「炭化ほう素相」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

純度を低下させることなく化学気相成長法により形成された炭化珪素を、炭化珪素層の抵抗を低くして炭化珪素層を導電化させることができる炭化珪素導電化方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for imparting electric conductivity to silicon carbide where a silicon carbide layer can be imparted with electric conductivity by lowering the resistance of the silicon carbide layer consisting of silicon carbide formed by a chemical vapor deposition method without lowering purity. - 特許庁

分子ふるい上で炭化水素異性体混合物を気相分離する方法例文帳に追加

METHOD FOR SEPARATING MIXTURE OF HYDROCARBON ISOMER IN VAPOR PHASE ON MOLECULAR SIEVE - 特許庁

化学気相蒸着炭化ケイ素板状成形体およびその製造方法例文帳に追加

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SILICON CARBIDE TABULARLY FORMED PRODUCT AND ITS PRODUCTION - 特許庁

相対密度の異なる炭化珪素系セラミックス材料の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE-BASED CERAMIC MATERIALS HAVING DIFFERENT RELATIVE DENSITIES - 特許庁

単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材及び単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法例文帳に追加

SEED MATERIAL FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE AND METHOD FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE - 特許庁

単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用ユニット及び単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法例文帳に追加

UNIT FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE, AND METHOD FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE - 特許庁

化学気相堆積炭化ケイ素物品および化学気相堆積炭化ケイ素物品を製造する方法が開示される。例文帳に追加

A chemical vapor deposition silicon carbide product and a method of manufacturing the chemical vapor deposition silicon carbide product are disclosed. - 特許庁

飽和Ｃ４—炭化水素およびその不飽和Ｃ４—炭化水素との混合物の気相酸化による酢酸の製造方法例文帳に追加

PRODUCTION OF ACETIC ACID THROUGH VAPOR PHASE OXIDATION OF MIXTURE OF SATURATED HYDROCARBON HAVING FOUR CARBON ATOMS WITH UNSATURATED HYDROCARBON HAVING FOUR CARBON ATOMS - 特許庁

単結晶炭化ケイ素種結晶の液相生成方法及び単結晶炭化ケイ素種結晶、単結晶炭化ケイ素種結晶板の液相エピタキシャル生成方法及び単結晶炭化ケイ素種結晶板、単結晶炭化ケイ素種結晶基板の生成方法及び単結晶炭化ケイ素種結晶基板例文帳に追加

LIQUID PHASE GENERATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL, SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL, LIQUID PHASE EPITAXIAL GENERATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL PLATE, SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL PLATE, GENERATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

石油系炭化水素の液体中にオゾンと過酸化水素とを相乗して加え、これによって石油系炭化水素中に含有する硫黄化合物を酸化脱硫させる石油系炭化水素の脱硫方法である。例文帳に追加

The method for desulfurizing a petroleum hydrocarbon comprises adding ozone and hydrogen peroxide together into a liquid of the petroleum hydrocarbon, and thereby oxidizing and desulfurizing the sulfur compounds contained in the petroleum hydrocarbon. - 特許庁

炭化珪素の気相成長において、結晶欠陥の増大を伴うことなく、十分な生産性を有する炭化珪素の製造方法、及び大口径の炭化珪素塊の提供。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing silicon carbide with sufficient productivity without increasing crystal defects in the chemical vapor deposition of silicon carbide and, to provide large-diameter silicon carbide agglomerates. - 特許庁

炭化硼素を主成分とし、炭化珪素を含む炭化硼素質焼結体であって、炭化硼素からなる主結晶粒子１の平均粒径が２５μｍ以上、相対密度が９７％以上であるとともに、気孔３ａを有することを特徴とする。例文帳に追加

Provided is a boron carbide-based sintered compact whose main ingredient is boron carbide and which contains silicon carbide, characterized by having an average particle diameter of 25 μm or more of a main crystal particle 1 consisting of boron carbide, a relative density of 97% or more and pores 3a. - 特許庁

化学的気相成長法による炭化珪素膜の体積抵抗率の制御方法例文帳に追加

METHOD FOR CONTROLLING VOLUME RESISTIVITY OF SILICON CARBIDE FILM OBTAINED BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION - 特許庁

結晶系が２Ｈ相である炭化ケイ素を２０％以上含み、形状異方性を有する炭化ケイ素粒子、および、この炭化ケイ素粒子を工業的規模で安価に製造することが可能な炭化ケイ素粒子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide silicon carbide particles containing ≥20% of silicon carbide whose crystal system is 2H phase and having shape anisotropy, and a method for producing silicon carbide particles inexpensively producing the silicon carbide particles on an industrial scale. - 特許庁

化学気相成長法により製造された炭化珪素多結晶体を粉砕することにより得られた粉体を炭化珪素原料２として炭化珪素単結晶を結晶成長させる。例文帳に追加

The silicon carbide single crystal is grown by using, as a silicon carbide raw material 2, a powder obtained by grinding a silicon carbide polycrystal produced by a chemical vapor deposition method. - 特許庁

基体上に化学的気相成長法によって炭化珪素膜を成膜するのに際して、炭化珪素膜の成膜速度を制御することによって炭化珪素膜の体積抵抗率を制御する。例文帳に追加

In deposition of a silicon carbide film on a substrate by a CVD method, the deposition rate is controlled to control volume resistivity of the silicon carbide film. - 特許庁

好ましくは、炭化珪素体の室温での電気抵抗率が１０００００Ω・ｃｍ以上であり、炭化珪素結晶の平均粒径が５μｍ以下であり、炭化珪素体が化学的気相成長法によって成膜されている。例文帳に追加

Preferably, the silicon carbide body has ≥100,000 Ω.cm electric resistivity at room temperature, and ≤5 μm average particle diameter of silicon carbide crystals, and is formed into a film by a chemical vapor growth method. - 特許庁

炭化珪素基板としては、ＳＯＩ基板の表面シリコンを薄層化し、その極薄シリコン層を炭化処理により炭化珪素層に変性し、その上にＣＶＤ（化学気相成長）法により炭化珪素エピタキシャル膜を形成させたものが好ましい。例文帳に追加

The semiconductor silicon carbide substrate is preferably a semiconductor silicon carbide substrate in which surface silicon of an SOI substrate is made thin, the extremely thin silicon layer is denatured into a silicon carbide layer through carbonization, and a silicon carbide epitaxial film is deposited thereon by a CVD (chemical vapor-deposition) method. - 特許庁

単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長法及びそれに用いられる熱処理装置例文帳に追加

LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE AND HEAT TREATMENT APPARATUS USED FOR THE METHOD - 特許庁

不純物として炭素数３〜５の炭化水素を含むプロピレンオキサイドから炭素数３〜５の炭化水素を気相部に除去する方法において、炭化水素除去工程において、水分濃度が１０００重量ｐｐｍ以上であるプロピレンオキサイド精製方法。例文帳に追加

The method for purifying the propylene oxide by removing the 3-5C hydrocarbons from the propylene oxide containing the 3-5C hydrocarbons as the impurities involves a hydrocarbon-removing step regulated so that the concentration of water is ≥1,000 wt. ppm. - 特許庁

常温において液相の炭化水素混合体から、二重結合を有する炭化水素と二重結合を有しない炭化水素を容易に分離精製することができると共に、真空脱着再生や加熱再生を採用せずとも吸着剤の再生を容易に行うことができ、しかも、炭化水素を高純度に分離精製することができる炭化水素の分離精製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a separation purification method of hydrocarbons that permits easy separation purification of hydrocarbons having a double bond and hydrocarbons having no double bond from a hydrocarbon mixture in a liquid phase at ordinary temperature, easy regeneration of an adsorbent without adopting vacuum desorption regeneration or heating regeneration and permits separation purification of hydrocarbons into high purity. - 特許庁

液体状の炭化水素原料を実質的に液相単相で脱硫することができる炭化水素原料の脱硫方法、および該脱硫方法を実施するに好適な脱硫装置を提供する。例文帳に追加

To provide a desulfurization method for a hydrocarbon source material by which a liquid hydrocarbon source material can be desulfurized substantially in a liquid single phase, and to provide a desulfurization device suitable for performing the desulfurization method. - 特許庁

特定の炭化水素化合物と、次亜塩素酸金属塩水溶液との混合物中に、プロトン酸を添加して、塩素化炭化水素化合物を製造する工程において、相関移動触媒を添加することを特徴とする塩素化炭化水素化合物の製造方法により達成される。例文帳に追加

This method for producing the chlorinated hydrocarbon compound, comprising adding a protonic acid to a mixture of a specific hydrocarbon compound with an aqueous metal hypochlorite solution, is characterized by adding a phase transfer catalyst. - 特許庁

トリアルキル芳香族炭化水素を水および水と混合しない有機溶媒を用い、２相系で光照射下、塩素ガスを作用させ光塩素化するトリス（α−クロロアルキル）芳香族炭化水素の製造方法。例文帳に追加

This method of production for the tris(α-chloroalkyl)aromatic hydrocarbon is carried out a photo chlorination by acting chlorine gas to a two phase system comprising a trialkyl aromatic hydrocarbon, water and an organic solvent immiscible with water under irradiation of light. - 特許庁

炭化珪素焼結体は、焼結助剤として、アルミニウムおよび／またはアルミニウム化合物と、ホウ素および／またはホウ素化合物と、炭素および／または炭化可能な化合物とを含み、その相対密度は９８％以上である。例文帳に追加

The silicon carbide sintered compact comprises, as a sintering aid, aluminum and/or an aluminum compound, boron and/or a boron compound, and carbon and/or a compound which can be carbonized, wherein the silicon carbide sintered compact has a relative density of 98% or more. - 特許庁

また当該触媒の存在下に、アルカンと分子状酸素により気相酸化脱水素することで不飽和炭化水素化合物、含酸素炭化水素化合物の製造することができる。例文帳に追加

Then, a gas-phase oxidation dehydrogenation of the alkane and the molecular oxygen is performed in the presence of the catalyst so that an unsaturated hydrocarbon compound and an oxygen-containing hydrocarbon compound can be produced. - 特許庁

炭化珪素焼結体本来の優れた特性を保持しながら炭化珪素単相の焼結体よりも良好な加工性を示し、優れたセラミックス構造材料となりうる炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体、および炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体の新たな製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide/boron nitride composite material sintered compact which exhibits workability more satisfactory than that of a sintered compact of a silicon carbide single phase while keeping excellent properties characteristic of the silicon carbide sintered compact, and can be made into an excellent ceramic structural material, and to provide a new method for producing a silicon nitride/boron nitride composite material sintered compact. - 特許庁

芳香環上に炭化水素基を少なくとも１個有するフルオレンを苛性アルカリ及び相間移動触媒の存在下で分子状酸素で酸化することを特徴とする炭化水素基置換フルオレノン類の製造方法。例文帳に追加

This method for producing a hydrocarbon group-substituted fluorenone is to oxidize a fluorene having at least one hydrocarbon group on an aromatic ring with molecular oxygen in the presence of a caustic alkali and a phase transfer catalyst. - 特許庁

炭化フッ素系樹脂およびその製造方法、固相フルオラス触媒、固相フルオラス合成反応並びに有機反応用反応場例文帳に追加

FLUORINE CARBIDE BASED RESIN, ITS MANUFACTURING METHOD, SOLID PHASE FLUOROUS CATALYST, SOLID PHASE FLUOROUS SYNTHESIS REACTION, AND REACTION PLACE FOR ORGANIC REACTION - 特許庁

炭化水素油をイオン液体と接触させ、２相に分離する工程を含むことを特徴とする炭化水素油の脱硫及び／又は脱窒素精製方法。例文帳に追加

The method of purifying a hydrocarbon oil by desulfurization and/or denitrification comprises a step of bringing a hydrocarbon oil into contact with an ionic liquid to separate the hydrocarbon oil into two phases. - 特許庁

たとえば、液相成分が炭化水素であり、生成物が該炭化水素の有機過酸化物である酸化反応方法であり、または液相成分がクメン又はメタジイソプロピルベンゼンである酸化反応方法であり、または液相成分がエマルジョン条件下で反応を行う酸化反応方法である。例文帳に追加

For example, the oxidation reactions such that the liquid component is a hydrocarbon and the product is an organic peroxide of the hydrocarbon, or the liquid component is cumene or meta-di- isopropylbenzene, or the reaction is performed under an emulsion condition of the liquid component, are cited. - 特許庁

飽和炭化水素に不飽和炭化水素を含ませた冷媒を主とし、この冷媒と相溶性を有する冷凍機油を封入してなる冷媒圧縮機および冷凍装置。例文帳に追加

In the refrigerant compressor and the refrigeration unit, the refrigerant mainly using the saturated hydrocarbon containing an unsaturated hydrocarbon and a refrigerating machine oil having compatibility with the refrigerant are each enclosed. - 特許庁

未反応の炭化水素を回収して反応器に循環させるプロセスを有する炭化水素の気相酸化反応システムを効率的かつ安定に運転するための制御方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and device for efficiently and stably operating a gas phase oxidation reaction system for hydrocarbons having a process to recover unreacted hydrocarbon and circulate in a reaction vessel. - 特許庁

HF・BF_3触媒を用いて異性化反応を行った後に、HF・BF_3から成る触媒層と相分離し、析出したアダマンタンを脂肪族飽和炭化水素溶剤又は芳香族炭化水素溶剤を用いて抽出する。例文帳に追加

This method for separating and purifying adamantane, comprising carrying out an isomerization reaction in the presence of a HF.BF3 catalyst, separating the reaction product from the catalyst phase comprising the HF.BF3, and then extracting the deposited adamantane with an aliphatic saturated hydrocarbon solvent or aromatic hydrocarbon solvent. - 特許庁

未反応の炭化水素を回収して反応器に循環させるプロセスを有る炭化水素の気相酸化反応システムを効率的かつ安定に運転するための制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a controlling method for efficiently and stably operating a gaseous phase oxidation reaction system for a hydrocarbon having a process of recovering the unreacted hydrocarbon and circulating the same to a reactor. - 特許庁

炭化水素の処理方法および処理装置、ならびに前記処理により生成された相の分離のための方法および処理装置例文帳に追加

METHOD AND FACILITY FOR TREATMENT OF HYDROCARBON AND METHOD FOR SEPARATING PHASE PRODUCED BY THE TREATMENT - 特許庁

炭化水素の処理方法および処理装置、ならびに前記処理により製造された相の分離のための方法および処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and facilities for treatment of hydrocarbons, and to provide a method and facilities for separating phases produced by the treatment. - 特許庁

炭化水素の吸着能が高く、十分な耐熱性を有し、高温に晒された後でも吸着能を維持し、吸着した炭化水素をより低級な炭化水素に分解できる能力を有した吸着剤を提供し、その吸着剤を用いて気相中に含有される炭化水素を吸着除去する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a adsorbent which has high adsorbing power of hydrocarbon and enough heat resistance, maintains the adsorbing power even after being exposed to high temperatures, and is capable of decomposing an adsorbed hydrocarbon into a lower hydrocarbon and a method for removing a hydrocarbon by adsorption in a gas phase by using the adsorbent. - 特許庁

アクリル酸、メタクリル酸、またはこれらのアルカリ金属塩などの水溶性エチレン性不飽和単量体を、脂肪族炭化水素溶媒、脂環族炭化水素溶媒、または芳香族炭化水素溶媒などの石油系炭化水素分散媒中で、界面活性剤および水溶性ラジカル重合開始剤の存在下に、逆相懸濁重合して得られる吸水性樹脂を含む化粧料。例文帳に追加

The cosmetic includes a water-absorbing resin obtained by performing reverse phase suspension polymerization of a water soluble ethylenically unsaturated monomer such as acrylic acid, methacrylic acid or alkali metal salts thereof, in the presence of a surfactant and a water soluble radical polymerization initiator, in a petroleum hydrocarbon dispersion medium such as an aliphatic hydrocarbon solvent, an alicyclic hydrocarbon solvent or an aromatic hydrocarbon solvent. - 特許庁

脱着剤としてテトラリンを用いる液相吸着により芳香族炭化水素の供給材料からメタキシレンを分離する方法例文帳に追加

METHOD FOR SEPARATING m-XYLENE FROM AROMATIC HYDROCARBON SUPPLY MATERIAL BY LIQUID-PHASE ADSORPTION USING TETRALIN AS DESORPTION AGENT - 特許庁

シアノ基含有芳香族炭化水素の液相空気酸化によりシアノ安息香酸を高収率、かつ、高純度で製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing cyanobenzoic acid in high yield by liquid-phase air oxidation of cyano group-bearing aromatic hydrocarbon. - 特許庁

化学気相蒸着法によって第１導電型の炭化珪素単結晶基板１の表面から成長させた第１導電型の炭化珪素エピタキシャル膜２における少なくとも種欠陥密度が高い表層４を除去した後、表層４を除去した炭化珪素エピタキシャル膜２の表面から第２導電型の炭化珪素エピタキシャル膜３を成長させる。例文帳に追加

A surface layer 4, at least high in seed defect density, is removed in a first conductive silicon carbide epitaxial film 2 grown from the front surface of the first conductive silicon carbide single crystal substrate 1 by chemical vapor deposition method, and thereafter, a second conductive silicon carbide epitaxial film 3 is made to grow from the front surface of the silicon carbide epitaxial film 2, whose surface layer 4 is removed. - 特許庁

炭化珪素単結晶からなる種結晶１上にグラファイト層２を設け、グラファイト層２上に炭化珪素単結晶膜３を気相法によって生成させる。例文帳に追加

A graphite layer 2 is provided on the seed crystal 1 comprising a silicon carbide single crystal, and the silicon carbide single crystal film 3 is formed on the graphite layer 2 by a vapor phase method. - 特許庁

シリカおよびカーボンを１７００℃以上の温度で加熱し、単結晶炭化珪素からなる種結晶６上に気相法によって単結晶炭化珪素膜７をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

The method comprises heating silica and carbon at a temperature of ≥1,700°C and epitaxially growing a single crystal silicon carbide film 7 on a seed crystal 6 comprising single crystal silicon carbide by a vapor phase method. - 特許庁

炭化珪素膜を有する被膜構造体において、緻密質であって高い耐蝕性を有するという、化学的気相成長法によって生成した炭化珪素膜の特性を生かしつつ、その加工性を改善する。例文帳に追加

To improve the workability of a film structure having silicon carbide film while making good use of the properties of the silicon carbide film deposited by chemical vapor deposition (CVD), that is, denseness and high corrosion resistance. - 特許庁