「不反応電極」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

第１電解質の薄層は、活物質粒子の表面の少なくとも一部を湿潤および被覆し、第２電解質によって誘発される不動態化または劣化反応から被覆表面を保護し、電極の活物質と複合体のその他の成分との間でイオン交換および電子交換の質を維持し、第１電解質は、第２電解質の成分に対して不透過性である。例文帳に追加

A thin layer of the first electrolyte humidifies or covers at least a part of the surfaces of active material particles, protects the covered surface from a passivation or deterioration reaction induced by the second electrolyte, maintains the quality of an ion exchange or electron exchange between the active material of the electrode and other components of the complex, and the first electrolyte is impermeable to the components of the second electrolyte. - 特許庁

紫外線架橋したポリオレフィン微多孔質膜中の不純物の溶出量を低減させ、不純物による電極反応を抑え、電池の小型化、軽量化、安全性を向上させ、電池用セパレーターとして好適に用いることができる架橋ポリオレフィン微多孔質膜、該微多孔質膜を用いて成る電池用セパレーター、及び該セパレーターを用いて成る非水電解液電池を提供する。例文帳に追加

To provide a crosslinked polyolefin fine porous membrane capable of reducing an eluted amount of impurities in the ultraviolet ray-crosslinked polyolefin fine porous membrane and restraining an electrode reaction caused by the impurities and miniaturizing a battery and saving it in weight, and improving its safety and suitably using as a separator for a battery, a separator for a battery using the fine porous membrane, and a nonaqueous electrolyte battery using the separator. - 特許庁

本発明は、紫外線架橋したポリオレフィン微多孔質膜中の不純物の溶出量が少なく、不純物による電極反応を抑え、電池の小型化、軽量化、安全性を向上させ、電池用セパレーターとして好適に用いることができる架橋ポリオレフィン微多孔質膜の製造方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a method or the like of manufacturing a crosslinked polyolefin fine porous membrane with little elution of impurities in an ultraviolet crosslinked one, with electrode reaction by the impurities suppressed, with downsizing, weight saving and safety of a battery improved, and capable of suitably being used as a separator for a battery. - 特許庁

（Ａ）少なくともポリジエンポリオール（ａ１）、ヒドロキシアルキルアクリレート（ａ２）およびポリイソシアネート（ａ３）を反応させてなるウレタンアクリレート系樹脂、（Ｂ）重合性不飽和化合物、（Ｃ）光重合開始剤を含んでなる電極保護用紫外線硬化型樹脂組成物、およびこれを用いたプラズマディスプレイパネル。例文帳に追加

This ultraviolet curing type resin composite for electrode protection contains (A) a urethane acrylate based resin obtained by reacting at least polydiene polyol (a1), hydroxy alkyl acrylate (a2), and polyisocyanate (a3), (B) a polymerizable unsaturated compound, and (C) a photopolymerization initiator, and it is used in this plasma display panel. - 特許庁

リチウムイオン電池１２を、電極体と電解液との反応により形成される不動態被膜形成を抑制する保管用温度域に保持し、さらに保管時の電池の充電状態を、電池容量の永久損失が抑制される充電状態に保持されるように、電池の自己放電量に相当する電流で充電を行うことを特徴とする保管方法。例文帳に追加

The lithium ion battery 12 is maintained in a storage temperature range for suppressing passivation film formation occurring by reaction between an electrode and an electrolyte, and the battery charges with a current equivalent to a self discharge amount of the battery so that a charge state of the battery during storage is maintained in a state of charge that suppresses permanent loss of a battery capacity. - 特許庁

ゲート絶縁膜として高誘電率膜を用いる構造において、高誘電率膜からなるゲート絶縁膜とゲート電極との反応やゲート絶縁膜への不純物の拡散を抑制し欠陥やトラップサイトの形成に起因する特性や信頼性の低下を抑制することができる半導体装置の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a structure using a film having a high dielectric constant as a gate insulation film which can suppress the deterioration of characteristics and reliability due to the formation of defects and trap sites, by suppressing the reaction between the gate insulation film consisting of the film having a high dielectric constant and a gate electrode and the diffusion of dopants into the gate insulation film. - 特許庁

無機材料を用いた膜のパターン全面を被覆するように第２電極を成膜することにより、無機層の膜表面及び端部が酸素や水分に反応せず、ダークスポットが発生しないため表示不良がなく、耐久性を向上させることができる有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an organic EL display device in which a second electrode is deposited so that the whole surface of a film pattern using an inorganic material can be covered and as a result a film surface and end portion of the inorganic layer does not react with oxygen and moisture and a display failure does not occur since a dark spot is not created and durability can be improved; and to provide its manufacturing method. - 特許庁

本方法は、ゲート電極２６及びソース／ドレイン領域３２、３４にＣｏＳｉ_2 膜４０を形成する方法であって、Ｓｉ基板にイオン注入して不純物層３２、３４を形成し、次いでマスク酸化膜３０を除去して、シリサイド反応阻害層となる高濃度Ａs 存在域３６を金属面に露出させる（図３（ｂ））。例文帳に追加

This manufacture is one for forming a CoSi2 film in a gate electrode 26 and source/drain regions 32, 34, and ions are injected to a Si substrate to form impurity layers 32, 34, and next a mask oxide film 30 is removed, and a high concentration As existing region 36 as a silicide reaction hindering layer is exposed to a metal face. - 特許庁

シリコン基板１上にゲート酸化膜３、ゲート電極となるポリシリコン膜４、サイドウォール５を形成し、イオン注入による不純物導入によってソース、ドレイン領域を形成した後、コバルト膜６を堆積し、第１の熱処理で第１相のコバルトシリサイド膜７をシリコン基板１およびポリシリコン膜４上に形成し、未反応のコバルト膜６を除去する。例文帳に追加

A gate oxide film 3, a polysilicon film 4 becoming a gate electrode, and a sidewall 5 are formed on a silicon substrate 1, a source-drain region is formed by introducing impurities by ion implantation, and then a cobalt film 6 is deposited, and a first phase cobalt silicide film 7 is formed by first heat treatment on the silicon substrate 1 and the polysilicon film 4 before the unreactive cobalt film 6 is removed. - 特許庁

窒化物半導体層上に電極を形成する窒化物半導体装置の製造方法において、少なくともシリコンを含む反応性エッチングガスを用いて、窒化物半導体層の表面をプラズマエッチングする工程と、そのエッチング領域を、不活性ガスのプラズマに曝すと共に、酸系あるいはアルカリ系の処理液で清浄化する工程と、清浄化されたエッチング領域表面に電極を形成する工程と、を含む。例文帳に追加

The method of manufacturing the nitride semiconductor device forming an electrode on a nitride semiconductor layer, includes the steps of: carrying out plasma etching on a front surface of the nitride semiconductor layer by using a reactive etching gas containing at least silicon; cleaning the etched region by an acid or an alkali process liquid, while putting the etched region to an inert gas plasma; and forming the electrode on a cleaned etched region front surface. - 特許庁