「チョクラルスキー」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

蒸気制御されたチョクラルスキー（ＶＣＺ）単結晶成長装置例文帳に追加

VAPOR CONTROLLED CZOCHRALSKI(VCZ) SINGLE CRYSTAL GROWING APPARATUS - 特許庁

るつぼは、チョクラルスキー工程の間、減少した気泡成長を示す。例文帳に追加

The crucible demonstrates reduced bubble growth during a Czochralski process. - 特許庁

非酸素析出性のチョクラルスキーシリコンウエハの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF NON-OXYGEN PRECIPITATING CZOCHRALSKI SILICON WAFERS - 特許庁

チョクラルスキー法による原料供給装置および原料供給方法例文帳に追加

APPARATUS AND METHOD FOR SUPPLYING RAW MATERIAL IN CZOCHRALSKI METHOD - 特許庁

チョクラルスキー法育成のシリコン単結晶中の窒素濃度の測定方法例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING NITROGEN CONCENTRATION IN SILICON SINGLE CRYSTAL REARED BY CZOCHRALSKI METHOD - 特許庁

チョクラルスキー法育成シリコン単結晶中の窒素濃度の測定方法例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING NITROGEN CONCENTRATION IN SILICON SINGLE CRYSTAL GROWN BY CZOCHRALSKI METHOD - 特許庁

単結晶の製造装置１０は、チョクラルスキー法による単結晶の製造装置である。例文帳に追加

The apparatus 10 for producing the single crystal is the single crystal producing apparatus by Czochralski method. - 特許庁

その放射線用コリメーターは、マイクロ引き下げ法やチョクラルスキー法によって作製される。例文帳に追加

The collimator for radiation is manufactured by a micro pull-down method and a Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキーシリコン結晶成長法において、装入物補充ロッドを効率的に利用する。例文帳に追加

To effectively utilize a charge replenishment rod in a Czochralski silicon crystal growing process. - 特許庁

液体封止チョクラルスキー法を用いて、高品質な単結晶を容易に得る。例文帳に追加

To easily produce a high quality single crystal by using a liquid sealed Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー結晶成長装置およびこれを利用した塩廃棄物の精製方法例文帳に追加

CZOCHRALSKI APPARATUS FOR GROWING CRYSTAL AND PURIFICATION METHOD OF WASTE SALT USING THE SAME - 特許庁

前記単結晶はチョクラルスキー法やブリッジマン法により成長される。例文帳に追加

The single crystal is grown by the Czochralski method or the Bridgman method. - 特許庁

チョクラルスキー法による無転位単結晶シリコンの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a dislocation-free single-crystal silicon by the Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の高速育成を可能にする。例文帳に追加

To enable the high-speed growth of a silicon single crystal by Czochralski method and also to improve its yield in the high-speed growth thereof. - 特許庁

チョクラルスキー法による単結晶シリコンの引上げ条件の設定方法及び該引上げ条件の設定方法を備えるチョクラルスキー法による単結晶シリコンの引上げ装置例文帳に追加

METHOD OF SETTING CONDITIONS FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL BY CZOCHRALSKI PROCESS, AND DEVICE FOR PULLING UP SINGLE CRYSTAL SILICON EQUIPPED WITH THE METHOD OF THE CZOCHRALSKI PROCESS - 特許庁

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶製造工程の管理方法及びチョクラルスキー法による高抵抗シリコン単結晶の製造方法並びにシリコン単結晶例文帳に追加

CONTROL METHOD FOR MANUFACTURING PROCESS OF SILICON SINGLE CRYSTAL BY CZOCHRALSKI METHOD, MANUFACTURING METHOD FOR HIGH RESISTANCE-SILICON SINGLE CRYSTAL BY CZOCHRALSKI METHOD, AND SILICON SINGLE CRYSTAL - 特許庁

チョクラルスキー法を用いた半導体単結晶製造方法、この方法により製造された半導体単結晶インゴット及びウエハー例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL USING CZOCHRALSKI METHOD, AND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL INGOT AND WAFER PRODUCED BY THE METHOD - 特許庁

シリコンから成る単結晶をチョクラルスキー法により引き出し、処理を施して半導体ウェハを形成する。例文帳に追加

A single crystal made from silicon is formed by Czochralski method and treated to fabricate a semiconductor wafer. - 特許庁

制御された欠陥分布をもつシリコンウェーハ、その製造方法及び単結晶シリコンインゴットを製造するためのチョクラルスキープーラ例文帳に追加

SILICON WAFER HAVING CONTROLLED DEFECT DISTRIBUTION, ITS MANUFACTURING METHOD AND CZOCHRALSKI PULLER FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT - 特許庁

または、封止剤であるＢ_2Ｏ_3に酸化インジウムおよび／または酸化リンを添加し、液体封止チョクラルスキー法でＩｎＰ単結晶を育成する。例文帳に追加

Or, indium oxide and/or phosphorus oxide is added to B2O3 as a sealing agent and the InP single crystal is grown by the liquid encapsulating Czochralski method. - 特許庁

シリコン粉が原料の融液から、チョクラルスキー法により多結晶シリコンインゴットを引き上げる前に融液を沸騰させる。例文帳に追加

A melt prepared from silicon powder as raw material is boiled before pulling out a polycrystalline silicon ingot from the melt by the Czochralski method. - 特許庁

前記精製原料を溶融して、再度チョクラルスキー法による引き上げを行い、高純度のシリコン単結晶を育成できる。例文帳に追加

A high purity silicon single crystal can be grown by melting the purification source material and pulling again by the Czochralski method. - 特許庁

磁場を印加するチョクラルスキー法において、高品質の単結晶を生産性良く製造する方法を提供する。例文帳に追加

To manufacture a high quality single crystal with high productivity in a Czochralski method applying a magnetic field. - 特許庁

複数段のヒータを用いたチョクラルスキー単結晶製造装置において、結晶直径の制御性を改善する。例文帳に追加

To improve controllability of a crystal diameter in a Czochralski apparatus for producing a single crystal using a plurality of stages of heaters. - 特許庁

チョクラルスキー法によりルツボ１０内の融液１５から単結晶１６を引上げる単結晶の製造方法である。例文帳に追加

In the method of producing single crystals, single crystals 16 are taken-up from a melt 15 in a crucible 10 by a Czochralski method. - 特許庁

この製造用原料１は，そのまま加熱溶融し，チョクラルスキー法などによってＧａＡｓ結晶を製造することができる。例文帳に追加

The raw material 1 for production is directly heat-melted and crystal is grown according to Czochralski method, etc., to enable production of GaAs crystal. - 特許庁

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶製造のための黒鉛ルツボであって、使用寿命の長い黒鉛ルツボを提供する。例文帳に追加

To provide a graphite crucible which is used for producing a silicon single crystal by a Czochralski method and has long service life. - 特許庁

単結晶の製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法によって引上げられた抵抗率０．１Ωｃｍ以下の単結晶インゴットで派生する不要部分を含む原料をルツボで溶融し、再度チョクラルスキー法により抵抗率０．１Ωｃｍ以下の単結晶を製造する単結晶の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing the single crystal is performed at least by melting a raw material containing an unnecessary part derived from a single crystal ingot pulled by the Czochralski method and having ≤0.1 Ωcm resistivity in a crucible and manufacturing the single crystal having ≤0.1 Ωcm resistivity again by the Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法育成のシリコン単結晶中の窒素濃度の測定方法において、窒素を含有する試料と、窒素を含まないチョクラルスキー法育成のシリコン単結晶のレファレンスを用い、このレファレンスと測定対象である窒素含有試料のサーマルドナーを消去して、窒素濃度を測定する。例文帳に追加

In the method for measuring nitrogen concentration in a silicon single crystal reared by Czochralski method, a reference of the silicon single crystal not containing a nitrogen and a thermal donor of a nitrogen-containing sample of an object to be measured are erased by using the sample containing the nitrogen and the reference of the silicon single crystal, and the nitrogen concentration is measured. - 特許庁

Ａｒ／ＮＨ３急速熱的アニーリング工程を含むシリコンウェーハの製造方法、これにより製造されたシリコンウェーハ及び単結晶シリコンインゴットの製造のためのチョクラルスキープーラ例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING SILICON WAFER INCLUDING Ar/NH3 RAPID THERMAL ANNEALING PROCESS, SILICON WAFER MANUFACTURED THEREBY, CZOCHRALSKI PULLER FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOT - 特許庁

単結晶引き上げ法（チョクラルスキー法）によって製造され、直径が１７ｃｍ以上のフッ化バリウムのアズグロウン単結晶体において、複屈折が十分に小さいものを製造すること。例文帳に追加

To manufacture an as-grown single crystal body of barium fluoride of ≥17 cm in diameter which is manufactured by a single crystal pulling-up method (Czochralski method) and has sufficiently small birefringence. - 特許庁

本発明は、大径で複屈折が小さな、単結晶引き上げ法（チョクラルスキー法）によって製造されたフッ化カルシウムのアズグロウン単結晶体を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide the as-grown single crystal of calcium fluoride having a large diameter and small birefringence manufactured by a single crystal pulling method (Czochralski method). - 特許庁

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶インゴットを製造する場合に、ピンホールの少ないシリコン単結晶インゴットを安定して製造する方法及び製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for manufacturing a silicon single crystal ingot, by which the silicon single crystal ingot having few pinholes can be manufactured stably when the silicon single crystal ingot is manufactured by a Czochralski method. - 特許庁

いろいろなサイズをした断片の多結晶シリコン原料から、チョクラルスキー法によって単結晶シリコンインゴットを形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a single crystal silicon ingot from varying sized pieces of polycrystalline silicon source material according to a Czochralski method. - 特許庁

高価な窒素ドーパント用原料の使用量を十分に低減して、製造コストの抑制を実現できるチョクラルスキー法（ＣＺ法）による窒素ドープシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a nitrogen-doped silicon single crystal by Czochralski method (CZ method) capable of suppressing cost of manufacturing by sufficiently reducing the used amount of an expensive raw material for a nitrogen dopant. - 特許庁

チョクラルスキー法により単結晶を製造する際に内坩堝に上方向の応力が作用した場合であっても好適に単結晶の引上げを再開することができる単結晶引上げ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal pulling apparatus in which pulling of a single crystal can be suitably restarted even in the case that upward stress acts on an inner crucible when the single crystal is manufactured by a Czochralski method. - 特許庁

砒素とシリコンとの混合焼結体からなり、砒素に対するシリコンのモル比が３５〜５５％である砒素ドーパントを用いて、チョクラルスキー法にてシリコン単結晶を引き上げる。例文帳に追加

The silicon single crystal is pulled by a Czochralski method, using the arsenic dopant comprising a mixed sintered compact of arsenic and silicon, in which the molar ratio of silicon to arsenic is 35-55%. - 特許庁

制御された欠陥分布を有するシリコンウェーハを製造するために急速冷却が可能な単結晶シリコンインゴットを製造するためのチョクラルスキープーラを提供する。例文帳に追加

To provide a Czochralski puller for manufacturing a single crystal silicon ingot which can be quickly cooled and thus can be used for manufacturing a silicon wafer having controlled defective distribution. - 特許庁

チョクラルスキー法によりＧａ（ガリウム）がドープされたシリコン単結晶を製造する方法において、常温で固体であるＧａ化合物を添加して単結晶の成長を行うＧａドープシリコン単結晶の製造方法。例文帳に追加

In the method for producing the Ga-doped silicon single crystal by a Czochralski method, the Ga-doped silicon single crystal is produced by growing the single crystal by adding a Ga-compound being solid at the ordinary temperature. - 特許庁

その結果、チョクラルスキー法で多結晶シリコンインゴットを引き上げる際、インゴットの外周面にシリコン酸化物からなる異物が付着しない。例文帳に追加

As a result, when a polycrystalline silicon ingot is pulled out by the Czochralski method, foreign matter comprising silicon oxide does not adhere to the outer peripheral surface of the ingot. - 特許庁

チョクラルスキー型プロセスで好適に使用される多結晶シリコン片のサイズ分布を形成するための多結晶シリコン加工物の処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for processing polycrystalline silicon workpiece for forming size distribution of polycrystalline silicon pieces suitably for use in a Czochralski-type process. - 特許庁

チョクラルスキー法による半導体単結晶の製造において、種結晶を融液に浸漬した後、ネッキングすることなく単結晶の引き上げ育成を可能とする。例文帳に追加

To provide a method for growing a single crystal by immersing a seed crystal in a melt and pulling and growing the single crystal without causing necking in the production of a semiconductor single crystal by a Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法等の融液凝固法によりフッ化金属単結晶体を製造する方法において、真空紫外光領域での吸収の少ない単結晶体を再現性良く、容易に製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for easily producing a single crystal having low absorption in a vacuum UV region in good reproducibility in a method for producing a metal fluoride single crystal by a melt solidification method such as the Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法により、育成中のシリコン単結晶４の周囲を囲繞するように冷却体６を設けてシリコン単結晶４を強制的に冷却しながら、結晶方位［１１０］のシリコン単結晶４を育成する。例文帳に追加

A silicon single crystal 4 in the crystal orientation [110] is grown by Czochralski method by disposing a cooling body 6 surrounding the periphery of a silicon single crystal 4 under growing while forcibly cooling the silicon single crystal 4. - 特許庁

シリコン単結晶体を、チョクラルスキー法により３ミリバール未満の水素部分圧で引き上げるとともに、このとき同時に冷却した熱シールドを単結晶体の周囲に配置し、該単結晶体を熱シールドを用いて冷却する。例文帳に追加

When a silicon single crystal is pulled up under a hydrogen partial pressure of less than 3 mbar by a Czochralski method, a cooled heat shield is arranged around the single crystal to cool the single crystal using the shield. - 特許庁