「厚純」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

前記純銅めっき層は、厚さが０．３μｍ以上であることが好ましい。例文帳に追加

The thickness of the pure copper plating layer is preferably ≥0.3 μm. - 特許庁

全体的な積層厚さ及びシール部の厚さの調整を単純に所要の厚さに設定できる金属積層形ガスケットを提供する。例文帳に追加

To set the adjustment of an entire layered thickness and the thickness of a sealed part to a desired thickness simply. - 特許庁

純水が凍結する際に純水タンクに発生する応力を低減し、壁厚を厚くすることなく変形、破損などを防止する純水タンクを提供する。例文帳に追加

To provide a pure water storage tank capable of preventing deformation, breakage and the like without increasing the thickness of a wall by reducing stress generated in the pure water tank when pure water is frozen. - 特許庁

キャリア蓄積層４は、高濃度不純物層４ａと低濃度不純物層４ｂとを有し、高濃度不純物層４ａは１．５μｍ以上の厚さであり、この層の不純物濃度が層全体にわたり１．０×１０^１６ｃｍ^−３以上であるようにした。例文帳に追加

The carrier storing layer 4 has a high concentration impurity layer 4a and a low concentration impurity layer 4b. - 特許庁

抵抗体とするシリコンの膜厚ばらつきにかかる最大の膜厚の領域（図５（ａ））における不純物の添加量を「Ｎ０」とし、最小の膜厚の領域（図５（ｂ））における不純物の添加量を「Ｎ０−Ｎａ」とする。例文帳に追加

The adding amount of impurities in the maximum film thickness region (Fig.(a)) related to the variety of a resistor or a silicon film thickness is specified so as to be "NO" and the adding amount of impurities in the minimum film thickness region (Fig.(b)) is specified so as to be "NO-Na". - 特許庁

膜厚が薄く充分な不純物濃度を有する不純物領域を備えるダイオードを有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a diode having an impurity region small in film thickness and having sufficient impurity concentration. - 特許庁

Ｐ型の不純物濃度の薄い層１２７とＮ型の不純物濃度の薄い層１２８の厚さは４０ｎｍ以下である。例文帳に追加

The p-type layer 127 having small impurity concentration, and n-type layer 128 having small impurity concentration are as thick as 40 nm or less. - 特許庁

膜厚均一性に優れ且つ不純物拡散防止機能の高いシリコン窒化膜を形成する。例文帳に追加

To form a silicon nitride film having high uniformity in a coating thickness and a high impurity diffusion prevention function. - 特許庁

第２領域１５６では２回の注入で、不純物が透過しないレジスト膜厚に設定する。例文帳に追加

A resist film thickness not transmitting impurities is set in the second region 156 by two injections. - 特許庁

純粋アルミニウムは、酸素に曝すと、表面に１ｎｍ程度の厚さの酸化アルミニウムができる。例文帳に追加

When the pure aluminum is exposed to oxygen, an aluminum oxide which is about 1 nm in thickness is formed on a surface. - 特許庁

単純な形状でありながら取付穴の厚みの変化に対応できるグロメットを提供する。例文帳に追加

To provide a grommet capable of responding to change of thickness of a fitting hole despite its simple shape. - 特許庁

基板表面に存在する不純物の厚さを０．２ｎｍ以下とすることにより、前記課題を解決する。例文帳に追加

The thickness of the impurities present on the substrate surface is controlled to ≤0.2 nm. - 特許庁

半導体層は、ボディ領域が完全空乏化する不純物濃度と膜厚で形成される。例文帳に追加

The semiconductor layer is formed of an impurity concentration and a film thickness by which the body region is put into complete depletion. - 特許庁

不純物濃度プロファイル測定方法および薄膜試料の膜厚測定方法例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING IMPURITY CONCENTRATION PROFILE AND METHOD FOR MEASURING THICKNESS OF THIN FILM MATERIAL - 特許庁

純粋な経済厚生以外には、国内の労働市場に対する影響が考えられる。例文帳に追加

Aside from pure economic welfare, there is the impact on the domestic labor market. - 経済産業省

ゲート電極と下部不純物拡散領域間にゲート絶縁膜よりも膜厚が厚い絶縁膜１を形成する。例文帳に追加

An insulating film 1 thicker than a gate insulating film is formed between a gate electrode and a lower dopant diffusion region. - 特許庁

そして、ポリシリコン膜４３の膜厚は、イオン注入の際に、不純物が通過できる膜厚である。例文帳に追加

Then, the film thickness of the polysilicon film 43 is a film thickness for enabling impurities to pass in ion implantation. - 特許庁

板状半導体領域の厚さは、その不純物濃度で決まる最大空乏層の厚さの二倍よりも薄く形成する。例文帳に追加

The thickness of a tabular semiconductor region is formed in a thickness thinner than the double of the thickness of a maximum depletion layer determined by the impurity concentration. - 特許庁

ｐ型不純物領域２ａは、相対的に厚みの大きい第１領域２ａ１と、相対的に厚みの小さい第２領域２ａ２とを有する。例文帳に追加

The p-type impurity region 2a has a first region 2a1 with relatively large thickness and a second region 2a2 with a relatively small thickness. - 特許庁

（ｃ）熱酸化処理により、不純物拡散領域３０上に膜厚の厚いシリコン酸化膜３２を形成する。例文帳に追加

(c) A thick silicon oxide film 32 is formed on the impurity diffused region 30 in a thermal oxidation process. - 特許庁

その後、シリコン活性層３のチャネル形成領域１４の厚さを、不純物拡散層１２、１３の厚さよりも薄くなるように加工する。例文帳に追加

Then, the channel formation area 14 of the silicon active layer 3 is made smaller in thickness than the impurity diffused layers 12 and 13. - 特許庁

それを軽く純水で洗浄し電鋳液Ａで残りの板厚２００μｍを電鋳して、トータル厚さ３００μｍのスタンパーを作成した。例文帳に追加

Deionized water cleans it lightly and electrocasting of the 200 μm of the remaining board thickness is carried out with the electrocast liquid A and a stamper with total thickness of 300 μm is created. - 特許庁

また、基板厚みの60％程度の厚みを有する高濃度不純物含有層２１を素子活性領域１３ａと基板底面との間に有する。例文帳に追加

Further, a heavily doped layer 21 whose thickness is about 60% of the substrate thickness is formed between the element active area 13a and the bottom surface of the substrate. - 特許庁

この膜厚は、不純物の拡散バリアあるいはキャリアの注入バリアとして機能する膜厚であれば良い。例文帳に追加

It is sufficient that this film thickness be the thickness for it to function as a diffusion barrier for impurity or implantation barrier for a carrier. - 特許庁

高抵抗領域１２ｂは、絶縁膜１３を、膜厚が薄い第一部分１３ａと、膜厚が厚い第二部分１３ｂとを形成して、膜厚が厚い第二部分１３ｂに不純物が注入されない条件として不純物をドーピングすることにより、膜厚が厚い第二部分１３ｂの下の部分を高抵抗領域１２ｂとしており、複雑な工程を経ることなく、高抵抗領域１２ｂを容易に形成することができる。例文帳に追加

As a resort, a part below the thick second part 13b is made a high resistance region 12b, and the high resistance region 12b can be formed readily without executing a complicated process. - 特許庁

ゲート電極と下部不純物拡散領域及び上部不純物拡散領域間に、ゲート絶縁膜よりも膜厚が厚い絶縁膜Ａ又は絶縁膜Ｂをそれぞれ形成する。例文帳に追加

An insulating film A or insulating film B thicker than the gate insulating film is each formed among the gate electrode, the lower dopant diffusion region, and an upper dopant diffusion region. - 特許庁

ダイオード１は、n型の不純物を高濃度に含むカソード領域２０と、n型の不純物を低濃度に含み、且つ厚み方向に一定に含む高抵抗領域４０と、p型の不純物を含むアノード領域５０を備えている。例文帳に追加

A diode 1 includes a cathode region 20 containing an n-type impurity in high concentration, a high-resistance region 40 containing an n-type impurity in low concentration and constantly along the thickness, and an anode region 50 containing a p-type impurity. - 特許庁

このとき、空気供給ノズル１５における純水流側のスリットから、純水流が流れる方向に空気流を噴出することにより、純水流の膜厚を極めて小さいものとすることが可能となる。例文帳に追加

Then, by jetting an air flow in the pure water flowing direction from a slit on the pure water flowing side of the air feeding nozzle 15, the film thickness of the pure water flow can be made extremely small. - 特許庁

半導体層の厚みで耐圧を確保する低濃度不純物領域の幅を調整できるので、従来の不純物の拡散による低濃度不純物領域を省くことができる。例文帳に追加

Since the width of a low-concentration impurity region for securing a withstand voltage can be adjusted with the thickness of a semiconductor layer, a conventional low-concentration impurity region by diffusion of impurities can be omitted. - 特許庁

空乏層の厚さが半導体層の膜厚よりも大きくなるように、半導体層の膜厚と不純物原子濃度を制御することによって形成されたバルク電流制御型Accumulation型トランジスタが得られる。例文帳に追加

A bulk current control Accumulation-type transistor can be obtained by controlling the film thickness of the semiconductor layer and the concentration in impurity atoms so that the thickness of a depletion layer may be larger than the film thickness of the semiconductor layer. - 特許庁

Ｎｉ層２は厚さ０〜１０μｍであり、Ｎｉ，Ｓｎ含有合金層３はＮｉ含有量が０．０２〜７５ａｔ％で厚さが０．０１〜３０μｍであり、純Ｓｎ層４は厚さが０．１〜３０μｍである。例文帳に追加

The thickness of the Ni layer 2 is 0-10 μm; in the Ni/Sn-containing alloy layer 3, the content of Ni is 0.02-75 at%, and the thickness thereof is 0.01-30 μm; and the pure Sn layer 4 has a thickness of 0.1-30 μm. - 特許庁

Ｎｉ層２は厚さ０〜１０μｍであり、Ｎｉ，Ｓｎ含有合金層３は厚さが０．０１〜５０μｍであり、純Ｓｎ層４は厚さが０．１μｍ以上である。例文帳に追加

The Ni layer 2 has a thickness of 0 to 10 μm, the alloy layer 3 containing Ni and Sn has a thickness of 0.01 to 50 μm, and the pure Sn layer 4 has a thickness of 0.1 μm or more. - 特許庁

終端トレンチ１６１〜１６３の底面における不純物密度が、終端トレンチの長さに沿って観測したときに不均一であり、不純物密度が低い部分では終端トレンチ１６１〜１６３を分離する分離壁１６４の厚みが薄く設定されており、不純物密度が高い部分では終端トレンチ１６１〜１６３の分離壁１６４の厚みが厚く設定されている。例文帳に追加

Impurities located at the bottoms of the terminal trenches 161 to 163 are not uniform in density when they are observed in the lengthwise direction of the terminal trenches 161 to 163, separating walls 164 separating the terminal trenches 161 to 163 are set small in thickness at a part where the impurities are low in density but set large in thickness at the other part where the impurities are high in density. - 特許庁

第１不純物濃度のシリコンからなる半導体ウエハ１上に、エピタキシャル層２の深さ（厚さ）方向において均一に第２不純物濃度のエピタキシャル層２を形成した後、半導体ウエハ１を熱処理して、エピタキシャル層２の深さ方向において、エピタキシャル層２の不純物濃度分布を、第１不純物濃度から第２不純物濃度へ傾斜させる。例文帳に追加

The epitaxial layer 2 which is uniform in second impurity concentration in the direction of its depth (thickness) is formed on a silicon semiconductor wafer 1 kept in first impurity concentration, then the semiconductor wafer 1 is subjected to a thermal treatment to make the concentration distribution of impurities contained in the epitaxial layer 2 slope from a first impurity concentration to a second impurity concentration in the direction of depth of the epitaxial layer 2. - 特許庁

また、ゲート電極１２ｄが高濃度不純物層形成工程で不純物イオンを注入するときに不純物イオンの透過を妨げる厚さに形成されるため、同じゲート電極１２ｄをマスクにして半導体基板１０に不純物イオンを注入し、高濃度不純物層２２を形成することができる。例文帳に追加

Further, the gate electrode 12d is formed to such a thickness that impurity ions are stopped from being transmitted when the impurity ions are injected in a high-density impurity layer forming stage, a high-density impurity layer 22 can be formed by injecting the impurity ions into the semiconductor substrate 10 while using the same gate electrode 12d as a mask. - 特許庁

ウエハー３を超純水の高速ジェット洗浄水によって洗浄する超純水洗浄方法において、超純水の高速ジェット水流１と、該超純水の高速ジェット洗浄水の水流を中にしてこれを取り巻く超純水の均一でかつ膜厚の制御されたカーテン流２とを、被洗浄ウエハーに噴射して洗浄を行う。例文帳に追加

(1) In an ultrapure water washing method for washing a wafer 3 by rapid jet washing water of ultrapure water, rapid jet water flow 1 of ultrapure water and a curtain flow 2 of ultrapure water with uniform and controlled film thickness which encloses the water flow of rapid jet washing water of ultrapure water therein are jetted onto a wafer to be washed for washing. - 特許庁

ポリシリコン膜７６上のＢＰＳＧ膜７７の膜厚Ｈｃは、不純物領域７５上のＢＰＳＧ膜７７の膜厚Ｈａに比べて薄くなるが、膜厚Ｄａを十分に薄くすれば、各膜厚Ｈｃ，Ｈａの差を小さくできる。例文帳に追加

The film thickness Hc of a BPSG film 77 on the polysilicon film 76 is made thinner than that Ha of the BPSG film 77 on an impurity region 75, but the difference of each film thickness Hc and Ha can be reduced when the film thickness Da is made sufficiently thin. - 特許庁

ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するアクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層と、アクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びアクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。例文帳に追加

In the thin-film transistor, the buffer layer has film thickness thicker than the film thickness of the amorphous semiconductor layer. - 特許庁

ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するドナーとなる不純物元素を添加した半導体層と、ドナーとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びドナーとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。例文帳に追加

In the thin-film transistor, the buffer layer has a film thickness thicker than the film thickness of the amorphous semiconductor layer. - 特許庁

半導体基板に埋め込み領域を形成する領域のうち、少なくともエミッタ領域となる領域の直下に他領域よりもマスク厚を厚くした厚膜領域を形成し、その後、不純物を拡散することにより、前記厚膜領域の下方域に不純物濃度が局所的に低濃度化された埋め込み領域を形成する。例文帳に追加

A thick-film region where mask thickness is thicker than other regions, is formed just under a region as at least an emitter region in regions forming a buried region to the semiconductor substrate, and the buried region with a partially low impurity concentration is formed in the lower region of the thick-film region by diffusing impurities. - 特許庁

非常に大きな単純立方晶系の結晶からの回折図形で、われわれは、薄いプレート(平板)の厚さが約5格子間隔であると推論する。例文帳に追加

In the diffraction pattern from a very large, simple cubic crystal, we deduce that thickness of thin plates is approximately 5 lattice spacings.  - 科学技術論文動詞集

近世でも、武家屋敷となると、純粋な書院造りを基本としたやや武骨なまでも、重厚な造りであった。例文帳に追加

Even in recent times, a samurai residence was built as massive architecture based on pure Shoin-zukuri.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

その極力単純化されたフォルムと、重厚かつ幽玄な雰囲気は、神泉様式の一つの到達点を示した。例文帳に追加

The simple form of the model and the subtle, dignified, and profound atmosphere of the painting indicated one of the highest achievements of the Shinsen style.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

図面は，ブリストル紙1枚分の厚みを有する純白の紙面に作成しなければならない。紙面は，平滑なものでなければならない。例文帳に追加

The Drawing must be made upon pure white paper of a thickness of a Bristol board. The surface of the paper must be calendered and smooth. - 特許庁

トレンチ形成後のダミー酸化を厚くすることで、パイルアップによりトレンチ側に不純物を集中させる。例文帳に追加

Dummy oxidation layer is made thick, after forming trenches to make impurities concentrate in trench sides by piling up. - 特許庁