement by an X-ray reflectivity method can not be performed because of a reason as existence of a contiguous layer having an approximate density or the like. - 特許庁

基体上に形成した下部ポールの上にライトギャップ層を形成し、その上にポールチップを形成し、このポールチップの上に上部ポールを形成した誘導型薄膜磁気ヘッドにおいて、ポールチップの寸法、形状に変動を与えることなく上部ポールの先端面をエアベアリング面から正確に後退させる。例文帳に追加

To exactly retreat the tip surface of an upper pole from an air bearing surface without giving variation to the dimensions and shape of a pole chip in an induction type thin film magnetic head which forms a light gap layer on an lower pole formed on a substrate, forms the pole chip thereon and forms the upper pole on this pole chip. - 特許庁

リン酸、硫酸および硝酸よりなる群から選ばれた１種または２種以上の無機酸と、標準電極電位＋０．７５Ｖ以上の電極反応に該当する化学種を１種または２種以上含有する酸化剤と、分子中に複数の芳香族スルホン酸または芳香族スルホン酸塩の構造を有する界面活性剤とを含む水溶液からなる銀合金薄膜用エッチング液。例文帳に追加

The etchant is an aqueous solution containing at least one inorganic acid selected from among phosphoric acid, sulfuric acid, and nitric acid, an oxidant containing at least one chemical species corresponding to an electrode reaction with a standard electrode potential of +0.75V or higher, and a surfactant having a plurality of structures of an aromatic sulfonic acid or aromatic sulfonic acid salt in the molecule. - 特許庁

ベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン類と芳香族テトラカルボン酸二無水物を出発材料とする線膨張係数が１〜１２ｐｐｍ／℃のポリイミドベンゾオキサゾールフィルムに、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、無電解メッキ法、電気メッキ法などの薄膜形成技術により、下地金属、導電化金属、無機誘電体、導電化金属の順で積層し主題の積層フィルムを得る。例文帳に追加

The multilayer film is obtained by forming an underlying metal, a metal rendered conductive, an inorganic dielectric, and a metal rendered conductive sequentially by thin film coating technology such as sputtering, deposition, CVD, electroless plating, or electroplating on a polyimide benzo oxazole film employing diamines having benzo oxazole frame and aromatic tetra carboxylic acid dianhydride as a source and having a linear expansion coefficient of 1-12 ppm/°C. - 特許庁

Ｃａ：０．００１〜０．５原子％を含有し、さらにＡｇ：０．００２〜１．０原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生が少なくかつ表面状態の良好なＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The flat panel display wiring and electrode using the TFT transistor that scarcely generates thermal defects and is excellent in the surface state including the copper alloy thin film having a composition containing calcium of 0.001 to 0.5 atom% and silver of 0.002 to 1.0 atom% and the remaining portion including copper and unavoidable impurities and the sputtering target for forming them are provided. - 特許庁

薄膜形成用チタンシリサイドターゲットにおいて、ターゲット組成がＴｉＳｉ_x（ここでｘ＝2.0〜2.7）と表され、ターゲット中のＷ含有量が50ppm未満であり、かつＷ化合物の析出物を含まないことを特徴とするチタンシリサイドターゲットによって、パーティクル発生の少ないＴｉＳｉ_x膜をスパッタリングによって得る。例文帳に追加

By the titanium silicide target for thin film deposition having a target composition expressed by TiSi_x (wherein, x=2.0 to 2.7), having a W content of <50 ppm, and also comprising no precipitates of W compounds, a TiSi_x film having reduced generation of particles is obtained by sputtering. - 特許庁

薄膜電子源に好適なＭＩＭ型ダイオード素子の電子加速層を陽極酸化で形成する際の成膜不均一に起因する面内もしくは隣接画素間の電子放出量の分布の不均一を抑制し、表示装置に適用した場合の面内輝度差を低減可能としたダイオード素子を提供する。例文帳に追加

To provide a diode element capable of reducing an in-plane luminance difference when it is applied to a display device by suppressing unevenness of a distribution of an electron emission quantity in a plane or between adjacent pixels caused by film formation unevenness in forming an electron acceleration layer of an MIM type diode element suitable for a thin-film electron source by anodic oxidation. - 特許庁

シリコンを主成分とするメインターゲット１ｍ上に該ターゲットと同様にシリコンを主成分とし、かつ面積が該メインターゲットより小さいサブターゲット１ｓを複数個配置したスパッタリングカソードをマグネトロン放電させ、かつ基板ホルダ７に載置した基板８に薄膜を形成することで解決できる。例文帳に追加

A sputtering cathode on which multiple sub-targets 1s, mainly composed of silicon similarly to a main target 1m mainly composed of silicon and having an area smaller than that of the main target, are arranged is subjected to magnetron discharge, and a thin film is formed on a substrate 8 mounted on a substrate holder 7. - 特許庁

第２電極層の形状加工により形成される隣接する発電領域間の分離溝下に、シリコンに対し第２の元素を含むシリコン系電気絶縁膜が形成され、このシリコン系電気絶縁膜における第２の元素の含有量がその膜厚方向に不均一である集積型薄膜太陽電池により、上記の課題を解決する。例文帳に追加

A silicon based electric insulation film containing a second element with respect to silicon is formed beneath an isolation trench between adjacent power generating regions formed by shaping a second electrode layer and the content of the second element in the silicon based electric insulation film is made uneven in the film thickness direction thus obtaining a multilayer thin film solar cell. - 特許庁

基板上に、薄膜トランジスタと、画素電極と、少なくとも有機ＬＥＤ層と、対向電極とを積層した複数の有機ＬＥＤ素子を有する有機ＬＥＤ表示装置において、対向電極と有機ＬＥＤ層との間に形成された高分子保護層を備え、対向電極がＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜されていること。例文帳に追加

This organic LED display device having a plurality of organic LED elements each consisting of a thin film transistor, a pixel electrode, at least an organic LED layer and the counter electrode laminated on a substrate comprises a polymer protecting layer formed between the counter electrode and the organic LED layer, the counter electrode being deposited by DC magnetron sputtering. - 特許庁

金属触媒の拡散が困難なフィルターリング酸化膜を用いて結晶化に寄与する金属触媒の量を調節し、調節された金属触媒によって多結晶シリコン層の結晶粒の大きさを大きく形成し、多結晶シリコン層に残留する金属触媒の量を最小化して特性が優れた薄膜膜トランジスタを製造できる効果がある。例文帳に追加

By the manufacturing method, the amount of the metal catalyst contributing to crystallization is adjusted using the filtering oxide film that makes the diffusion of the metal catalyst difficult, so that the crystal grains in the polycrystalline silicon layer become larger in size due to the adjusted metal catalyst, the amount of the metal catalyst remaining in the polycrystalline silicon layer is minimized, and thus the thin film transistor having superior characteristics is provided. - 特許庁

ヘッド基板１の表面に、厚膜の発熱抵抗体７と、この発熱抵抗体に対する通電用の薄膜の電極パターン４，６と、これら発熱抵抗体及び電極パターンを覆う保護膜８とを形成して成るサーマルプリントヘッドにおいて、前記保護膜８のうち前記発熱抵抗体７の部分から盛り上がることに起因する不具合を、耐久性の低下を招来することなく、改善する。例文帳に追加

To improve the trouble without decreasing a durability that is caused by swelling a part of a protecting film 8 from a thick film heating resistor 7 in a thermal printing head in which the heating resistor 7, thin film electrode patterns 4 and 6 for energization to the heating resistor and the protecting film 8 for covering these heating resistor and electrode patterns are formed to a surface of a head substrate 1. - 特許庁

半導体材料の表面に沿って互いに隣接する、シリサイド化される金属を含有する複数の電気素子要素と、複数の電気素子要素を覆い、電気素子要素に含まれる金属が実質的にシリサイド化しない温度で薄膜形成したシリコンを含む保護絶縁膜と、を備える半導体装置が提供される。例文帳に追加

A semiconductor device includes: two or more electrical element components which mutually adjoin along the surface of a semiconductor material and contain a metal in which silicide formation is performed; and a protective insulating film which covers the two or more electrical element components and contains silicon and in which thin film formation is performed at a temperature in which the metal contained in the electrical element components does not substantially perform the silicide formation. - 特許庁

先端部電極に力ベクトルが適用された際に、それに対して薄膜圧力センサが当接する、合致する形状を有する停止部材と共に使用され、圧力センサは２−Ｄの半径方向に対称な形状、例えばディスク若しくはリング構成又は３−Ｄの半径方向に対称な形状、例えば円錐状構成を有し得る。例文帳に追加

Used with a stop member having a conforming shape against which the thin-film pressure sensor abuts when a force vector is applied to the tip electrode, the pressure sensor can have a 2-D, radially-symmetrical shape, e.g., a disc or ring configuration, or a 3-D, radially-symmetrical shape, e.g., a conical configuration. - 特許庁

多層膜の製造方法は、薄膜原料を基材とするターゲット１４を有し、ターゲット１４の表面近傍に磁場の作用でプラズマを集中させてスパッタリングを行うマグネトロン・スパッタ装置１を用い、構成元素、組成、結晶構造の少なくとも一つが相違する層を積層させた多層膜を形成する方法である。例文帳に追加

The production method of the multilayer films comprises forming the multilayer films laminated with the layers varying in at least one among constitution elements, compositions, and crystal structures by using a magnetron sputtering apparatus 1 which has a target 14 composed of thin film raw materials as base materials and performs sputtering by concentrating a plasma by the effect of a magnetic field near to the surface of the target 14. - 特許庁

基板１１上に、Ａｇを導電体とする薄膜からなる回路要素１２と、該回路要素１２のうち隣接し異なる電位となる２つの回路要素１２の間に少なくとも設けられＡｇよりもイオン化傾向の大きな金属粒子１３ａがベース樹脂１３ｂ中に分散された樹脂層１３とを備える。例文帳に追加

The Ag wiring board includes, on a substrate 11, circuit elements 12 made of a thin film having Ag as a conductor and a resin layer 13 provided at least between two circuit elements 12 adjacent to each other among the elements 12 and with different potentials, in which metal particles 13a with larger ionization inclination than Ag are dispersed in a base resin 13b. - 特許庁

スパッタリング装置１は、真空チャンバー２内に、表面に薄膜が形成される基板７を保持する基板取り付けホルダー６と、基板取り付けホルダー６に対向する位置に設置されたターゲット３と、基板取り付けホルダー６とターゲット３との間に配置された膜厚補正板９とを有している。例文帳に追加

Sputtering equipment 1 has, in a vacuum chamber 2, a substrate- fixing holder 6 for holding a substrate 7 where a thin film is to be formed on the surface, a target 3 set in a position opposite to the substrate-fixing holder 6, and a film thickness correcting plate 9 disposed between the substrate- fixing holder 6 and the target 3. - 特許庁

特に、絶縁性カラーフィルタは互いに異なる色に着色され隣接画素電極にそれぞれ割当てられる複数の着色層８１ａ，８１ｂ，８１ｃ、および複数の画素電極を複数の薄膜トランジスタに接続するために着色層８１ｃだけに形成される複数のコンタクトホール８２を含む。例文帳に追加

In particular, the insulating color filter includes a plurality of colored layers 81a, 81b and 81c having in colors different from one another and respectively allocated to the adjacent pixel electrodes and a plurality of contact holes 82 formed in only the colored layer 81c for the purpose of connecting the pixel electrodes with the thin film transistors. - 特許庁

本発明は、金属ターゲットと反応性ガスとによるリアクティブスパッタリングを行うに際し、ターゲットの使用時間と共に金属フッ化物薄膜のフッ素含有量が化学量論組成から乖離することに起因して光学特性がばらつくことがない金属フッ化物光学素子及びその製造方法及びその製造装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a metal fluoride optical element, at the time when reactive sputtering is performed with a metal target and reactive gas, free from variation in optical properties caused by the phenomenon that the content of fluorine in a metal fluoride thin film deviates from a stoichiometric composition in accordance with the using time of the target, to provide its production method, and to provide a production device therefor. - 特許庁

スパッタリング装置は、真空チャンバ１内にターゲット３を配置し、同真空チャンバ１内にガスを供給して希薄ガス雰囲気とすると共に、この希薄ガスを電離し、電離した荷電粒子を前記ターゲット３に衝突させて、これによりターゲット３から発生して粒子をターゲット３と対向する基板５上に堆積させて薄膜を形成するものである。例文帳に追加

In a sputtering apparatus, the target 3 is arranged in a vacuum chamber 1, gas is fed into the vacuum chamber 1 to form a lean gas atmosphere, the lean gas is ionized, ionized charged particles are collided with the target 3, and thus, the particles generated from the target 3 are deposited on the substrate 5 opposing the target 3 to deposit a thin film. - 特許庁

第１および第２の電極基板１，２間に、互いにらせん方位の異なる第１および第２の薄膜３，４を隣接配置するため、入射光の右円偏光成分と左円偏光成分をともに反射させることができ、反射強度が高くなることから、従来よりも明るい表示が可能となる。例文帳に追加

Since the first and second thin films 3, 4 with mutually different helical orientations are adjacently arranged between the first and second electrode substrates 1, 2, both of a right-handed circularly polarized light component and left-handed circularly polarized light component of incident light are reflected, reflective intensity becomes high, thus, display brighter than in the conventional case becomes possible. - 特許庁

基体５を加熱するための加熱室３と、前記基体５表面に所定の薄膜を成膜するための成膜室２とを、断熱壁４を介して隣接して設置するとともに、前記基体５を前記加熱室３と前記成膜室２との間で交互に移動させるための基体駆動手段７とを具備したことを特徴とする。例文帳に追加

A heating chamber 3 to heat a substrate 5 and a film deposition chamber 2 to deposit a predetermined thin film on a surface of the substrate 5 are installed adjacent to each other via a hat insulation wall 4, and a substrate driving means 7 to alternately move the substrate 5 between the heating chamber 3 and the film deposition chamber 2 is provided. - 特許庁

ＭｇＦ_２等の金属フッ化物をターゲットとしスパッタリング法で成膜するにあたり、光吸収がなくかつ十分な機械的強度を有する薄膜を、ターゲット材料を繰り返し使用することによりエロージョン形状が変化しても、膜厚再現性良く作製可能にする成膜方法および成膜装置を提供する。例文帳に追加

To provide a film deposition method and a film deposition system where, when a metal fluoride such as MgF_2 is used as a target, and film deposition is performed by a sputtering process, a thin film free from light absorption and also having sufficient mechanical strength can be produced with high film thickness reproducibility even if an erosion shape is changed by the repeated use of a target material. - 特許庁

記録層に記録された情報を再生するためのレーザー光が照射されると、粘性が変化する材料層の結晶性薄膜の一部が軟化することにより、その軟化部分の光学定数が変化し、軟化部の境界面において、光学定数の不連続面が発生し、リング状の特異領域が光スポット内に形成される。例文帳に追加

When laser beam to reproduce information recorded on the recording layer is emitted to the optical disk, part of a crystalline thin film of the material layer whose viscosity changes is softened to change the optical characteristic of the softened part, a discontinuous face of the optical constant is caused at the border face of the softened part, and a ring shaped specific region is formed in the light spot. - 特許庁

発光装置のマイクロキャビティ構造用の多層ミラーの形成方法であって、発光装置の透明基板上にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に異なる屈折率の複数の薄膜をスパッタリングし、多層ミラーとする工程とからなることを特徴とする上記方法、及びマイクロキャビティ構造用の多層ミラー。例文帳に追加

The forming method of the multi-layered mirror for the manufacture of a micro-cavity of a light emitting device comprises a process of forming the buffer layer on a transparent base plate of the light emitting device, and a process of forming the multi-layered mirror by sputtering a plurality of thin films having different refractive index from each other on the buffer layer. - 特許庁

ガラス基板５０を予熱し、その基板上に非結晶シリコン先駆層を一次温度で堆積させ、熱処理チャンバ５２，５４，５６，５８内において基板を一次温度よりも十分に高い二次温度でアニーリングして先駆層内における水素濃度を実質的に減少させることによってガラス基板５０上に薄膜層を形成できる。例文帳に追加

In a method for forming a polycrystalline silicon layer on the glass substrate, a thin film layer is formed on the glass substrate 50 by preheating the glass substrate 50, depositing an amorphous silicon precursor layer on the substrate at a primary temperature, and annealing the substrate in thermal processing chambers 52, 54, 56, 58 at a secondary temperature sufficiently higher than the primary temperature to substantially reduce hydrogen concentration in the precursor layer. - 特許庁

ターゲットとサセプタとの間の電界に対して交差する磁界を印加するマグネットをターゲットと平行な方向に往復移動させつつスパッタリングを行いサセプタ上に載置した基板に薄膜を形成する際に、基板の両端部と中央部とに関わらず膜厚均一性を高くする。例文帳に追加

To increase the thickness uniformity of a thin film independently of its position, whether it is on the both ends or on the central part of a substrate in performing sputtering while allowing a magnet for applying a magnetic field which intersects an electric field between a target and a susceptor to perform a reciprocating motion in a direction parallel to the target to deposit a thin film onto the substrate placed on the susceptor. - 特許庁

円偏光板２と電磁波シールド材１を具備してなる表示装置用電磁波シールドフィルタであって、上記の電磁波シールド材１は、１〜４層の銀系透明導電体薄膜層を含んでなり、かつこの電磁波シールド材１とその面上に形成される隣接層との界面反射率が０．５〜２５％であることを特徴とする表示装置用電磁波シールドフィルタ。例文帳に追加

With respect to the electromagnetic wave shield filter provided with a circularly polarizing plate 2 and an electromagnetic wave shield material 1, the electromagnetic wave shield material 1 includes one to four silver transparent conductor thin film layers, and the boundary reflectivity between the electromagnetic wave shield material 1 and an adjacent layer formed on the surface of the shield material 1 is 0.5 to 25%. - 特許庁

液晶性ポリマー（ＬＣＰ）からなる樹脂フィルムに脱脂処理をしたのち、導電体金属を蒸発源として金属薄膜の膜厚が１μｍ以下となるようにＬＣＰフィルム上に蒸着させた後、電気メッキを１μｍ以上３０μｍ以下形成して、ポリマーフィルムと金属膜との密着性を高めたフレキシブルプリント基板を作製する。例文帳に追加

The flexible printed substrate that improves the adhesiveness with polymer film and metal one is manufactured, by forming electric plating of 1-30 μm after cleaning a resin film comprising the liquid crystal polymer (LCP) and depositing a conductive metal as an evaporation source on a LCP film so that the thickness of the metal thin film is 1 μm or less. - 特許庁

電気光学装置の素子基板１０を製造するにあたって、薄膜トランジスタ８０、９０を形成した後、シリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４、およびシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜７を形成し、この状態で、イオンシャワードーピング法により、水素イオンおよびリンイオンを導入する。例文帳に追加

Upon manufacturing the element substrate 10 of the electro-optic device, thin film transistors 80, 90 are formed, a first interlayer insulating film 4, consisting of silicon oxide film, and a second interlayer insulating film 7, consisting of silicon nitride film, are formed and then, hydrogen ion and phosphorus ion are introduced through ion shower doping method under this condition. - 特許庁

Ｃｏ系金属磁性相と金属酸化物非磁性相よりなるスパッタリングターゲット材において、該非磁性相が融点１４００℃以下の金属酸化物からなり、かつ、相対密度が９７％以上であることを特徴とする低融点金属酸化物を含むＣｏ系磁性薄膜作製用高密度ターゲット材またはその製造方法。例文帳に追加

The high density target material for producing a Co based magnetic thin film comprising a low melting point metal oxide and the production method are characterized in that, in a sputtering target material composed of a Co based metal magnetic phase and a metal oxide nonmagnetic phase, the nonmagnetic phase is composed of a metal oxide having a melting point of ≤1,400°C, and also, relative density is ≥97%. - 特許庁

紙を基材１０とし、そのコート面に、アルキッド樹脂、ポリフェノール樹脂等でなる蒸着アンカー層１２、アルミニウム、酸化珪素等でなる蒸着薄膜層１４、ポリエステル樹脂、ＰＶＡとシランカップリング剤の加水分解物の混合で積層後重縮合させたもの等でなるオーバーコート層１６が順に設けられた防湿紙１である。例文帳に追加

This moisture-proof paper 1 is characterized by disposing a deposited anchor layer 12 comprising an alkyd resin or a polyphenol resin, a deposited thin film layer 14 comprising aluminum or silicon oxide, and an over coat layer 16 comprising a polyester resin or a polymer prepared by laminating the mixture of PVA with the hydrolysate of a silane coupling agent and then polycondensing the laminated product in this order on the coated side of a paper substrate 10. - 特許庁

酸素：０．４〜６原子％を含有し、さらにＮｉ、ＣｏおよびＺｎのうちの１種または２種以上を合計で０．００１〜３原子％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる密着性に優れたＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The interconnection and an electrode for flat panel display using a thin-film transistor having superior adhesiveness, formed by a copper alloy thin film having a composition containing oxygen by 0.4 to 6 atomic%, one or more of Ni, Co and Zn by 0.001 to 3 atomic% in total, and the rest consisting of Cu and unavoidable impurities, and is also relates to a sputtering target for forming interconnections and the electrode. - 特許庁

また、透明電極層５２１に隣接して吸水性の材料を形成すること、基体上の電極および発光材料層により形成される発光の素子部分が、ＥＬ素子であり、有機材料を発光材料とし、有機材料による薄膜が印加電流によって発光する構造を有している。例文帳に追加

Further, this has a structure that a hydrophilic material is formed adjacent to the transparent electrode layer 521, that a light-emitting element part formed by the electrode on the substrate and the light-emitting material layer are the EL elements, that the organic material is the light-emitting material, and that the thin film made of the organic material emits light by an applied current. - 特許庁

プリントヘッドと紫外線照射ランプが被印刷基材上をスキャンし、全色インク付与に追尾して紫外線照射を行うインクジェット記録方法に適した低濃度の薄膜部分と高濃度の厚膜部分の硬化性、被印刷基材への接着性に優れた紫外線硬化型ジェットインクを提供する。例文帳に追加

To provide an ultraviolet ray-curable inkjet ink which is suitable for an inkjet recording method for scanning a substrate to be printed with a print head and an ultraviolet ray-irradiating lamp, following the imparted all color inks and irradiating the inks with ultraviolet rays, and has excellent curability in low concentration thin film portions and high concentration thick film portions and excellent adhesiveness to the substrates to be printed. - 特許庁

酸化物超伝導薄膜用バッファ層において、Ｒ面サファイア基板１上に、２００Åから２０００Åの膜厚のＣｅＯ_２ バッファ層２を、４０Å／ｍｉｎから３５０Å／ｍｉｎの堆積速度と６３０℃から７８０℃の堆積温度で形成し、高臨界電流密度を得る。例文帳に追加

The buffer layer for the oxide superconductive thin film is formed through such a method wherein a CeO_2 buffer layer 2 of thickness 200 to 2,000 Å is formed on an R plane sapphire board 1 at a deposition speed of 40 to 350 Å/min and at deposition temperature of 630 to 780°C so as to obtain the oxide superconductive thin film having a high critical current density. - 特許庁

少なくとも下部電極、圧電膜および上部電極を積層させてなる弾性共振膜を有する薄膜バルク音響共振子の製造する方法であり、まず、基板１０に下部電極１２を形成し、下部電極１２の上層に圧電性を発現する化合物材料をターゲットとする非反応性スパッタリングにより圧電膜１３を形成する。例文帳に追加

In a thin-film bulk acoustic resonator manufacturing method having an elastic resonant film in which at least a lower part electrode, a piezoelectric film and an upper part electrode are laminated, a lower part electrode 12 is firstly formed on a substrate 10, and a piezoelectric film 13 is formed by a non-reactive sputtering which targets compound materials expressing piezoelectric property on an upper layer of the lower part electrode 12. - 特許庁

浮上面の膨出形状を、製造ばらつきを抑えより熱効率良く制御することによって、磁気スペーシングを小さな値に抑えトレーリングエッジ付近の部分と磁気ディスク表面とのクラッシュを確実かつ安定的に回避できる発熱体を備えた薄膜磁気ヘッド、これを備えたＨＧＡ及びこのＨＧＡを備えた磁気ディスク装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film magnetic head with heater in which magnetic spacing is suppressed to a small value by controlling more thermally efficiently a swell shape of a floating plane by suppressing variation in manufacturing, crush of a part near the trailing edge and a magnetic disk surface can be prevented surely and safely, a HGA with this head, and a magnetic disk apparatus with the HGA. - 特許庁

プリントヘッドと紫外線照射ランプが被印刷基材上をスキャンし、全色インク付与に追尾して紫外線照射を行うインクジェット記録方法に適した低濃度の薄膜部分と高濃度の厚膜部分の硬化性、被印刷基材への接着性に優れた紫外線硬化型ジェットインクを提供する例文帳に追加

To provide an ultraviolet ray-curable inkjet ink which is suitable for an inkjet recording method for scanning a substrate to be printed with a print head and an ultraviolet ray-irradiating lamp, following the imparted all color inks and irradiating the inks with ultraviolet rays, and has excellent curability in low concentration thin film portions and high concentration thick film portions and excellent adhesiveness to the substrates to be printed. - 特許庁

薄膜磁気記録ヘッドの製造工程は従来と同じにしたまま、すなわち、幅狭なものの上に幅広なものを成膜するという製造工程上の問題を生じないまま、いわゆる記録磁界フリンジングによるサイドイレースを減少させ、これにより、磁気記録の高密度化を図ることを課題とする。例文帳に追加

To make the recording density higher for magnetic recording by reducing what is called side erasure caused by what is called recording magnetic field fringe effect while using the same manufacturing process of a thin film magnetic recording head as conventional one, namely, while avoiding such a problem in the manufacturing process as depositing a wide one on a narrow one. - 特許庁

高性能でＰｂを含有せず、しかもＳｉ基板上への直接的な実装を可能にして薄膜プロセスでの形成を可能にした圧電素子と、これを用いたインクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a high-performance piezoelectric element that does not contain Pb and can be directly packaged onto an Si substrate for enabling formation in a thin-film process, and to provide an ink-jet type recording head using the piezoelectric element, an ink-jet printer, a surface acoustic wave device, a frequency filter, an oscillator, an electronic circuit, and electronic equipment. - 特許庁

処理基板Ｓと処理基板Ｓに対向するターゲット６とを配置した真空チャンバー１内にスパッタガスと反応ガスとを供給する手段を備える反応性スパッタリング装置において、処理基板Ｓが大径化しても、処理基板Ｓの全域に亘り均質な化合物の薄膜を形成できるようにする。例文帳に追加

To provide a reactive sputtering apparatus in which the inside of a vacuum chamber 1 where a substrate S to be processed and a target 6 confronted with the substrate S are arranged includes a means feeding a sputtering gas and a reaction gas, the reactive sputtering apparatus forming a homogeneous compound thin film over the whole region of the substrate S even if the substrate to be processed S has a large diameter. - 特許庁