「欠陥構造」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

高信頼性で、構造欠陥がなく、内部電極およびセラミック層の薄層化を可能とする小型の積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a small laminated ceramic electronic component, which has high reliability and no structure defect, and in which an internal electrode and ceramic layers can be made thin. - 特許庁

フォトルミネッセンス法により、非破壊、非接触で半導体試料の結晶構造欠陥の２次元分布の評価を高精度で行うことを可能にする方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for precisely evaluating two dimensional distribution of crystal structure defects of a semiconductor sample by a photoluminescence method in nondestructive and noncontact manner. - 特許庁

結晶欠陥や界面の荒れが改善された良好なヘテロ構造を有し、安定した特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a good hetero structure that a crystal defect or the roughness of an interface is improved and having stable characteristics, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

スーパージャンクション構造を構成するためのトレンチの先端での不純物層の結晶欠陥を要因とする耐圧低下やリーク電流増加を抑制する。例文帳に追加

To minimize decrease in breakdown voltage or increase in leakage current caused by crystal defects of an impurity layer at the tips of a trench constituting a super junction structure. - 特許庁

これにより、トレンチ５形成の際にトレンチ構造部への応力集中等が緩和され、半導体基板２に結晶欠陥が発生することが防止される。例文帳に追加

Consequently, a stress concentration etc. to a trench structure is alleviated upon the formation of the trench 5, and the occurrence of a crystal defect in the semiconductor substrate 2 can be prevented. - 特許庁

内部電極として用いられるＮｉ電極の酸化による構造欠陥を生じさせることなく、内部電極の玉化を抑制することができる、積層セラミック電子部品の製造方法を得る。例文帳に追加

To obtain a method of manufacturing stacked ceramic electronic components which can control the formation of ball of internal electrode, without generation of fault in the structure due to the oxidation of the Ni electrode used as the internal electrode. - 特許庁

外部に電流を取出すための取出電極の間を複数の発電セルを直列接続した構造の太陽電池セルの取出電極の接続不良及び発電面の欠陥を精度よく検出する。例文帳に追加

To precisely detect poor connection of extraction electrodes for extracting electrical current outside and detect defects on a power generation surface of a solar cell having a structure such that a plurality of power generation cells are serially connected between the extraction electrodes. - 特許庁

窒化アルミニウム粉末に対して焼結助剤が均一に分散された構造欠陥の少ない窒化アルミニウム焼結体を得ることが可能で、生産性に優れる成形用樹脂組成物の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a molding resin composition from which an aluminum nitride sintered compact with few structural defects in which a sintering aid is uniformly dispersed in aluminum nitride powder can be obtained, and which is excellent in productivity. - 特許庁

ロール表面性状に起因するめっき表面欠陥の発生阻止のために有効なロール部材、とくにその表面皮膜構造とその有利な製造方法を提案すること。例文帳に追加

To provide a roll member effective in prevention of the occurrence of plating surface defects due to roll surface characteristic, particularly its surface film structure, and its advantageous production. - 特許庁

この発明は、大地震の際、鋼構造物の梁部材に生じる局部座屈や梁端などの溶接欠陥による破壊に対する抵抗力に優れた圧延形鋼を提供する。例文帳に追加

To provide rolled steel excellent in resistance to local buckling caused in the beam member of a steel structure and to destruction caused by welding defects in the beam edges or the like in case of a big earthquake. - 特許庁

次に、ＧａＮ基板１上に窒化物系半導体層２０，２０ａを形成するとともに、低欠陥領域１ａ上の窒化物系半導体層２０に素子構造部２２を作製する。例文帳に追加

Then nitride-based semiconductor layers 20 and 20a are formed on the GaN substrate 1, and an element structure portion 22 is formed in the nitride-based semiconductor layer 20 on a low-defect region 1a. - 特許庁

トレンチ分離構造を採用する半導体装置において、選択的に空洞部を形成することにより、結晶欠陥による弊害を効果的に抑制して、信用性の向上が図られた半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device employing a trench isolation structure in which reliability is enhanced by forming a cavity selectively, thereby suppressing troubles due to crystal defect effectively; and to provide its fabrication process. - 特許庁

被検査物の周期構造の欠陥を画像検出するために、透過回折光によるコントラストの高い画像を検出するに最適な照明角度を容易に見出せるようにする。例文帳に追加

To easily find an illumination angle optimum for detecting a high contrast of image due to a transmission diffraction light, in order to image-detect a defect of periodic structure in an inspection object. - 特許庁

そして、第２保護膜２５を例えば被覆性が高く、膜欠陥が無い構造の窒化珪素膜や酸化珪素膜などの無機材料の膜で構成する。例文帳に追加

The second protective film 25 is constituted of a film having a high coating property and of an inorganic material such as a silicon nitride film and a silicon oxide film of a structure having no film defects. - 特許庁

内部電極を有する積層セラミック電子部品のクラック等の構造欠陥を防止できるニッケル粉末、その製造方法、そのペースト、それを用いた積層セラミック電子部品を提供する。例文帳に追加

To provide a nickel powder which can prevent structural defects such as cracks in a laminated ceramic electronic component having an internal electrode, a manufacturing method therefor, a paste thereof, and the laminated ceramic electronic component using the same. - 特許庁

その結果、量子ドット２０の欠陥に起因した半導体装置１の特性不良が低減し、且つ積層構造による特性向上によって、半導体装置１の性能がより向上する。例文帳に追加

As a result, characteristic failures of the semiconductor device 1 due to defects of the quantum dots 20 are reduced, thereby improving performance of the device 1 by characteristic improvement by the layered structure. - 特許庁

また、平面欠陥密度が低下したＳｉＧｅ層を有する実質的に緩和したＳｉＧｅ−オン−インシュレータおよびこれを含むヘテロ構造も提供する。例文帳に追加

Further, there are also provided a substantially relaxed SiGe-on-insulator, having an SiGe layer in which the flat surface defect density is decreased, and a heterostructure comprising the insulator. - 特許庁

更に、チャネル領域を有する歪Si層の膜厚、欠陥の不活性化、或いはフィールドプレート構造の最適化などによってリーク電流を低減しつつ最大限に効率を高める。例文帳に追加

Further, the efficiency is enhanced to a maximum extent while reducing a leak current, by optimizing the film thickness of the strained Si layer having a channel region, the inactivation of defects, a field plate structure, etc. - 特許庁

卑金属内部電極を有するセラミック電子部品を焼成する際に、構造欠陥が発生しにくく、かつ良好な特性を有する電子部品を得ることができる匣を得る。例文帳に追加

To obtain a casing capable of providing an electronic component, difficult to occur structural defect when baking a ceramic electronic component having a base-metallic internal electrode, and having a satisfactory characteristic. - 特許庁

セラミックグリーンシート全体に歪みを与えず、セラミックグリーンシートの積層体の密度が不均一となる構造欠陥を引き起こすことのないセラミックグリーンシート圧着装置を提供する。例文帳に追加

To provide a ceramic green sheet pressing apparatus which does not distort the whole ceramic green sheet and does not cause a structural defect to make the density of a ceramic green sheet laminate uneven. - 特許庁

複数管構造体を用いた濾過機器用フィルタにおいて、基材の上に濾過膜を極薄く成膜した結果、意図せず僅かに生じてしまった欠陥膜を、選択的に修復可能とすること、が課題の一例として挙げられる。例文帳に追加

To selectively repair a defective filtration film which has insensibly and unintentionally resulted from a film extremely thinly formed on a base material in a filter for filtering devices using a structure with a plurality of pipes. - 特許庁

半導体積層構造上面に設けた電極（１１３）へのワイヤー（３０１）のボンディング位置を、基板の転位（結晶欠陥）集中領域（Ｘ）の上方から外す。例文帳に追加

The bonding position of a wire (301) to an electrode (113) provided on the upper surface of a semiconductor laminated structure is deviated from the upper side of the dislocation (crystal defect) concentrated area (X) of a substrate. - 特許庁

燃料電池のような透過膜を1段以上積層した被試験体の透過膜の構造欠陥の有無を、ヘリウムリークディテクタを用いて短時間で感度よく検出することができるように構成する。例文帳に追加

To detect the presence or absence of a structural defect of one or more stacked permeable membranes of a body under test such as a fuel cell with a helium leak detector in a short time with high sensitivity. - 特許庁

同定の時間が早く、コンタミネーションおよび帯電が無いと共に、構造欠陥の物質を同定する精度の高い電子ビーム検査方法および装置を実現する。例文帳に追加

To provide an electron beam inspection method and device quick in identification without contamination and static charge, and with high accuracy in identification of a substance with structural defect. - 特許庁

積層セラミックコンデンサの脱バインダー工程及びその後の焼成工程において、層間剥離などの構造欠陥の発生を防止でき、ニッケル内部電極の形成に好適なニッケルペーストを提供する。例文帳に追加

To provide a nickel paste that is capable of preventing the occurrence of structural defects such as delamination during a debinder process and a subsequent firing process for a layered ceramic capacitor, and that is suitable for formation of an inner electrode of nickel. - 特許庁

レーザを使用して、電気的修正構造から欠陥ネットを電気的に分離し、これに続いて、基板上および基板内に後焼成回路を形成する。例文帳に追加

The defect net is electrically isolated from an electric correction structure by the use of laser, and a post-burning circuit is formed on and in the substrate. - 特許庁

オフ基板上のAlGaInP系半導体レーザにおいて、パルス成長により活性層周辺のダブルヘテロ構造を結晶成長することにより、点欠陥の導入の少ない高信頼な半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a highly reliable semiconductor laser in which introduction of spot defect is suppressed by epitaxially growing a double heterostructure on the periphery of an active layer through pulse growth in an AlGaInP based semiconductor laser on an off substrate. - 特許庁

積層構造の偏光フィルム２０内部に存在する欠陥を観察すると、全体的に暗い視野に対して、上の異物２６は明るく見え、下の異物２５はより暗く見える。例文帳に追加

When defects present inside the polarizing film 20 of a laminated structure are observed, upper foreign matter 26 appears to be lighter and lower foreign matter 25 appears to be darker than the overall dark field of view. - 特許庁

従って、これから作ろうとする物品のデザインの方向性をより簡単に、また決定物品の構造的欠陥を生じる心配が少ないより精度の高い設計を簡単且つスムーズに実施することができる。例文帳に追加

Thus, the directivity of the design of the article to be manufactured is easily attained and the highly accurate design with less trouble of causing the structural defect of a decided article is easily and smoothly performed. - 特許庁

内部の構造的欠陥や形状不良がほとんどない高品質の複合鋳造品と、そのような高品質の複合鋳造品の製造方法とを提供する。例文帳に追加

To provide a composite casting article which is substantially free of internal structural defects and shape defects and a method for manufacturing such composite casting article of high quality. - 特許庁

素体の形状を安定して略直方体形状にするとともに、構造欠陥の発生を防止することができる積層セラミック電子部品を提供する。例文帳に追加

To provide a laminated ceramic electronic component in which a base body is formed as almost a rectangular parallelopiped shape and the occurrence of structural defects can be prevented. - 特許庁

ＴｉＮストレージノードを有するシリンダ構造のキャパシタを製造するためのウェットディップアウト時に、バンカー欠陥の発生を防止できる半導体メモリ装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a semiconductor device capable of preventing a bunker shaped defect from being caused during performing a wet dip-out process employed during fabricating a capacitor having a cylinder type TiN storage node. - 特許庁

コンタクトトレンチ構造を採用したときに、終端部のゲートトレンチのコーナー部に結晶欠陥が発生するのを防止できる半導体装置を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for preventing the generation of any crystal defect at the corner parts of gate trenches at terminal parts at the time of adopting a contact trench structure. - 特許庁

低ドーズ量で健全な埋め込み酸化物層を形成させ、表面のシリコン単結晶部の欠陥をできるだけ少なくした、酸素イオン注入によるＳＯＩ構造のシリコン単結晶基板の製造方法。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon single-crystal substrate of SOI structure through oxygen ion implantation which reduces defects of a silicon single-crystal part on the surface as much as possible, by forming a sound embedded oxide layer with a low dosage. - 特許庁

アルミニウムを含む層を下層、高融点金属からなる層を上層とする積層構造を有する配線を用いた配線基板において、配線間の短絡欠陥のない高品質の配線基板を得る。例文帳に追加

To obtain a wiring board with laminated structure composed of an aluminum-containing lower layer and a high melting point metal upper layer, high in quality, and kept free from short-circuiting between wirings. - 特許庁

この発明は、大地震の際、鋼構造物の梁部材に生じる局部座屈や梁端などの溶接欠陥による破壊に対する抵抗力に優れた圧延耐火形鋼を提供する。例文帳に追加

To provide fire resistant rolled shape steel excellent in resistance to local buckling caused in the beam member of a steel structure and to destruction caused by welding defects in the beam edges or the like in case of a big earthquake. - 特許庁

表面に細孔および欠陥を有しているために、液媒体中への分散が容易で、グラファイト層を効果的に修飾できる等の特長をもつ有孔カーボンナノ構造体とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a porous carbon nano-structure and its manufacturing method characterized by that it is as easily dispersed in a liquid medium since it has pores and defects on a surface, it effectively modifies a graphite layer, or the like. - 特許庁

微細構造の暗騒音に対する感度を維持又は低減しながら、小さな表面下欠陥に対する感度を高めた新しい超音波検査方法及び関連するプローブを開発すること例文帳に追加

To develop a new ultrasonic inspection method and a related probe having improved sensitivity to small subsurface defects while maintaining or reducing sensitivity to background noise of a microstructure. - 特許庁

所望の配線構造を形成することができ、かつウエハ有効領域の欠陥率の増加を防止することのできる半導体ウエハ装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor wafer device by which a desired wiring structure can be formed and an increase of defective rate in a wafer effective region can be prevented. - 特許庁

シリコン層における構造的な欠陥を不活性化し、低接触抵抗である金属被着膜、その製造方法、及び金属被着膜を含む集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide a metal deposited film inactivating structural defects in a silicon layer and having low contact resistance, to provide a method of manufacturing the same, and to provide an integrated circuit including the metal deposited film. - 特許庁

次に、抵抗値の測定によって区画素子内で狭い範囲に絞り込まれた、構造欠陥Ｒの存在する領域を画像撮像手段によって撮像する。例文帳に追加

Next, an image imaging means images a region that is narrowed into a narrow range inside the partition element by the measurement of the resistance value and has a structural defect R. - 特許庁

キャリアの移動度が高い歪ＳＯＩ構造を、結晶欠陥少なく且つ安価に形成できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can have a high-strain SOI structure with high mobility of a carrier formed at a low price with less crystal defects, and the semiconductor device. - 特許庁

硫化亜鉛の結晶構造の欠陥を誘発させてエレクトロルミネッセンスを強化させた硫化亜鉛をベースとしたエレクトロルミネッセンス蛍光体の製造方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method for production of electroluminescent phosphor using a zinc sulfide with enhanced electroluminescence as a base by inducing defects in the crystal structure of the zinc sulfide. - 特許庁

ＳｅＯＩ（絶縁体上半導体）構造薄層内のホールの密度、および特に致命的欠陥であるホールすなわち致命ホールの密度を最小化することを可能にする方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method which makes it possible to minimize hole density in a SeOI (Semiconductor-On-Insulator) structure thin layer, and especially, density of a fatal hole which is a fatal defect. - 特許庁

セル隔壁強化用スラリー中に含まれるタルクの粒径を特定することにより、欠陥の少ないセル隔壁強化部を設けたハニカム構造体と作業性の良いその製造方法とを提供する。例文帳に追加

To provide a honeycomb structure that is provided with a cell partition strengthening part with only few defects by specifying the particle size of talc contained in a slurry for strengthening cell partition and a method with good workability for producing the honeycomb structure. - 特許庁