「到達 n」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The finish value of each of the channels is the highest value at which the most significant bit (MSB_x) of an n-bit security count value corresponding to this channel reaches.例文帳に追加

チャネルの終了値はこのチャネルに対応するｎビットのセキュリティ・カウント値のｘ最上位ビット（ＭＳＢ_ｘ）が到達した最も高い値である。 - 特許庁

The present invention includes a structure in which a metal shielding element made of aluminium or the like is added to a conventional antenna, thus improving a C/N ratio by preventing a disturbing wave from reaching a radiating element.例文帳に追加

従来のアンテナにアルミニウム等の金属製遮蔽用の素子を付加した構造とすることにより妨害波が輻射器に到達することを阻止してＣ／Ｎ比の向上を図れるようにしたものである。 - 特許庁

Next, an opening 6 reaching at least a surface of the insulating substrate 1 is formed in the source electrode 4s, the GaN layer 2 and the n-type AlGaN layer 3.例文帳に追加

次に、ソース電極４ｓ、ＧａＮ層２及びｎ型ＡｌＧａＮ層３に、少なくとも絶縁性基板１の表面まで到達する開口部６を形成する。 - 特許庁

An n-type drain layer 6 is formed in a depth which reaches insulator 2 from the surface of a p-type active layer 3 of low impurity concentration formed on an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に形成された低不純物濃度のｐ型活性層３の表面から絶縁層２に到達する深さでｎ型ドレイン層６が形成されている。 - 特許庁

Consequently, the return light N, having a plane of polarization different from that of laser light S made to exit from the semiconductor laser 2, is reflected at the reflection surface 5a of the polarization beam splitter 5 and will not reach the semiconductor laser 2.例文帳に追加

これにより、半導体レーザ２から出射されたレーザ光Ｓと偏光面が異なる戻り光Ｎは、偏光ビームスプリッタ５の反射面５ａで反射され、半導体レーザ２に到達しない。 - 特許庁

A carrier or an electron generated in the deep part of the P-type epitaxial layer 53 is diffused toward the N-type epitaxial layer 52 and constituents, which reach the charge accumulating layer 55 of neighbored pixels 11, are decreased extremely.例文帳に追加

Ｐ型エピタキシャル層５３の深部で発生したキャリアである電子は、Ｎ型エピタキシャル層５２に向かって拡散し、隣接する画素１１の電荷蓄積層５５に到達する成分は、極めて少なくなる。 - 特許庁

The number of nodes N to pass before reaching a leaf L is reduced since the plurality of member trees are constituted to the same route in this invention while one tree is constituted to the same route in the conventional tree.例文帳に追加

従来のツリーは同じルートに対して１つのツリーが構成されたのに対し、本発明では同じルートに対して複数のメンバーツリーが構成されるため、リーフＬに到達するまでに通過するノードＮの数が減少する。 - 特許庁

When the count value of the cell voltage fall counter reaches a given number of times N, it is judged whether a result T of the count value of the cell voltage fall counter at that time with the deducted average voltage fall counter is larger or not than a given value M.例文帳に追加

セル電圧低下カウンタのカウント値が所定回数Ｎに到達すると、その時のセル電圧低下カウンタのカウント値から平均電圧低下カウンタを減算した結果Ｔが所定値Ｍより大きいか否かを判定する。 - 特許庁

The drift region 1 has such a resistivity that a depletion layer extended from a collector region 10 provided on the rear surface of the n^- type drift region 1 toward the shell region 5 does not reach the shell region 5.例文帳に追加

ドリフト領域１は、ｎ^-型のドリフト領域１の裏面に設けられたコレクタ領域１０からシェル領域５に向かって拡がる空乏層がシェル領域５に到達しない抵抗率を有する。 - 特許庁

When a heated portion of the fixing belt 11 reaches the fixing nip part N, temperature of the heated portion becomes predetermined temperature or more (for example, 80°C or more) to melt the toner.例文帳に追加

定着ベルト１１の加熱部分が定着ニップ部Ｎに到達する際に、この加熱部分はトナーを融解する所定温度以上（例えば、８０℃以上）となる。 - 特許庁

n number of AD conversion part (1051, 1052,...) converts the pixel signals (AO1, AO2,...) to pixel values (D1, D2,...) by counting the amount of time required for the signal level of the ramp wave signal (RAMP) to reach the signal level of the pixel signals (AO1, AO2,...).例文帳に追加

ｎ個のＡＤ変換部(1051,1052,…)は、ランプ波形信号(RAMP)の信号レベルが画素信号(AO1,AO2,…)の信号レベルに到達するまでの時間をカウントすることによって画素信号(AO1,AO2,…)を画素値(D1,D2,…)に変換する。 - 特許庁

To realize effective utilization of incident light and increase a light reception efficiency by causing light incident to an electrode or guard ring, which has been a cause of light interruption in the prior art, to reach a light receiving part (p-n junction part).例文帳に追加

従来、遮光の原因となっている電極やガードリングに対し、その部分に入射される光を受光部（ｐ−ｎジャンクション部）に到達させることで入射光の有効活用を図り、受光効率をアップさせる。 - 特許庁

Cams C1-C4 for driving a valve of respective cylinders fixed to a camshaft are respectively provided with position sensors S1-S4 for detecting arrival of respective cam nose parts N of the respective cams C1-C4 at predetermined positions in the rotational direction of the camshaft.例文帳に追加

カムシャフトに取付けられる気筒毎の弁駆動用のカムＣ１〜Ｃ４のそれぞれに対し、カムシャフトの回転方向で所定の位置にて、各カムＣ１〜Ｃ４のカムノーズ部Ｎの到達を検出する位置センサＳ１〜Ｓ４を設ける。 - 特許庁

The cement milk (c) having rich blend is discharged to a lower end part of the steel pipe pile 1 which reaches below a support ground face N, is stirred, and is mixed to form a tip root fixing part A.例文帳に追加

支持地盤面Ｎ以下に到達した鋼管杭１の下端部には、富配合のセメントミルクｃを吐出して攪拌・混合し、先端根固め部Ａを形成する。 - 特許庁

In this image forming device, an average print rate B is computed in a control part 90, and an amount of laser exposure of an exposing device 3 is increased when the number (n) of printed paper reaches the predetermined number A.例文帳に追加

印刷枚数ｎが所定枚数Ａに到達した場合は、制御部９０において平均印字率Ｂを算出するとともに、露光装置３のレーザ露光量を増大する。 - 特許庁

Since the perfect isolation region 4 penetrates the SOI layer 3 to reach a buried oxide film 2, the n^+ diffusion region 11 is electrically isolated completely from the outside by the perfect isolation region 4.例文帳に追加

完全分離領域４はＳＯＩ層３を貫通して埋め込み酸化膜２に到達するため、Ｎ^+拡散領域１１が完全分離領域４によって外部から電気的に完全に絶縁される。 - 特許庁

Arriving at an application end position, the nozzle N stops discharging of the application liquid and retreats in a direction away from the substrate surface Wf.例文帳に追加

塗布終了位置に到達するとノズルＮからの塗布液の吐出を停止するとともにノズルＮを基板表面Ｗｆから離間する方向に退避させる。 - 特許庁

To improve S/N by reducing a low frequency band noise based on features of light intensity distribution and outputted optical signal distribution having reached a photodetector.例文帳に追加

光検出器に到達する光強度分布と出力された光信号分布の特徴を基に低域ノイズを低減させてＳ／Ｎを向上させるようにすること。 - 特許庁

The upper ceiling control section 103 regulates to keep the machine to generate big wins at a higher than normal rate of probability when the memorized accumulative numbers of overflow reach the pre-determined numbers of overflow ceiling N.例文帳に追加

天井到達時制御部１０３は、累積記憶されたオーバーフロー数が予め定められたオーバーフロー天井数Ｎに達した場合に、大当りが発生し易い高確率状態となるように制御する。 - 特許庁

So, an inversion bias voltage is applied, and even if a depletion layer reaches the n+ layer 103, the abrupt enlargement-stop with the depletion layer is suppressed, resulting in suppressed voltage oscillation.例文帳に追加

これにより逆バイアス電圧が印加され、空乏層がｎ^+層１０３に到達しても、空乏層の拡大停止が急激となることが抑制でき、電圧振動が抑制される。 - 特許庁

Holes 101h are formed in the substrate 101 to extend from a second main surface 101b to the first main surface 101a, and reach the GaN buffer layer 102 and the n-type GaN layer 103.例文帳に追加

サファイヤ基板１０１には、第２の主表面１０１ｂから第１の主表面１０１ａへ延び、かつＧａＮバッファ層１０２およびｎ型ＧａＮ層１０３に到達する孔１０１ｈが形成されている。 - 特許庁

Side surfaces of the laminate and side surfaces of the n-type high concentration layer 12a each have a portion forming wall surfaces continuing to each other and reaching from the surface of the substrate 11 to the p-type high concentration layer 12e without causing a step difference.例文帳に追加

当該積層体の側面及びｎ型高濃度層１２ａの側面は、互いに連続して基板１１表面からｐ型高濃度層１２ｅまで段差なく到達する壁面を形成する部分を有する。 - 特許庁

Next, an opening 6 is so formed on the source electrode 4s, the GaN layer 2, and the n-type AlGaN layer 3 as to reach at least the front surface of the insulating substrate 1.例文帳に追加

次に、ソース電極４ｓ、ＧａＮ層２及びｎ型ＡｌＧａＮ層３に、少なくとも絶縁性基板１の表面まで到達する開口部６を形成する。 - 特許庁

In the example shown on Fig. 1, the depletion layer 15 intrudes into the auto-doping layer 13b but does not reach an N+ type silicon substrate 2 under avalanche breakdown voltage and a part of an epitaxial layer 13 exists between the depletion layer 15 and the N+ type silicon substrate 2.例文帳に追加

また、図１に示す例の場合、空乏層１５は、オートドーピング層１３ｂ内に侵入しているが、アバランシェ降伏電圧下において空乏層１５はＮ^+型シリコン基板２には到達せず、空乏層１５とＮ^+型シリコン基板２との間にエピタキシャル層１３の一部が介在する。 - 特許庁

The time for which an analog switch Asw(n) is on in an odd-numbered-field period is set to a time long enough to write the odd-numbered-line video signal to a holding capacitor Cs, in other words, a time long enough to make a Cs voltage reach a control target voltage.例文帳に追加

奇数フィールド期間において、アナログスイッチＡsw(n)がオンしている時間は、保持容量Ｃｓに奇数ライン映像信号を書き込むのに十分な時間、言い換えればＣｓ電圧が制御目標電圧に到達するのに十分な時間に設定される。 - 特許庁

When an avalanche breakdown voltage is applied to a PN junction comprising a P type guard ring 4 and an N- layer 13a, a depletion layer 15 extending from the junction plane of the PN junction to the N- layer 13a side reaches an auto-doping layer 13b.例文帳に追加

Ｐ型ガードリング４とＮ^-層１３ａとからなるＰＮ接合にアバランシェ降伏電圧が印加された時に、前記ＰＮ接合の接合面からＮ^-層１３ａ側に伸びた空乏層１５が、オートドーピング層１３ｂに到達している。 - 特許庁

The signal lights of N wavelengths output by optical transmitters 11_1 to 11_N are multiplexed by an optical multiplexer 12, transmitted through an optical fiber transmission path 20 to reach an optical demultiplexer 32 and demultiplexed by the optical demultiplexer 32, and the signal light of a wavelength λ_n is received by an optical receiver 32n.例文帳に追加

光送信器１１_１〜１１_Ｎより出力されたＮ波長の信号光は、光合波器１２により合波され、光ファイバ伝送路２０により伝送されて、光分波器３２に到達し、光分波器３２より波長毎に分波され、波長λ_ｎの信号光が光受信器３１_ｎにより受信される。 - 特許庁

Meanwhile, the image reader sets a threshold TH to be N times the value CTR in the counter memory; updates the value CTR in the counter memory to the threshold TH, as well as, sets the threshold TH to be N times the value CTR in the counter memory, when the time in the measurement counter reaches the threshold TH.例文帳に追加

一方、画像読取装置は、閾値ＴＨをカウンタメモリの値ＣＴＲのＮ倍に設定し、計測カウンタの時間が閾値ＴＨに到達した場合には、カウンタメモリの値ＣＴＲを閾値ＴＨに更新すると共に、閾値ＴＨを、更新後の値ＣＴＲのＮ倍に設定する。 - 特許庁

Thus, even when the n type ion implanted to the memory cell transistor 110 in the on-state reaches the adjacent memory cell transistor 120 in the off-state when writing data, the influence is dissolved by the p type ion.例文帳に追加

このため、データ書込のときにオン状態のメモリセルトランジスタ１１０に注入されたｎ型イオンが、隣接するオフ状態のメモリセルトランジスタ１２０まで到達していても、その影響がｐ型イオンにより解消されている。 - 特許庁

The point where a value of the speed-reduction degree becomes the largest is selected based on the deceleration α_n of the respective nodes and the vehicle is speed-reduction controlled such that the speed becomes the stable traveling speed at the point until it arrives at the point (S120-S170).例文帳に追加

そして、各ノードの減速度α_ｎに基づき、減速度の値が最も大きくなるポイントを選択し、そのポイントに到達するまでにそのポイントにおける安定走行速度になるよう車両を減速制御する（Ｓ１２０〜Ｓ１７０）。 - 特許庁

The driving side resist roller 62 starts rotation in the inverse direction of the sheet carrying direction, before a tip part of the sheet reaches the nip N, by receiving the driving transmission from a transmission gear 132 rotating in the same timing as the supply roller 58.例文帳に追加

供給ロール５８と同じタイミングで回転する伝達ギア１３２からの駆動伝達を受けて、シートの先端部がニップＮに到達するよりも前に駆動側のレジストロール６２がシート搬送方向と逆方向の回転を開始する。 - 特許庁

According to the method of manufacturing a silicon wafer, since the n-type first epitaxial film 12 formed under the second epitaxial film 13 in which the device is formed functions as a barrier layer, heavy metal introduced from the reverse-surface side of the silicon wafer in the device post-process never reaches a device region.例文帳に追加

本発明によれば、デバイスが形成される第２のエピタキシャル膜１３の下部に形成されるｎ型の第１のエピタキシャル膜１２がバリア層として機能することから、デバイス後工程でシリコンウェーハの裏面側から導入される重金属がデバイス領域に到達することがない。 - 特許庁

The submerged arc welding machine is provided with: a wire feeding motor having a rated torque of ≥1.0 N-m, a rotor inertia of ≤1.0×10^-4 kg-m^2, and a lead time, to reach a rated rotational speed, of ≤100 msec under an unload condition; and a welding power source having drooping characteristics.例文帳に追加

ワイヤ送給モータが、定格トルクが１．０Ｎ・ｍ以上、回転子イナーシャが１．０×１０^−４ｋｇ・ｍ^２以下、且つ定格回転速度までの到達時間が無負荷状態で１００ｍｓｅｃ以下で、溶接電源が垂下特性を有しているサブマージアーク溶接機。 - 特許庁

Heat can be sufficiently released from a part of the intermediate transfer belt 7 heated at a transfer fixing part N before a photoreceptor drum 1a is reached even when the intermediate transfer belt 7 is rotated in a direction of an arrow R7 at a rotational speed of ≥100 mm/sec.例文帳に追加

中間転写ベルト７を矢印Ｒ７方向に、１００mm／sec 以上の回転速度で回転させた場合でも、中間転写ベルト７における転写定着部Ｎで加熱された部分が感光ドラム１ａに到達するまでに十分に放熱することができる。 - 特許庁

Since noises N obliquely projecting into the hollow and reaching the side face section 52 of the spacer 5 are attenuated by repeating reflection between the mutually faced interior walls 54 of the recessed groove-shaped side face section 52 of the spacer 5, the lowering of the oblique incident sound absorption coefficient by the side face section 52 of the spacer 5 can be inhibited.例文帳に追加

中空内に斜入射し、スペーサー５の側面部５２に到達した騒音Ｎは、スペーサー５の凹溝状側面部５２の相対向する内壁５４間で反射を繰り返して減衰されるため、スペーサー５の側面部５２による斜入射吸音率の低下を抑制することができる。 - 特許庁

A correction calculating section 93b calculates a flash energy E1n reaching the substrate at n-th flash, based on an initial value E10 of the flash energy to be measured in the first measurement section 78 and the decrease rate DR1n obtained in the decrease rate calculating section 93a.例文帳に追加

補正演算部９３ｂは、第１計測部７８で計測される閃光エネルギーの初期値Ｅ１０と、減少率演算部９３ａで求められた減少率ＤＲ１ｎと、に基づいて、第ｎ回目の発光時に基板に到達する閃光エネルギーＥ１ｎを演算する。 - 特許庁

As a ceiling value combination, the counts of performed games of three ceiling value combinations are determined, and every time the total count N of games reaches the counts of the performed games of three determined ceiling value combinations (S44: YES), the medals or the like corresponding to a preset dividend are put out (S45).例文帳に追加

その一方で、天井値役として、３つの天井値役の発動ゲーム回数を決定し、この決定された３つの天井値役の発動ゲーム回数にゲームの合計回数Ｎが到達するたびに（Ｓ４４：ＹＥＳ）、予め設定されている配当に相当するコイン等を払い出す（Ｓ４５）。 - 特許庁

After that, a second interlayer insulating film 147 is deposited on the substrate; and the metal pad 152 for relaxing the stress, a second plug 170n on the N-type diffusion layer reaching a first plug 160p on a P-type diffusion layer, and a second plug 170p on the P-type diffusion layer are formed through the second interlayer insulating film 147.例文帳に追加

その後、基板上に第２の層間絶縁膜１４７を堆積し、第２の層間絶縁膜１４７を貫通して応力緩和用金属パッド１５２，Ｐ型拡散層上第１プラグ１６０ｐに到達するＮ型拡散層上第２プラグ１７０ｎ，Ｐ型拡散層上第２プラグ１７０ｐを形成する。 - 特許庁

In addition, also when a count value N reaches red-eye reduction frequency limitation X, and judgment in a step S208 becomes YES though the judgment in the step S206 is YES and the red-eye reduction is insufficient, the processing progresses from the step S208 to the step S210 to execute the photography processing.例文帳に追加

また、ステップＳ２０６の判断がＹＥＳであって赤目軽減が不十分ではあるが、カウント値Ｎが赤目軽減回数制限Ｘに到達してしまい、ステップＳ２０８での判断がＹＥＳとなった場合にも、ステップＳ２０８からステップＳ２１０に進んで本撮影処理を実行する。 - 特許庁

Two MOS transistors operating as the variable impedance element are connected in series, and when a voltage of a battery 1 reaches its prescribed voltage, a charging current of the battery 1 is switched to a p-channel MOS transistor 35 and n-channel MOS transistor 36 side to be bypassed.例文帳に追加

可変抵抗素子として動作するＭＯＳトランジスタを２個直列に接続し、電池１の電圧が所定の電圧に到達すると、電池１の充電電流がＰチャネルＭＯＳトランジスタ３５とＮチャネルＭＯＳトランジスタ３６側に切り替わりバイパスされる。 - 特許庁

When time t1 elapses after the start of drive of a gate roller and then the leading end of the sheet S conveyed to a nip N between a heat roller 91 and a pressure roller 92 reaches the detection position P, the output of the sheet detection sensor 84 changes to an L-level.例文帳に追加

ゲートローラの駆動開始から時間ｔ1が経過して、加熱ローラ９１と加圧ローラ９２との間のニップ部Ｎに搬送されてきたシートＳの先端が検出位置Ｐに到達すると、シート検出センサ８４の出力がＬレベルに変化する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device having little display unevenness in N-line dot inversion driving.例文帳に追加

アクティブマトリックス型の液晶表示装置を用いたＮラインドット反転駆動においては、画素電極におけるソース電極の到達電圧の違いから、交流化に伴い前ラインと比較して極性が反転するラインと反転しないラインでは輝度が異なり、これが表示むらや輝線となって観測される。 - 特許庁

The multiwavelength signal light transmitted in the the optical transmission line 10 and arriving at an optical receiving station 30 is demultiplexed to respective wavelengths with an optical demultiplexer 32 in the optical receiving station 30 and the signal light having the wavelength λ_n is received by light receiving parts 31_n.例文帳に追加

光伝送路１０により伝送されてきて光受信局３０に到達した多波長の信号光は、この光受信局３０において、光分波器３２により波長毎に分波され、そのうちの波長λ_ｎの信号光が受光部３１_ｎにより受信される。 - 特許庁

The control circuit 11 controls the phase of each of signals generated by the respective oscillation circuits 100 of the N power transmission circuits 10 so that the following is implemented: the phases of changes in the magnetic fields from at least two power transmission coils 101 of the power transmission coils 101 of the N power transmission circuits 10 are identical at the power reception coil 200 of a power reception circuit 20.例文帳に追加

制御回路１１は、Ｎ個の送電回路１０の送電コイル１０１のうち少なくとも２個の送電コイル１０１から到達する磁場の変化の位相が受電回路２０の受電コイル２００において揃うように、Ｎ個の送電回路１０の各発振回路１００が発生する信号の位相を制御する。 - 特許庁

Taking communication states of links between respective nodes held in the set N table 110 and set N^2 table 120 into consideration, an MPR setting unit 160 selects an MPR node while deleting nodes whose reachability of flooding is confirmed from the set F table 170, and sets it in an MPR table 180.例文帳に追加

ＭＰＲ設定部１６０は、集合Ｎテーブル１１０および集合Ｎ^2テーブル１２０に保持される各ノード間のリンクの通信状態を考慮して、フラッディングの到達可能性が確認されたノードを集合Ｆテーブル１７０から削除しながらＭＰＲノードを選択し、ＭＰＲテーブル１８０に設定する。 - 特許庁