「スレショルド」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

次いで、求めたサイン曲線のピーク・ピーク値を求め、そのピーク・ピーク値と予め設定されているスレショルド値とを比較することによって光ディスクの面振れの有無を検出する。例文帳に追加

Then, the peak-to-peak value of the obtained sine curve is obtained, and the peak-to-peak value is compared with a preset threshold value to detect the presence of the surface wobbling of the optical disk. - 特許庁

点灯中に再び被写体輝度を測光し、その測光値と最初の測光値との差が予め決められたスレショルド値よりも大きい場合にレンズカバー１２が正常に開いていないと判断する。例文帳に追加

The object luminance is measured again in the midst of lighting, and in the case a difference between the photometric value and the first photometric value is larger than a prescribed threshold, it is determined that the lens cover 12 is not regularly open. - 特許庁

比較的低いターンオン・スレショルドと比較的低い漏れ電流特性とを有する改良されたショットキ・ダイオード構造をコストを上昇させずに提供すること。例文帳に追加

To provide an improved Schottky diode structure with no increased cost, which comprises a relatively low turn-on threshold and relatively low leakage current characteristics. - 特許庁

この定電流Ｉ_１の値は，ＰトランジスタＭＰ１のスレショルド電圧Ｖｔ_ＭＰ１に比例し，抵抗Ｒｃの抵抗値Ｒ_Ｒｃに反比例する。例文帳に追加

The value of the constant current I1 is in proportion to the threshold voltage VtMP1 of the P transistor MP1 and is in inverse proportion to the resistance value RRc of the resistance Rc. - 特許庁

こうして、サブスレショルド電流以下の微小リーク電流が流れる場合でも、ソースと基板との間の電位差が大きくなりすぎて、内部電圧が下がりすぎるといった不具合を改善することが可能な構成となっている。例文帳に追加

Thereby, even if a fine leak current less than sub-threshold current flows, such a discrepancy that the internal voltage becomes too low because a potential difference between the source and substrate becomes too large can be improved. - 特許庁

ワードラインデコーダは、不揮発性メモリ装置の駆動電圧が低くなりつつ発生する漏れ電流問題を防止するために、デプレショントランジスタのスレショルド電圧を下げた。例文帳に追加

A wordline decoder reduces threshold voltage of a depression transistor in order to prevent a leakage current problem that occurs while a drive voltage of the non-volatile memory device drops. - 特許庁

チップ面積を増大させずにサブ−スレショルド漏泄電流による電力消耗を効率的に減らし得る低電圧ダイナミックロジックの電力消耗抑制回路を提供する。例文帳に追加

To provide a power consumption suppression circuit for low voltage dynamic logic that can efficiently reduce power consumption due to a sub- threshold leakage current without increasing the chip area. - 特許庁

２次元チャネルプロファイル抽出段階１４０では，スレショルド電圧Ｖｔｈのゲート長Ｌｇ依存性から，２次元チャネルプロファイルが抽出される。例文帳に追加

In the two-dimensional channel profile extracting step 140, a two-dimensional profile is extracted from the gate length Lg dependency of a threshold voltage Vth. - 特許庁

そして、入射光量が０になると、ＰＤが蓄積する電荷量は、Ｑ１のサブスレショルドレベルよりも下回らないため、ある一定の電荷量ｙに近づいていく。例文帳に追加

When the quantity of the incident light becomes 0, the amount of electric charge stored in the PD does not decrease below a sub-threshold level of the Q1, so it approximates a certain electric charge amount (y). - 特許庁

第１のリセット期間Ｔ_Ｒ１及び第３のリセット期間Ｔ_Ｒ３では、リセット用ＭＯＳトランジスタにサブスレショルド電流によるソフトリセット動作を行わせる。例文帳に追加

In the first resetting period T_R1 and the third resetting period T_R3, a MOS transistor for resetting performs a soft resetting operation with a sub threshold current. - 特許庁

低スレショルド検出器103で検出した目標の距離及び方位角を、距離計算器104及び方位角計算器105で計算し、更に座標変換器106でX-Y座標系に変換する。例文帳に追加

A distance and an azimuth of the target detected by a low threshold detector 103 are calculated by a distance calculator 104 and an azimuth calculator 105, and are converted further into an X-Y coordinate system by a coordinate converter 106. - 特許庁

更に、前記２種類のしきい値のＭＯＳトランジスタのうち絶対値の小さなしきい値電圧のＭＯＳトランジスタはゲート・ソース間電圧を０Ｖとしたときにサブスレショルド電流の流れる特性を持つものとする。例文帳に追加

The MOS transistor, with the threshold voltage whose absolute value is small between the MOS transistors with two types of thresholds further, has a characteristic that a subthreshold current is made to flow, when voltage between the gate and the source is set to 0 V. - 特許庁

トレンチゲート型トランジスタのサブスレショルド特性の向上を図りつつ、ゲートトレンチの幅が縮小された高性能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device enhanced in a subthreshold characteristic of a trench gate type transistor and reduced in the width of a gate trench with high performance. - 特許庁

一方、入出力セル用電源ＶＤＤｃｅｌの電圧レベルが低電圧のとき、抵抗分割回路５０におけるノードＮ１１の電圧レベルは、インバータ回路６０のスレショルド電圧より低く（Ｌレベル）なる。例文帳に追加

Meanwhile, when the voltage level of the power source VDDcel for an input-output cell is at low voltage, the voltage level of the node N11 in the resistance divider circuit 50 becomes lower (L level) than the threshold voltage of the inverter circuit 60. - 特許庁

データ消去動作終了時，各メモリセルのトランジスタのスレショルド電圧をばらつきなく所定の値に調整することが可能な不揮発性半導体記憶装置のデータ消去方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for erasing data of a semiconductor storage device in which threshold voltage of transistors of each memory cell can be adjusted to the prescribed value without dispersion at the time of finish of data erasion operation. - 特許庁

メモリアレイ３３の遮光と画像センサの幾つかの特徴とにより、光パイピング、光により増加するサブスレショルド電流、及び基体における光電荷の影響をさせることにより、メモリセルの保持時間が長くなる。例文帳に追加

Light piping is lengthened by shading of memory array 33 and several characteristics of the image sensor, holding time of memory cell being lengthened under the effect of sub threshold current that increases according to light and photocharge in the substrate. - 特許庁

不安定なスレショルド電圧を有したメモリセルが多く存在するページを検出する不安定メモリセル散布を検出するメモリ・システム及びその検出方法を提供する。例文帳に追加

To provide a memory system and method of detecting distribution of unstable memory cells, which detects a page including many memory cells having unstable threshold voltages. - 特許庁

トランジスタのスレショルド電圧やキャリア移動度にばらつきがあってもデータ線を短時間に充電することができる発光表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a light-emitting display device capable of rapidly charging a data line, even if there is variations in the threshold voltage and carrier mobility of a transistor. - 特許庁

ＳＲＣカウンタ５４の値とＡＳＣカウンタ５５の値との合計がスレショルド値ＤＰＷ以上になったら、トリガ信号をスロット管理部５１に送り、スロットの割り当てを行う。例文帳に追加

When the total of the value of the SRC counter 54 and the value of the ASC counter 55 is a threshold value DPW or more, a trigger signal is sent to a slot control part 51 and slots are allocated. - 特許庁

リーケージを低減するために高スレショルドのアレイ・デバイスおよび選択された他のデバイスを備えた、スタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）といったアレイを含み得る集積回路。例文帳に追加

The integrated circuit capable of including such an array as static RAM (SRAM) provided with a high threshold array device for reducing leakage and other selected devices is provided. - 特許庁

また、加速度検出手段より加速度検出値αｆを読み取り（ａ７）、該加速度検出値αｆがスレショルド値αｓ以上のとき（ａ８）、異常信号を出力し、アラーム表示、機械動作停止等を行う。例文帳に追加

An acceleration detection value αf is read by the acceleration detecting means (a7), an abnormal signal is output when the acceleration detection value αf comes to a threshold value αs or more (a8), alarm display is stopped, and a machine or the like is stopped not to be operated. - 特許庁

トランジスタのゲート電位をスレショルド電位未満に維持するための構成を備えるスイッチング回路において、ゲート電位の立ち上がりの遅延を抑制すること等。例文帳に追加

To minimize delay of rising of gate voltage potential in a switching circuit having circuitry for maintaining the gate voltage potential of a transistor below a threshold potential. - 特許庁

逆起電圧が発光ダイオードのスレショルド電圧以下に低下すると、コイルＬとコンデンサＣが共振し、トランジスタのコレクタ電位がゼロ電位に近いところでトランジスタがオンとなるように制御されている。例文帳に追加

When the counter electromotive force reaches a threshold voltage of the light emission diodes or below, the coil L and a capacitor C are resonated to control the TR so as to be turned on when a collector level of the TR is close to a zero level. - 特許庁

入出力セル用電源ＶＤＤｃｅｌの電圧レベルが高電圧のとき、抵抗分割回路５０におけるノードＮ１１の電圧レベルは、インバータ回路６０のスレショルド電圧より高く（Ｈレベル）なる。例文帳に追加

When the voltage level of the power source VDDcel for an input-output cell is at high voltage, the voltage level of a node N11 in a resistance divider circuit 50 becomes higher (H level) than the threshold voltage of an inverter circuit 60. - 特許庁

ＰＷＭ周波数が６ｋＨｚの状態において、スレショルドレベルＬ_ｔから設定ヒステリシスの量Ｌ_ｈを減算した値を越えて小さくなると、ＰＷＭ周波数を１２ｋＨｚに切り替える(Ｓ８，Ｓ７)。例文帳に追加

If the motor current exceeds a value obtained by subtracting a preset hysteresis level L_h from the threshold level L_t and becomes smaller at the PWM frequency of 12 kHz, the PWM frequency is switched to 12 kHz (S8, S7). - 特許庁

インバータ１６はローパスフィルタ１３の出力がスレショルドレベルより大か小かに応じてハイレベルまたはローレベルの信号を出力する。例文帳に追加

An inverter 16 outputs a signal of a high level or a low level in accordance with whether an output of the low-pass filter 13 is higher or lower than a threshold level. - 特許庁

ゲート電極によって自己整列されるセルフアラインコンタクトプラグを備えた半導体メモリ素子の製造工程において、トランジスタのスレショルド電圧を調節するためのチャンネルイオン注入工程を含む製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method including a channel ion implantation process for regulating a threshold voltage of a transistor in a manufacturing process of a semiconductor memory element comprising a self-aligned contact plug self-aligned by a gate electrode. - 特許庁

経路再探索によってもリンク切断状態が解消されずにリンク切断タイマー１６０が方式スレショルドを超えると、リンク制御部１５０は通信範囲を伸ばすために伝送レートを低下させるよう無線伝送方式を切り替える。例文帳に追加

If the link disconnection is not dissolved even by the route research and the link disconnection timer 160 exceeds a system threshold, a link control unit 150 switches a radio transmission system so that a transmission rate is decreased to expand a communication range. - 特許庁

入力信号を分解した後のウェーブレット展開係数ｗに、検出すべき所望信号と、不要なノイズおよびクラッタ成分とが含まれることに着目し、ウェーブレット展開係数ｗの軸上でスレショルドによる２値判定を実施することで、所望信号を検出する。例文帳に追加

Noting that a wavelet expansion coefficient w after decomposition of an input signal includes a desired signal to be detected, unnecessary noise, and a clutter component, binary determination by a threshold is performed on the axis of the wavelet expansion coefficient w, thereby detecting the desired signal. - 特許庁

ビット信号が「０」のとき、光学的インバータ３８、６４を介して、最大強度から対応するスレショルド値を減算した強度のビームを加算器４４、７０に入力して、入力ビーム１２、４６に重畳し、次のステージに入力信号として供給する。例文帳に追加

When the bit signals are '0', the stages input beams having the intensity in which corresponding thresholds are subtracted from the maximum intensity to adders 44, 70 via optical inverters 38, 64 and supperpose them on input beams 12, 46 to supply the superposed beams to next stages as input signals. - 特許庁

スレショルドレベル変更手段には、ＣＭＯＳインバータ回路のＰチャネルまたはＮチャネルの一方を複数並列接続したもの、複数直列接続したもの、双方のゲート長・ゲート幅に差異を設けたもの、比較回路を用いたもの等を使用する。例文帳に追加

The threshold level change means employs a CMOS inverter circuit, comprising P-channel or N-channel field effect transistors connected in parallel or series, or whose gate length or gate width are differentiated or employs a comparator circuit or other configurations. - 特許庁

ソース／ドレーン領域の不純物活性化工程が省略できるので素子のスレショルド電圧変動を防止でき、固体状態で不純物を拡散させるために基板の決定欠陥が発生せず、よって接合を通じた漏れ電流を減らせる。例文帳に追加

The threshold voltage of the element is prevented from varying since an impurity activating process for the source/drain area can be omitted, and no determination defect of the substrate is generated since the impurities are diffused in a solid state, so that a leak current flowing through a joint can be reduced. - 特許庁

インクジェット画像形成装置のノズルのうち、欠陥ノズルを検出する段階１１００と、検出された欠陥ノズルにより印刷される補償位置に隣接した印刷位置のディザリングスレショルドを増加させる段階１１１０と、を含むインクジェット画像形成装置の欠陥ノズル補償方法。例文帳に追加

The method for compensating for malfunctioning nozzle of inkjet image forming apparatus comprises a step 1100 for detecting a malfunctioning nozzle among nozzles installed in an inkjet image forming apparatus and a step 1110 for increasing a dithering threshold of an adjacent print position to a compensation position printed by the detected malfunctioning nozzle. - 特許庁

下部電極と、下部電極上に形成されて２種以上の抵抗パターンを示す第１抵抗層と、第１抵抗層上に形成され、スレショルドスイッチング特性を持つ第２抵抗層と、第２抵抗層上に形成された上部電極と、を備える二種の抵抗体を含む不揮発性メモリ素子。例文帳に追加

The nonvolatile semiconductor memory device including two kinds of resistors comprises a lower electrode, a first resistance layer exhibiting at least two resistance patterns formed on the lower electrode, a second resistance layer having threshold switching characteristics formed on the first resistance layer, and an upper electrode formed on the second resistance layer. - 特許庁

ＭＴＩ（１１）後、ＳＴＦＴ（１２）を実施して時間周波数軸に変換した後、ＣＦＡＲ（１３）をかけて、最大値を検出（１４）し、その回りのＭセル（Ｇp ×Ｇq ）のうち、Ｎセルがスレショルド（１５１〜１５ｎ）を越えた場合に、目標として検出をあげる。例文帳に追加

After MT1 (11), and after executing STFT (12) and converting into the time-frequency bases, CFAR (13) is multiplied to detect the maximum value (14); and when N-cell exceeds a threshold (151-15n) among M-cells (Gp×Gq) around it, detection as a target cited. - 特許庁

ダミーインバータ３２に制御回路３３からＶth検出用入力電圧Ｖin'を入力させ、ダミーインバータ３２から出力されるＶth検出用出力電圧Ｖout'を制御回路３３に入力させて、ダミーインバータ３２のスレショルド電圧Ｖthを検出する。例文帳に追加

A control circuit 33 gives an input voltage Vin' for Vth detection to the dummy inverter 32 and an output voltage Vout' for Vth detection outputted from the dummy inverter 32 is given to the control circuit 33 to detect a threshold voltage Vth of the dummy inverter 32. - 特許庁

励磁周波数ω_ｒがパワースイッチング素子の熱的な時定数によって決まる設定値より小さいときには、励磁周波数ω_ｒに応じてＰＷＭ周波数を切り替えるための電流値に対するスレショルドレベルＬ_ｔを求める(Ｓ３)。例文帳に追加

When energizing frequency ω_r is smaller than a predetermined value depending upon the thermal time constant of a power switching element, a threshold level L_t relative to a current value for switching a PWM frequency corresponding to the energizing frequency ω_r is determined (S3). - 特許庁

制御回路１２は、スレショルド電圧２１すなわちＶＴＨＲＥＳＨＯＬＤと、電源１８に関連した電源電圧１９すなわちＶＳＯＵＲＣＥと、を受け、ＶＳＯＵＲＣＥとＶＴＨＲＥＳＨＯＬＤとに応答して制御電圧２４を発生する。例文帳に追加

The control circuit 12 receives a threshold voltage 21, i.e., VTHRESHOLD and a source voltage 19 related to the power source 18, i.e., VSOURCE and generates a control voltage 24 in response to the VSOURCE and VTHRESHOLD. - 特許庁

該電流が更に上昇して第２のスレショルド値に達したことを検出すると停止信号Ｓ２を出力し、フォトトランジスタＰＴをオンさせてトランジスタＴをオフし、リレーＲ１、Ｒ２を消勢し、ドリルモータ、送りモータの駆動を停止する。例文帳に追加

When it detects that the current further rises and reaches a second threshold value, the control circuit outputs a stop signal S2, turns on a phototransistor PT, turns off a transistor T, de-energizes relays Ra and R2, and stops the driving to the drill motor and the feed motor. - 特許庁

ＩＣ制御回路７１は、ドリルモータ３０の負荷電流Ｉｄが第１のスレショルド値に達したことを検出すると制御信号Ｓ１の出力を停止し、電子スイッチ５３をオフにして送りモータ４０の駆動を一時停止する。例文帳に追加

An IC control circuit 71 stops the output of a control signal S1, when detecting that an overload current Id of a drill motor 30 reaches a first threshold value, and turns off an electronic switch 53 to temporarily stop the driving to a feed motor 40. - 特許庁

モードセレクタ１６は、入力信号が２つのスレショルドレベルＴ_L1、Ｔ_L2よりも低い場合は線形モードで、高い場合は極性モードで、中間の場合はエンベロープ追跡モードで動作するよう、増幅器２２のモードを制御する。例文帳に追加

A mode selector 16 controls the mode of an amplifier 22 so as to be operative in the linear mode when the level of an input signal is lower than two threshold levels T_L1, T_L2, in the polar mode when the level of the input signal is higher, and in the envelope tracking mode when the level of the input signal is intermediate. - 特許庁

表面アノードとエピタキシャル層の内部のカソード部との間にあるバリア修正層（２０）を、ダイオード接合シリサイドがＴｉを用いて形成されているかＰｔを用いて形成されているかに応じて、ショットキ・ダイオードのスレショルド・ターンオン電位を低下又は上昇させるように設計する。例文帳に追加

A barrier correction layer 20 between a surface anode and the cathode part which is inside an epitaxial layer is formed so as to lower or raise the threshold turn-on electric potential of a Schottky diode depending on whether a diode junction silicide is formed of Ti or Pt. - 特許庁

フッ素含有のシラン系化合物を用いて有機薄膜トランジスタの電荷移動度およびヒステリシスを改善させ、スレショルド電圧および電荷移動度などの物性を向上させて液晶ディスプレイ、光電変換素子などの各種電子素子の製造に有用に活用することが可能な有機薄膜トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide an organic thin film transistor for improving charge mobility and hysteresis of the organic thin film transistor using a fluorine-containing silane-based compound to enhance physical properties such as a threshold voltage and the charge mobility, thereby allowing useful application for production of various electronic devices such as a liquid crystal display and a photoelectric conversion element. - 特許庁

ＯＲゲート３６は、該パルス信号及びエンジン速度感知回路３２からのエンジン速度が所定のスレショルド以上であることを表す信号との論理和信号をＡＮＤゲート２８に供給し、ＡＮＤゲートは、該論理和信号と中断信号との論理積をとってイグニション・キル信号として出力し、エンジンのイグニションを中断する。例文帳に追加

The OR gate 36 supplies a logical OR signal of the pulse signal and a signal representing that an engine speed from an engine speed sensing circuit 32 is over a preset threshold value to the AND gate 28 and the AND gate makes a logical product of the logical OR signal and the interruption signal and outputs it as an ignition key signal to interrupt the ignition of an engine. - 特許庁

このように半導体装置のソースとドレーンジャンクションとの間に遮断用絶縁膜が配置されて、ジャンクション拡張によるバルク領域でのジャンクション相互間のショート現象が防止でき、スレショルド電圧の安定性と漏れ電流の減少などの半導体装置の電気的な特性が改善される。例文帳に追加

The blocking insulation film is arranged between the source and drain junctions to prevent the phenomenon of short circuits, which are due to junction extension between the junctions in the bulk region, thereby providing better electrical characteristics of the semiconductor device, such as stabilized threshold voltage and reduced leakage current. - 特許庁