「スレショルド」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

電圧測定中に負荷要素が不調であると、正確でない比較スレショルド電圧が決定される。例文帳に追加

When the load elements are in inferior conditions during the voltage measurement, the incorrect comparison threshold voltage is decided. - 特許庁

全てのメモリセルトランジスタのスレショルド電圧Ｖｔを電圧Ｖ０_Ｌまで降下させる（ｅ）。例文帳に追加

Threshold voltage Vt of all memory cell transistors is dropped to the voltage V0L (e). - 特許庁

輪郭形成タブ・フェルミスレショルド電界効果型トランジスタとその製造方法例文帳に追加

CONTOURED-TUB FERMI-THRESHOLD FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING SAME - 特許庁

伝送エンベロープ検出器（１１１，１３１）のスレショルド電圧調節方法が開示される。例文帳に追加

Methods of controlling threshold voltages of a transmission envelope detector (111, 131) are provided. - 特許庁

伝送エンベロープ検出器のスレショルド電圧調節方法と該方法を利用した装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS TO ADJUST THRESHOLD VOLTAGE OF TRANSMISSION ENVELOPE DETECTOR - 特許庁

伝送エンベロープ検出器のスレショルド電圧調節方法と該方法を利用した装置を提供する。例文帳に追加

To provide methods and apparatuses to adjust threshold voltages of a transmission envelope detector. - 特許庁

片道遅延時間の変動に合わせたスレショルド値の設定を可能とする。例文帳に追加

To set a threshold value in accordance with fluctuation in a one-way delay time. - 特許庁

そのため、正確でない比較スレショルドが決定されることによる不都合が生じない。例文帳に追加

Therefore, there is no inconvenience in deciding the incorrect comparison threshold. - 特許庁

サブスレショルドリーク電流と基板電流とを含むリーク電流を低減すること。例文帳に追加

To reduce a leakage current containing a sub-threshold leakage current and a substrate current. - 特許庁

高スレショルドのデバイスは、例えばテスト回路といった非コア回路にも使用され得る。例文帳に追加

The high-threshold device is also used for a non-core circuit like a test circiut. - 特許庁

この２つのトランジスタは、それぞれ異なるスレショルド電圧インプラントを有する。例文帳に追加

These two transistors comprise a distinct threshold voltage in plant, respectively. - 特許庁

高速化が必要な回路ブロックにはサブスレショルドリークを伴うＣＭＯＳ回路を用い、そのほかの回路ブロックではサブスレショルドリークの小さなＣＭＯＳ回路を用いる。例文帳に追加

The CMOS circuits accompanying a sub-threshold leakage is employed for circuit blocks needing high-speed processing and the CMOS circuits with small sub-threshold leakage are used for other circuit blocks. - 特許庁

ノイズ推定信号は、スケルチスレショルド信号を計算するために用いられ（５０）、そして、検出信号から導出される信号のパワーがスレショルドを超過するかどうかが判定される（５２）。例文帳に追加

The noise estimation signal is used for calculating a squelch threshold signal (50), and it is determined whether or not a power of a signal derived from the detection signal exceeds a threshold (52). - 特許庁

規定のスレショルドよりも高いデバイス・スレショルドが、非クリティカル・パス・マージンに基づき、非クリティカル・パスのＦＥＴのために選択される。例文帳に追加

A device threshold higher than specified is selected for an FET of the acritical path based on the acritical path mergin. - 特許庁

特定の基板上での印刷システムの過剰なインク被覆に対するスレショルドを決定するため、にじみ、しわ、透き通し及びイメージ濃度に対する容認できるスレショルドの主観的な評価を行う。例文帳に追加

In order to determine a threshold for excessive ink coverage of the printing system on a specified substrate, a subjective evaluation of acceptable threshold for bleed, cockle, show through, and image density is executed. - 特許庁

ゲート管理部３４は、スレショルド記憶部３５に記憶されているスレショルドの値以上に、エンベロープ信号がなった場合、ゲートがオンの状態であることを示す信号をタイミング発生部３６に出力する。例文帳に追加

When the envelope signal becomes equal to or greater than a threshold stored in a threshold storage part 35, a gate management part 34 outputs a signal showing that a gate is in an on state to a timing generation part 36. - 特許庁

インバータINVA1、INVB1はスレショルドレベルが異なるインバータであり、インバータ２２の出力を反転して出力する。例文帳に追加

Inverters INVA1, INVB1 having difference threshold level inverts the output of an inverter 22 to output it. - 特許庁

電圧ＶｒｔｍｉｎＬは，最小読み出し電圧Ｖｒｔｍｉｎよりも低く，イニシャルスレショルド電圧Ｖｔｉｎｔよりも高い電圧である。例文帳に追加

The voltage VrtminL is lower than the minimum read-out voltage Vrtmin, and higher than an initial threshold voltage Vtint. - 特許庁

リンク切断タイマー１６０が経路スレショルドを超えると、経路制御部１２０は経路の再探索を指示する。例文帳に追加

If the link disconnection timer 160 exceeds a route threshold, a route control unit 120 instructs research of a route. - 特許庁

高い電子移動度、低いスレショルド電圧および漏れ電流が少ないなどの特性を有するＴＦＴの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the method of manufacturing a TFT having characteristics, such as high electron mobility, low threshold voltage, and little leakage current. - 特許庁

ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１１は、ＮＭＯＳトランジスタＭＮのスレショルド電圧の温度変化を補償する。例文帳に追加

A PMOS transistor MP11 compensates the temperature change of the threshold voltage of the NMOS transistors MN. - 特許庁

そして、その電圧がインバータＩ２のスレショルドレベルを越えると、インバータＩ２の出力が”Ｌ”となり、リセット信号として出力される。例文帳に追加

When that voltage exceeds the threshold level of the inverter I2, the output from the inverter I2 goes to 'L' and is output as a reset signal. - 特許庁

励磁周波数ω_ｒが設定値より大きいときにはスレショルドレベルＬ_ｔを一定値Ｌ_１とする(Ｓ４)。例文帳に追加

When the energizing frequency ω_ris larger than the predetermined value, on the other hand, the threshold L_t is set at a constant value L_1 (S4). - 特許庁

全てのメモリセルに対してデータ書き込み動作を実施することによってスレショルド電圧Ｖｔが一定レベルに揃う（ｄ）。例文帳に追加

The threshold voltage Vt is uniformed at a fixed level by performing data write-in operation for all memory cells (d). - 特許庁

期間Ｔ_R1及びＴ_R3では、リセット用ＭＯＳトランジスタにサブスレショルド電流によるソフトリセット動作を行わせる。例文帳に追加

During the periods T_R1 and T_R3, a reset MOS transistor performs soft reset operation with a sub-threshold current. - 特許庁

アフタタッチセンサ９からのアフタタッチ信号を、Ａ／Ｄ変換回路１０を経てＡＮＤゲート１２とスレショルド回路１１に入力する。例文帳に追加

The after-touch signal from an after-touch sensor 9 is inputted to an AND gate 12 and a threshold circuit 11 via an A/D conversion circuit 10. - 特許庁

高スレショルドのデバイスは、厚くしたゲート酸化膜または高ｋ誘電体ゲート酸化膜を有する。例文帳に追加

The high threshold device has a thick-formed gate oxide film or a high-k dielectric gate oxide film. - 特許庁

ＰＷＭ周波数が１２ｋＨｚの状態で、モータ電流値がスレショルドレベルＬ_ｔを越えると６ｋＨｚに切り替える(Ｓ６，Ｓ９)。例文帳に追加

If a motor current exceeds the threshold level L_t at the PWM frequency of 12 kHz, it is switched to 6kHz (S6, S9). - 特許庁

スレショルド電圧の変動を検出して、自ら補償できる有機電界発光表示装置の画素回路及びその駆動方法を提供する。例文帳に追加

To provide a pixel circuit of an organic electroluminescence display device that can detect variation in a threshold voltage and compensate itself, and its driving method. - 特許庁

電流調整器が導通するときには、出力トランジスタの制御ノードが、そのターンオン・スレショルドに近い電位にクランプされる。例文帳に追加

When the current regulator is conducted, the control node of the output transistor is clamped to a potential close to the turning-on threshold of the node. - 特許庁

スレショルドを超過する場合、検出信号が、スイッチからなるシグナル・コンディショナ５４を通して出力経路５６に出力される。例文帳に追加

When exceeding the threshold, the detection signal is output to an output path 56 through a signal conditioner 54 consisting of a switch. - 特許庁

タグの使用回数を計算し、所定のスレショルド値と比較して、二つのタグ計数表を形成する。例文帳に追加

A count of each tag used is calculated and compared with a predefined threshold value to generate two tag count tables. - 特許庁

アラーム発生装置３では、Ｆ（ｄ，Ｔ）＝ｐとなるｄを、スレショルド関数ｈ（ｔ）として求める。例文帳に追加

In the alarm generation device 3, (d) with which a condition of F(d, t)=p is set up is found as a threshold function h(t). - 特許庁

不揮発性メモリセルは第１ないし第４スレショルド電圧状態のいずれか一つの状態にプログラム可能であり、第１、第２、第３および第４スレショルド電圧状態は、第１および第２ビットによって定義される四つの相違したデータ値に対応する。例文帳に追加

A nonvolatile memory cell is programmable to one of the first to the fourth threshold voltage states, and the first, second, third and fourth threshold voltage states correspond to four different data values defined by the first and second bits. - 特許庁

本発明による発振器周波数制御装置（４０）は、局部発振器を、受信周波数がスレショルド周波数よりも高いときには受信周波数よりも低い周波数に、受信周波数がスレショルド周波数よりも低いときには受信周波数よりも高い周波数に同調させる。例文帳に追加

An oscillator frequency controller 40 tunes a frequency lower than the reception frequency when the reception frequency is higher than a threshold frequency and tunes a frequency higher than the reception frequency when the reception frequency is lower than the threshold frequency. - 特許庁

負荷回路に属するＰトランジスタのスレショルド電圧が製造ばらつき等によって設計値に比して高くなった場合，第１定電流源回路１３１に備えられたＰトランジスタＭＰ１のスレショルド電圧Ｖｔ_ＭＰ１も高くなるため，調整電圧Ｖｒｅｇは自動的に上昇する。例文帳に追加

When the threshold voltage of the P transistor belonging to the load circuit is higher than a design value due to manufacturing dispersion, etc., a regulation voltage Vreg automatically goes up because the threshold voltage VtMP1 of the P transistor MP1 provided in the source circuit 131 also goes up. - 特許庁

また、入力回路はスレショルドレベルの異なるインバータ回路３４〜３６と、ＡＮＤ回路４４〜４６とからなる切替回路４２を分周器３の前に備え、制御入力端子Ｓ１〜Ｓ３によってスレショルドレベルを選択できるようにした。例文帳に追加

Further, an input circuit is provided with a changeover circuit 42, comprising inverter circuits 34 to 36 having different threshold levels, and AND circuits 44 to 46 and installed at a pre-stage of a frequency divider 3 and control input terminals S1 to S3 permit selection of a threshold level. - 特許庁

そのスレショルド電圧Ｖthが外部の基準電圧ＶRに一致するように、ダミーインバータ３２およびインバータ３１をそれぞれ構成するＭＯＳトランジスタＱ３，Ｑ４のバックゲート電圧を制御することにより、インバータ３１のスレショルド電圧Ｖthを制御する。例文帳に追加

By controlling a back gate voltage of MOS transistors(TRs) Q3, Q4 of the dummy inverter 32 and the inverter 31 receiver so that the threshold voltage Vth is coincident with an external reference voltage VR. the threshold voltage Vth of the inverter 31 is controlled. - 特許庁

前端セルからの相補的な入力ＡＦ、ＡＴ及びＢＦ、ＢＴが印加され、論理回路を構成するトランジスタは、サブスレショルドの範囲で動作する高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）で構成され、かつカレントモード論理を構成し、サブスレショルドのＨＥＭＴ ＣＭＬ（ＳＨＣＭＬ）を形成する。例文帳に追加

A transistor to which complemetary input voltages AF, AT and BF, BT from a front-end cell are input and which constitutes the logic circuit is constituted of the HEMT which is operated in the range of the subthreshold, the current mode logic is constituted, and a subthreshold HEMT CML(SHCML) device is formed. - 特許庁

本方法は、ある期間にわたり変調器に入射する光のピークレベルを決定し、そのピークレベルの部分に等しいスレショルドレベルをセットし、変調器に入射する光の現在のレベルをモニタし、光の現在のレベルとスレショルドレベルとを比較し、その比較に基づき変調器を使用禁止にする。例文帳に追加

This method decides the peak level of a light incident on a modulator for an certain period and sets a threshold level equal to the part of the peak level and monitors the present level of the light incident on the modulator and compares the present level of the light with the threshold level and makes the modulator to be in a disable state based on the comparison. - 特許庁

フェルミスレショルド電界効果型トランジスタは、ソース領域、ドレイン領域、そしてチャネル領域と同一の導電度型にある輪郭形成タブ領域を含む。例文帳に追加

The Fermi-threshold field effect transistor includes a contoured-tub region of the same conductivity type as the source, drain and channel regions. - 特許庁

スレショルド電圧調節用ドーパントとゲート電極形成用ドーパントが一時的に強化されて拡散する現象が最小化できる半導体素子のＰＭＯＳトランジスター製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a PMOS transistor of a semiconductor element which can minimize a phenomenon where dopant for controlling the threshold voltage and dopant for forming the gate electrode are temporarily reinforced and are diffused. - 特許庁

全てのメモリセルトランジスタのスレショルド電圧Ｖｔを，データ書き込み状態に対応する電圧範囲のなかで最も高い電圧Ｖ１_Ｈまで上昇させる（ｂ）。例文帳に追加

Threshold voltage Vt of all memory cell transistors is boosted to the highest voltage V1H in a voltage range corresponding to a data write-in state (b). - 特許庁

コンパレータ回路１０２は、アンプ回路１０５からの増幅アナログ検知信号１１２の電圧とスレショルド電圧とを比較して、その結果をデジタル検知信号１１３として出力する。例文帳に追加

A comparator circuit 102 is configured to compare the amplified analog detection signal 112 output by the amplifier circuit 105 with a threshold voltage and to output its result as a digital detection signal 113. - 特許庁

本発明の実施例による方法によれば、スレショルド電圧を決定するための特性値は、負荷回路が動作を始める前に不揮発性メモリに記憶される。例文帳に追加

According to the embodiment of the invention, the characteristic value for deciding the threshold voltage is stored in the volatile memory before starting the action of the load circuit. - 特許庁