「チョクラルスキー」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

ワイヤ式単結晶製造装置を用いたチョクラルスキー法による単結晶の製造方法であって、ワイヤを単結晶製造に初めて使用する際に、単結晶の引上げを始める前に前記ワイヤに引張荷重を加える単結晶製造方法。例文帳に追加

In manufacturing single crystal with the wire type crystal manufacturing equipment in the Czochralski method, tensile load is given to the wire before pulling single crystal at its first use for single crystal manufacturing. - 特許庁

ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引上げるシリコン単結晶引上装置１ａであって、昇華性ドーパントを収納する収納手段として引上炉２の上部に設置された試料皿２０ａを用いる。例文帳に追加

The silicon single crystal pulling apparatus 1a pulls a doped silicon single crystal from a melt by Czochralski method, wherein a plurality of sample dishes 20a placed above a pulling furnace 2 are used as a storage means for storing a sublimable dopant. - 特許庁

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、高温でのサスセプタと石英るつぼとの反応により発生する酸化ケイ素、一酸化炭素及び／又は二酸化炭素などの放出ガスを効果的に排気する方法およびサスセプタを提供する。例文帳に追加

To provide a method and a susceptor for effectively venting emitted gas such as silicon oxide, carbon monoxide and/or carbon dioxide generated by reaction between the susceptor and a silica crucible at a high temperature in manufacturing of silicon monocrystals by the Czochralski method. - 特許庁

高価な窒素ドーパント用原料の使用量を十分に低減して原料調達コストの抑制を実現でき、生産効率を向上させることが可能なチョクラルスキー法（ＣＺ法）による窒素ドープシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a nitrogen-doped silicon single crystal by the Czochralski method (CZ method) capable of suppressing raw material procurement cost by sufficiently decreasing the used amount of a high-priced raw material of a nitrogen dopant and capable of improving manufacturing efficiency. - 特許庁

ルツボ内のシリコン融液に磁場を印加し、チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶引上装置において、容易に高酸素濃度のシリコン単結晶を得ることができる単結晶引上装置を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal pulling apparatus for pulling a single crystal from a crucible by a Czochralski method while applying a magnetic field to a silicon melt in the crucible, the apparatus easily providing a silicon single crystal containing oxygen in high concentration. - 特許庁

ボロンが添加されたシリコン融液から単結晶をチャンバ内でチョクラルスキー法により引上げる工程と単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法である。例文帳に追加

The method for producing the epitaxial wafer includes a step for pulling a single crystal from a boron-added silicon melt by a Czochralski method in a chamber and a step for forming an epitaxial layer on the surface of a silicon wafer obtained by slicing the single crystal. - 特許庁

チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を引上げる際に用いる石英ガラスルツボにおいて、ルツボ上部の径方向内側への倒れ込みの発生を抑制し、サセプタとの密着性を向上することのできる石英ガラスルツボを提供する。例文帳に追加

To provide a quartz glass crucible suppressing the occurrence of collapsing of the upper part of the crucible inward in a radial direction, and enhancing adhesion to a susceptor in the quartz glass crucible used when a silicon single crystal is pulled by a Czochralski method. - 特許庁

ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引上げるシリコン単結晶引上装置１ａであって、昇華性ドーパントを収納する収納手段として、例えば引上炉２の上部に設置された試料皿２０ａを複数用いる。例文帳に追加

The silicon single crystal pulling apparatus 1a pulls a doped silicon single crystal from a melt by Czochralski method, wherein, for example, a plurality of sample dishes 20a placed above a pulling furnace 2 are used as a storage means for storing a sublimable dopant. - 特許庁

シリコン結晶の製造方法において、チョクラルスキー法により、Ｇａとリンをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記シリコン融液に種結晶を接触させ、これを回転しながら引き上げることによってシリコン単結晶を育成するシリコン結晶の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing silicon crystal is that after adding Ga and phosphorus into silicon molten liquid in a crucible by Czochralski method, a silicon single crystal is grown by making a seed crystal contact with silicon molten liquid and pulling it up while revolving it. - 特許庁

チョクラルスキー法によるシリコン等の単結晶の製造において、１回のリチャージで供給できる固形状多結晶原料の総量を増やし、高い生産性を実現することが可能な単結晶製造装置およびリチャージ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal manufacturing device and a recharge method in which the total amount of a solid polycrystalline source material supplied in one recharge is increased and high productivity can be achieved in the manufacture of a single crystal such as silicon by Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法でシリコン単結晶を製造する際に用いるシリコン種結晶であって、該種結晶表面に５ｎｍ以上の酸化膜を形成してなることを特徴とするシリコン種結晶及びその製造方法であり、さらに該種結晶を用いたシリコン単結晶の製造方法である。例文帳に追加

The method for producing the seed crystal, and the method for producing the silicon single crystal by using the seed crystal are also provided. - 特許庁

液体封止チョクラルスキー法によるＧａＡｓ等の化合物半導体単結晶の製造方法において、転位等の結晶欠陥の少ない良質な化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させる化合物半導体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor capable of largely improving a yield of a compound semiconductor single crystal with good quality and less crystal defect such as dislocation in the manufacturing method of the compound semiconductor single crystal such as GaAs by a liquid sealing Czochralski method. - 特許庁

石英るつぼ製、グラッシーカーボン製、またはグラファイトるつぼ製のるつぼ１０の内部で、ゲルマニウム融液１ａの表面の一部または全体を酸化ホウ素（B_2O_3）融液２ａで覆った後、チョクラルスキー法（ＣＺ法）によりゲルマニウム単結晶４を引き上げて結晶成長させる。例文帳に追加

After the surface of a germanium melt 1a is partially or wholly covered with a melt 2a of boron oxide (B_2O_3) inside a crucible 10 made of quartz, glassy carbon or graphite, a germanium single crystal 4 is pulled and grown by Czochralski method (CZ method). - 特許庁

さらに、本発明は、本質的に任意のいずれかの電子デバイス製造プロセスの熱処理サイクルに供されたときに酸素析出物の一様でない理想的な深さ分布が形成され得るチョクラルスキー単結晶シリコンのハンドルウエハを有するそのようなＳＯＩ構造体に関する。例文帳に追加

Additionally, the SOI structure has a Czochralski single crystal silicon handle wafer which is capable of forming an ideal, non-uniform depth distribution of oxygen precipitates upon being subjected to the heat treatment cycles of essentially any arbitrary electronic device manufacturing process. - 特許庁

また、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶育成において、窒素をドープしたシリコン単結晶インゴットを引き上げ、切断し、鏡面研磨し、しかる後、水素雰囲気中、温度領域１０００〜１４００℃で、２時間以上水素アニールするシリコンウェーハの製造方法。例文帳に追加

In a single crystal growth of Chokralski method, a nitrogen doped silicon single crystal ingot is pulled, is cut, and is mirror- polished, then, is hydrogen-annealed at 1,000-1,400°C for 2 hours or longer in an atmosphere of hydrogen. - 特許庁

および、単結晶を引上げるためのワイヤと該ワイヤを巻き取るための上軸機構を備えたチョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、少なくとも単結晶の引上げを行なう前に、前記ワイヤに引張荷重を加える機構を具備する単結晶製造装置。例文帳に追加

The equipment, for single crystal manufacturing in the Czochralski method, is equipped with the wire for pulling single crystal and the axial structure for winding up the wire, at least equipped with a structure giving the wire tensile load before pulling single crystal. - 特許庁

酸素クラスターおよび酸素析出物が溶解されているチョクラルスキー単結晶シリコンウエハならびにその製造方法を提供すること；および酸素析出熱処理に供されたときに酸素析出物または酸素クラスターが形成されないそのようなウエハを提供すること。例文帳に追加

To provide a Czochralski single crystal silicon wafer, in which oxygen clusters and precipitates have been dissolved and its manufacturing method, and to provide such a wafer which will not form oxygen precipitates or clusters upon being subjected to an oxygen precipitation heat treatment. - 特許庁

ならびに、シリコン結晶の製造方法において、チョクラルスキー法により、ＧａとＢをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記シリコン融液に種結晶を接触させ、これを回転しながら引き上げることによってシリコン単結晶を育成するシリコン結晶の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing the silicon crystal is that after adding Ga and B into silicon molten liquid in a crucible by the Czochralski method, the silicon crystal is grown by making a seed crystal contact with the silicon molten liquid and pulling it up while revolving it. - 特許庁

ポリシリコン７に窒素Ｎおよび炭素Ｃをドープしたシリコン融液７からチョクラルスキー法を用いて引上げられ、その窒素濃度が１×１０^１３〜５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、炭素濃度が５×１０^１５〜３×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であるシリコン単結晶インゴット。例文帳に追加

This silicone single crystal ingot is produced by pulling it out using Czochralski method from a molten silicon liquid 7 obtained by doping nitrogen N and carbon C to a polysilicon 7, and has 1×1013-5×1015 atoms/cm3 nitrogen concentration and 5×1015-3×1016 atoms/cm3 carbon concentration. - 特許庁

育成炉を備えたシリコン単結晶製造装置を用いたチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン単結晶引上げ終了後の該育成炉の降温を、該育成炉の内部に不活性ガスを流通させることなく密封した状態で行うようにした。例文帳に追加

In the apparatus of manufacturing the silicon single crystal provided with the growing furnace using the method of manufacturing the silicon single crystal of Czochralski method, the temperature of the growing furnace is reduced without circulating the inert gas while sealing the furnace, after pulling up the silicon single crystal. - 特許庁

コロイダルシリカを研磨液とし、チョクラルスキー法で育成されたサファイアウェハー（基板）を鏡面研磨する研磨方法であって、上記コロイダルシリカにおけるシリカの含有量が３５〜５０重量％に調整されていることを特徴とする。例文帳に追加

The polishing method is to specular-polish the sapphire wafer (substrate) reared under a Czochralski method with colloidal silica as a polishing liquid and constitutes its characteristic feature that the content of silica in the colloidal silica is adjusted to be 35 to 50 wt.%. - 特許庁

チョクラルスキー法により作製されたシリコン単結晶ウェーハに対し、６００〜１１００℃の温度範囲で第１熱処理を行なってバルク中に酸素析出物を形成した後、１１５０〜１３００℃の温度範囲で第２熱処理を行なうようにした。例文帳に追加

A silicon monocrystal wafer formed by the Czochralski method is subjected to a first heat treatment in the temperature range of 600-1100°C to form oxygen precipitates in a bulk and then to a second heat treatment in the temperature range of 1150-1300°C. - 特許庁

チョクラルスキー法により引き上げられたシリコン単結晶インゴットをウェーハ加工して得られたシリコンウェーハの表層にレーザ光やランプ光などの高エネルギ光を照射し、この表層のみを溶融（溶融工程）させる。例文帳に追加

A surface layer of a silicon wafer obtained by subjecting a silicon single-crystal ingot pulled by a Czochralski method to wafer processing is irradiated with high-energy light such as laser light or lamp light, and only the surface layer is melted (melting process). - 特許庁

チョクラルスキー法によりチャンバ内で単結晶を原料融液から引上げて製造する方法において、前記単結晶のコーン部を形成する際に、前記チャンバ内の圧力を低下させながらコーン部の形成を行うことを特徴とする単結晶の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing the single crystal by pulling the single crystal from a raw material melt in a chamber by a Czochralski method, when the cone part of the single crystal is formed, the cone part is formed while reducing the pressure in the chamber. - 特許庁

坩堝降下法（ブリッジマン法）や単結晶引上げ法（チョクラルスキー法）等の方法を用いて単結晶を製造する際に用いる原材料前処理品を高品質に製造するための原材料前処理用坩堝を提供する。例文帳に追加

To provide a crucible for pretreating a raw material to produce the high quality pretreated article of the raw material which is used when single crystals are produced by a crucible descending method (Bridgman method), a single crystal pulling method (Czochralski method) or the like. - 特許庁

チョクラルスキー法による単結晶引き上げ装置で単結晶を引き上げる際に種結晶を保持するシードチャックであって、シードチャックの材質の熱膨張係数が、引き上げる単結晶の熱膨張係数±２５％の範囲内のものである単結晶引き上げ装置のシードチャック。例文帳に追加

The seed chuck holds a seed crystal upon pulling up a single crystal in a single crystal pulling device by Czochralski method, wherein the material of the seed chuck has a coefficient of thermal expansion in a range within ±25% to/from the coefficient of thermal expansion of the single crystal to be pulled. - 特許庁

チョクラルスキー法によって育成された単結晶から加工されたシリコンウェーハに熱処理を施す第１熱処理工程と、熱処理が施されたウェーハ表面を、所定厚さのデバイス活性層を残すように研磨する工程とを有する。例文帳に追加

The production process of a silicon single crystal wafer comprises a first heat treatment process performing heat treatment on a silicon wafer obtained by processing a single crystal grown by Czochralski method, and a step for polishing the heat treated wafer surface until a device active layer becomes a predetermined thickness. - 特許庁

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造装置において、シリコン単結晶４を引き上げる、シリコン融液３を収容する石英坩堝１と、石英坩堝１の外部に配置され、石英坩堝１中にシリコン融液２３を供給する融液供給部２０とを備えるものとする。例文帳に追加

The apparatus for manufacturing a silicon single crystal by the Czochralski method is equipped with a quartz crucible 1 for housing a silicon melt 3 for pulling up a silicon single crystal 4 and a melt supplying part 20 which is arranged at the outside of the quartz crucible 1 and supplies a silicon melt 23 into the quartz crucible 1. - 特許庁

チョクラルスキー法により原料融液から単結晶を育成する単結晶育成装置において、原料融液から育成される単結晶を包囲するように環状の冷却体を設け、該冷却体を冷却体内部を流通する気体により冷却する。例文帳に追加

The apparatus for growing the single crystal from a raw material melt by the CZ method is provided with an annular cooling body so as to encircle the single crystal grown from the raw material melt. - 特許庁

液体封止チョクラルスキー法（LEC法）による結晶成長において、種結晶における局所的で不測な熱分解・再結晶の発生を抑制して、良質な単結晶インゴットを再現性よく育成する化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal by growing good quality single crystal ingot with good reproducibility while inhibiting local and accidental pyrolysis-recrystallization in seed crystals from developing, in growing crystals by a liquid encapsulated Czochralski method (LEC method). - 特許庁

チョクラルスキー法による単結晶引上げにおいて、シリコン融液の液面を熱遮蔽板に対して相対的に近づけながらシリコン単結晶の引上げを行うに際して、シリコン融液の液面と熱遮蔽板下端面との間の液面高さレベルを精度良く把握する。例文帳に追加

To accurately monitor a distance between a liquid surface of a silicon melt and a lower end of a heat-shielding plate when pulling up a single crystal by the Czochralski method wherein a silicon single crystal is pulled by relatively bringing the liquid surface of the silicon melt close to the heat-shielding plate. - 特許庁

チョクラルスキー法による単結晶シリコンの製造装置１において、成長軸方向の上下２つに分割された下ヒーター４−２に対する上ヒーター４−１の出力比を４以上に制御することにより、低酸素濃度の単結晶シリコンＳを成長させることができる。例文帳に追加

A silicon single crystal S having low oxygen concentration can be grown in a single crystal production device 1 by Czochralski method by controlling the output ratio of an upper heater 4-1 to a lower heater 4-2 to not less than 4, the heaters constituting two vertically separated heaters in a growth axis direction. - 特許庁

チョクラルスキー法（ＣＺ法）により、リンを添加した多結晶シリコンの融液１２を原料として、インゴット１の引き上げが進むことに応じて結晶成長速度Ｖを増加させてインゴットを形成する工程を備える。例文帳に追加

The method for manufacturing a silicon single crystal includes a process of forming an ingot by a Czochralski method (CZ method), in which a melt 12 of phosphorus-doped polycrystalline silicon is used as a raw material, and the crystal growth rate V is increased as pulling of the ingot 1 advances. - 特許庁

シリコン加工プロセスからの１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の金属不純物を含むシリコンスラッジを原料としたスラッジ成形物と、同レベルの金属不純物を含むシリコン塊とをルツボに投入して溶融し、チョクラルスキー法でシリコンインゴットを引き上げる。例文帳に追加

A sludge molded article obtained by using as raw material silicon sludge including metal impurities of ≥1×10^15 atoms/cm^3 from a silicon processing process, and a silicon lump including metal impurities at the same level as the silicon sludge are charged to a crucible, they are melted, and a silicon ingot is pulled by a Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法において、テール部育成工程における引き上げ装置の炉内圧を直胴部育成工程終了時の０．５から０．８倍の範囲に下げてシリコン単結晶の引き上げを行う。例文帳に追加

In the method for producing a silicon single crystal by Czochralski method, the silicon single crystal is pulled in a tail growing step by controlling the furnace inner pressure of a pulling device to be in the range from 0.5 to 0.8 times as the pressure when a step of growing a straight body portion is finished. - 特許庁

チョクラルスキー法によりルツボ１１内の融液から単結晶を引上げる引上炉本体１０と、この引上炉本体１０の外側からルツボ１１内の融液に対して磁場を印加する磁場印加装置２０とを備えてなる単結晶製造装置である。例文帳に追加

The apparatus for manufacturing the single crystal is equipped with the pulling furnace main body 10 for pulling the single crystal from a melt in a crucible 11 by a Czochralski method and a magnetic field application apparatus 20 for applying a magnetic field to the melt in the crucible 11 from the outside of the pulling furnace main body 10. - 特許庁

チョクラルスキー法により融液１５から引上げられる単結晶１１の周囲を整流用筒体２８及び冷却用筒体２９にて包囲することにより、単結晶１１周囲の不活性ガスを整流しかつ単結晶１１を冷却しながら単結晶１１を育成する。例文帳に追加

The flow of an inert gas at the periphery of a single crystal 11 is rectified and the single crystal 11 is grown while being cooled by surrounding the periphery of the single crystal 11 pulled up from a melt 15 by a Czochralski method with a cylindrical rectifying body 28 and a cylindrical cooling body 29. - 特許庁

チョクラルスキー法によりヒータで加熱溶融されたルツボ中の原料融液から単結晶を引上げて単結晶を製造する方法において、前記ヒータの内径をルツボの内径の１．２６倍以上として全面Ｎ領域結晶を製造する単結晶の製造方法。例文帳に追加

In a method of manufacturing a single crystal by Czochralski method by pulling a single crystal from the feed melt liquid in a crucible heated and melted by a heater, this method uses a heater having an inner diameter of ≥1.26 times the inner diameter of the crucible and manufactures N region crystal in total surface. - 特許庁

前記タンタル酸リチウム単結晶は、種結晶のＮｉ濃度（ｎ1）に対する育成結晶のＮｉ濃度（ｎ2）の比（ｎ2／ｎ1）が１以上３以下となるように調製された種結晶を用い、原料融液の最高到達温度を１８００℃以下としてチョクラルスキー法により製造される。例文帳に追加

The lithium tantalate single crystal is produced by the Czochralski method, using a seed crystal prepared so that the ratio (n2/n1) of the Ni concentration (n2) of growing crystal to the Ni concentration (n1) of the seed crystal becomes 1 or more and 3 or less and setting the highest attaining temperature of raw material melt at 1,800°C or lower. - 特許庁

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから製造されたシリコンウェーハに対して、酸素ガス分圧が２０％以上１００％以下である酸化性ガス雰囲気中、最高到達温度（Ｔ_１）１３００℃以上１３８０℃で、急速加熱・急速冷却熱処理を行う例文帳に追加

The method of manufacturing the silicon wafer includes the rapid-heating and rapid-cooling heat treatment on the silicon wafer manufactured from a silicon single-crystal ingot grown in a Czochralski method at a maximum ultimate temperature (T_1) of 1,300 to 1,380°C in an oxidizing gas atmosphere of 20 to 100% in oxygen gas partial pressure. - 特許庁

ＣＺ法（チョクラルスキー法）によってシリコン単結晶を育成する方法において、単結晶中の酸素が９×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下の濃度であり、窒素が１×１０^12ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3〜５×１０^15ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3の濃度でドープする。例文帳に追加

In the method for growing the silicon single crystal by a CZ method (Czochralski method), the concentration of oxygen in the silicon single crystal is made to be ≤9×10^17 atoms/cm^3 and nitrogen is doped in a concentration of nitrogen in the crystal of 1×10^12 to 5×10^15atoms/cm^3. - 特許庁

チョクラルスキー法により抵抗値１〜５０Ω・ｃｍのＮ型又はＰ型のシリコン単結晶を製造するに際し、１０^18〜１０^20 atoms／ｃｍ^3 のゲルマニウムを含むシリコン単結晶のシード１を使用し、シードと同程度の直径のネック部２をパラレル成長させる。例文帳に追加

This method for producing an N- or P-type single crystal with a resistivity of 1-50 Ω.cm comprises the following practice: a silicon single crystal seed 1 containing germanium at a concentration of 1018 to 1020 atoms/cm3 is used and a neck part 2 comparable in diameter to the seed is parallel-grown. - 特許庁

水平磁場あるいはカスプ磁場を印加するチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造し、育成中の単結晶が有転位化した場合に、有転位化した単結晶を無磁場の状態で溶解した後、再び磁場を印加してシリコン単結晶を引き上げる。例文帳に追加

The silicon single crystal is manufactured by a Czochralski method of impressing a horizontal magnetic field of cusp magnetic field and when the single crystal under growth is dislocated, the dislocated single crystal is melted in the state of the absence of the magnetic field and thereafter again the magnetic field is impressed to the melt and the silicon single crystal is pulled up. - 特許庁

ＣＺ法(チョクラルスキー法)で単結晶を引上中に地震などの振動を受けて、単結晶が大きく揺れて落下し、ルツボが破壊して融液が流出する事故が起こる等の事故に対処して、被害を最小にする単結晶製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a single crystal which minimizes damages by dealing with such accidents that are caused from flowing out of a melt from a crushed crucible caused from the large swinging and dropping of the single crystal that has been subjected to a vibration of an earthquake or the like during pulling up of the single crystal by CZ (Czochralski) method. - 特許庁

本シリコン単結晶製造方法は、チョクラルスキー法により、シリコン単結晶の定径部育成後、この定径部育成時の引上げ速度を一旦落とした後に、再び引上げ速度を上昇させ、かつルツボ上昇速度を低下させて、シリコン単結晶を融液から切離す。例文帳に追加

This method for manufacturing the silicon single crystal by the Czochralski method, comprises growing the regular diameter part of a silicon single crystal, thereafter once slowing down the lifting speed at a time of growing the regular diameter part, then separating the silicon single crystal from the melted liquid by increasing again the lifting speed as well as by decreasing the crucible lifting speed. - 特許庁