| 意味 | 例文 (860件) |
欠陥構造の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 860件
電解質、銅イオンのソースの１以上、光沢剤の１以上、および実質的に平坦な銅層を提供し、微細な構造物を実質的に欠陥を形成することなく充填することができる平滑化剤を含み、該光沢剤が浴に基づいて少なくとも約１ｍｇ／Ｌの量で存在する、半導体デバイス上に銅を電気めっきするための組成物が開示される。例文帳に追加
The composition which contains an electrolyte, ≥1 of sources for copper ions, ≥1 brightener and a leveling agent capable of forming a substantially planar copper layer and capable of filling small features without substantially forming defects, which brightener existing in an amount of at least about 1 mg/L in accordance with a bath and is used to electroplate copper on semiconductor devices is disclosed. - 特許庁
地盤の削孔の際に、残土処理が必要となったり、孔壁が弛んだりせず、改良材の充填の際に、オーガの途中部分が締め付けられて該改良材の充填作業に支障をきたしたり、造成がされた改良材柱に不連続部分等の構造上の欠陥部分ができたりしない、改良材柱造成装置及びその方法を提供する。例文帳に追加
To provide an improved material column formation device and a method therefor without requiring removal of surplus soils or loosening a hole wall when the ground is excavated and without hindering filling work of an improved material by fastening the middle part of an auger when the filling of the improved material is executed or making any structural fault part such as discontinuous part or the like in a formed improved material column. - 特許庁
第２半導体層１３における発光層１２の反対側の面上には、厚さが約１００μｍと比較的に厚く、且つ結晶欠陥密度がデバイス構造体２０を構成する各半導体層１１、１２、１３よりも大きい、ｎ型窒化ガリウムからなる第３半導体層１４が接合されて形成されている。例文帳に追加
A relatively thick third semiconductor layer 14 of n-type gallium nitride having a thickness of approximately 100 μm and a crystal defect density higher than that of each layer 11, 12, 13 constituting the device structure 20 is bonded on the side of the second semiconductor layer 13 opposite to the emission layer 12. - 特許庁
ＬＩＧＡプロセスにおけるリソグラフィ工程を含むＸ線リソグラフィやフォトリソグラフィ等により微小構造体を加工した際において、マスクエッジ形状の欠陥や、レジスト内に生じる反応等によって発生する微小構造体の表面の微小な荒れを改善し、当該微小構造体の表面を光学レベルで平滑にすることができる表面加工方法及び表面加工装置等を提供する。例文帳に追加
To provide a method and a device for smoothly finishing the surface of a micro structural body at an optical level by improving a micro roughness on the surface of the micro structural body by defects of mask edge shape and a reaction in a resist when the micro structural body is finished by X-ray lithography or photo lithography including a lithography step in a LIGA process. - 特許庁
結晶格子中に、２価あるいは３価の金属ドーパントを面的欠陥として持ち、金属イオン及び／又は金属原子が未酸化状態あるいは不飽和の低次酸化状態にあって、大きな不純物準位を有しながら標準的な格子定数に歪みを与えない結晶構造を有してなる高温合成された二酸化チタンを含有することを特徴とする化粧料の用酸化防止剤に効果のある二酸化チタン。例文帳に追加
The antioxidant for the cosmetic contains titanium oxide having a divalent or trivalent metal dopant in a crystal lattice as a plane defect, having a metal ion and/or a metal atom in an unoxidized state or an unsaturated low-level oxidation state, having a crystal structure giving no strain to a standard lattice constant while having a large impurity level, synthesized at high temperature and effective as the antioxidant for the cosmetic. - 特許庁
セラミックグリーンシート上の複数箇所に分布するように形成された内部電極の厚みによる段差を実質的になくすように、セラミックグリーンシート上にセラミックスラリーを印刷することによって、段差吸収用スラリー膜を形成することを、複数のセラミックグリーンシートについて繰り返すとき、段差吸収用スラリー膜の位置ずれが特定の箇所に集中しやすく、その結果、特定の箇所から取り出された積層セラミックコンデンサに構造欠陥が発生しやすい。例文帳に追加
To prevent generation of structural defects in a multilayer ceramic capacitor taken out from a specified portion by avoiding that position deviation of a slurry film for absorbing step-difference be concentrated in a specified portion. - 特許庁
完全空乏化動作及び低寄生抵抗のＳＯＩ集積回路を実現することができ、リセス構造を有しながら、チャネル形成部のＳＯＩ層表面のダメージを最小限に抑えることができ、チャネル領域の端部においても、応力を抑制しながら、結晶欠陥を最小限に止め、それに起因するリーク電流の発生を抑えることができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a semiconductor device capable of realizing an SOI integrated circuit of a complete depleting operation and low parasitic resistance, minimizing the damage of the SOI layer surface of a channel formation part while provided with a recess structure, minimizing a crystal defect while suppressing stress even at the end part of a channel region and suppressing the generation of a leakage current due to it, and provide its manufacturing method. - 特許庁
基板の主表面上に、バッファ層を介して化合物半導体よりなる素子層をヘテロエピタキシャル成長させた構造とされるヘテロエピタキシャルウエーハにおいて、基板と素子層との間の線膨張係数差が大きい場合にも、残留する応力を低減することができ、ひいては、ウエーハの反りや素子層への結晶欠陥発生などを効果的に抑制できるヘテロエピタキシャルウエーハを提供する。例文帳に追加
To provide a hetero epitaxial wafer structured so that an element layer constituted of a compound semiconductor is hetero-epitaxially grown through a buffer layer on the main surface of a substrate capable of reducing a residual stress even when a linear expansion coefficient difference between the substrate and the element layer is large, and effectively suppressing the bending of the wafer or crystal defect generation to the element layer or the like. - 特許庁
セラミックをもって構成される電子部品本体の内部に形成される内部導体が電子部品本体を得るための焼成と同時に焼成される導電性ペーストによって形成されるとき、銅粉末を含む導電性ペーストを用いると、脱バインダ工程において、銅の酸化膨張のために剥がれ等の構造欠陥が電子部品本体において生じやすいが、これを防止するため、酸素を含有しない雰囲気中で脱バインダ工程を実施すると、脱バインダ処理のために長時間必要とする。例文帳に追加
To suppress oxidization of a copper powder by allowing a nickel powder to be oxidized, even when a raw electronic part body in which a conductive paste is positioned in a part for an inner conductor to be formed is subjected to a binder-removing treatment in an oxygen-containing atomsphere. - 特許庁
コンタクトフィルムの各接触端子と表示パネルの各電極端子との接触位置合わせを容易にし、表示パネルの欠陥の発見から修復、点灯確認までを円滑に行うことができるとともに、表示パネルの大きさに合わせて各機構ユニットを組み合わせたり、メンテナンスを容易にする等の利便性の高い表示パネル検査用ソケットの端子接触保持構造体および表示パネル検査用ソケットを提供する。例文帳に追加
To provide a highly convenient end contact retaining structure of a display panel inspecting socket and the display panel inspecting socket facilitating a contact positioning between each contact terminal of a contact film and each electrode terminal of the display panel, smoothly performing the discovery, repair, and lighting confirmation of a defect of the display panel, assembling respective mechanism units according to the dimension of the display panel, and facilitating the maintenance. - 特許庁
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