「強誘電性薄膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

低温での薄膜結晶化が可能で、かつ、ａ、ｂ軸方向への配向性を損なうことなく、ｃ軸方向への結晶の配向が抑制されたＢｉ系強誘電体薄膜の形成方法、およびＢｉ系強誘電体薄膜用塗布液の調製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a forming method of a Bi-based ferroelectric thin film capable of thin film crystallization at a low temperature and restrained in crystal orientation in a c-axis direction without impairing orientation property in a-axis and b-axis directions, and also to provide an adjusting method of a coating solution for a Bi-based ferroelectric thin film. - 特許庁

強誘電体薄膜素子の特性改善のため熱処理を行う場合に表面層の変質やクラックの発生等を防止する製造方法、およびこの強誘電体薄膜素子を用いた薄膜コンデンサおよび圧電アクチュエータを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferroelectric thin-film element which prevents changes in the properties or cracks of a surface layer from occurring, when heat treatment is conducted to improve the characteristics of the element and to provide a thin-film capacitor, using the element and a piezoelectric actuator. - 特許庁

強誘電体特性を利用した不揮発性メモリなどの各種デバイスに供される強誘電体薄膜がスパッタリング法によって容易に形成できる強誘電体キャパシタ及びその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a ferroelectric capacitor in which a ferroelectric thin film used in various devices such as a nonvolatile memory device using ferroelectric characteristics can be easily formed by a sputtering method, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

積層型ペロブスカイト強誘電体薄膜を有する非揮発性強誘電体キャパシタ及びそれを備える非揮発性強誘電体メモリを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a nonvolatile ferroelectric capacitor having a laminated perovskite ferroelectric thin film, which has superior fatigue characteristics even on a metal electrode, maintains a relatively high remanent polarization, and can be formed through a low-temperature process. - 特許庁

さらに、ビスマス、チタン及びエルビウムを含有する酸化物からなる非鉛強誘電体薄膜と、非鉛強誘電体薄膜の一方面及び他方面に配設された一対の電極とを備え、一対の電極のうち少なくともいずれかが透光性電極である非鉛強誘電体光学素子。例文帳に追加

Further the lead-free ferroelectric optical element includes the lead-free ferroelectric thin film comprising an oxide containing bismuth, titanium and erbium, and a pair of electrodes disposed in one direction and in the other direction of the lead-free ferroelectric thin film, wherein at least either of the pair of electrodes is a translucent electrode. - 特許庁

強誘電体キャパシタの拡散防止層材料して好適な電子薄膜材料、この電子薄膜材料による拡散防止層を有する強誘電体キャパシタおよび、この強誘電体キャパシタを備えた不揮発性メモリを提供する。例文帳に追加

To produce an electronic thin film material suitable as a diffusion preventive layer material for a ferroelectric capacitor, to produce a ferroelectric capacitor having a diffusion preventive layer by the same electrode thin film material and to produce a nonvolatile memory provided with the same ferroelectric capacitor. - 特許庁

強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ装置に関し、ＰＺＴより大きな残留分極量を有する（１１１）配向性に優れた強誘電体薄膜を得る。例文帳に追加

To obtain a ferroelectric thin film that has larger residual polarization (111) than PZT with an excellent orientation in a ferroelectric capacitor and a ferroelectric memory device. - 特許庁

強誘電体薄膜を連続、一体化した構成をとり、かつ複数個の電極で挟み、強誘電体薄膜の中で分極信号を転送する分極転送デバイスと転送方向を選択する分極転送方向選択デバイスを強誘電体メモリのメモリセル群として用いることにより、強誘電体特性を確保し、微細化、高集積化に適した強誘電体メモリを得る。例文帳に追加

Thus, ferroelectric characteristics can be ensured and a ferroelectric memory suitable for microfabrication and high integration can be obtained. - 特許庁

マルチフェロイック薄膜は、ＢｉＦｅＯ_３又は任意のその他の強誘電性および反強磁性材料の少なくとも１つを含むように形成される。例文帳に追加

The multiferroic thin film may be formed of at least one of BiFeO_3, or any other ferroelectric and antiferromagnetic material. - 特許庁

多層プリント配線板を製造する際に、機械強度、加工性、誘電特性、薄膜化を可能とする剛性に優れる複合シートを提供する。例文帳に追加

To provide a composite sheet excellent in mechanical strength, workability, dielectric characteristic and rigidity that permits the thinning of the sheet when manufacturing a multi-layer printed wiring board. - 特許庁

機械的強度が極めて高く、表面平滑性に優れ、低誘電率性、低屈折率性の薄膜ｎ製造に好適な塗布組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a coating composition suitable for forming a thin film having remarkably high strength, an excellent surface smoothness, a low dielectric constant and a low refractive index. - 特許庁

汎用の有機溶媒に可溶な有効成分を含み、保存安定性や再現性に優れるとともに、リーク電流が小であって、かつ被膜密度が大（緻密）である強誘電体薄膜を低コストで形成し得る強誘電体薄膜形成用塗布液、その製造方法及び前記塗布液を塗布し、硬化させてなる強誘電体薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric thin film forming application liquid capable of forming a ferroelectric thin film at a low cost which contains effective components soluble in general organic solvent and has excellent reserving stability and reproductivity, a small leak current and a great film density, its manufacture and the ferroelectric thin film formed by applying and hardening the application liquid. - 特許庁

強誘電体キャパシタ及び選択用ＣＭＯＳトランジスタからなる１Ｔ１Ｃ、２Ｔ２Ｃ型強誘電体メモリ及び単純マトリクス型強誘電体メモリ等に使用可能な良好なヒステリシス特性を持つ強誘電体薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric thin film having good hysteresis characteristics applicable to a ferroelectric capacitor, 1T1C, 2T2C type ferroelectric memory consisting of a select CMOS transistor, and simple matrix type ferroelectric memory, and the like. - 特許庁

高誘電率を有する誘電体材料または強誘電性材料の薄膜を用いたメモリ半導体装置の素子の層間絶縁膜やパッシベーション膜に含まれる水素や水およびこれら膜の応力が原因となる上記薄膜の劣化を防止する。例文帳に追加

To prevent a thin film of a dielectric material or ferroelectric material having a high dielectric constant from deteriorating owing to hydrogen or water that an inter-layer insulating film or passivation film of an element of a memory semiconductor device using the thin film contains and stress of those films. - 特許庁

表面形態が均一で電気的特性の均質性にも優れたペロブスカイト型ＰＬＺＴ強誘電体薄膜を形成する。例文帳に追加

To form a perovskite-type PLZT ferroelectric thin film having a uniform surface form and excellent in electrical characteristics. - 特許庁

ＭＯＣＶＤ法による強誘電体材料薄膜の品質、特性を生産性を低下させずに改良すること。例文帳に追加

To improve the quality and characteristics of a ferroelectric substance material thin film by an MOCVD method without reducing the productivity. - 特許庁

強誘電体薄膜の形成方法に関し、結晶化温度の低下を図るとともに、電気的特性等を再現性良く向上する。例文帳に追加

To lower crystallization temperature and to improve electric characteristics or the like with excellent reproductivity in a method of forming a ferroelectric thin film. - 特許庁

保存安定性及び塗布乾燥時の膜の均質性に優れた強誘電体薄膜形成用組成物の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a composition for ferroelectric thin film formation excelling in storage stability and uniformity of a film in applying and drying it. - 特許庁

有機金属化合物とポリエーテル変性シリコーンオイルとを含むことを特徴とする強誘電体薄膜形成用塗布液。例文帳に追加

This coating liquid for formation of the ferroelectric thin film comprises an organometallic compound and a polyether-modified silicone oil. - 特許庁

チタン酸アルキル、水酸基を有さないカルボン酸類および水溶性金属塩を含む水溶液である、強誘電体薄膜作製溶液。例文帳に追加

The solution for manufacturing a ferroelectric thin film is an aqueous solution containing an alkyl titanate, carboxylic acids having no hydroxyl groups, and a water-soluble metal salt. - 特許庁

平滑電極および向上されたメモリ保持性を有する薄膜強誘電体キャパシタを製造するためのＤＣスパッタリングプロセス例文帳に追加

DC-SPUTTERING PROCESS FOR MANUFACTURING THIN-FILM FERROELECTRIC CAPACITOR HAVING SMOOTHING ELECTRODE AND IMPROVED MEMORY RETENTIVITY - 特許庁

強誘電体膜を薄膜化しても良好な疲労特性を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of obtaining a fatigue property even if a ferroelectric film is made thin, and its manufacturing method. - 特許庁

ビスマス層状ペロブスカイト構造強誘電体薄膜素子としてヒロックの発生が抑制されて安定した性能が得られることを目的とする。例文帳に追加

To obtain stable performance by inhibiting the generation of hillock as a bismuth layer-like perovskite structure ferroelectric thin film element. - 特許庁

薄膜化しても強誘電体膜の特性を十分に引き出すことができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of satisfactorily extracting characteristics of a ferroelectric film even if it is made thin. - 特許庁

また、強誘電体膜１０３と第２の電極膜１０４との間には第２の親和性薄膜１１２が配置される。例文帳に追加

The element 11 also comprises a second affinity thin film 112 between the ferroelectric film 103 and the second electrode film 104. - 特許庁

シリコン基板上に（１１０）配向したＰｔ薄膜を形成し、優れた特性の強誘電体素子を得ることを目的とする。例文帳に追加

To obtain a ferroelectric element having excellent characteristics by forming a Pt thin film oriented in (110) on a silicon substrate. - 特許庁

向上された特性を有する強誘電体薄膜の製造方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a ferroelectric thin film having improved characteristics and a manufacturing method for a semiconductor device using the same. - 特許庁

薄膜化しても強誘電体膜の特性を十分に引き出すことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which can fully utilize the characteristics of a ferroelectric substance film even if film thinning is carried out, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

第１の電極１０２と強誘電体膜１０３との間には第１の親和性薄膜１１１が配置される。例文帳に追加

The element 11 further comprises a first affinity thin film 111 disposed between the first electrode 102 and the ferroelectric film 13. - 特許庁

強誘電体層の薄膜化が図れ、しかも良好な特性を有するキャパシタおよびその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a capacitor capable of thinning a ferroelectric layer and having an excellent characteristic. - 特許庁

強誘電体薄膜３は、静電気力を蓄積し、分極状態を保持するため、表示素子１はメモリ性を有する。例文帳に追加

The ferroelectric thin film 3 stores an electrostatic force, and the display element 1 has a memory property in order to hold the polarization state. - 特許庁

薄膜化しても強誘電体膜の特性を十分に引き出すことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of obtaining sufficient characteristic of a ferroelectric film even if the ferroelectric film is made thin and further to provide a method of manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

優れた結晶性を有し、膜厚方向に均一に結晶配向した強誘電体薄膜素子を製造する方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferroelectric thin film element which has an excellent crystallinity and the crystals are uniformly oriented in a direction of film thickness. - 特許庁

トランジスタ等の特性劣化防止と強誘電体薄膜の膜質向上との両方を実現すること。例文帳に追加

To realize both prevention of characteristic deterioration of a transistor, etc., and improvement of film quality of a ferroelectric-material thin filem. - 特許庁

所望の特性を維持しつつ強誘電体膜のより一層の薄膜化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of further thinning a ferroelectric film while maintaining desired characteristics, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

ＢＬＴ系強誘電体薄膜の電気的特性を劣化させることのない高濃度の濃縮塗布液を提供すること。例文帳に追加

To provide a concentrated application liquid having a high concentration which does not deteriorate electrical properties of BLT ferroelectric thin films. - 特許庁

強誘電体薄膜の自発分極は残留するので、屈折率変化が持続し、メモリー性を有する光スイッチが得られる。例文帳に追加

Since the spontaneous polarization of the ferroelectric thin films 2 remains, the refractive index change persists and the optical switch having the memory characteristic may be obtained. - 特許庁

表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）現象を応用して電場増強度を測定する方法に基づいて、金属薄膜上誘電体の光学特性を正確かつ容易に測定することができる金属薄膜上誘電体の光学特性測定方法及び金属薄膜上誘電体の光学特性測定装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for measuring optical characteristics of a dielectric on a metal thin film which can accurately and easily measure optical characteristics of a dielectric on a metal thin film, based on a method for measuring the enhancement degree of an electric field by applying a surface plasmon resonance (SPR) phenomenon. - 特許庁

汎用の有機溶媒に可溶な有効成分を含み、保存安定性や再現性に優れ、しかも低温での焼成によっても薄膜形成が可能な強誘電体形成用塗布液、その製造方法およびこれを用いる強誘電体薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a coating fluid for forming a ferroelectric thin film which contains effective components soluble in general organic solvent and has good preserving stability and reproductivity and which is also capable of forming the ferroelectric thin film by firing at a low temperature, and provide a method of producing the same, and also provide the ferroelectric thin film using the method. - 特許庁

多孔性シリカである絶縁性薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する絶縁性薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide an insulating thin film being porous silica which has low specific dielectric constant and mechanical strength sufficiently resistant to a CMP process in a copper wiring process of a semiconductor device. - 特許庁

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a porous silica thin film having mechanical strength sufficiently enduring a CMP process in a copper wiring process of a semiconductor element by having a low dielectric constant of the porous silica thin film. - 特許庁

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a porous silica thin film which has a low specific dielectric constant and mechanical strength enough for a CMP process in a copper wiring process for a semiconductor element. - 特許庁

好適には、強誘電性のＺｎＯ薄膜上に、ゲート電極として用いられる導電性のＺｎＯ薄膜を一体的に形成した複合膜とする。例文帳に追加

Ideally, the gate insulating film is constituted in a composite film of the ferromagnetic ZnO thin film and a conductive ZnO thin film which is integrally formed on the ferromagnetic thin film and used as a gate electrode. - 特許庁

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a porous silica thin film having a low dielectric constant and a mechanical strength sufficient for enduring a CMP step in a copper wiring step of a semiconductor element and generating little pollutant gas at via-hole formation. - 特許庁

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、安定で、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a porous silica thin film that has a low relative dielectric constant, is stable and has a mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) process in a copper wiring process of a semiconductor element. - 特許庁