「ゲート電極間」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

ゲート電極配線11との間の容量がダミーポリシリコン半導体層25にて大きくなる。例文帳に追加

A capacity to the gate electrode wiring 11 is increased by the dummy polysilicon semiconductor layer 25. - 特許庁

このため、隣り合うフローティングゲート電極ＦＧ間の短絡を防止することができる。例文帳に追加

This can prevent short-circuiting between adjacent floating gate electrodes FG. - 特許庁

次に、ゲート電極５間を含む半導体基板１上に絶縁膜２０１を堆積する。例文帳に追加

The insulating film 201 is deposited on the semiconductor substrate 1 including the sections between the gate electrodes 5. - 特許庁

キャパシタドープ層１とゲート電極５との間でＭＯＳ容量Ｃｇが形成される。例文帳に追加

A MOS capacitor Cg is formed between the capacitor doped layer 1 and the gate electrode 5. - 特許庁

ＳＡＣ技術を行なう場合のゲート電極とコンタクト部との間でのショートを防止する。例文帳に追加

To prevent a short circuit between a gate electrode and a contact section when performing a SAC technology. - 特許庁

オーミック電極２間には、ゲートフィンガー４，５がクランク状に配置されている。例文帳に追加

Between ohmic electrodes 2, gate fingers 4 and 5 are arranged in a crank shape. - 特許庁

第１窒化膜１０３上に複数の第１ゲート電極１０４が所定の間隔で配列されている。例文帳に追加

A plurality of first gate electrodes 104 are arranged at a prescribed interval on the first nitride film 103. - 特許庁

よって、その間にゲート電極３の上面が不要にエッチングされるのを防止できる。例文帳に追加

Accordingly, the unnecessary etching of the upper surface of the electrode 3 can be prevented. - 特許庁

また、メインセル２１とダミーセル２２との間にトレンチゲート電極１８を設ける。例文帳に追加

A trench gate electrode 18 is provided between the main cell 21 and the dummy cell 22. - 特許庁

凹部１０８は、複数のゲート電極１０２の相互間の上方に位置している。例文帳に追加

The concave parts 108 is positioned over between the plurality of gate electrodes 102 with each other. - 特許庁

そして、保護ダイオードをソース電極２４とゲート配線２５の間に設ける。例文帳に追加

Then, this diode is placed between a source electrode 24 and a wiring 25. - 特許庁

メモリセル領域Ｍに複数のアシストゲート電極部２１が互いに間隔を隔てて形成される。例文帳に追加

A plurality of assist gate electrodes 21 are formed apart from one another in a memory cell region M. - 特許庁

ゲート電極と上方配線層との間に、他の外部容量素子を形成してもよい。例文帳に追加

Other external capacitor elements may by formed between the gate electrode and an upper an wiring layer. - 特許庁

複数のコントロールゲート電極間のショートが抑制された半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, in which a short circuit between a plurality of control gate electrodes is suppressed. - 特許庁

ソース５は上方から見てゲート電極１１とは間隔をもって形成されている。例文帳に追加

The source 5 is formed being spaced from the gate electrode 11 when viewed from the upper part. - 特許庁

ドレイン１７のＮ^+拡散層１７ａは、ゲート電極１２と間隔をもって配置されている。例文帳に追加

An N+ diffusion layer 17a of the drain 17 is arranged with a gap to the gate electrode 12. - 特許庁

ゲート電極膜１４と半導体ナノワイヤ１１との間には、絶縁層１５が配置されている。例文帳に追加

An insulating layer 15 is arranged between the gate electrode film 14 and the semiconductor nanowires 11. - 特許庁

トンネル絶縁膜２３は、電荷トラップ膜２２と第２ゲート電極ＣＧとの間に形成される。例文帳に追加

The tunnel insulating film 23 is formed between the charge trapping film 22 and the second gate electrode CG. - 特許庁

ドレイン領域１２１とＮ型のソース領域との間に第１のゲート電極２０が配置される。例文帳に追加

A first gate electrode 20 is disposed between the drain region 121 and the N-type source region. - 特許庁

両者の間に画定されたチャネル領域の上にゲート電極が形成されている。例文帳に追加

A gate electrode is formed on a channel region defined between them. - 特許庁

ゲート電極間短絡を確実に防止した半導体装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, together with its manufacturing method, wherein a short circuit between gate electrodes is surely prevented. - 特許庁

ゲート電極５に対面するトレンチ間領域１０の側面は｛１００｝面からなる。例文帳に追加

The side of the inter-trench area 10 facing the gate electrode 5 is formed of (100) plane. - 特許庁

そして、ゲート電極からの電界、ソース−ドレイン間の電界を緩和することができる。例文帳に追加

Consequently, electric fields from the gate electrode and the electric field between a source and a drain can be relaxed. - 特許庁

ゲート電極層４２の上には、第１層間絶縁膜３３が形成されている。例文帳に追加

On the gate electrode layer 42, a first inter-layer insulating film 33 is formed. - 特許庁

ゲート電極と遮蔽パターンとの間隔は、好ましくは約０．４μｍ未満である。例文帳に追加

The distance between the gate electrode and the shield pattern is preferably less than about 0.4 μm. - 特許庁

第１層３２は、ゲート電極３４と第２層４２の間に形成された領域３２ａを有する。例文帳に追加

The first layer 32 has a region 32a formed between the electrode 34 and the layer 42. - 特許庁

半導体装置は、複数のゲート電極層ＣＧと、層間絶縁膜とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device has a plurality of gate electrode layers CG and interlayer insulating films. - 特許庁

Ｔ字型電極を有する半導体装置において、隣接ゲート間の素子容量を低減させる。例文帳に追加

To reduce element capacitance between adjoining gates, in a semiconductor device that includes a T-type electrode. - 特許庁

また拡張部１３３と浮遊ゲート電極１２０の間にも第１絶縁膜１３２が形成されている。例文帳に追加

A first insulating film 132 is formed between the extension portion 133 and the floating gate electrode 120. - 特許庁

隣接するトランジスタのドレイン領域１１の間はゲート電極４ｃによって分離されている。例文帳に追加

A part between drain areas 11 of an adjacent transistor is separated by a gate electrode 4c. - 特許庁

すなわち、選択線１７とゲート電極１３ａの間には絶縁膜１４が形成されている。例文帳に追加

That is, an insulating film 14 is formed between the selection line 17 and the gate electrode 13a. - 特許庁

さらに、低濃度ドレイン領域とゲート電極との間をフィールド酸化膜とした。例文帳に追加

In addition, a field oxide film is formed between the low-concentration drain region and a gate electrode. - 特許庁

フローティングゲート１０の上に、層間絶縁膜１１を介して電極１３を形成する。例文帳に追加

An electrode 13 is formed on a floating gate 10 via an interlayer insulating film 11. - 特許庁

自己整合的に形成されるコンタクトとゲート電極の間の耐圧を向上させる。例文帳に追加

To improve a breakdown voltage between a contact formed in a self-alignment process and a gate electrode. - 特許庁

隣り合う浮遊ゲート電極間の電気的接続を防ぐことができるようにする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of preventing electrical connection between adjacent floating gate electrodes, and its manufacturing method. - 特許庁

また、ゲート電極１５の形成以外の溝部１３には層間絶縁膜１７が形成されている。例文帳に追加

An interlayer insulating film 17 is formed in the trench 13 except formation of the gate electrode 15. - 特許庁

絶縁層２３は、ウエル領域１９とゲート電極２１との間に設けられている。例文帳に追加

An insulating layer 23 is provided between the well region 19 and the gate electrode 21. - 特許庁

層間絶縁膜６６が第１エミッタ電極５４及び下層ゲート配線１４を覆っている。例文帳に追加

An interlayer dielectric 66 covers the first emitter electrode 54 and the lower layer gate wiring 14. - 特許庁

ＭＴＪ素子１２とビット線コンタクト１３がゲート電極を間に挟んで交互に配置されている。例文帳に追加

The MTJ element 12 and the bit line contact 13 are disposed alternately sandwiching the gate electrode. - 特許庁

ついで、エッチバックを行い、ゲート電極５の表面にのみ層間絶縁膜７を残す。例文帳に追加

Then, etch back is performed and the interlayer insulation film 7 is allowed to remain only on the surface of the gate electrode 5. - 特許庁

次に、埋め込みゲート電極間に非晶質シリコン層５５が形成される。例文帳に追加

The single-crystal silicon layer 45 is subjected to patterning to form burial gate electrodes 11, 13, 15, and 17. - 特許庁

２層目のゲート電極加工時に導電性残渣が発生し、ワード線間をショートさせる。例文帳に追加

To solve a problem that conductive residue is manufactured at the time of machining the gate electrode of second layer to cause short circuit between word lines. - 特許庁

第一の層間絶縁膜７の上面は、ゲート電極４の上面と同じ高さ位置である。例文帳に追加

The top face of the first interlayer dielectric 7 has the same elevation as that of the top face of the gate electrode 4. - 特許庁

その１つの間隙に接するように断面形状Ｔのゲート電極１５が形成されている。例文帳に追加

The gate electrode 15 whose cross-section is T-like is formed to contact to one of the gaps. - 特許庁

さらに、上記ゲート電極４を陽極酸化することにより、上記ゲート電極４と無孔質陽極酸化膜(ＭＡＯ)５との間およびゲート電極４と多孔質陽極酸化膜(ＳＡＯ)６との間にバリア型の無孔質陽極酸化膜(ＢＡＯ)７を形成する。例文帳に追加

Further, barrier type nonporous node oxidation films (BAO) 7 are formed between the electrode 4 and the film 5, and between the electrode 4 and the film 6 through anodization of the electrode 4. - 特許庁