「半波電位」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

半導体素子の熱を効率よく外部に放熱し、また半導体素子の接地電位を強化および安定化させて高周波信号の伝送特性を向上させて、半導体素子を長期に亘り正常かつ安定に作動させること。例文帳に追加

To normally and stably operate a semiconductor element for a long time by efficiently radiating the heat of the semiconductor element to the outside and improving transmission characteristics of a high frequency signal by strengthening and stabilizing the ground potential of the semiconductor element. - 特許庁

半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成されたインダクタと、前記インダクタを囲み且つ延伸方向において波形部分が連続するように前記半導体基板に形成されたガードリングと、前記ガードリングに所定電位を供給する電位供給配線とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate, an insulating layer formed on the semiconductor substrate, an inductor formed on the insulating layer, a guard ring so formed on the semiconductor substrate as to surround the inductor and to make a wave-shape which continues in the extending direction, and potential supply wiring for supplying a prescribed potential to the guard ring. - 特許庁

本発明の半導体装置は、相変化メモリと、電磁波を交流の電気信号に変換するアンテナと、アンテナから供給される交流の電気信号を基に電源電位を生成し、生成した電源電位を相変化メモリに供給する電源回路を有する。例文帳に追加

The semiconductor device has a phase-change memory, an antenna that converts an electromagnetic wave into an AC electric signal, and a power circuit that generates power potential, based on the AC electric signal provided from the antenna, and provides the generated power potential to the phase-change memory. - 特許庁

本発明の半導体装置は、相変化メモリと、電磁波を交流の電気信号に変換するアンテナと、アンテナから供給される交流の電気信号を基に電源電位を生成し、生成した電源電位を相変化メモリに供給する電源回路を有する。例文帳に追加

The semiconductor device has a phase-change memory, an antenna that converts an electromagnetic wave into an AC electric signal, and a power circuit that generates power potential on the basis of the AC electric signal provided from the antenna, and provides the generated power potential to the phase-change memory. - 特許庁

超音波診断システム等に用いられる送信回路を、小面積で振動子駆動回路部高圧電源の高電位側及び低電位側とも0〜±200V程度まで可変とし、もって複数チャネルの送信回路を集積化した半導体集積回路装置を実現する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit device in which a transmission circuit with a plurality of channels is integrated by making the transmission circuit to be used for an ultrasonic diagnostic system or the like variable up to 0 to ±200V on both high potential side and low potential side of a high-voltage power supply of a vibrator driving circuit in a small area. - 特許庁

通常動作時に異なる電源系の接地配線等の同電位配線間を伝搬する高周波ノイズを抑制しながら、異電源系の同電位端子間のＥＳＤストレスに対しても十分な耐量を有する静電保護回路及びこの静電保護回路を備えた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electrostatic protective circuit which restrains high-frequency noises from being propagated through interconnect lines of the same potential, such as grounding wiring of different power supply systems in a usual operation, and has resistance high enough to withstand even ESD stress imposed between the terminals of the same potential of different power supply systems and also to provide a semiconductor device equipped with the same. - 特許庁

電磁波シールド層は、例えば、メモリセル領域上及び又は下に設けられた導電層或いは半導体層で構成され、好ましくは同じ電位になるよう接続される。例文帳に追加

The electromagnetic wave shielding layer is constituted of, e.g. a conducting layer or a semiconductor layer, which is arranged above and/or below the memory cell region, and preferably is connected to have the same potential. - 特許庁

ＤＣＯ５０と、温度に対して単調な特性を持って変化する電圧源２０から得られる電位に応じたＤＣＯ５０に設定すべき発振周波数の温度係数および発振周波数の絶対値を記憶する記憶部４２と、を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit device includes a DCO 50 and a storage part 42 that stores a temperature coefficient of an oscillation frequency and an absolute value of the oscillation frequency, which should be set in the DCO 50, corresponding to potential obtained from a voltage source 20 that changes with a monotonic characteristic with respect to temperature. - 特許庁

半導体装置は、動作波形解析の対象となる複数の信号線２、４と、動作波形解析の基準となる基準信号線６とを有し、信号線の一部８と基準信号線の一部１０が最上層配線層において互いに電位の干渉を生じる距離に配置されている。例文帳に追加

The semiconductor device has a plurality of signal wires 2, 4 objective to waveform analysis on operation, and a portion of a signal wire 8 and a portion of a reference signal wire 10 are disposed in an area generating potential interference with each other in an uppermost wiring layer. - 特許庁

上記課題は、半導体集積回路であって、所定処理を実行する回路と、電源インピーダンスを切り換える切換回路と、前記切替回路は、前記回路に印加される電位の変動に応じて、前記半導体集積回路の共振周波数が前記回路の動作周波数から離れるように前記電源インピーダンスを切り替える半導体集積回路により達成される。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit includes: a circuit that executes a predetermined process and a switching circuit that selects a power impedance, The switching circuit selects the power impedance, in accordance with a variation in voltage supplied to the circuit, so that a resonant frequency of the semiconductor integrated circuit is different from an operation frequency of the circuit. - 特許庁

メモリモジュールのプリント基板１１上に配置された高周波数の信号線上、及び／又は信号線の終端部の延長線上に基準電位接続パターン１５を設けると共に、半導体メモリチップを覆うシールドカバー１２を前記基板上に設けて、基準電位接続パターン１５と金属カバーコンタクト部品１６を介してシールドカバー１２を接続する。例文帳に追加

A shield cover 12 for covering semiconductor memory chips is set on the board and is connected to thereto via the reference potential connection patterns 15 and metal cover contacts 16. - 特許庁

マルチゲートＦＥＴ１００のソース電極１０２とドレイン電極１０３の一方から高周波信号が入力して他方から出力されると共に、複数のゲート電極１０７、１０８、１０９に接続された制御端子の電位により高周波信号の通過および遮蔽を制御する高周波スイッチ回路用半導体装置である。例文帳に追加

In the high frequency switching circuit, a high frequency signal via either a source electrode 102 or a drain electrode 103 in a multi-gate FET 100 is inputted and outputted via the other electrode, and controls high frequency signal passing or blocking is controlled by the electric potentials of control terminals connected to multiple gate electrodes 107, 108 and 109. - 特許庁

インダクタンス素子直下の接地プレートを除去して間隙部を設けることによって接地電位との間に介在する誘電体による寄生容量を解消することができ、特性の良好な高周波半導体装置を得ることができる。例文帳に追加

Since parasitic capacitance due to a dielectric interposed between an inductance element and the ground potential can be eliminated by removing a ground plate directly under the inductance element and providing a gap, a high frequency semiconductor device having good characteristics can be obtained. - 特許庁

通信用半導体集積回路は、ミキサＭＩＸを有して送信Ｉ，Ｑ信号と搬送波信号を合成し変調するＩ側、Ｑ側の変調回路２３３ａ、ｂと、ミキサＭＩＸの差動出力の電位差を減少させるキャリブレーション回路２３１とを備える。例文帳に追加

A semiconductor integrated circuit for communication includes: I-side and Q-side modulation circuits 233a and 233b for combining and modulating transmission I and Q signals and a carrier signal while including mixers MIX; and a calibration circuit 231 for decreasing a potential difference between differential outputs of the mixers MIX. - 特許庁

高周波電力によりプラズマを発生させて半導体ウエハに対してエッチングなどの処理を行う装置において、異なる導電性部材間の電気的抵抗を低減させ、プラズマ空間に面する導電性部材の電位の均一化を図り、良好な処理を行うことができるようにする。例文帳に追加

To conduct a satisfactory processing in a device for processing an etching or the like to a semiconductor wafer by generating plasma with a high frequency power by decreasing an electrical resistance between various conductive members and by uiforming a potential of the conductive members facing the plasma ambience. - 特許庁

あらゆる環境下において高感度、特に半導体レーザー波長域で高感度特性を維持しつつ電位安定性に優れ、画像欠陥のない画像が得られる電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electrophotographic photoreceptor which is excellent in potential stability while retaining high sensitivity in any environment, particularly high sensitivity characteristics in the wavelength range of a semiconductor laser and forms an image free of image defects, and to provide a process cartridge comprising the electrophotographic photoreceptor, and an electrophotographic apparatus. - 特許庁

上記の方法によれば、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ４の動作タイミングが略一致するので、スイッチング時のコモンモード電圧は、モータ端子Ｍ１に発生する電圧波形とモータ端子Ｍ２に発生する電圧波形とが打ち消されてＶＤの半分の電位となり、ノイズ成分が発生しない。例文帳に追加

According to the above method, the operation timing of the switching element Q1 and that of the switching element Q4 accord roughly with each other, therefore as for the common-mode voltage in switching, the voltage waveform generated in a motor terminal M1 and the voltage waveform generated in a motor terminal M2 are offset and it reduces to potential half VD and noise components are not generated. - 特許庁

半導体基板上に設けられ、接地電位に接続される接地プレートと、接地プレート上に層間絶縁膜を介して多層に設けられ、その電気的中間点に位置するスルーホールによって各層間が相互に接続されることで、給電点が統合される複数の線路導体とを備えることを特徴とする高周波半導体装置。例文帳に追加

The high frequency semiconductor device comprises a ground plate provided on a semiconductor substrate and connected with the ground potential, and a plurality of line conductors provided in multilayer on the ground plate through an interlayer insulation film with the power supply points being integrated by interconnecting respective layers through through holes located at the electrical intermediate points thereof. - 特許庁

半導体装置のノイズを測定する計測器は、参照電位Ｖｒｅｆを変化させて、ノイズ発生のトリガとなるトリガ信号Ｓの変化から２つのラッチ回路の出力信号ＯＵＴＰ、ＯＵＴＮの変化までの時間をモニタし、参照電圧Ｖｒｅｆと出力の変化までのタイミングをプロットすることでノイズ波形を推定する。例文帳に追加

The measuring instrument for measuring the noise in the semiconductor device changes the reference voltage Vref, monitors times from a change of a trigger signal S serving as a trigger of the noise generation up to changes of output signals OUTP, OUTN from the two latch circuits, and plots the reference voltage Vref and timing up to the changes of the outputs to estimate a noise waveform. - 特許庁

高感度、特に半導体レーザー波長領域で高感度特性を有し、繰り返し使用時の電位安定性、加えて画像欠陥、特に反転現象系における黒ポチの少ない電子写真感光体、該感光体を供給し得るフタロシアニン結晶、該フタロシアニン結晶の製造方法、該感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide an electrophotographic photoreceptor having a high sensitivity, especially a high sensitivity to a characteristic in semiconductor laser wavelength range, voltage stability in repeated use and low in image defect, especially black macular fogging in inversion developing, and a phthalocyanine crystal capable of applying to the photoreceptor, and also to provide preparative method for the crystal, a process cartridge having the photoreceptor and an electrophotographic device. - 特許庁

円板と、該円板の周縁部分上に、該周縁に沿って設けられた、該円板の内側領域を囲包する導電性フィルターであって、該円板の半径方向に凹凸が形成されるように波状に曲折されたものと、前記円板を回転させるための手段と、前記フィルターに電位を付与する手段とを具備する空気清浄機を提供した。例文帳に追加

The air cleaner is equipped with a disk, a conductive filter provided on the peripheral edge part of the disk along the peripheral edge thereof to surround the inside region of the disk and bent in a wavy form so as to form unevenness to the disk in the radial direction thereof, a means for rotating the disk and a means for applying potential to the filter. - 特許庁