「強誘電性薄膜」に関連した英語例文の一覧と使い方

強誘電体薄膜を複数個の電極で挟み、強誘電体薄膜の中で分極信号を転送する分極転送部と、ゲート部に強誘電体薄膜を有する電界効果型トランジスタを分極検出部とをメモリの構成要素として組み合わせ、かつ強誘電体薄膜を連続、一体化した構成をとることにより、強誘電体特性を確保し、微細化、高集積化に適した強誘電体メモリを得る。例文帳に追加

Thus, ferroelectric characteristics can be ensured and a ferroelectric memory suitable for microfabrication and high integration can be obtained. - 特許庁

本願発明の強誘電体薄膜素子は、Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長させたＮａＣｌ結晶構造を有する導電性薄膜と、導電性薄膜上に形成された酸化物の強誘電体薄膜とを含む強誘電体薄膜素子であって、導電性薄膜は、組成式Ｔｉ_1-x Ａｌ_x Ｎ（ただし、０＜ｘ≦０．４）で表される層を含む。例文帳に追加

This ferroelectric thin film element composed of an Si substrate, a conductive thin film having NaCl crystalline structured on the Si substrate and a conductive thin film containing ferroelectric thin film made of an oxide formed on the conductive thin film element while the conductive thin film contains a layer represented by a composition formula of Ti1-x Alx N (wherein 0<x≤0.4) - 特許庁

Ｓｉ基板上に結晶性の良好なエピタキシャル強誘電体薄膜を形成させうる機能を持つバッファ層を備える薄膜積層体および強誘電体薄膜素子を提供する。例文帳に追加

To provide a thin-film laminate that has a buffer layer having a function for forming an epitaxial ferroelectric thin film with an excellent crystallizability on an Si substrate, and a ferroelectric thin-film element. - 特許庁

水素バリア薄膜材料をそれに最も適した方法で作製し、強誘電体薄膜材料の還元による素子特性の劣化を防止した強誘電体薄膜素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a ferroelectric thin film device which enables to prevent degradation of device characteristics due to the reduction of a ferroelectric thin film material by fabricating a thin hydrogen barrier film material by a method most appropriate for it. - 特許庁

強誘電体薄膜形成用塗布溶液、強誘電体としての有機金属化合物の合成方法および強誘電体薄膜の配向性を制御する方法。例文帳に追加

COATING SOLUTION FOR FORMING FERROELECTRIC THIN FILM, METHOD FOR SYNTHESIZING ORGANIC METAL COMPOUND AS FERROELECTRIC AND METHOD FOR REGULATING ORIENTATION OF FERROELECTRIC THIN FILM - 特許庁

熱分解特性、長期保存安定性に優れた強誘電体薄膜形成用溶液を提供する。例文帳に追加

To provide a solution for forming a ferroelectric thin film excellent in thermal decomposition characteristics and long-term shelf stability. - 特許庁

強誘電体薄膜を複数個の電極で挟み、強誘電体薄膜を連続、一体化した構成をとり、強誘電体薄膜の中で分極信号を転送する分極転送デバイス構造を強誘電体メモリのメモリセル群として用いることにより、強誘電体特性を確保し、微細化、高集積化に適した強誘電体メモリが得られる。例文帳に追加

Thus, ferroelectric characteristics can be ensured and a ferroelectric memory suitable for microfabrication and high integration can be obtained. - 特許庁

非晶質の強誘電体層またはその前駆体層を良好に結晶化し、これによって良好な強誘電体特性を有する強誘電体薄膜を得ることができ、さらには結晶粒径の精密な制御をも可能にする強誘電体薄膜の製造方法と、この製造方法によって得られた強誘電体薄膜を有する圧電素子、及び強誘電体メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a ferroelectric thin film, capable of satisfactorily crystallizing an amorphous ferroelectric layer or its precursor layer, thereby enabling obtaining a ferroelectric thin film having an excellent ferroelectric characteristic, and further enabling exact control of the grain size of crystal, and to provide a piezoelectric element having a ferroelectric thin film obtained by this manufacturing method, and a ferroelectric memory. - 特許庁

基板上に高度に配向した強誘電体薄膜を備え、特性が良好で、低コストで製造することが可能な配向性強誘電体薄膜素子、及び該配向性強誘電体薄膜素子を効率よく製造することが可能な製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an orientational ferroelectric thin film element, which is provided with a highly oriented ferroelectric thin film on a substrate, has proper characteristic and can be manufactured at a low cost, and to provide a method for efficiently manufacturing the same. - 特許庁

基板上に強誘電体薄膜を形成するための塗布溶液、特に白金、イリジウム、酸化イリジウムなどの基板上に良好なヒステリシス特性および飽和特性が得られる強誘電体薄膜形成が可能な強誘電体薄膜形成用塗布溶液を得る。例文帳に追加

To obtain a coat solution for forming a ferroelectric thin film on a substrate, especially, forming a ferroelectric thin film having good hysteresis characteristics and saturation characteristics on a substrate of platinum, iridium, iridium oxide, etc. - 特許庁

６５０℃以下の低温で結晶化が促進する強誘電体薄膜を形成することができ、良好なヒステリシス特性および飽和特性を有する強誘電体薄膜を得ることができる実用的な強誘電体薄膜形成用塗布液を得る。例文帳に追加

To obtain practical ferroelectric thin film-forming coating capable of forming a ferroelectric thin film in which crystallization is facilitated at a temperature of 650°C or below, and capable of giving a ferroelectric thin film having good hysteresis and saturation characteristics. - 特許庁

強誘電体薄膜が基板のすぐ上に形成されており、強誘電体薄膜の下地表面が平坦で、ＴＦＴやプラグ電極等に制約されず、かつＴＦＴやプラグ電極の特性に悪影響を与えることなく強誘電体薄膜を十分熱処理し、その特性を向上できる。例文帳に追加

The ferroelectric-material thin film is formed immediately above the substrate, the base surface of the ferroelectric-material thin film is flat and is not restricted by TFT and the plug electrode, and the ferroelectric-material thin film is fully heat-treated without affecting TFT and the plug electrode, thus improving its characteristics. - 特許庁

機能性薄膜３２ａは、強誘電体膜３０ａの成膜においてシード層として機能する。例文帳に追加

The functional thin film 32a functions as the seed layer in the formation of the ferroelectric film 30a. - 特許庁

次いで、強誘電体薄膜１１の主面１１Ａを半導電性に改変する。例文帳に追加

Then, the main surface 11A of the ferroelectric film 11 is changed to have a semiconductivity. - 特許庁

基板との密着性に優れた緻密な強誘電体薄膜を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a minute ferroelectric thin film which has superior contact with a substrate. - 特許庁

特性の良い強誘電体薄膜素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high ferroelectric thin film element and a manufacturing method thereof. - 特許庁

感光性を有する強誘電体微粒子、これを用いて製造された強誘電体薄膜及びその製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC SUBSTANCE PARTICLE WITH PHOTOSENSITIVITY, FERROELECTRIC SUBSTANCE THIN FILM MANUFACTURED BY USING THE SAME, AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

この方法により、強誘電体薄膜３表面の変質層やクラック等を発生させずに、強誘電特性を改善することができる。例文帳に追加

According to this method, ferroelectric characteristics can be improved, without bringing about a layer changed in the properties or cracks on the surface of the film 3 by this method. - 特許庁

強誘電体薄膜の各構成元素の前駆体をＭＯＣＶＤ反応環境下に個別に供給し、前駆体の供給開始時間に適正な時間差を与えることにより、実質的に電気化学的な異層を介すことなく導電性薄膜と強誘電体薄膜の接合を形成し、導電性薄膜と強誘電体薄膜に一定の結晶方位関係を持たせる。例文帳に追加

Junction between a conductive thin film and a ferroelectric thin film is formed without substantially forming an electro-chemical different layer between these thin films, by individually supplying precursors of respective constitutional elements of the ferroelectric thin film under an MOCVD reaction environment, and providing the supply start time of these precursors with suitable time differences to hold fixed crystal azimuth relation between the conductive thin film and the ferroelectric thin film. - 特許庁

これにより、強誘電体からなる薄膜内に圧縮応力を誘発させて誘電特性を向上することができる。例文帳に追加

Thereby compressive stress is induced in a film made of a ferroelectric substance, and dielectric characteristic can be improved. - 特許庁

基板上に、少なくとも２種類の強誘電性酸化物薄膜が積層されてなり、各層の前記酸化物薄膜が奇数枚の原子層からなる常温磁性強誘電性超格子とする。例文帳に追加

The normal temperature magnetic ferroelectric superlattice is constituted by layering at least two kinds of ferroelectric oxide thin films on a substrate, wherein the oxide thin film of each layer is composed of an odd number of atomic layers. - 特許庁

強誘電体薄膜の評価方法に関し、強誘電体薄膜の膜厚変化の電圧依存性を高い精度で自動的に測定するとともに、電圧依存性をもたらす要因を解析する。例文帳に追加

To automatically measure a voltage dependency by a film thickness change of a ferroelectric thin film and also analize a factor caused by the voltage dependency in an evaluation method for the ferrelectric thin film. - 特許庁

本発明によれば、強誘電体薄膜を製造するために用いられる原料溶液の安定性と耐久性とが高められ、しかも膜質が大きく向上された強誘電体薄膜を製造することができる。例文帳に追加

According to this method, stability and durability of raw solution used for manufacturing a ferrodielectric thin film are raised, and a ferrodielectric thin film whose film quality is largely improved can be manufactured. - 特許庁

汎用の有機溶媒に可溶な有効成分を含み、保存安定性や再現性に優れるとともに、低温での焼成によっても強誘電体薄膜を形成し得る強誘電体薄膜形成用塗布液を得る。例文帳に追加

To obtain a coating liquid capable of forming a ferrodielectric thin film by sintering at low temperature having excellent storage stability and reproducibility containing effective components capable of dissolving in general- purpose organic solvents. - 特許庁

結晶性が良好かつ緻密で、しかも均一な強誘電体薄膜を再現性よく製造することができるゾル−ゲル工程を利用した強誘電体薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a ferrodielectric thin film using a sol-gel process which enables manufacturing of a ferrodielectric thin film whose crystallinity is good and dense, and uniform with good reproducibility. - 特許庁

白金、イリジウム、酸化イリジウムなどの基板上に適当な均一な厚さを有する強誘電体薄膜を形成するための安全性の高い強誘電体薄膜形成用組成物を得る。例文帳に追加

To produce a highly safe composition for forming a ferroelectric thin film having a uniform and suitable thickness on a substrate of platinum, iridium, iridium oxide and the like. - 特許庁

例文

鉛ゲルマニウム酸化物薄膜材料の強誘電特性を改善し、これらの薄膜を強誘電体ＰＧＯキャパシタとして利用可能にするプロセスを提供すること。例文帳に追加

To provide a process which improves the ferroelectric characteristics of a lead germanium oxide thin film material and makes a thin film of the material utilizable as a ferroelectric PGO capacitor. - 特許庁

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