「薄膜圧電共振器」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

簡易な構造で共振周波数を高くすることが可能な薄膜圧電共振器を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film piezoelectric resonator capable of heightening its resonance frequency by a simple structure. - 特許庁

圧電体薄膜を薄くすることなく従来よりも高い共振周波数を得ることができる薄膜共振器を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film resonator capable of obtaining a higher resonance frequency than that of prior arts without the need for thinning a piezoelectric thin film. - 特許庁

圧電体薄膜の共振周波数の温度変化は縦波共振よりも横波共振の場合の方が小さいため、本発明の薄膜共振器は従来の縦波共振が生じる薄膜共振器よりも優れた温度安定性が得られる。例文帳に追加

Since the transverse wave resonance for a temperature change in the resonance frequency of a piezoelectric thin film is smaller than the longitudinal wave resonance, the thin film resonator obtains the excellent temperature stability more than that of a thin film resonator producing the longitudinal wave resonance of prior arts. - 特許庁

１次モードの定在波が形成される従来の薄膜共振器と比較して、圧電体薄膜１４の厚さが同じであれば、本発明の薄膜共振器は共振周波数が２倍になる。例文帳に追加

In comparison with a thin film resonator of prior arts wherein a standing wave of the primary mode is formed, the resonance frequence of the thin film resonator disclosed herein is doubled when the thickness of the piezoelectric thin film 14 is the same as that of prior arts. - 特許庁

共振部の基板への固着を防止し、共振特性の劣化を抑制することが可能な薄膜圧電共振器を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film piezoelectric resonator capable of preventing a resonance from adhering to a substrate, and suppressing deterioration of a resonance characteristic. - 特許庁

可変電圧回路の電圧Ｖ１，Ｖ２を変化させることによって、直列薄膜圧電共振器及び並列薄膜圧電共振器の少なくとも一方の共振特性をシフトさせて、通過特性を変化させる。例文帳に追加

The pass property is changed by changing at least one of the resonation property of the series thin film piezoelectric resonator or the parallel thin film piezoelectric resonator by changing the voltage V1 or V2 in the variable voltage circuit. - 特許庁

圧電膜直下に孔を有する薄膜圧電共振器において、気密性を維持し、小型化を実現する。例文帳に追加

To maintain a gas tightness and realize a small-sized structure of a thin film piezoelectric resonator having holes just beneath a piezoelectric film. - 特許庁

圧電薄膜共振器及びそれを用いた発振器並びにそれを内蔵した半導体集積回路例文帳に追加

PIEZOELECTRIC THIN-FILM RESONATOR, OSCILLATOR USING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT CONTAINING THE SAME - 特許庁

入出力１４，１５に対して直列に接続された直列薄膜圧電共振器１１と、入出力１４，１５に対して並列に接続された並列薄膜圧電共振器１２と、直列薄膜圧電共振器１１及び並列薄膜圧電共振器１２の少なくとも一方の印加電圧を変化させることのできる可変電圧回路１９とを具備する。例文帳に追加

The filter has a thin film piezoelectric resonator 11 connected in series to input and output terminals 14, 15, a parallel thin film piezoelectric resonator 12 connected in parallel to the input and output terminals 14, 15, and a variable voltage circuit 19 which can change at least one of the impressed voltage for the series thin film piezoelectric resonator 11 or the parallel thin film piezoelectric resonator 12. - 特許庁

入出力に対して直列に接続された直列薄膜圧電共振器１１と、入出力に対して並列に接続された並列薄膜圧電共振器１２と、直列薄膜圧電共振器１１及び並列薄膜圧電共振器１２の少なくとも一方の印加電圧を変化させることのできる可変電圧回路１３とを具備する。例文帳に追加

The filter is provided with serial thin film piezoelectric resonators 11 which are connected serially to an input and an output, parallel thin film piezoelectric resonators 12 which are connected in parallel to the input and the output, and a variable voltage circuit 13 capable of varying the applying voltage of either the resonators 11 or the resonators 12. - 特許庁

それぞれ対向する２対の極板で薄膜圧電体を挟み込み、薄膜圧電共振器１０３を形成する。例文帳に追加

A thin film piezoelectric body is interposed between two pairs of pole plates respectively opposed to each other to form a thin film piezoelectric resonator 103. - 特許庁

共振周波数の温度特性を安定させた圧電薄膜共振子、その製造方法および圧電薄膜共振子を用いた電子通信機器を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a piezoelectric thin film resonator having a stabilized temperature characteristic of resonant frequency, a method for manufacturing the same, and a communication apparatus using the piezoelectric thin film resonator. - 特許庁

アンテナポート１０６とグランドとの間に調整用薄膜圧電共振器１５０を備えている。例文帳に追加

A thin film piezoelectric resonator 150 for adjustment is provided between the antenna port 106 and ground. - 特許庁

圧電薄膜共振器並びにそれを用いた高周波フィルタ及び高周波モジュール例文帳に追加

PIEZOELECTRIC THIN FILM RESONATOR, AND HIGH FREQUENCY FILTER AND HIGH FREQUENCY MODULE USING THE SAME - 特許庁

圧電薄膜共振器、フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置例文帳に追加

PIEZOELECTRIC THIN-FILM RESONATOR, FILTER, DUPLEXER, COMMUNICATION MODULE AND COMMUNICATION APPARATUS - 特許庁

横音響モードの発生を抑制した高いＱ値を有する薄膜圧電共振器を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film piezoelectric resonator having a high Q value in which generation of a transverse acoustic mode is suppressed. - 特許庁

圧電薄膜共振器、弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法。例文帳に追加

PIEZOELECTRIC THIN FILM RESONATOR, SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE - 特許庁

スプリアスを抑制することが可能な圧電薄膜共振器およびフィルタを提供すること。例文帳に追加

To provide a piezoelectric thin film resonator and a filter that can suppress spuriousness. - 特許庁

第１の圧電共振スタック１４Ａを用いて薄膜圧電共振器Ｔｘ１，Ｔｘ２を含む送信フィルタが構成され、第２の圧電共振スタック１４Ｂを用いて薄膜圧電共振器Ｒｘ３，Ｒｘ５を含む受信フィルタが構成されている。例文帳に追加

A transmission filter including the thin film piezoelectric resonators Tx1, Tx2 is constituted by using the first piezoelectric resonance stack 14A and a receiving filter including the thin film piezoelectric resonators Rx3, Tx5 is constituted by using the second piezoelectric resonance stack 14B. - 特許庁

複数の共振器を含む圧電薄膜デバイスにおいて、複数の共振器の干渉に起因する特性劣化を防ぐ。例文帳に追加

To prevent characteristic deterioration due to interference among a plurality of resonators in a piezoelectric thin film device including the plurality of resonators. - 特許庁

薄膜圧電共振器の共振部の直下の空洞を所望の位置および大きさで精確に且つ容易に形成すること。例文帳に追加

To accurately and easily form a cavity just under the resonating portion of a thin film piezoelectric resonator in a desired position and size. - 特許庁

共振子の圧電体薄膜の品質を向上できるＢＡＷ共振器の製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a BAW resonator by which the quality of a piezoelectric thin film of the resonator can be improved. - 特許庁

共振部からの振動エネルギーの散逸を抑制することが可能な圧電薄膜共振器およびフィルタを提供すること。例文帳に追加

To provide a piezoelectric thin film resonator and a filter capable of suppressing the dissipation of vibration energy from a resonating part. - 特許庁

共振特性の向上ができ、高周波特性の劣化の抑制が可能な薄膜圧電共振器を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film piezoelectric resonator which is improved in resonating characteristics, and suppresses the deterioration of high frequency characteristics. - 特許庁

空洞の破壊を防止し、共振周波数を高精度に調整できる封止構造を備えた薄膜圧電共振器を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film piezoelectric resonator provided with sealing structure capable of preventing the destruction of a cavity and highly accurately adjusting a resonance frequency. - 特許庁

平均自発分極Ρsｒを有する圧電膜を具備する薄膜圧電共振器と、平均自発分極Ρsｃを有し、上記圧電膜と同一材料からなる誘電体膜を有する前記薄膜圧電共振器と同一の基板上に設けられる薄膜キャパシタとが、｜Ρsｒ｜＞｜Ρsｃ｜なる関係を満たす。例文帳に追加

A thin-film piezoelectric resonator having a piezoelectric film with an average spontaneous polarization Psr and the thin-film capacitor having an average spontaneous polarization Psc, having a dielectric film made of the same material as that of the piezoelectric film and placed on the same substrate as that of the thin-film piezoelectric resonator satisfy the relation |Psr| > |Psc|. - 特許庁

ウエットエッチング法により薄膜圧電共振器を製造するにあたり、プロセス余裕度が高く、そのため工程が容易であり、製造コストの低廉化を図ることができる薄膜圧電共振器の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a thin film piezoelectric resonator production method which has high process margin, and hence can employ easy processes and achieve a reduction in production costs in the production of the thin film piezoelectric resonator by a wet etching method. - 特許庁

横音響モードの発生を抑制した高いＱ値を有する薄膜圧電共振器を提供するとともに、低挿入損失を実現できる薄膜圧電共振器フィルタを容易に提供する。例文帳に追加

To provide a thin film piezoelectric resonator with a high Q value for suppressing production of a transverse acoustic mode and to easily provide a thin film piezoelectric resonator filter capable of achieving a low insertion loss. - 特許庁

圧電層２と上部電極１２及び下部電極１０とを有する圧電共振スタック１４と、その下に形成された空隙４と、圧電共振スタックを支持する基板８とを含んでなる薄膜圧電共振器。例文帳に追加

The present invention relates to a piezoelectric thin film resonator including a piezoelectric resonant stack 14 comprising a piezoelectric layer 2, an upper electrode 12 and a lower electrode 10, a gap 4 formed thereunder, and a substrate 8 supporting the piezoelectric resonant stack. - 特許庁

可変電圧回路１３の電圧を変化させることによって、直列薄膜圧電共振器１１及び並列薄膜圧電共振器１２の少なくとも一方の共振特性をシフトさせて、通過特性を変化させることができることを特徴とする可変フィルタを提供する。例文帳に追加

The resonant characteristic of at least either the resonators 11 or the resonators 12 is shifted by varying the voltage of the circuit 13, thereby varying the pass characteristics. - 特許庁

新たな電極接続構造を備え、特性に優れた、小型化かつ軽量化を実現することができる薄膜圧電共振素子及び薄膜圧電共振器並びにそれらの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a piezoelectric resonant element and a thin film piezoelectric resonator which are provided with a new electrode connection structure and are excellent in characteristics and whose miniaturization and light weightness can be realized, and a manufacturing method for them. - 特許庁

この薄膜圧電共振器１０３各対の極板のうち薄膜圧電体１０３の異なる面に取り付けられる極板を接地することにより、入力信号に対して位相の反転した共振出力を得る。例文帳に追加

Among the pole plates of each pair of the thin film piezoelectric resonator 103, the pole plates fitted to the different surfaces of the thin film piezoelectric resonator 103 are grounded to obtain a resonance output whose phase is inverted to the phase of an input signal. - 特許庁

共振部の共振特性に影響を与えることなく電極における電気抵抗の低減を図れる薄膜圧電共振器及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a thin-film piezoelectric resonator capable of reducing the electrical resistance of electrode, without affecting the resonance characteristics of a resonance part, and to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁

圧電体膜の亀裂及び破断の発生を抑えることが可能な薄膜圧電共振器及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film piezoelectric resonator and its manufacturing method with which the crack and fracture of a piezoelectric film can be suppressed. - 特許庁

振動空間を有する基板１２と、その上に形成された圧電積層構造体１４とを用いて薄膜圧電共振器２１０，２２０を形成する。例文帳に追加

Thin film piezoelectric oscillators 210, 220 are formed using a substrate 12 having a vibrating space and a piezoelectric laminated structure 14 formed thereon. - 特許庁

圧電薄膜共振器、フィルタ、フィルタバンク、フィルタバンク一体型電力増幅器および高周波通信装置例文帳に追加

PIEZOELECTRIC THIN FILM RESONATOR, FILTER, FILTER BANK, FILTER BANK INTEGRATED POWER AMPLIFIER, AND HIGH-FREQUENCY COMMUNICATION APPARATUS - 特許庁

本発明に係る薄膜共振器は、メンブレイン層と質量負荷層と下部電極層と圧電体層と上部電極層とを備える。例文帳に追加

The thin-film resonator has a membrane layer, a mass loading layer, a lower electrode layer, a piezoelectric layer and an upper electrode layer. - 特許庁

電極端面を所望の形状にしてスプリアスの少ない薄膜圧電共振器の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a thin film piezoelectric resonator with reduced spuriousness by forming an electrode end face into a desired shape. - 特許庁

不要なスプリアス振動のない優れた特性を示し、また製造における歩留まりが良く、長期信頼性の高い薄膜圧電共振器を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film piezoelectric resonator for exhibiting excellent characteristics without unnecessary spurious vibration and providing a high yield in manufacturing and high long term reliability. - 特許庁

薄膜圧電共振器の作成において、犠牲層をエッチングして空洞部を形成する際の製造歩留を向上する。例文帳に追加

To improve a manufacture yield upon forming cavity through etching of a sacrifice layer, in the production of a thin-film piezoelectric resonator. - 特許庁

平滑な表面の上に形成された結晶性が良好な圧電膜を備えた薄膜音響共振器を実現できるようにする。例文帳に追加

To obtain a thin film acoustic resonator having a piezoelectric film of good crystallinity formed on a smooth surface. - 特許庁

圧電体薄膜の膜品質を向上させることにより、共振器の高周波数特性および信頼性を向上させる。例文帳に追加

To improve the high frequency characteristics and reliability of a resonator by improving the film quality of a piezoelectric thin film. - 特許庁

配向助長膜に起因する特性低下を防ぐことができる薄膜圧電共振器及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film piezoelectric resonator and a manufacturing method thereof. - 特許庁

平滑な表面の上に形成された結晶性が良好な圧電膜を備えた薄膜音響共振器を容易に実現できるようにする。例文帳に追加

To provide a fabrication method of a film bulk acoustic resonator that makes it possible to form a piezoelectric film which is formed on a smooth surface and has good crystallinity. - 特許庁

基板に生じる空乏層の影響を受けにくい薄膜圧電共振器及び半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film piezoelectric resonator and a semiconductor device, which are not easily affected by a depletion layer generated on a substrate. - 特許庁