「逆回復電流」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ＰＩＮダイオードにおいて、リーク電流の増加を抑制しながら逆回復電荷を低減させる。例文帳に追加

To provide a PIN diode in which reverse recovery charge is reduced while suppressing an increase in leak current. - 特許庁

簡便な方法で電極部付近の電流集中を防いで、逆回復耐量を向上させること。例文帳に追加

To increase reverse recovery withstand by preventing current concentration near an electrode section by a simple method. - 特許庁

少ない順方向電流で交流電子スイッチの必要な逆阻止回復時間を確保する。例文帳に追加

To secure a reverse block recovery time that requires an AC electronic switch with a small forward current. - 特許庁

フライホイールダイオードに発生する逆回復電流を少なくすることで、逆回復電流による損失を無くし、ノイズ発生を少なくできる降圧チョッパ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a step-down chopper device wherein reverse recovery currents produced in a flywheel diode are reduced, thereby eliminating loss due to reverse recovery currents and reducing the production of noise. - 特許庁

電流減少時間は、前記のターンオフタイム及び逆回復電荷量と相関関係があることから電流減少時間を求めることによってターンオフタイムと逆回復電荷量を求める。例文帳に追加

Since the current reduction time is correlative to the turning-off time and the amount of reverse recovery charges, the turning-off time and amount of reverse recovery charges can be found when the current reduction time is found. - 特許庁

整流ダイオードに発生する逆回復電流を少なくすることで、逆回復電流による損失を無くし、ノイズ発生を少なくすることができる昇降圧チョッパ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a step-up/down chopper device capable of suppressing noise generation by minimizing a reverse recovery current generated at a rectifying diode, thus eliminating loss due to the reverse recovery current. - 特許庁

この間、フライホイールダイオードＤ２の逆回復電流による貫通電流のレベルが低減される。例文帳に追加

In the meantime, the level of the penetration current generated by a reverse recovery current of a flywheel diode D2 is lowered. - 特許庁

誘導性負荷から逆起電力が発生されると、電流制御形トランジスタを逆方向にターンオンさせる電流をＭＯＳスイッチを介して流すことで、逆回復動作による貫通電流が流れることを防止する。例文帳に追加

To prevent the flow of a through current caused by inverse recovering operation by letting a current flow through an MOS switch for inversely turning on a current controlled transistor when a back electromotive force is generated from an induced load. - 特許庁

負荷に流れる電流に応じて、いわゆるデッドタイムにおいて逆回復を完了するために適切な値へと逆方向電圧を設定する。例文帳に追加

To set backward voltage to an appropriate value for completing reverse recovery in so-called dead time in accordance with current flowing in a load. - 特許庁

逆回復特性を良くしつつ、逆漏れ電流の増加を防ぐことができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which improves the reverse recovery characteristics and avoid increasing the reverse leakage current. - 特許庁

逆回復特性に優れ、順方向電圧が低く、逆方向リーク電流が小さい電力用半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a power semiconductor device that is excellent in reverse recovery characteristics and has a low forward voltage and a small reverse leakage current. - 特許庁

この逆電圧印加回路が不動作の故障を起こした場合、ＭＯＳＦＥＴにおける逆回復電流が発生する頻度を低減する。例文帳に追加

When the reverse voltage application circuit is failed as inoperable, a frequency is reduced in the generation of the reverse recovery current in the MOSFET. - 特許庁

力率改善回路の逆流阻止用ダイオードの逆回復電流による問題点を改善し、スナバ損失を大幅に低減すること。例文帳に追加

To remarkably reduce a snubber loss by improving the problem of the reverse-current blocking diode of a power factor improving circuit due to reverse recovery current. - 特許庁

即ち、逆回復動作の開始時は、可変抵抗Ｒ１(４)の値を小さい抵抗値に設定して大電流を流すが、蓄積キャリアが流出するに従って可変抵抗Ｒ１(４)の抵抗値を増加させ、逆回復電流の電流値を減少させる。例文帳に追加

That is to say, in starting a reverse recovery operation, a large current is carried by setting the value of the variable resistor R1 (4) at a small resistance value, and the resistance value of the variable resistor R1 (4) is increased as the stored carriers flows out to decrease the current value of the reverse recovery current. - 特許庁

小電流動作からの逆方向動作時の逆回復電流をソフトリカバリにすると共に、大電流動作時の低順方向電圧を得ることができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device where a reverse recovery current at the time of an opposite direction operation from a small current operation is made into soft recovery, and a low forward voltage at the time of a high current operation can be obtained. - 特許庁

また、ダイオード素子がオフになったときには、フローティング層４１によりＩＧＢＴ領域１０のエミッタ領域３９に流れ込む逆回復電流が抑制され、逆回復耐量が向上する。例文帳に追加

In addition, when a diode element is turned off, a reverse recovery current applied from the floating layer 41 to the emitter region 39 of the IGBT region 10 is suppressed and reverse recovery capability is improved. - 特許庁

この結果、駆動用トランジスタＴ１が逆方向にターンオンし、逆起電力による環流電流が図示のＢ方向に流れることで、逆回復動作による貫通電流が流れることが防止される。例文帳に追加

As a result, the transistor T1 for driving is inversely turned on and a loop current generated by the back electromotive force flows in a direction B shown in the figure so that the flow of the through current caused by the inverse recovering operation can be prevented. - 特許庁

これにより、この模擬回路からは、急峻なピークとなだらかなテールを有する波形の逆回復電流を得ることができる。例文帳に追加

Thereby, a reverse recovery current of a waveform having a precipitous peak and a gently tail can be obtained from the simulation circuit. - 特許庁

インダクタＬ１およびダイオードＤ３に流れ続けているときに、ダイオードＤ１に逆回復電流が流れる。例文帳に追加

When the current continuously flows to the inductor L1 and the diode D3, a reverse recovery current flows to the diode D1. - 特許庁

絶縁体１６は、ダイオード領域２１からＩＧＢＴ領域２０へ流れる逆回復電流を制限する。例文帳に追加

The insulating body 16 restricts a reverse recovery current flowing from the diode region 21 to the IGBT region 20. - 特許庁

このようにすれば、ダンパーダイオードＤD1／／ＤD2を流れる電流ＩDは分流されるので、逆回復時間ｔｒｒを長くするように作用する。例文帳に追加

The current ID flowing through the damper diodes DD1, DD2 is shunted, so as to prolong reverse recovery time. - 特許庁

逆回復特性の改善とリーク電流の低減とブレークダウンの抑制の間に存在するトレードオフ関係を打破すること。例文帳に追加

To overthrow a tradeoff relation that exists between the improvement of a reverse recovery characteristics and the control of leakage current reduction and breakdown. - 特許庁

逆回復電流の局所的な集中を効果的に緩和することができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device can effectively relax local concentration of a reverse recovery current. - 特許庁

従来のＭＰＳダイオードと比べて、逆回復電流特性の改善を図ることができる半導体装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of improving in reverse recovery characteristics over the conventional MPS diode, and also to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

還流ダイオードの逆回復動作時に発生する電流及び電圧の振動現象の収束時間を短縮する。例文帳に追加

To shorten the convergence time of a vibration phenomenon of a current and a voltage generated during reverse recovery operation of a reflux diode. - 特許庁

本発明は、ノイズの発生を抑えつつ、ダイオードの逆回復電流を抑制できる半導体スイッチング装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor switching device capable of preventing a reverse recovery current of a diode while suppressing the occurrence of noise. - 特許庁

これにより、外付けダイオードＤ１、Ｄ２に電流を多く流し、逆回復特性を改善することが可能となる。例文帳に追加

Consequently, the reverse recovery characteristics can be improved by feeding a large current to the external diode D1, D2. - 特許庁

逆方向回復耐量が高く、高い許容順方向電流を有する高耐圧ダイオード構造を提供する。例文帳に追加

To provide a high breakdown voltage diode structure which has high reverse recovery capability and a high allowable forward current. - 特許庁

絶縁破壊電界強度が高く、逆回復電流が回路に流れない半導体モジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor module which has high dielectric breakdown electric field strength and is free of a flow of reverse recovery current to a circuit. - 特許庁

逆回復電流に起因するスイッチング損失ならびに発熱損失を減少することができる電力変換装置を提供する。例文帳に追加

To provide a power conversion device that reduces a switching loss caused by a reverse recovery current and a heat-generation loss. - 特許庁

ライフタイムキラーを局在化させることで、ダイオード動作時の逆回復ピーク電流（Ｉｒｐ）を小さくし、ソフトリカバリー特性とする。例文帳に追加

By the localization of life time killer, a reverse-recovery peak current (Irp) when a diode is active can be reduced and the property of reverse-blocking semiconductor becomes a soft-recovery type. - 特許庁

ターンオン時に問題となるダイオードの逆回復電流低減等の特性について所望の特性を得られるようにする。例文帳に追加

To provide a desired characteristic of a characteristic such as a reverse recovery current of a diode, which becomes a problem during turn-on. - 特許庁

逆回復特性の改善と、漏れ電流を低下でき、リンギング発生電圧を低下できる半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that can improve reverse recovery characteristics, and can reduce a leakage current and a ringing generation voltage. - 特許庁

カソード側Ｐ層１０３を設けることで、逆回復動作時の逆方向電流の電流密度を増加させることができ、ダイオードの抵抗成分の急変を防止し、電圧発振の発生を抑制することができる。例文帳に追加

Thus, the cathode side P layer 103 is arranged so that the current density of backward currents at the time of the reverse restoring operation can be increased, and the rapid change of the resistance components of the diode can be prevented, and generation of voltage vibration can be suppressed. - 特許庁

順電圧と逆電流の増大並びに逆耐圧の低下を招くことなく、逆回復電荷が少なくソフトリカバリー特性を示すダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a diode without increasing the forward voltage or reverse current and lowering of the reverse breakdown voltage, which has few reverse recovery charges and exhibits a soft recovery characteristics. - 特許庁

逆回復時間がより短く順方向電圧降下がより低く逆方向リーク電流が少なく低ノイズで逆耐圧の高いＪＢＳを安価に具現化する。例文帳に追加

To provide a JBS having a short reverse recovery time, a low forward voltage drop, a small reverse leakage current, a low noise, and a high reverse breakdown voltage, at a low cost. - 特許庁

逆方向阻止時の漏れ電流が少なくかつ絶縁破壊電圧が高く、順方向導通時のオン抵抗が小さくかつ出力電流が大きく、遮断時の逆回復時間が短く、さらにはせん頭サージ電流値が高い半導体素子を、提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element in which the leak current level is low and the breakdown voltage is high during reverse blocking, on resistance is low and the output current is large during forward conduction, reverse recovery time is short at the time of interruption, and the peak surge current level is high. - 特許庁

ドリフト層としてｎ型領域とｐ型領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を備えるＭＯＳＦＥＴ等において、内蔵ダイオードの逆回復過程における電流集中を防止し、逆回復耐量を向上させる。例文帳に追加

To provide a semiconductor element such as a MOSFET provided with parallel pn layers wherein an n-type region and a p-type region are alternately arranged as a drift layer that prevents concentration of current in a reverse recovery process of a built-in diode so as to enhance the reverse recovery breakdown. - 特許庁

逆回復時のｄＶ／ｄｔの増加を抑制し、逆回復時の電圧電流波形の振動を抑制し、高速・低損失特性とソフトリカバリー特性の両者を同時に向上させる半導体装置およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device where an increase of dV/dt during inverse recovery is suppressed, vibration of a voltage current waveform during reverse recovery is suppressed and a high speed/low loss characteristic and a soft recovery characteristic can simultaneously be improved and to provide a manufacturing method of the device. - 特許庁

逆回復時のｄＶ／ｄｔの増加を抑制し、逆回復時の電圧電流波形の振動を抑制し、高速・低損失特性とソフトリカバリー特性の両者を同時に向上させる半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing an increase of dV/dt during reverse recovery, suppressing oscillation in a voltage current waveform during the reverse recovery, and simultaneously improving both of high-speed and low-loss characteristics and soft recovery characteristics. - 特許庁

フライホイル電流によりインダクタンス素子４４ｈに蓄積された磁気エネルギーにより、第１ダイオード４２ｈを流れる逆回復電流を吸収する。例文帳に追加

Magnetic energy accumulated in the inductance element 44h by the flywheel current absorbs a reverse recovery current flowing through the first diode 42h. - 特許庁

高圧側浮遊オフセット電圧の負変動による寄生ダイオードのターンオンに伴う順電流、あるいはその後の逆回復電流により、半導体装置の誤動作やラッチアップが生じる。例文帳に追加

A misoperation or a latch-up of the semiconductor device occurs due to a forward current accompanying a turn-on of a parasitic diode by a negative change of the high-voltage side offset voltage. - 特許庁

誘導性負荷のフライホイル電流が流れる接合ダイオードの逆回復電流を実質的に低減するパワースイッチング回路を提供すること。例文帳に追加

To provide a power switching circuit for substantially reducing a reverse recovery current of a junction diode through which a flywheel current of an inductive load flows. - 特許庁

逆回復時に発生するリカバリー電流、リカバリー電流に伴うリカバリー損失を低減し、システムの高効率化に寄与するインバータ駆動装置等を得る。例文帳に追加

To obtain an inverter driver which contributes to high efficiency of a system by reducing a recovery current generated during reverse recovery, and a recovery loss incident to the recovery current. - 特許庁

主ダイオードＤ１(３)に対して逆方向に電圧が印加される時には、可変抵抗Ｒ１(４)を通って、カソードＫ(２)からアノードＡ(１)へ逆回復電流が流れる。例文帳に追加

When a voltage is applied to a main diode D1 (3) in a reverse direction, a reverse recovery current flows from a cathode K (2) to an anode A (1) through a variable resistor R1 (4). - 特許庁