「チョクラルスキー」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

チョクラルスキー法により引き上げられたシリコン単結晶棒をウェーハに加工して得られたシリコン単結晶ウェーハであって、５族元素と３族元素の電気的活性不純物を２種以上含有し、そのうち少なくとも３族元素の不純物濃度が１×１０^18ｃｍ^-3以上であるようにした。例文帳に追加

A silicon single-crystal wafer, obtained by working a silicon single-crystal ingot pulled by the Czochralski method for forming a wafer contains two species or more of electrically active impurities of the group 5 elements and the group 3 elements, so that at least the impurity concentration of the group 3 element(s) is 1×10^18 cm^-3 or higher. - 特許庁

不活性ガスフローを溶融する多結晶シリコンに向けて一定の流速で流す間に、多結晶シリコンを坩堝中でシリコンからなる融液に溶融し、かつ単結晶をチョクラルスキー法により融液から引き上げる、制御された炭素含有量を有するシリコンからなる単結晶の製造方法において、不活性ガスフローの流速を制御することにより、融液中の炭素の濃度を調節する。例文帳に追加

A carbon content in a silicon melt is adjusted by controlling the rate of an inert gas flow, in the manufacture of the silicon single crystal with controlled carbon content, in which the inert gas flow is directed against a melting polycrystal silicon at a constant rate, the polycrystal silicon is molten into the silicon melt in a crucible and the single crystal is pulled from the melt by Czochralski method. - 特許庁

ルツボ１内に供給される原料を加熱し、溶融状態に保持するためのヒーター２が内部に配置されたチャンバー（メインチャンバー４、トップチャンバー６）を有し、ルツボ１内の溶融液９からチョクラルスキー法により単結晶１６を育成する単結晶引上げ装置であって、ヒーターがチャンバー４，６に取り付けられている引上げ装置。例文帳に追加

The apparatus for pulling the single crystal having chambers (a main chamber 4 and a top chamber 6) provided with a heater 2 therein for heating a material supplied into a crucible 1 and keeping a molten state to grow the single crystal 16 from melt 9 in the crucible 1 by the Czochralski method has the heater attached to the chamber 4, 6. - 特許庁

半導体単結晶の製造装置は、原料融液の上方において、ルツボに収容した原料融液から引き上げられる半導体単結晶３を取り囲む形で、冷却流体Ｗを流通させる強制冷却筒１１が配置され、強制冷却筒１１により引き上げた半導体単結晶３からの輻射熱を除去しつつチョクラルスキー法により単結晶を育成するものである。例文帳に追加

In the apparatus for producing the semiconductor single crystal, a forced cooling tube 11 for circulating a cooling fluid W is arranged above a raw melt so as to surround the semiconductor single crystal 3 being pulled from the raw melt stared in a crucible, and the single crystal is grown by a Czochralski method while removing radiant heat from the semiconductor single crystal 3 by the forced cooling tube 11. - 特許庁

本発明は、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引上げ過程で最も重要とされる単結晶インゴットのクラウン部成長工程においてフラッシュアウトの発生を抑制し、所望形状で欠陥のないシリコン単結晶インゴットを製造することができるシリコン単結晶引上装置を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon single crystal pulling-up apparatus capable of producing a silicon single crystal ingot having a prescribed shape and no defect by suppressing the occurrence of a flushed burr in a growth process for the crown part of single crystal ingot which is the most important step in the pulling-up process for silicon single crystal by a Czochralski method. - 特許庁

半導体単結晶の製造装置５０は、育成炉本体１内においてルツボ１２の周囲に配置された加熱ヒータ７により該ルツボ１２内の原料融液４を加熱しつつ、該原料融液４からチョクラルスキー法により半導体単結晶３を引上育成・製造するためのものである。例文帳に追加

The device for manufacturing semiconductor single crystal 50 is making pull up, grow, and manufacture a semiconductor single crystal 3 from a molten liquid of a row material by Czochralski method, while heating the molten liquid of the row material 4 in the crucible 12 with the heater 7 arranged around the crucible 12 in a main body of growing furnace 1. - 特許庁

チョクラルスキー法による半導体単結晶の製造方法において、ＣＣＤカメラを用いて、半導体単結晶近傍の原料融液表面の温度変動パワースペクトルを求め、所定の単結晶引上げ時のパワースペクトルと一致するように引上げ条件を制御して単結晶を育成することを特徴とする半導体単結晶の製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method of a semiconductor single crystal by a Czochralski method is characterized by using a CCD camera to obtain the temperature fluctuation power spectrum of a raw material melt surface near the semiconductor single crystal, and controlling the pulling conditions so as to agree with the predetermined power spectrum when pulling the single crystal to grow the single crystal. - 特許庁

チョクラルスキー法によるシリコン等の半導体単結晶製造装置において、排気部材の内面へのドーパント及びドーパントの酸化物の固着物、並びにアモルファスの層の固着を抑制し、また、これらが排気部材の内面に固着したとしても容易に除去することのできる半導体単結晶製造装置用の排気部材を提供する。例文帳に追加

To provide an evacuation member for an apparatus for manufacturing a semiconductor single crystal which can suppress a deposit of a dpoant or a dopant oxide and fixing an amorphous layer into the internal surface of the evacuation member, and which can easily remove them even if these are fixed in the internal surface of the evacuation member in an apparatus for manufacturing semiconductor single crystal such as silicon by the Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶引上装置を用いた単結晶の製造方法において、ルツボのチャージ量が多い場合であっても、装置に対し大きな負荷を与えることなく有転位化を抑制し、歩留まりと生産性を向上することのできる単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a single crystal which does not give a heavy load to an apparatus even when a material charge into a crucible is excessive, can suppress the occurrence of dislocation, and can improve the yield and productivity, in the method for manufacturing a single crystal by using a single crystal pulling apparatus for pulling the single crystal from a crucible by the Czochralski method. - 特許庁

（１）チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出された無欠陥領域からなるシリコンウェーハの外表面にポリシリコン層を形成する工程と、前記ポリシリコン層を形成したウェーハにＲＴＡ処理を施す工程と、ＲＴＡ処理後のウェーハのすくなくとも一方の主面のポリシリコン層を除去する工程とを有する製造方法。例文帳に追加

(1) This manufacturing method includes processes of: forming polysilicon layers on outer surfaces of a silicon wafer formed with a non-defect region cut out from a silicon single-crystal ingot grown by Czochralski method; applying an RTA process to the wafer with the polysilicon layers formed thereon; and removing the polysilicon layer at least on one-side principal surface of the wafer after the RTA process. - 特許庁

チョクラルスキー法または浮遊帯域融解法で金属フッ化物単結晶を育成して金属フッ化物体を製造する方法において、前記金属フッ化物単結晶を育成する際、金属フッ化物を融解する加熱手段の少なくとも一部にミリ波加熱を用いることを特徴とする金属フッ化物体の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing the metal fluoride body by growing a metal fluoride single crystal by a Czochralski method or a floating zone melting method, when the metal fluoride single crystal is grown, the method for manufacturing the metal fluoride body is characterized in that millimeter-wave heating is utilized in at least a part of heating means for melting the metal fluoride. - 特許庁

チョクラルスキー法やキロポーラス法でフッ化金属単結晶体を製造する際、種結晶体と原料溶融液を接触させる以前に、該種結晶体の表面に黒色物質が付着した場合に、種結晶体を短くし過ぎてしまうことなく、該黒色物質を除去できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method by which a black substance can be removed without bringing a seed crystal to be too short, when the black substance adheres to the surface of the seed crystal before contacting the seed crystal to a raw material melt, in producing a metal fluoride single crystal by the Czochralski method or the Kyropoulos method. - 特許庁

チョクラルスキー単結晶引上法によりシリコン単結晶のインゴットを育成し、このシリコン単結晶インゴットをスライスしてウエハを作製した後、前記ウエハの表層をレーザースパイクアニール装置により、ウエハ表層部の温度が１２５０℃以上１４００℃以下で、０．０１マイクロ秒以上１０秒未満、アニールする。例文帳に追加

An ingot of silicon single crystal is grown by Czochralski single crystal lift method and after a wafer is made by slicing that silicon single crystal ingot, surface layer of the wafer is annealed by means of a laser spike annealer for longer than 0.01 microseconds but shorter than 10 seconds under a temperature of 1,250-1,400°C at the wafer surface layer. - 特許庁

チョクラルスキー法でフッ化金属単結晶体を製造する際にしばしば生じる、種結晶体表面への黒色物質の付着を抑制し、種結晶体が原料溶融液を弾いてしまう現象を回避し、もって引上げ開始時の種結晶体と原料溶融液との接触が一回で成功する確率を高くする方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for suppressing the adhesion of a black substance to the surface of a seed crystal which often occurs when a metal fluoride single crystal is produced by the Czochralski method, avoiding a phenomenon that a single crystal sheds a raw material molten liquid, and thereby improving a probability that contact of a seed crystal to a raw material molten liquid is successful at one time when pulling up is started. - 特許庁

湿度を低減した雰囲気でボールミルを用いて酸化硼素を２４時間粉砕後、希土類酸化物及び炭酸カルシウムを加え、８４時間混合して固相反応させた材料を高周波誘導加熱型チョクラルスキー法により加熱溶融することで、希土類・カルシウム・オキシボレート系結晶であるガドリニウム・イットリウム・オキシボレート単結晶を育成することができる。例文帳に追加

A gadolinium-yttrium-oxyborate single crystal being a rare earth-calcium-oxyborate-based crystal can be grown by pulverizing boron oxide under an atmosphere of reduced humidity for 24 h using a ball mill, then adding a rare earth oxide and calcium carbonate, mixing the obtained mixture for 84 h for subjecting it to solid state reaction and heating/melting the reaction product by a high frequency induction heating-type Czochralski method. - 特許庁

ウェーハ中のＢＭＤのサイズを測定するための標準サンプルであって、該標準サンプルは、チョクラルスキー法により窒素をドープされて育成された全面がＩ領域を含まないシリコン単結晶ウェーハであって、該標準サンプル中のＢＭＤは、密度が１×１０^９個／ｃｍ^３以上、かつサイズが１５ｎｍ以上の八面体形状である。例文帳に追加

The standard sample is for measuring the size of the BMD in wafer, and it is a silicon single crystal wafer which is grown by being doped with nitrogen by Czochralski method and which does not contain I region fully, and BMD in the standard sample exist in a density of 1×10^9 pieces/cm^3 or more, and have a size of 15 nm or more in octahedral shape. - 特許庁

本発明のシリコンインゴットの製造方法は、坩堝内に保持された、第１の導電型を規定する第１のドーパントを含有するシリコン融液から、チョクラルスキー法により太陽電池用の単結晶インゴットを引き上げる工程と、単結晶シリコンインゴットを引き上げた後の坩堝内の残留分（坩堝残）を、多結晶シリコンインゴットの原料として用いてインゴットを形成する工程とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method for manufacturing a silicon ingot is characterized by including a process for pulling up a single crystal ingot for solar cells by a Czochralski method from silicon melt containing a first dopant which specifies a first conductivity, and a process for forming an ingot using a residue in a crucible after pulling up the single crystal silicon ingot (crucible residue) as a raw material of the polycrystalline silicon ingot. - 特許庁

エピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法により、同位体^２８Ｓｉの含有率が９２．３％以上のシリコン多結晶原料を用いてシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工し、該シリコン単結晶ウェーハの表層部にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハ。例文帳に追加

In the method of manufacturing the epitaxial silicon single crystal wafer, a silicon single crystal rod is grown using a silicon polycrystalline material which contains isotope^28Si by 92.3% or above at least by the Czochralski pulled method, and the silicon single crystal rod is sliced into silicon single crystal wafers and then an epitaxial layer is formed on the silicon single crystal wafers. - 特許庁

ポリシリコンに窒素をドーピングしたシリコン融液からチョクラルスキー法を用いて引上げられ、その結晶中の窒素濃度は１×１０^１３〜１．２×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、結晶育成中に結晶が体験する１１００〜７００℃の温度領域の通過時間を２００分以下となるようにし、ＯＳＦリングに起因するＢＭＤ密度のウェーハ面内における不均一性を解消することを特徴とするシリコン単結晶インゴットの製造方法。例文帳に追加

This silicon single crystal ingot is characterized by pulling it out using Czochralski method from a molten silicon liquid 7 obtained by doping nitrogen N to a polysilicon, having 1×1013-1.2×1015 atoms/cm3 nitrogen concentration and setting ≤200 min passing time through 1,100-700°C temperature zone for solving the unevenness of the BMD density on the wafer surface caused by the OSF ring. - 特許庁

多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、少なくともチョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、該シリコン単結晶ウェーハの表層部に一層目のエピタキシャル層を形成し、その後、少なくとも、該一層目のエピタキシャル層の表層部に二層目のエピタキシャル層を形成する多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法。例文帳に追加

The method includes the steps of raising the silicon single crystal rod which doped a nitrogen by a Czochralski method at least, after slicing this silicon single crystal rod and processing it into a silicon single crystal wafer, forming a first epitaxial layer in the surface part of this silicon single crystal wafer, and then forming a second epitaxial layer to the surface layer part of the first layer epitaxial layer. - 特許庁

エピタキシャルウェーハの製造方法において、チョクラルスキー法によって、抵抗制御用ドーパントを除いては炭素のみをドープしてシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）装置を用いて熱処理を行い、その後、該単結晶ウェーハ表面にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。例文帳に追加

In the manufacturing method of the epitaxial wafer, a silicon single crystal rod is grown by doping only carbon except a resistance-controlling dopant by a Czochralski method, after the silicon single crystal rod is sliced and processed into a silicon single crystal wafer, the silicon single crystal wafer is heat treated by using a rapid heating/rapid cooling (RTA) device, and then the epitaxial layer is formed on the single crystal wafer surface. - 特許庁

チョクラルスキー法により単結晶を育成する方法において、少なくとも結晶成長界面近傍に、引上げ中の単結晶を取り囲むように、銅または銅より熱伝導度の大きい金属により形成された冷却筒１１を配置し、該冷却筒に冷却媒体を流通することによって、結晶成長界面近傍を強制的に冷却しながら単結晶を育成することを特徴とする単結晶育成方法ならびに単結晶育成装置。例文帳に追加

The method of growing single crystal and the device for glowing single crystal is characterized in that in the case of growing single crystal by Czochralski method, there is provided a cooling cylinder 11 which is made of Cu or a metal having lager thermal conductivity than the Cu, in the vicinity of crystal growing interface, surrounding the growing single crystal, and cooling the crystal growing interface forcedly by a coolant flowing through the cooling cylinder. - 特許庁