「不反応電極」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

作業環境への反応ガスの放出を抑制できると共に、シリンダ内周面と電極間の隙間流路に反応ガスが滞留することを抑制して通電不良等の不具合を防止できること。例文帳に追加

To suppress the release of reaction gas to the working environment, further, to suppress the retainment of reaction gas in a gap flow channel between the cylinder inner wall surface and an electrode, and to prevent failures such as a defect in conducting. - 特許庁

以上のように形成することにより、不純物の拡散を抑え、かつ、ゲート絶縁膜とゲート電極の相互反応を抑える。例文帳に追加

Such formation controls the diffusion of impurities and interactions between the gate insulating film and the gate electrode. - 特許庁

反応体及び生成物の輸送を制御するための、平面内不均一構造を有する電極基板を備えた電気化学的燃料電池例文帳に追加

ELECTROCHEMICAL FUEL CELL WITH ELECTRODE SUBSTRATE HAVING IN-PLANE UNUNIFORM STRUCTURE FOR CONTROL OF TRANSPORT OF REACTANT AND PRODUCT - 特許庁

上下電極のエッジ部分における電界強度不均一（エッジ効果）を解決する真空反応室及びその処理方法の提供。例文帳に追加

To provide a vacuum reaction chamber and its processing method to solve a problem of an electric field intensity ununiformity (edge effect) in an edge part of up and down electrodes. - 特許庁

大電流放電時における電極体内での反応の不均一化の抑制を図り、全体として長寿命化なアルカリ電池を提供する。例文帳に追加

To provide an alkaline battery suppressing ununiformity of reaction in an electrode body in high rate discharge, and lengthen the life as a whole. - 特許庁

燃料電池において、膜電極接合体の表面を流れる反応ガスの流量分布に起因した発電分布の不均一を抑制する。例文帳に追加

To suppress an uneven power-generation distribution caused by an uneven flow-rate distribution of reaction gas flowing on the surface of a membrane-electrode assembly in a fuel cell. - 特許庁

複数のシート状の不織布が積層されると共に、その内部に反応材料を含浸した構成とされ、一方の電極と他方の電極との間に配置されて使用される電極構造体であって、前記不織布２０が前記電極間方向に延在するように配置されていることを特徴とする。例文帳に追加

The electrode structure is composed of a plurality of laminated sheets of nonwoven fabric in which a reaction material is impregnated and used in arrangement between one electrode and the other, the nonwoven fabric 20 is arranged so as to extend in a direction between the electrodes. - 特許庁

電極とセパレータ間の接触抵抗を低減するため、接合材を電極に塗布して電極とセパレータを接合すると、接合剤が電極内に染み込み、電極内の反応ガス拡散を疎外し電池性能を低下させるので、電極内に不要に接合材を染み込ませることなく電極とセパレータを接合する製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of jointing an electrode and a separator without impregnating a bonding material into the electrode unnecessarily, because the bonding material is impregnated into the electrode, gas diffusion in the electrode is obstructed, and battery performance is deteriorated if the electrode and the separator is jointed by applying bonding material for the reduction of a contact resistance between the electrode and the separator. - 特許庁

陰極にダイヤモンド電極、陽極に不溶性電極を用いた反応槽で、硝酸性窒素含有液を電気化学的に還元することによりアンモニアを合成することを特徴とする。例文帳に追加

Ammonia is synthesized by electrochemically reducing a nitrate nitrogen-containing liquid in a reaction tank using a diamond electrode as a cathode and an insoluble electrode as an anode. - 特許庁

ゲート電極層と高誘電係数のゲート誘電層の間に、テトラクロロシランとアンモニアとの化学反応で、ゲート電極層内不純物の拡散を阻止するための窒化シリコン障壁層を形成する。例文帳に追加

A silicon nitride barrier layer for preventing the diffusion of in-gate electrode layer impurity is formed by the chemical reaction of tetrachlorosilane and ammonia between a gate electrode layer and a gate dielectric layer with a high dielectric coefficient. - 特許庁

ゲート電極との反応を抑制し、また、ゲート電極からの不純物の拡散を抑制することのできる、シリコン酸化膜換算膜厚の小さいゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a gate insulation film wherein its reaction on the gate electrode of the device is suppressed, and any impurity diffusion performed from the gate electrode to it can be suppressed, and further, its film thickness calculated in terms of a silicon oxide film is made small. - 特許庁

エッチング終了後の基板Ｓを反応室１１から搬出する際、昇降機構２３によって基板を下部電極１３から分離する前に、反応室に不活性ガスを供給し、下部電極に電圧を印加することなく電荷を不活性ガスに移して、基板および下部電極の帯電を除去する。例文帳に追加

When carrying out a substrate S after etching from a reaction chamber 11, this dry etching device supplies the reaction chamber with inert gas before separating the board from a lower electrode 13 by means of a lifting mechanism 23, and shifts the electric charge to the inert gas without applying voltage to the lower electrode, and removes the statics on the board and the lower electrode. - 特許庁

この電解質層１４は、アノード側電極１６およびカソード側電極１８の電極面が接触し、発電反応に対して活性な部分２０と、この活性な部分２０の外方に突出し、発電反応に対して不活性な部分２２とを一体的に有し、この不活性な部分２２がリン酸の補給部として機能する。例文帳に追加

This electrolyte layer 14 comprises integrally an active portion 20 for the generating reaction, which contacts the electrode face of the anode electrode 16 and the cathode electrode 18, and an inactive portion 22 for the generating reaction, which protrudes to the outside from the active portion and this inactive portion 22 functions as a supplying portion of phosphoric acid. - 特許庁

ポリラジカル化合物を電極活物質として含有する電極を備えた二次電池であって、前記ポリラジカル化合物が、ラジカル部位を有するとともに、マイケル付加反応に対して活性な水素原子を有する化合物（Ａ）、活性不飽和基を有する化合物（Ｂ）及びマイケル付加反応を促進する触媒（Ｃ）を必須成分として反応させて得られたものであることを特徴とする二次電池。例文帳に追加

The secondary battery is equipped with an electrode containing a polyradical compound as an electrode active material, and the polyradical compound is obtained, by making the essential elements of a compound (A) containing a hydrogen atom having a radical part and active with respect to a Michael addition reaction, a compound (B) containing an active unsaturated group, and a catalyst (C) that accelerates the Michael addition reaction, to make them react with one another. - 特許庁

このように電極の第２の半導体膜に接する部分に金属窒化物を設けたので、第２の半導体膜中への電極を構成する材料の拡散や、電極材料と半導体膜との不所望な反応を防止することができる。例文帳に追加

Since the metal nitride is provided in the portion in contact with the second semiconductor film, a material constituting the electrode can be prevented from being dispersed in the second semiconductor film, or undesirable reaction between the electrode material and the semiconductor film can be prevented. - 特許庁

燃料不足に由来する電極構造体におけるカーボン腐食反応の進行を防止し、かつ、フラッディングを防止することが可能な電極構造体、特に車両に搭載することを目的とする燃料電池用の電極構造体を提供する。例文帳に追加

To provide an electrode structure, especially an electrode structure for a vehicular fuel cell, capable of preventing progress of a carbon corrosion reaction in the electrode structure due to fuel shortage and preventing flooding. - 特許庁

吐出用電極を構成する電極物質のイオン化溶出などの電気化学反応がおこらず、長時間の使用によっても色材粒子の吐出不良や吐出用電極の著しい劣化などと言った障害が発生しない、寿命の長い静電式インクジェット記録装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electrostatic ink jet recorder having long lifetime in which electrochemical reaction, e.g. ionized elution of an electrode substance composing an ejection electrode, does not take place and long time use does not cause such a trouble as unsmooth ejection of coloring material particles or considerable deterioration of the ejection electrode. - 特許庁

反応容器１４０内に円筒状基体（不図示）を設置し、反応容器１４０内に導入した原料ガスを、周波数が互いに異なる複数の高周波電力をカソード電極（不図示）を介して反応容器１４０内に供給することによって分解してプラズマを生成し、円筒状基体を処理する。例文帳に追加

This method comprises, setting a cylindrical substrate (not shown) in a reactive vessel 140, decomposing the introduced source gas into the reactive vessel 140, by supplying several high frequency powers having different frequencies each other inside the reactive vessel 140 through a cathode electrode (not shown), generating plasma, and treating the cylindrical substrate. - 特許庁

反応容器内の複数の線状電極に位相を制御して高周波電力を印加しても、電極上に生じる定在波による電界強度の不均一性を低減することは困難であり、均一なプラズマを生成させるには不充分である。例文帳に追加

To solve the problem, even if high-frequency power is applied to a plurality of linear electrodes in a reaction container, while controlling the phase thereof it is difficult to reduce the ununiformity of electric field strength due to standing waves generated on the electrodes and it is insufficient to produce uniform plasma. - 特許庁

本発明は、不可逆反応を抑制し、不可逆容量を低減させた、高電位で用いる場合でも高容量化できる電極活物質を得ることを主目的とするものである。例文帳に追加

To obtain an electrode active material in which irreversible reaction is suppressed, irreversible capacity is reduced, and realization of high capacity is possible even when used at high potential. - 特許庁

標的物質検出基板１は、標的物質と特異的に結合する標的結合物質とカーボンナノチューブとの複数の複合体を不規則な網目状に配置した標的物質反応部３と、標的物質反応部３と電気的に結合された二つの電極２、２と、を含む。例文帳に追加

This target substance detection substrate 1 includes: a target substance reaction part 3 obtained by arranging a plurality of composites of a target binding substance specifically bound to a target substance and a carbon nano-tube in an irregular mesh; and two electrodes 2 and 2 electrically bound to the target substance reaction part 3. - 特許庁

本発明の表面処理方法は、大気圧または大気圧近傍の圧力下で、対向する電極双方の放電により反応性ガスをプラズマ状態とし、被処理物の表面を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒して処理する表面処理方法であって、前記電極による放電強度を不均一にすることで、被処理物表面に凹凸及び空隙を形成することを特徴とする。例文帳に追加

The surface treating method comprises rendering a reactive gas in a plasma state by the discharge of both opposing electrodes under atmospheric pressure or pressure in the neighborhood of atmospheric pressure, and exposing the surface of a substance to be treated to the reactive gas in a plasma state, and the irregularities and voids are formed on the surface of the substance to be treated by making the discharge intensity by the above electrodes nonuniform. - 特許庁

高速回転による遠心力により生ずる高重力場における電極反応装置において、電極反応を高精度・多機能に解析でき、従来では不可能であった溶液内物質の荷電状態の変化による構造変化を迅速かつ高感度で検出測定を可能にし、材料科学の発展に寄与し、新しい分析法をも可能にすることにある。例文帳に追加

To provide an electrode reaction apparatus in a high gravitational field generated from centrifugal force by a high-speed rotation capable of analyzing an electrode reaction with high precision and various functions, measuring to detect changes in the structure caused by changes of charging state of materials in a solution which was impossible to detect before with rapidness and high sensitivity, contributing to a development of material science and creating a new analyzing method. - 特許庁

半透過型液晶表示装置において、透明電極膜と反射電極膜とが電食反応により消失し、表示不良となることを抑制するための保護膜パターンが形成された半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a protective film pattern for suppressing a transparent electrode film and a reflective electrode film from disappearing by an electric corrosion reaction to cause a defective display is formed in a transflective liquid crystal display device, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device. - 特許庁

金属膜の上にＳｉ膜５を形成し、ゲート電極のゲート絶縁膜３側からのシリサイド化反応により金属シリサイド膜４を形成するため、不純物イオンがゲート電極とゲート絶縁膜３との界面に濃縮することが無い。例文帳に追加

The Si film 5 is formed on the metallic film, and the metallic silicide film 4 is formed by a siliciding reaction from the gate insulating film 3 for a gate electrode, thus resulting in no concentration of impurity ions on an interface between the gate electrode and the gate insulating film 3. - 特許庁

ゲート電極２０１を残す前記工程は、ＨＢｒガスおよびＣｌ_2ガスを含むエッチングガスを用いた等方性反応性イオンエッチング法によりゲート電極２０１が断面両側下方にアンダーカット部を備えるように不要な部分を除去するステップを含んでいる。例文帳に追加

The process where the gate electrode 201 is left unremoved comprises a step, where a disused part is removed from the gate electrode 201 through an isotropic reactive ion etching method, where an etching gas that contains HBr gas and Cl2 gas is used so as to enable the electrode 201 to be provided with an undercut on its each lower sectional side. - 特許庁

太陽電池セルを大気中で保管する際に、太陽電池セルの表面の電極が化学反応によって劣化することを遅延させ、インターコネクタ付け不良の発生を抑える太陽電池セルの梱包方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of packing a solar battery cell for delaying deterioration of an electrode on a surface of a solar battery cell caused by chemical reaction when storing the cell in the atmosphere and reducing occurrence of failures in interconnector connection. - 特許庁

よって、書き込みおよび消去の繰り返しに伴ってイオン源層２１に含まれるカルコゲン元素と下部電極１０との不要な酸化反応が生じることが抑えられる。例文帳に追加

Accordingly, an unnecessary oxidation reaction between a chalcogen element included in an ion source layer 21 and the lower electrode 10 is prevented from occurring with repetition of write and erasure. - 特許庁

反応領域に二対の対向電極を設け、これに所定の電界を印加することによって、物質の高次構造調整、移動、固定化、不要物質の除去等を自在に行うこと。例文帳に追加

To freely perform the high-order structural adjustment, movement and fixation of a substance, the removal of an unnecessary substance or the like by providing two pairs of counter electrodes in a reaction region and applying a predetermined electric field thereto. - 特許庁

また、第２電極４として、塩素過電圧が白金の塩素過電圧よりも高い材質から形成することにより、第２電極に白金を用いた場合における不具合、すなわち第２電極周辺で塩素が発生し、塩素臭が発生する、あるいはこの塩素が反応して有害なトリハロメタンが生成されるという不具合を防止することができる。例文帳に追加

Otherwise, by forming the second electrode 4 with material having a chlorine overvoltage higher than that of platinum, malfunction in the case of using platinum for the second electrode, that is, such a failure that chlorine is produced around the second electrode, chlorine odor is generated or harmful trihalomethane is produced by reaction of the chlorine can be prevented. - 特許庁

排気工程１の後に、カソード活性化工程２とノッキング工程３とを具備する陰極線管の製造方法において、特に、カソード活性化中に電極を高周波誘導加熱することにより、電極からガスを放出させ、このガスを電極に付着している活性な金属Ｂ反応させてこれを不活性化する。例文帳に追加

In a manufacturing method for a cathode-ray tube having a cathode activation process 2 and a knocking process 3 after an exhaust process 1, especially during the cathode activation process 2, high-frequency induction heating is applied to electrodes so as to purge gases from the electrodes, while the purged gases react on an active metal (i.e., Ba) adhering the electrodes to be inactivated. - 特許庁

不活性なガスの減圧雰囲気に保持された反応チャンバー１内で、一対の炭素棒電極２、３間に、アーク放電５を発生させ、生成されたフラーレン類を含む生成物を、不活性なガスに同伴させて、反応チャンバーに接続されたガス循環通路６に導き、ガス循環通路内に設けられたフィルタ１１によって捕集することを特徴とするフラーレン類の製造方法。例文帳に追加

In the method for producing fullerenes, arc discharge 5 is caused between a pair of carbon rod electrodes 2, 3 in a reaction chamber 1 held in an atmosphere of an inert gas under reduced pressure and a product containing formed fullerenes is carried by the inert gas, led to a gas circulation passage 6 connected to the reaction chamber and collected by a filter 11 disposed in the gas circulation passage. - 特許庁

半導体基板上にストレージノード電極を形成する工程と、ストレージノード電極上に、高誘電定数を持つ誘電体膜を形成する工程と、誘電体膜上にプレート電極を蒸着する工程と、プレート電極上にキャッピング膜を蒸着しながら当該半導体基板上に水素原子（Ｈ）を含有するガスを供給して、当該電極内に残留する反応不純物を排出させる工程と、を含む構成とした。例文帳に追加

The method for forming the capacitor of the semiconductor element includes processes of forming a storage node electrode on a semiconductor substrate, forming a dielectric film having a high dielectric constant on the storage node electrode, evaporating a plate electrode on the dielectric film, and supplying a gas containing hydrogen atoms (H) on the semiconductor substrate while evaporating a capping film on the plate electrode to discharge a reacted impurity remained in the electrode. - 特許庁

大気圧または大気圧近傍の圧力下において、不活性ガスと反応性ガスからなる混合ガスを電極間の放電空間に導入してプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒し、基材上に透明導電膜を形成した後、熱処理する透明導電膜の形成方法。例文帳に追加

This forming method comprises introducing a mixed gas comprising an inert gas and a reactive gas into a discharge space between electrodes and converting it to a plasma state, in or around atmospheric pressure, exposing a substrate to the reactive gas in a plasma condition to form a transparent conductive film, and then heating it. - 特許庁

一次反応部２０の前段電極２２間に１００〜３００００Ｐａ、好ましくは１０００〜３００００Ｐａの一次プラズマ空間２２ａを形成し、この一次プラズマ空間２２ａでＣＦ_４等の安定なハロゲン化炭素を含む原料ガスをプラズマ化し、ＣＯＦ_２等の不安定なハロゲン系成分を含む一次反応ガスを生成する。例文帳に追加

A primary plasma space 22a of 100-30,000 Pa, preferably 1,000-30,000 Pa, is formed between the prestage electrodes 22 in a primary reaction section 20, plasma of a material gas containing a stable halocarbon such as CF_4 is generated in the primary plasma space 22a and primary reaction gas containing an unstable halogen based component such as COF_2 is produced. - 特許庁

また、アンテナ電極の設置により、水素及び酸素等の反応性ガスをプラズマ化して活性種を発生させ、該蒸発物質のナノ粒子形成過程における不純物の結合手を終端させることにより、ナノ粒子の分散性を向上させることを特徴とする。例文帳に追加

Further, the installation of an antenna electrode causes the ionization of a reactive gas such as hydrogen and oxygen, produces active species, and terminates bonds of impurities in the nanoparticle forming process of the vaporized material to improve the dispersibility of the nanoparticles. - 特許庁

ＳｉＯ_ｘ（０．２＜ｘ＜１．４）を集電体上に形成した電極上に、リチウムと、それよりも酸化還元電位が貴であって、且つケイ酸塩を生成する金属を蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング法あるいは電気化学的に不可逆容量相当量を反応させる。例文帳に追加

On an electrode with SiO_x (0.2<x<1.4) formed on a collector, lithium is reacted with an irreversible capacity equivalent quantity of metal having a redox potential more electropositive than that of lithium and producing silicate by a deposition, spattering or ion plating method or electrochemically. - 特許庁

プラズマ処理装置２０は、メタル電極をマスクとして、有機膜と化学反応させるための特定の処理ガス又は有機膜をスパッタするための特定の不活性ガスの少なくともいずれかのガスをガス供給源３６５から処理容器内に導入する。例文帳に追加

In the plasma processing apparatus 20, gas of at least one of particular processing gas for chemical reaction with the organic film or particular inert gas for sputtering the organic film is introduced into a processing container from a gas supply source 365 as a mask for the metal electrode. - 特許庁

誘電体素子において、誘電体と電極の界面における相互反応、あるいは製造工程におけるＮａ等の不純物の混入や熱処理工程での水素の拡散による誘電体素子の劣化が生じることなく、素子の信頼性を向上させる。例文帳に追加

To improve the reliability of an element without causing mutual reaction in the interface between a dielectric and an electrode, including impurities such as Na in a manufacturing process, and deteriorating a dielectric element due to the diffusion of hydrogen in a heat treatment process in the dielectric element. - 特許庁

この構成により、高温によって配線Ａｌ素片のＡｌ原子が電極膜素片および加熱反応層を緩慢に拡散し、下部の高不純物濃度ｎ型ＳｉＣ領域に取り込まれた結果、有効なドナー原子の濃度が減少するためにコンタクト抵抗が上昇する、という従来技術の問題を解決することが出来る。例文帳に追加

Accordingly, a technical problem that the contact resistance rises because concentration of the effective donor atoms is lowered can be solved. - 特許庁

浄化すべき排水を第１電解槽１０中に導入し、鉄電極１１における電解反応を通じて、前記排水中に水酸化鉄粒子を供給して、前記排水中の、有機物やリンなどの不純物を前記水酸化鉄粒子に物理的に吸着させる。例文帳に追加

The drainage to be purified is introduced in the first electrolysis vessel 10, iron hydroxide particles are fed in the drainage through electrolysis reaction at an iron electrode 11, and the impurities, such as organic substances and phosphorus in the drainage, are adsorbed physically to the iron hydroxide particles. - 特許庁

シリコン基板を用いた場合にも、抵抗変化材料と基板や金属電極との間に反応等が生じるのを防止することができ、良好な電気特性を得ることができる抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a resistance change type nonvolatile memory which can obtain good electric characteristics even when a silicon substrate is used since reaction, etc. between a resistance change material and the substrate or a metal electrode can be prevented from occurring, and also to provide its manufacturing method. - 特許庁

低温型燃料電池において、１種または複数種の、有機系弱酸またはその塩を該燃料電池の膜電極接合体の高分子膜内に予め含ませることにより、空気極触媒界面での不純物イオンの酸素還元反応の妨害作用を防止する。例文帳に追加

For the low temperature type fuel cell, an obstructive action against an oxidation-reduction reaction of an air electrode by impurity ions is prevented by containing one or more organic weak acids or salts thereof in a polymer membrane of a membrane-electrode junction in the fuel cell in advance. - 特許庁

ストレージキャパシタの電極の透明導電性物質で形成する場合に、ゲート絶縁膜蒸着工程の時使用されるガスと、前記透明導電性物質が反応して発生されるヘイズの不良を改善するための液晶表示装置アレイ基板、及び製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid crystal display device array substrate and a method of manufacturing the same for improving haze defects which occur when gas used in a gate insulating film vapor deposition process and a transparent conductive material react when formed of a transparent conductive material of a storage capacitor electrode. - 特許庁

シリサイド領域と非シリサイド領域が混在する半導体装置において、シリサイド領域の狭ゲート電極間にシリサイドプロテクション膜残りによるシリサイド形成不良を防止し、非シリサイド領域において確実にシリサイド化反応を防止する製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a silicide region and a non-silicide region are mixed such that poor silicide forming due to remaining silicide protection film between narrow gate electrodes of the silicide region, is prevented, and silicidation reaction in the non-silicide region is also surely prevented. - 特許庁