「熱拡散効果」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

こうすることによって、剥離の際に生じるクラックを修復し、被剥離層に接する薄膜として熱伝導性を有する膜２０、具体的にはアルミニウムの窒化物またはアルミニウムの窒化酸化物を用いることによって、素子の発熱を拡散させ、転写体２２、具体的にはプラスチック基板の変形や変質を保護する効果を有する。例文帳に追加

In so doing, a crack generated at peeling is repaired, and by using a film 20 having heat conductance as a thin film contacting the peel-off layer, in particular, a nitride of aluminum or oxide nitride of aluminum, heat generation of the element is diffused, which has the effect of protecting the transfer body 22, in particular, the plastic board from deformation or deterioration. - 特許庁

半導体ウェハの微小部位に対し局所的に加熱できるようにして、形成済みのバンプと電極パッド間での金属拡散の進行を効果的に抑制でき、バンプ形成後の金線の引きちぎり工程において失敗の発生を確実に防止することのできるバンプボンディング方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for bump bonding, capable of effectively controlling the progress of metal diffusion between formed bumps and electrode pads and surely preventing failures in the gold wire tear-off process after bump formation, by enabling local heating of very small spots on the semiconductor wafer. - 特許庁

高密度銅配線半導体の銅の拡散を抑制するに際し、膜剥離を生じさせない程度の薄い膜厚で、また細かい配線ピッチでも十分なバリア効果を得ることができ、さらに熱処理等により温度上昇があっても、バリア特性に変化がない高密度銅配線半導体用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲットの提供。例文帳に追加

To provide a barrier film for a highly dense copper wiring semiconductor which can obtain a sufficient barrier effect with a film thickness enough to prevent film peeling and a fine wiring pitch in suppressing diffusion of a copper in the highly dense copper wiring semiconductor, and has no variation in barrier characteristics even if a temperature rises due to heat treatment, and to provide a sputtering target for forming the barrier film. - 特許庁

金属や金属シリサイドに置換した配線層を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極形成過程及びその後の熱処理工程において、Ｎ型トランジスタのゲート電極とＰ型トランジスタのゲート電極との間における構成材料の相互拡散を効果的に防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable effectively preventing mutual diffusion in the components between the gate electrodes of n- and p-type transistors in a gate electrode formation process and the subsequent heat treatment process for the method for manufacturing the semiconductor device having a wiring layer substituted for metal and metal silicide. - 特許庁

積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure. - 特許庁

熱湯を注いで食する即席麺などのインスタント食品の調理時間を判断する方法として、水蒸気でアルカリ含浸紙あるいは酸含浸紙３から塩基イオンあるいは酸イオンが解離して色素含浸紙２に含浸し、拡散効果により所定時間で色素含浸紙２が変色されることを利用する。例文帳に追加

As a method for judging cooking time of instant food such as instant noodle for having after pouring hot water, color change of pigment including paper 2, which includes base ion or acid ion dissociated from alkali including paper or acid including paper 3 owing to steam, in a specific time by diffusion effect is used. - 特許庁

ここで、Ｃ共ドーピングは、（後続のアクティベーション熱サイクルの際にも）Ｂの拡散を弱める追加の自由度を与えて浅いＢプロファイルを保持し、これは、良好な短チャネル効果を保持しながらミッドギャップ金属ゲートを備える表面チャネルＣＭＯＳデバイスを与えるために重要である。例文帳に追加

Here, the doping of C is important to give a surface channel CMOS device provided with the mid gap metal gate while an excellent short channel effect is maintained by holding the shallow B profile through the additional degree of freedom to relaxing the diffusion of B (even in the case of the subsequent activation heat cycle). - 特許庁

熱抵抗の低い実装構造を実現するため、ＬＥＤチップを搭載したシリコン製サブマウントを金属配線基板のベース金属上に直接配置したＬＥＤ光源モジュール構造において、ＬＥＤチップ、シリコン製サブマウント、金属配線基板を所定の配置とすることにより、ＬＥＤチップからの発熱を金属配線基板側へ有効に拡散させ、高い放熱効果を与えることを特徴としている。例文帳に追加

In this LED light source module structure wherein a silicon submount mounting the LED chip is directly arranged on a base metal of a metal wiring substrate to realize a mounting structure with low thermal resistance, the LED chip, the silicon submount and the metal wiring substrate are arranged as prescribed for effectively diffusing the heat generated by the LED chip to a metal wiring substrate side to realize high heat dissipation effect. - 特許庁