「チョクラルスキー」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

チョクラルスキー法による単結晶製造装置において、リチャージ管の破損を防止し、よって単結晶の生産性を向上させることを可能とするリチャージ管およびこれを用いたリチャージ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a recharging tube improving the productivity of a single crystal by preventing breakage of the tube in production of the single crystal by the Czochralski method, and to provide a recharging method using the same. - 特許庁

該上部炉内構造物５内にて上方からルツボ１２内のシリコン融液面１４ａに向かって不活性ガスを下流しながら、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶２３を育成する。例文帳に追加

The single crystal 23 is grown by the Czochralski method, with an inert gas flowing down toward a silicon molten liquid surface 14a in the crucible 12 from above inside the upper in-furnace structure 5. - 特許庁

チョクラルスキー法による半導体単結晶の製造において、原料供給容器内での固形原料の破砕の発生を低減させた半導体単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a semiconductor single crystal, by which crushing of a solid raw material in a raw material supply container is reduced in the production of a semiconductor single crystal by Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法において、結晶成長フロント(結晶−融液界面)での温度勾配にもとづいた結晶成長プログラムの性能改善方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for improving performances of a crystal growth program based on the temperature gradient at the crystal growth front (crystal-melt interface) in the Czochralski process. - 特許庁

チョクラルスキー法によるＬｉＲｂＢ_６Ｏ_１０結晶の製造において、相対湿度が５％以下の雰囲気で結晶の育成及び冷却を行うことによって、ＬｉＲｂＢ_６Ｏ_１０結晶を得る。例文帳に追加

In a method for preparing the LiRbB_6O_10 crystal through the Czochralski method, the LiRbB_6O_10 crystal is obtained by growing and cooling the crystal in an atmosphere wherein the relative humidity is ≤5%. - 特許庁

結晶欠陥の少ない高品質の単結晶を作製することが可能なチョクラルスキー法による単結晶の製造方法、及びこの製造方法により作製された単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a process for producing single crystals with the Czochralski method which produces high quality single crystals having only few crystal defects and single crystals produced by the process. - 特許庁

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成するに際して、結晶中に異常成長を生じさせずに、安定してＮ型高ドープの単結晶を製造することのできるシリコン単結晶の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon single crystal, by which an N-type highly doped single crystal can be stably produced without causing abnormal growth in crystal when the silicon single crystal is grown by a Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法による単結晶育成での追加チャージ又はリチャージ時に原料供給の効率化を実現できる原料供給装置を提供する。例文帳に追加

To provide a material supply apparatus which improves efficiency of material supply when carrying out additional charge or recharge in a single crystal growing method based on a Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法によるＣａ_3 Ｇａ_2 Ｇｅ_4 Ｏ_14結晶構造を有する酸化物単結晶の製造方法において、割れが発生しにくく、歩留まりのよい酸化物単結晶を得るための製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a method for producing an oxide single crystal in a high yield, hardly causing a crack in a method producing an oxide single crystal having a Ca3Ga2Ge4O14 crystal structure by a Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法で単結晶を製造する際に、単結晶引き上げ中に育成単結晶の成長界面以外で発生する固化が発生しにくい引き上げ条件を、効率的かつ確実に設計する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently and surely designing conditions for pulling under which the solidification arising except on the growth interface of a grown single crystal hardly occurs during pulling of the single crystal in manufacturing the single crystal by a Czochralski (Cz) method. - 特許庁

連続チャージＣＺ法（チョクラルスキー法）を用いたシリコン単結晶の育成方法において、転位のない長尺の単結晶を育成することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method by which a long single crystal free of dislocations can be grown in a method for growing a silicon single crystal using a continuous charge CZ process (Czochralski process). - 特許庁

チョクラルスキー法によるフォルステライト単結晶の製造方法において、ｂ軸に対して±５°以内の方位のフォルステライト単結晶を種結晶として用いて、単結晶引上げを行う。例文帳に追加

In the method for producing the forsterite single crystal by a Czochralski method, a single crystal is pulled by using a forsterite single crystal in an orientation within ±5° with respect to b-axis as a seed crystal. - 特許庁

単結晶とルツボを手作業で取り出すことが不要で、単結晶の大型化が可能なチョクラルスキー法による単結晶製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for producing a single crystal by a Czochralski method which does not need a work of manually withdrawing a single crystal and a crucible and is therefore capable of enlarging the single crystal. - 特許庁

チョクラルスキー法（ＣＺ法）によるシリコン単結晶の引上げ方法において、種結晶の縮径部にスリップが入ることを予防し得るシリコン単結晶引上げ用の種結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a seed crystal for pulling up silicon single crystals which can prevent a slip from occurring in a diameter-reduced portion of the seed crystal in a method for pulling up silicon single crystals by Czochralski method (CZ method). - 特許庁

チョクラルスキー法でのフッ化金属単結晶体の引き上げに際して、その引き上げ中の熱衝撃による割れや、原料溶融液表面の凍結などを防止し、長尺の単結晶体を安定的に製造する。例文帳に追加

To stably manufacture a long single crystal by preventing cracking caused by thermal shock during pulling and freezing of the surface of a raw material melt when a metal fluoride single crystal is pulled by a Czochralski method. - 特許庁

ＣＯＰ（空洞型欠陥）や転位クラスターなどの結晶欠陥が存在しない単結晶を、効率よく、高い歩留りで製造することができる、チョクラルスキー法による単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a single crystal by the Czochralski method, by which a single crystal free of crystal defects such as COP (crystal-originated particle: hollow type defects) or dislocation clusters can be produced efficiently in a high yield. - 特許庁

熱効率の高いＣＺ法（チョクラルスキー法）による単結晶引き上げ装置用炭素繊維強化炭素複合材料の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a carbon fiber-reinforced carbon composite material for a single crystal drawing-up unit by CZ method (Czochralski method) which is high in thermal efficiency. - 特許庁

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の育成時に、評価使用済みサンプル１２を前記シリコン単結晶育成用の原料または精製原料育成用の原料として使用する。例文帳に追加

During growing a silicon single crystal by the Czochralski method, a sample 12 used for evaluation is used as a source material for growing a silicon single crystal or a source material for growing a purification source material. - 特許庁

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成するにあたり、単結晶が融液に落下することなく、無転位の大口径、高重量のシリコン単結晶の育成方法を得る。例文帳に追加

To obtain a method for growing an undislocated, large-diameter and high-weight silicon single crystal without causing the single crystal to fall into a molten liquid in the growing of the silicon single crystal by the Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法を用いて円柱状の結晶が得られ、またこの結晶から基板を切り出した際、加工ロスの少ない結晶が得られるランガサイト型結晶の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a langasite-type crystal, by which a columnar crystal is obtained by a Czochralski method and by which a crystal small in processing loss when substrates are cut out from the crystal can be obtained. - 特許庁

チョクラルスキー法により引き上げられたＳｉ単結晶インゴット中の金属不純物を外周部に偏析させた後、Ｓｉ単結晶インゴットの外周部を研削して除去する。例文帳に追加

The method of manufacturing the Si single crystal comprises segregating the metal impurities in an Si single crystal ingot pulled by a Czochralski method in the outer peripheral part, and then the outer peripheral part of the Si single crystal ingot is removed by grinding. - 特許庁

含有されるボロンの絶対濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）の２５〜３５％に相当するリンを初期融液に添加した溶融シリコンより、チョクラルスキー法で引上げる。例文帳に追加

The silicon single crystal is pulled from a silicon melt prepared by adding an amount of 25 to 35%, based on the absolute concentration (atom/ cc) of boron contained, of phosphorous in an initial melt by a Czochralski method. - 特許庁

また、これをチョクラルスキー法により行う場合には、シリコン融液１１を保持するルツボ１２の材料を石英とし、且つその石英におけるシリコン元素の同位体Si-28の濃度を92.3％以上とする。例文帳に追加

Further, when the single crystal is produced by a Czochralski method, quartz is used as a material for a crucible 12 for supporting the silicon melt 11 and the concentration of the isotope Si-28 of the silicon element in the quartz is also set to be ≥92.3%. - 特許庁

チョクラルスキー法により、特に直径４５０ｍｍシリコンウェーハ用のシリコン単結晶を、育成中に破裂することなく育成できる、高品質シリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a high quality silicon single crystal by which a silicon single crystal, in particular a silicon single crystal for silicon wafers each having a diameter of 450 mm is grown without being broken during growth by a Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法による酸化物単結晶の製造方法において、酸化物単結晶の特性の均一性及び育成の再現性が高く、かつ任意の長さの結晶育成を可能にする単結晶製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a single crystal, which is based on a Czochralski method and by which an oxide single crystal having uniform characteristics and an arbitrary length can be grown in high reproductibility. - 特許庁

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の育成において、ネック径の変動率を所定の範囲内に抑制し、ネックにおける転位を早期に排除することができるシリコン単結晶の引上方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of raising silicon single crystal in which a rate of variability of a neck diameter is controlled within a predetermined range, and translocation in the neck can be eliminated at an early stage in cultivation of silicon single crystal by a Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法により単結晶シリコンを製造するに当たり、単結晶シリコンを引き上げ時における固液界面の高さを制御することによって、低抵抗率の単結晶シリコンを製造する。例文帳に追加

The single crystal silicon having low resistivity is produced by the Czochralski process, by controlling a height of a solid liquid interface when the single crystal silicon is pulled up. - 特許庁

チョクラルスキー法によるサファイア単結晶の製造において、単結晶を安定的に成長させ、均一性にすぐれた結晶品質が得られるサファイア単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a sapphire single crystal for stably growing a single crystal and obtaining a crystal quality with superior uniformity in the production of a sapphire single crystal by Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶から得られるシリコンウェーハに、塩素が含まれる酸化性雰囲気にて熱処理を施し、少なくとも表層域における欠陥を消失させる。例文帳に追加

Heat treatment is performed to a silicon wafer obtained from a silicon single crystal manufactured by the Czochralski method in an oxidizing atmosphere in which chlorine is contained to dissipate defects in at least a surface layer region. - 特許庁

チョクラルスキー法やキロポーラス法によるフッ化カルシウムなどのフッ化金属単結晶体の製造において、種結晶体表面への黒色物質の付着を効果的に抑制する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for effectively suppressing adhesion of a black substance on the surface of a seed crystal in the production of a metal fluoride single crystal such as calcium fluoride by Czochralski method or Kyropoulos method. - 特許庁

チョクラルスキー（Ｃｚ）法による単結晶引き上げ装置において、安価なるつぼの使用を可能とするとともに、るつぼ内の融液の温度勾配を緩くして、成長させた単結晶の歪みを抑制する。例文帳に追加

To enable the use of an inexpensive crucible and control the distortion of a growing crystal by reducing the temperature gradient of the melt in the crucible in a single crystal pulling apparatus based on the Czochralski (Cz) method. - 特許庁

チョクラルスキー（Ｃｚ）法による単結晶引き上げにおいて、熱対流を抑制することにより、融液の結晶成長界面における温度勾配を緩くして、成長させる単結晶の熱歪みを抑制する。例文帳に追加

To suppress thermal strain in a single crystal to be grown by suppressing a thermal convection during pulling a single crystal by Czochralski (Cz) method, to loosen the temperature gradient on a crystal growth interface of the melt. - 特許庁

チョクラルスキー法による単結晶の製造において、ワイヤーロープの素線切れや破断の発生を防止しつつ、育成した結晶の回転を安全に停止することができる結晶回転停止方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for stopping rotation of a crystal, by which rotation of a grown crystal can be safely stopped while preventing wire cut or breakage of a wire rope in the production of a single crystal by Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法により直径が300mm以上のシリコン単結晶を育成する場合に、石英ルツボ１ａ内に、多結晶のシリコン原料１０を複数回にわたってチャージして所定量の融液を確保する。例文帳に追加

When a silicon single crystal of ≥300 mm in diameter is grown by the Czochralski method, a polycrystal silicon raw material 10 is charged in the quartz crucible 1a over several times to secure a predetermined-amount melt. - 特許庁

チョクラルスキー法による単結晶シリコンの製造において、育成中の実際の引き上げ速度と名目の引き上げ速度との間の速度偏差を補正する方法およびそのための結晶引き上げ機構を提供する。例文帳に追加

To provide a method for correcting speed deviations between an actual pull speed and a nominal pull speed during crystal growth in the production of a single crystal silicon by Czochralski process, and to provide a mechanism of pulling a crystal for the method. - 特許庁

チョクラルスキー法によってフッ化金属の単結晶体を製造する方法に使用され、散乱体の発生がさらに抑制されたアズグロウン単結晶体を製造することが可能な二重坩堝構造を提供する。例文帳に追加

To provide a double crucible structure which can be used for producing the single crystals of metal fluoride by a Czochralski method, and can produce as-grown single crystals in which the generation of a scattered body is further suppressed. - 特許庁

ボロンの濃度が４Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下で、ボロンの濃度に対するリンの濃度の比が０．４２以上０．５０以下である初期シリコン融液からチョクラルスキー法によりｐ型シリコン単結晶２を成長させる。例文帳に追加

In the method, p-type silicon single crystal 2 is grown from an initial silicon melt solution having a boron concentration of not higher than 4E14 atoms/cm^3 and a ratio of a phosphorus concentration to a boron concentration of not lower than 0.42 and not higher than 0.50 by the Czochralski method. - 特許庁

及び、パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハであって、チョクラルスキー法により窒素をドープして育成されたシリコン単結晶棒をウエーハに加工して得られたことを特徴とするパーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハ。例文帳に追加

Thus, the objective single crystal wafer is produced with this production method. - 特許庁

比抵抗が高く、比抵抗の面内均一性が良く、比抵抗のバラツキが小さいウエハを取得可能なｐ型シリコン単結晶をチョクラルスキー法により製造するシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a silicon single crystal to manufacture a p-type silicon single crystal by the Czochralski method and from which a wafer having high specific resistance, favorable in the uniformity of the specific resistance within a surface and small in the fluctuation of the specific resistance can be obtained. - 特許庁

本砒素ドープシリコンウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法により砒素及び窒素がドープされたシリコン原料から単結晶を引上げ、スライスしてウェーハとし、このウェーハを熱処理する。例文帳に追加

In the method for manufacturing the arsenic-doped silicon wafer, a single crystal is pulled by a Czockralski method from a silicon raw material in which arsenic and nitrogen are doped, and the single crystal is sliced to a wafer and the wafer is heat-treated. - 特許庁

磁場と電流を印加したチョクラルスキー法による半導体結晶育成において、電極と半導体融液との接触が外れることなく、結晶育成中に常に電流を印加して結晶を育成する。例文帳に追加

To eliminate the need to move an electrode as the electrode is melted and not to lower the symmetry in the rotation of a molten semiconductor due to the deformation of the melt surface between the electrode and a crystal by letting the electrode for applying a current into the molten semiconductor pierce to a tube surrounding the electrode. - 特許庁

本シリコン単結晶引上装置は、チョクラルスキー法による単結晶の引上げに用いられる輻射シールドの内側に、高反射率部材からなり断面が凹状でリング形状の反射板が取付けられる。例文帳に追加

The single crystal pulling device is mounted with a reflection plate consisting of a high reflectivity member and whose section is a concave shape and a ring shape at the inside of the radiation shield used for pulling the single crystal in a Czockralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法によるフッ化金属単結晶体の製造方法において、単結晶引き上げ完了後、単結晶体とされずに坩堝内に残存した原料フッ化金属のリサイクル方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for recycling raw material metal fluoride, which is not turned into single crystal and remains in a crucible, after completion of pulling of single crystals in a method for producing a metal fluoride single crystal based on the Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法による単結晶成長で、インゴットの成長方向のキャリア濃度分布を安定化させ、キャリア濃度の制御がなされたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶および製造方法を提供する。例文帳に追加

To stabilize the distribution of carrier concentration in the growing direction of an ingot when a single crystal is grown by a Czochralski method and to provide a group III-V compound semiconductor single crystal in which the carrier concentration is controlled and a method of producing the same. - 特許庁

そして、回転速度を好ましくは１０〜３０ｒｐｍにし、引き上げ速度を０．０５〜０．３ｍｍ／時間に設定したチョクラルスキー法によって、Ａｌ_2 （ＷＯ_4 ）_3 −Ｓｃ_2（ＷＯ_4 ）_3 なる組成を有する単結晶固溶体を製造する。例文帳に追加

pulling speed according to the Czochralski process. - 特許庁