「到達 n」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

On the silicon layer 33, an n-type well area 34 is formed in a racetrack shape pattern, in inner area and outer area of which p-type base areas 35a, 35b of the MOSFETs 21a, 21b are respectively formed to reach a silicon oxide film 32 through p-type well areas 44a, 44b.例文帳に追加

シリコン層３３に、ｎ型ウェル領域３４がレーストラック形状のパターンで形成され、その内側領域および外側領域にＭＯＳＦＥＴ２１ａ、２１ｂのｐ型ベース領域３５ａ、３５ｂがｐ型ウェル領域４４ａ、４４ｂを介してシリコン酸化膜３２に到達するようにそれぞれ形成されている。 - 特許庁

In an n-channel type MOSFET 1, the front edge of a depletion layer does not reach up to a low-concentration drain diffusion region 5 when potential is applied among gate electrodes 15, and source electrodes 9 and a drain electrode 5 and a semiconductor substrate 1a and the depletion layer is expanded from the junction surfaces of the semiconductor substrate 1a and a well 3.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１において、ゲート電極１５、ソース電極９およびドレイン電極５と、半導体基板1ａとの間に電位を印加して、半導体基板1ａとウェル３との接合面から空乏層を拡張させたとき、この空乏層の先端縁が、低濃度ドレイン拡散領域４にまで到達しない。 - 特許庁

The hard coat composition for ultraviolet-curable plastic base materials contains, at a least, (A) an oligomer or polymer which comprises an N-substituted (meth)acrylamide monomer exhibiting amphiphilicity as a constituent component and has a polymerizable functional group in a side chain thereof and (B) one or more kinds of polyfunctional monomers each having two or more polymerizable functional groups in one molecule thereof.例文帳に追加

少なくとも（Ａ）両親媒性を示すＮ置換（メタ）アクリルアミドモノマーを構成成分とし、側鎖に重合性官能基を有するオリゴマーまたはポリマー、及び（Ｂ）分子内に２個以上の重合性官能基を有する多官能モノマーを１種類以上、を含有する紫外線硬化型プラスチック基材用ハードコート組成物が、上記課題の解決に合致することを見出し、本発明に到達した。 - 特許庁

Respective nodes existing at a front side of the vehicle are detected and stable traveling speed V_T, i.e., the vehicle speed for stably traveling when the vehicle passes through the respective nodes and a deceleration α_n required for accelerating/speed-reducing to the stable traveling speed at the nodes until the vehicle arrives at the respective nodes are calculated in order (S110).例文帳に追加

車両の前方に存在する各ノードを検出し、各ノードを車両が通過する際に安定して走行するための車速である安定走行速度Ｖ_Ｔ、および車両が各ノードに到達するまでにそのノードにおける安定走行速度まで加減速するために必要な減速度α_ｎを順に算出する（Ｓ１１０）。 - 特許庁

To provide an ultrasonic flowmeter for preventing decline of a detection S/N ratio at a measuring time of an arrival time by improving asymmetry of reception sensitivity characteristic of an ultrasonic beam generated in an ultrasonic transducer between a forward direction propagation time and a backward direction propagation time by adjusting output intensity of a piezoelectric element, and contributing to improvement of flow measurement accuracy.例文帳に追加

順方向伝播時と逆方向伝播時との間で超音波トランスジューサに生じる、超音波ビームの受信感度特性の非対称性を、圧電素子の出力強度を調整することにより改善して、到達時間測定時の検出Ｓ／Ｎ比の低下を防止し、流量計測精度の向上に寄与することのできる超音波流量計を提供する。 - 特許庁

A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０を用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔１３−１，１３−２をソース・ドレイン拡散層１０，１１上から隣接する素子分離用の酸化膜７上に亘って、シリコン基板１に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してＰＮ接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁

To provide an ultrasonic flowmeter preventing lowering of an S/N ratio of detection on the occasion of measurement of an arrival time, by improving asymmetry of a receiving sensitivity characteristic for an ultrasonic beam, which is produced between forward propagation time and reverse propagation time in its ultrasonic transducer, and contributing to enhancement of the accuracy of flow rate measurement.例文帳に追加

順方向伝播時と逆方向伝播時との間で超音波トランスジューサに生じる、超音波ビームの受信感度特性の非対称性を改善することにより、到達時間測定時の検出Ｓ／Ｎ比の低下を防止し、流量計測精度の向上に寄与することのできる超音波流量計を提供する。 - 特許庁

For preventing a decrease in strobe emission luminance due to a decrease in the amount of emission of the G LED having high contribution as a luminance signal component, the amount of emission of R, B LEDs is increased for controlling so that the output of R, G, B in the image pickup element becomes uniform, thus maintaining strobe arrival distance and suppressing deterioration in S/N simultaneously.例文帳に追加

また、輝度信号成分として寄与率の高いＧのＬＥＤの発光量を落とすことによるストロボ発光輝度の低下を防止するために、Ｒ・ＢのＬＥＤの発光量を上げて撮像素子のＲ・Ｇ・Ｂの出力が均一になるよう制御し、ストロボ到達距離の維持とＳ／Ｎ劣化の抑制とを同時に実現する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type semiconductor substrate 1, in which a p-type collector layer 2 is formed on the second principal plane, a trench 13 is formed on the outer edge so as to reach from the first principal plane to the collector layer 2 to surround the inside, and a p-type isolation region 14 coupled to the collector layer 2 is formed with the sidewall by diffusion.例文帳に追加

半導体装置は、第２主面側にｐ型のコレクタ層２が形成されたｎ型の半導体基板１を有し、その周縁部に内部を取囲むように第１主面よりコレクタ層２に到達するようにトレンチ１３が形成され、その側壁より拡散にて形成されたｐ型分離領域１４がコレクタ層２と連結して設けられている。 - 特許庁

In the backside incident CMOS image sensor; a wiring layer 720 is disposed on a first face (surface) of an epitaxial substrate 710 where a photodiode, reading circuits (n-type region 750 and n+region 760) and the like are arranged; and a light receiving face is disposed at a second face (backside).例文帳に追加

フォトダイオードや読み出し回路（ｎ型領域７５０、ｎ＋型領域７６０）等を設けたエピタキシャル基板７１０の第１面（表面）に配線層７２０を設け、第２面（裏面）に受光面を設けた裏面入射型のＣＭＯＳイメージセンサにおいて、フォトダイオード及びその周囲のＰ型ウェル領域７４０を基板裏面（受光面）に到達しない層構造で配置し、かつ、基板７１０中に電場を形成して基板裏面（受光面）から入射した電子をフォトダイオードに適正に誘導するようにした。 - 特許庁