「強誘電性薄膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

電気特性をそこなわず、回復アニール時に上部電極又は下部電極からのヒロック発生を抑える強誘電体薄膜素子の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferroelectric substance thin film element without interfering an electric characteristic and suppressing a hillock from an upper electrode or a lower electrode in anneal recovery. - 特許庁

小型で優れた性能を有し、かつ、安価で加工が容易な強誘電体薄膜素子およびそれを用いたセンサとその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a small ferroelectric thin film element which has a superior performance and is easy to process cheaply, a sensor using the same and a method of manufacturing the ferroelectric thin film element. - 特許庁

オンアクシス方式スパッタリングにより結晶性及び表面粗さに優れ、かつ蒸着率が顕著に改善された強誘電体薄膜素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

The present invention relates to the ferroelectric thin film element having high crystallinity, good surface roughness and remarkably improved deposition efficiency through on-axis type sputtering, and to the method of manufacturing it. - 特許庁

外部から電力を供給なしに、半永久的に作動し、強誘電性薄膜の分極反転による疲労を利用して振動回数を長期にわたって記録する。例文帳に追加

To provide a piezoelectric vibration sensor which operates semipermanently without power supply from outside and records the number of vibration for a long time by using fatigue due to polarization inversion of a ferroelectric thin film. - 特許庁

大量生産の場合等でも対応可能な簡易な方法で、強誘電性有機薄膜に施された分極処理による分極状態を検査することができる分極検査方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a polarization inspection method inspecting a polarization state due to polarization processing of a ferroelectricity organic thin film by a simple method applicable for mass production. - 特許庁

比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。例文帳に追加

To prepare a porous silica film which has a low relative permittivity and the mechanical strengths to sufficiently withstand a chemical and mechanical polishing (CMP) step in the copper wiring step of a semiconductor device and, simultaneously, reduces the amount of gaseous pollutants on forming a via hole. - 特許庁

増幅器はさらに、第１および第２増幅器の１つの信号路に配置された位相制御回路を含み、この位相制御回路は、少なくとも１つの薄膜強誘電性素子を備える。例文帳に追加

The amplifier further includes a phase control circuit arranged in a signal path of one of the first and second amplifiers, the phase control circuit comprising at least one thin film ferroelectric element. - 特許庁

また、パルスの極性を双極にしたり、強誘電体薄膜デバイスが破壊されない範囲で回復処理用のパルスの電圧を上げたりすることで、回復処理の効率を上げる。例文帳に追加

The efficiency of recovery treatment is improved, by making the polarity of pulses bipolar and increasing the voltage of pulses for recovery treatment to within the range, in which the ferroelectric thin-film device is not broken. - 特許庁

ａ、ｂ軸方向への配向性を損なうことなく、ｃ軸方向への結晶の成長が抑制されたＢｉ系強誘電体薄膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a forming method for a bismuth-based ferroelectric thin film, capable of inhibiting crystal from growing in a direction of c-axis without deteriorating origination properties in directions of a-axis and b-axis. - 特許庁

比較的簡便な方法（被覆条件、手法など）で、種々の基材に適用可能なＩ型結晶構造のフッ化ビニリデン単独重合体の強誘電性薄膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a ferroelectric thin film made of vinylidene fluoride homopolymer having I type crystal structure applicable to various types of base materials by using relatively easy and simple procedures (a coating condition, technique, or the like). - 特許庁

次に、下部電極１１、強誘電体膜１２および上部電極１３を有する、予め形成された平面方形状の薄膜容量素子１０の下部電極１１の下面を導電性接着層９の上面に接着する。例文帳に追加

Next, the bottom surface of a lower electrode 11 of a previously formed thin-film capacitive element 10 of a planar rectangle shape having the lower electrode 11, a ferroelectric film 12 and an upper electrode 13 are bonded on the top surface of the conductive adhesive layer 9. - 特許庁

スパッタリング法やＭＯＣＶＤ法などで成膜したのと同等の配向性を有した強誘電体薄膜を、スピンコート法、ＭＯＤ法などの塗布法で安価に成膜することを可能にする。例文帳に追加

To form a ferroelectric thin film having an orientation property equal to that of one film-formed by a sputtering method, an MOCVD method or the like, by a coating method such as a spin coating method or an MOD method at a low cost. - 特許庁

複数の特性をカルド型ポリマー含有樹脂膜が満たす場合には、カルド型ポリマー含有樹脂膜を含む基材３０２および絶縁樹脂膜３１２に要求される、薄膜化、機械的強度、耐熱性、他の部材との密着性、解像度、誘電特性、耐湿性などの諸特性がバランス良く実現される。例文帳に追加

When a resin film containing cardo type polymer satisfies a plurality of characteristics, various characteristics being required for a substrate 302 containing cardo type polymer and an insulating resin film 312, e.g. thin film, mechanical strength, heat resistance, adhesion to other member, resolution, dielectric characteristics, moisture resistance, and the like, are realized with good balance. - 特許庁

誘電特性、密着性、塗膜の均一性、機械強度に優れ、薄膜形成が容易な多孔質膜を形成し得る膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、及びこの多孔質膜を内蔵する高性能かつ高信頼性を備えた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a composition for forming a porous film wherein dielectric characteristic, adhesion, uniformity of coating film, and mechanical strength are superior and moisture absorption is reduced, the porous film and its manufacturing method, and a semiconductor device with high performance and reliability wherein the porous film is incorporated. - 特許庁

高電圧光電変換素子（例えばＰＬＺＴ素子３）が発生する高電圧、または強誘電体１１の薄膜の強誘電性と焦電性により発現させた高電圧により、選択電極２に高電圧を印加し、対抗電極６との間に発生する高電界によりインク滴を飛翔させ印字を行う。例文帳に追加

High voltage is applied to a selective electrode 2 by high voltage generated by a high voltage photoelectric conversion element (e.g. PLZT element 3) or high voltage developed by ferroelectricity and pyroelectricity of a thin film of a ferroelectric 11, and an ink drop is caused to fly by a high electric field generated in a space up to an opposite electrode 6, thereby performing printing. - 特許庁

したがって、不揮発性メモリとして集積度を高める際には強誘電体薄膜も小さな形状に裁断されることとなり、その結果、充分な特性や信頼性が得られず、微細化、高集積化には限界が生ずるという課題があった。例文帳に追加

A memory cell group in a ferroelectric memory employs a polarization transfer device structure having a configuration in which the ferroelectric thin films are sandwiched by a plurality of electrodes and the ferroelectric thin films are continuously unified to transfer a polarization signal in the ferroelectric thin films. - 特許庁

したがって、不揮発性メモリとして集積度を高める際には強誘電体薄膜も小さな形状に裁断されることとなり、その結果、充分な特性や信頼性が得られず、微細化、高集積化には限界が生ずるという課題があった。例文帳に追加

This device has a configuration combining a polarization transfer section in which ferroelectric thin films are sandwiched by a plurality of electrodes to transfer a polarization signal in the ferroelectric thin films, and a polarization detecting section consisting of a field effect transistor having ferroelectric thin films in a gate section, and continuously unifying the ferroelectric thin films. - 特許庁

したがって、不揮発性メモリとして集積度を高める際には強誘電体薄膜も小さな形状に裁断されることとなり、その結果、充分な特性や信頼性が得られず、微細化、高集積化には限界が生ずるという課題があった。例文帳に追加

A memory cell group in a ferroelectric memory employs a polarization transfer device having a configuration in which ferroelectric thin films are continuously unified and are sandwiched by a plurality of electrodes to transfer a polarization signal in the ferroelectric thin films, and a polarization transfer direction selecting device for selecting a transfer direction. - 特許庁

したがって、不揮発性メモリとして集積度を高める際には強誘電体薄膜も小さな形状に裁断されることとなり、その結果、充分な特性や信頼性が得られず、微細化、高集積化には限界が生ずるという課題があった。例文帳に追加

This array has a configuration integrating a polarization transfer device in which ferroelectric thin films are sandwiched by a plurality of electrodes to transfer a polarization signal in the ferroelectric thin films, and continuously unifying the ferroelectric thin films. - 特許庁

ダイヤモンド単結晶基板またはエピタキシャル薄膜上にフッ化物（ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＭｇＦ_２の内一つ）を緩衝層として用いることにより、抗電界を同じ大きさ（３３ｋＶ／ｃｍ）に保ちながら、従来の２倍の残留分極電荷（６８μＣ／ｃｍ^２）を持つ優れた強誘電性のＰＺＴ薄膜を提供する。例文帳に追加

By employing a fluoride (one of CaF_2, BaF_2 and MgF_2) as a buffer layer on a diamond single-crystal substrate or an epitaxial thin film, an excellent ferroelectric PZT thin film having remnant polarization charge (68 μC/cm^2) twice as much as that of a conventional one while keeping a coercive electric field at the same value (33 kV/cm) is provided. - 特許庁

比較的簡便な方法（被覆条件、手法など）で、種々の基材に適用可能なＩ型結晶構造のフッ化ビニリデン単独重合体の薄膜の形成方法、Ｉ型結晶構造のフッ化ビニリデン単独重合体を純度良くかつ効率良く製造する方法、さらに強誘電性に優れた薄膜を与え得る新規なフッ化ビニリデン単独重合体を提供する。例文帳に追加

To provide a relatively convenient method of forming, e.g. through convenient procedures under convenient coating conditions, a thin film of a vinylidene fluoride homopolymer being applicable to various types of substrates and having a type-I crystal structure, a method of manufacturing a vinylidene fluoride homopolymer of a type-I crystal structure efficiently with a high purity and a novel vinylidene fluoride homopolymer capable of producing a thin film having excellent ferroelectricity. - 特許庁

ハンダ耐熱性、比較的低い誘電率、低線熱膨張係数、充分な強靭さ、且つ基板上への薄膜成型加工性を併せ持つ実用上有益なポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール膜及びその前駆体、前駆体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a practically profitable polybenzoxazole having solder heat resistance, a relatively low permittivity, a low coefficient of thermal expansion, sufficient toughness and thin-film forming processability onto a substrate in combination and to provide a polybenzoxazole film and its precursor and a method for producing the precursor. - 特許庁

アセチルアセトナート錯体の分散安定性が良好で保存安定性を長期に亘って維持することができる鉛含有複合酸化物形成用組成物及びその製造方法、強誘電体薄膜、圧電素子並びに液体噴射ヘッドを提供する。例文帳に追加

To provide a composition for forming a lead-containing multiple oxide in which the dispersion stability of an acetylacetonate complex is satisfactory, and preservation stability can be maintained over a long period, to provide its production method, to provide a ferroelectric thin film, to provide a piezoelectric element, and to provide a liquid injection head. - 特許庁

ＭＦＩ型以外のゼオライト結晶を主成分とする場合であっても、ゼオライト薄膜の十分な強度を確保でき、誘電率低減、表面の平坦性向上、また疎水性向上をも実現し、さらに作成工程の簡略化による低コスト化も可能となるようにする。例文帳に追加

To ensure sufficient strength of a zeolite thin film even if a principal constituent is a zeolite crystal other than an MFI type, also achieve reduction of a dielectric constant, improvement of evenness of a surface and improvement of hydrophobicity, and further enable to produce at a low cost by simplifying production processes. - 特許庁

ウェル領域１１の上における第１の活性領域１７Ｓと第２の活性領域１７Ｄとの間には、強誘電体薄膜からなるゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されており、該ゲート電極にはワード線１３が接続されている。例文帳に追加

A gate electrode is made through a gate insulating film consisting of a ferroelectric film is made between the first active region 17S and the second active region 17D on the well region 11, and a word line 13 is connected to that gate electrode. - 特許庁

ＭＦＩ型以外のゼオライト結晶を主成分とする場合であっても、ゼオライト薄膜の十分な強度を確保でき、誘電率低減、表面の平坦性向上、また疎水性向上をも実現し、さらに作成工程の簡略化による低コスト化も可能となるようにする。例文帳に追加

To make it possible to secure sufficient strength of a zeolite thin film, to reduce its dielectric constant, to enhance its flatness of the surface, also to realize the enhancement of its hydrophobicity, and further to reduce the cost by simplifying the production process, too, even in the case of using a zeolite crystal of other than an MFI type as a main component. - 特許庁

ゾル−ゲル法に基づくマルチコーティングプロセスを用いる強誘電性の膜の形成方法、特にアルコキシド型の液体ＰＺＴ前駆体溶液、特にＰｂ（Ｚｒ_XＴｉ_1-X）Ｏ_3前駆体溶液の高品質のＰＺＴ薄膜の製造方法を開示する。例文帳に追加

To easily form a PZT thin film of high quality having specified film thickness by forming layers of a PZT precursor soln. diluted with butoxyethanol for several times to specified thickness by solgel method, heat treating the layers to remove the solvent and then pyrolyzing to crystallize them. - 特許庁

化学気相成長（ＣＶＤ）法、特に有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法で良好な特性のＰＺＴなどの強誘電体膜を始めとする薄膜を形成することにより半導体装置を製造するための方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor apparatus by using chemical vapor deposition (CVD), especially metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) to form thin films, with ferroelectric films such as PZT having favorable characteristics as an example. - 特許庁

基板上の強誘電性キャパシタにおいて使用するのに適した下部電極の製造方法であって、該基板上に接着層を形成する工程と、該接着層上に３００〜８００℃にて堆積されるプラチナ薄膜層を形成する工程とを含む。例文帳に追加

This manufacturing method of a lower electrode, which is suitable for use in a ferroelectric capacitor on a substrate comprises a process for forming an adhesion layer on the substrate and a process for forming a platinum thin-film layer deposited on the adhesion layer at 300 to 800°C. - 特許庁

ゾルゲル法等の塗布法により成膜されるＰＺＴ、ＰＬＺＴ、チタン酸ビスマスなどの強誘電体薄膜における表面形態の均一性を改善し、結晶粒が微細で粒径のばらつきがなく、余分な相が混在しない膜を得る。例文帳に追加

To obtain a film containing fine crystal grains without any dispersion of grain diameter and without any excessive phase mixed therein by improving the uniformity of the surface form in a ferroelectric thin film such as PZT, PLZT or bismuth titanate formed by a coating method such as a sol-gel method. - 特許庁

本発明のＤＣマグネトロン反応性スパッタリングプロセスによって製造された平滑電極（４１２、４２２）の表面は、電子メモリ（６００、７００、８００）に使用される強誘電体薄膜キャパシタ（４００、５００）において、エージングするにつれ、比較的強力な分極、より小さい疲労およびより小さいインプリントを、可能にする。例文帳に追加

The surfaces of the smooth electrodes (412, 422) manufactured by the DC magnetron reactive sputtering process enables relatively strong polarization and less fatigue and less imprint with aging, in ferroelectric thin-film capacitors (400, 500) used for electronic memories (600, 700, 800). - 特許庁

通常の半導体製造プロセスに用いられる方法によって、容易に、任意に制御された膜厚の薄膜が形成可能であり、機械強度及び誘電特性に優れた新たな多孔質膜形成用塗布液、及びこの多孔質膜を内蔵する高性能かつ高信頼性を備えた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a coating liquid for forming a new porous film for easily forming a thin film having film thickness that is freely controlled with a method used for the ordinary semiconductor manufacturing process and for ensuring excellent mechanical strength and dielectric characteristic and also provide a high performance and high reliability semiconductor device including the same porous film. - 特許庁

少なくともホタル石型結晶上に単純ペロブスカイト型結晶の薄膜が（０１１）配向にエピタキシャル成長している結晶構造を有し、高性能で信頼性が高く、その上高集積化が可能な素子を作製するための結晶材料として有用なエピタキシャル複合構造体並びにこのものを利用した強誘電体素子及び超伝導体素子を提供すること例文帳に追加

To obtain an epitaxial composite structure at least having a crystal structure in which the thin film of a simple perovskite type crystal is epitaxially grown on a fluorite-type crystal so as to form (011) orientation, and useful as a crystalline material for forming an element having a high performance and reliability, and capable of being highly integrated, and further to provide a ferroelectric element and a superconductor element by utilizing the structure. - 特許庁

１トランジスタ型メモリセルを用いる不揮発性半導体記憶装置において、トランジスタのゲート絶縁膜の厚さ方向の少なくとも一部を、Ｌｉ、ＢｅおよびＭｇからなる群より選ばれた少なくとも一種類の元素によりＺｎの一部が置換された強誘電性のＺｎＯ薄膜により構成する。例文帳に追加

In this nonvolatile semiconductor storage device using single transistor memory cells, at least part of the gate insulating film of a transistor in the thickness direction is constituted of a ferromagnetic ZnO thin film the Zn of which is partially replaced with at least one kind of element selected from among a group composed of Li, Be, and Mg. - 特許庁

プログラム素子は、シリコン基板１００に形成されたＣＭＯＳ回路からなるスイッチング素子と、下部電極１１８Ａ、強誘電体薄膜からなる容量絶縁膜１１９Ａ及び上部電極１２０Ａからなりスイッチング素子のオン状態又はオフ状態を保持する不揮発性記憶素子とを有する。例文帳に追加

The program element has a switching element composed of a CMOS circuit formed on a silicon substrate 100 and a nonvolatile storage element which consists of a lower electrode 118A, a capacity insulating film 119A formed of a ferroelectric thin film, and an upper electrode 120A, and holds the on or off state of the switching element. - 特許庁

電波あるいは電磁波を非接触で受信するアンテナ部分、受信した無線信号を処理する制御部分、さらに制御された信号をデータとして記憶する部分が同一絶縁基板上に形成され、信号を処理する複数の素子要素が薄膜トランジスタと強誘電体不揮発性記憶素子からなることを特徴とする無線信号処理装置。例文帳に追加

The radio signal processor comprises an antenna performing the noncontact reception of a radio wave or an electromagnetic wave, a control section for processing a received radio signal, and a section for storing a controlled signal as data formed on the same insulating substrate wherein a plurality of elements for processing the signal are composed of thin film transistors and ferroelectric nonvolatile storage elements. - 特許庁

基板１上に周辺回路２１，２２を転写形成し、周辺回路２１，２２を含む基板１上に平坦化膜３を形成した後、平坦化膜３上にＸストライプ電極６１，６２，…，６ｎ、強誘電性有機薄膜７、及びＹストライプ電極８１，８２，…，８ｍを順次形成して単純マトリクス構造のメモリセルを形成する。例文帳に追加

The simple matrix type memory element is formed in such a way that, after peripheral circuits 21 and 22 are formed on a substrate 1 by transfer and a flattened film 3 is formed on the substrate 1 including the circuits 21 and 22, X-stripe electrodes 61-6n, a ferroelectric organic thin film 7, and Y-stripe electrodes 81-8m are successively formed on the flattened film 3. - 特許庁

シリコンウェハー、ディスプレイ、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ或いはレンズなどの基体上に、透明であって、しかも、低反射率で且つ低誘電率であるとともに、械的強度や基板に対する密着性に優れた薄膜を形成するための膜形成用組成物及び膜の形成方法に関する。例文帳に追加

To provide a film-forming composition for forming such a thin film on a substrate of a silicon wafer, a display, a liquid crystal display, a plasma display or a lens, as is transparent and of a low reflectivity and low dielectric constant and also is excellent in the mechanical strengths and in the adhesive property to the substrate, and to provide a method for forming the film. - 特許庁

第１電極１は、例えばチタン系金属やアルミニウム系金属のような金属または導電体からなる基板（基体）１０の表面を、強誘電体薄膜１１で覆ったもので、その表面が計測対象の溶液７や物質に含まれる酸や塩基に対して十分な耐久性を有するものとなっている。例文帳に追加

In the first electrode 1, a surface of a substrate (base body) 10 comprising metal such as, for example, titanium metal and aluminum metal, or a conductor is coated with a ferroelectric substance thin film 11, and the surface has the sufficient durability against an acid or a base contained in a solution 7 and a substance of a measuring object. - 特許庁

気相エピタキシャル成長法による場合の膜表面粗さの問題、ゾルゲル法による場合の一回当たりの膜形成厚みの制限、異なる屈折率の層からなる積層構造膜を形成する際の工程の複雑化などの問題を解決し、良好な特性を備えたエピタキシャル強誘電体薄膜素子を効率よく製造する。例文帳に追加

To efficiency manufacture an epitaxial ferroelectric thin film element provided with excellent characteristics by solving such problems as film surface roughness in the case of using a vapor epitaxial growth method, restriction of film thickness formed each time in the case of using a sol-gel method, complexity of a process in forming a laminated structure film consisting of layers with different refractive indexes and so on. - 特許庁

酸化物単結晶からなる基板と非晶質酸化物または半導体からなる二次元周期構造部によってモールドを構成し、このモールド上に結晶化温度より低い温度で化学的気相成長法でアモルファス膜を形成し、このアモルファス膜を結晶化温度以上に加熱させることによって、エピタキシャル結晶性を有する強誘電体薄膜を形成する。例文帳に追加

The method for manufacturing the ferroelectric thin film two-dimensional photonic crystal constitutes mold by a substrate consisting of an oxide monocrystal and a two-dimensional periodical structure consisting of amorphous oxide or a semiconductor, forms an amorphous film by a chemical gas phase growth method at a lower temperature than a crystallization temperature, and forms a ferroelectric thin film having epitaxial crystallinity. - 特許庁

薄膜電気光学偏向装置は、薄い強誘電性酸化物層を含むプレーナ光学導波路と、導電性基板及び導電性エポキシを含む第１の電極と、プレーナ光導波路に連結された第２の電極と、サポート基板と、サポート基板に堆積させられた第２の電極に付着されたクラッド層と、サポート基板及びクラッド層を通過し、第２の電極を外部電圧源へ接続する孔と、を有する。例文帳に追加

This thin film electro-optical deflector consists of a planar optical waveguide containing a thin ferroelectric oxide layer, a first electrode containing a conductive substrate and conductive epoxy, a second electrode connected to the planar optical waveguide, a support substrate, a clad layer adhered to the second electrode deposited on the support substrate, and a hole penetrating through the support substrate and the clad layer and connecting the second electrode to an external voltage source. - 特許庁