「電子入射器」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

また、下流側の１２重極子レンズでは電子線が電子線エネルギー分光器に入射する角度と入射電子線のエネルギー広がりに関係する値の積に比例する収差を補正する。例文帳に追加

The electron energy spectrometer has such a correcting means, and the electron microscope is provided with such a spectrometer. - 特許庁

位置感知型イオン検出器１１は、イオン８の入射により電子を放出する電子増倍板２５と、電子増倍板２５から放出された電子の一部が入射する螺旋状の遅延回路線４１と、電子増倍板２５から放出された電子のうち、遅延回路線４１の線間を通過した電子が入射する導電板４２とを含む。例文帳に追加

The position sensitive ion detector 11 includes an electron multiplication plate 25 for emitting electrons with the injection of the ions 8, a spiral delay circuit line 41 into which part of the electrons emitted from the electron multiplication plate 25 is injected, and a conductive plate 42 into which electrons passing through the delay circuit line 41, out of the electrons emitted from the electron multiplication plate 25, are injected. - 特許庁

また、分光されない電子ビームによる通常の観察像を検出する際には、投影レンズ部７からの電子ビームは電子分光器１１のビーム入射部位１１ｃに入射後、ビーム入射部位１１ｃに設けられた開口部を介してそのまま像検出部１０に照射される。例文帳に追加

When detecting an ordinary observation image by the electron beam without spectral diffraction, the electron beam from the projecting lens part 7 is incident on the beam incident portion 11c of the electron spectrometer 11 and irradiates the image detection part 10 via the opening provided in the beam incident portion 11c. - 特許庁

環状暗視野走査像検出器に対する散乱電子ビームの入射軸調整方法及び走査透過電子顕微鏡例文帳に追加

INCIDENT AXIS ADJUSTING METHOD OF SCATTERED ELECTRON BEAM AGAINST ANNULAR DARK FIELD SCANNING IMAGE DETECTOR, AND SCANNING TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE - 特許庁

さらに、ガス増幅形検出器の電子入射面にエネルギーフィルタ電極を設けることで二次電子のエネルギー選別を可能とする。例文帳に追加

Further, by installing an energy filter electrode at the electron incident face of the gas amplification type detector, energy selection of the secondary electron is made possible. - 特許庁

マルチビーム装置で二次電子を検出器に入射させるためのコンデンサレンズを必要とせず、二次電子を効率よく検出するようにする。例文帳に追加

To efficiently detect secondary electrons without making a condensing lens for making the secondary electrons incident on a detector necessary in a multi-beam device. - 特許庁

電子線の入射する位置が、ステージに保持されたウエハ上を移動するように、第１の偏向器が電子線の進行方向を変える。例文帳に追加

A first reflector changes the advancing direction of the electron beam so that the position where the electron beam is incident can move over the wafer held on the stage. - 特許庁

オペレータの習熟度に依存しないで、速やかにマイクロトロンや入射系機器及び入射ＢＴ系機器を制御できるマイクロトロンの電子ビーム軌道調整装置及び電子ビーム軌道調整方法を提供する。例文帳に追加

To provide an electron beam orbit control unit and an electron beam orbit control method of a microtron, by which the microtron, an incident system instrument and an incident BT system instrument can be quickly controlled without depending on the skill of an operator. - 特許庁

半導体検出器１１に加速して入射した電子は、検出器の有感層に到達し、入射電子のエネルギーに比例した電荷担体を発生させ、信号電流Ｉｓが流れる。例文帳に追加

The electron accelerated and incident to a semiconductor detector 11 reaches a sensitive layer of the detector and generates an electric charge carrier in proportion to energy of the incident electron, and a signal electric current Is flows. - 特許庁

そして、第１の検出器からの検出信号と、第２の検出器からの検出信号とを用いた演算を行うことで、電子線の入射位置誤差を算出し、この算出結果に基づいて電子線の入射位置の補正を行う。例文帳に追加

The incident position error of an electron beam is calculated through computation, by using the detected signal from the first detector and the detected signal from the second detector, and the incident position of the electron beam is corrected, on the basis of the calculated result. - 特許庁

本発明は環状暗視野走査像検出器に対する散乱電子ビームの入射軸調整方法及び走査透過電子顕微鏡に関し、環状暗視野走査像検出器に対する散乱電子ビームの入射軸合わせ容易に行うようにすることを目的としている。例文帳に追加

To easily carry out incident axis adjusting method of a scattered electron beam against an annular dark field scanning image detector regarding an incident axis adjusting method of a scattered electron beam against an annular dark field scanning image detector and a scanning transmission electron microscope. - 特許庁

角度分解・リターディング独立動作型入射レンズシステムを備えた電子分光器及び分光器を用いた分析方法例文帳に追加

ELECTRON SPECTROSCOPE EQUIPPED ANGLE WITH RESOLVING AND RETARDING INDEPENDENTLY OPERATING TYPE INCIDENT LENS SYSTEM, AND ANALYSIS METHOD USING THE SAME - 特許庁

機器の小型化が可能であり、かつ撮像時の解像度を高めることができる投入射兼用電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide electronic equipment used for both projection and incidence which is miniaturized and has enhanced resolution during imaging. - 特許庁

ＰＮ型電子線検出器１００では、Ｎ^+型拡散領域１０３が入射面側にないので、高い加速電圧（１００ＫｅＶ程度）で加速された電子線（又は反射電子）は、Ｎ^-型半導体基板１０１の裏面側（入射面側）から入射し、表面側のＰＮ接合近傍に達して電子を生じさせる。例文帳に追加

Because an N+-type diffusion area 103 is absent on the incident surface side in the detector 100, the electron beam (or the reflected electron) accelerated by the high acceleration voltage (about 100 keV) is incident from the rear face side (the incident surface side) of the N--type semiconductor substrate 101 and reaches the vicinity of the PN junction on the front face side to generate electrons. - 特許庁

電子ビーム形成機構１５は、電子銃１６を含み、マスク１９側から容器１７側へ向かう第２の方向より、電子ビームｅが容器１７へ入射するビームラインを形成する。例文帳に追加

The electron beam formation mechanism 15 includes an electron gun 16 and forms a beam line of an electron beam e incident into the container 17 from the second direction proceeding from the mask 19 side to the container 17 side. - 特許庁

飲料容器３０（対象物）まわりの雰囲気を負圧の状態に管理した電子線照射領域を形成するチャンバ１内に、電子線ＥＢが不図示の電子偏向器で照射角度を変えられて入射される。例文帳に追加

The electron beam EB is varied in radiation angle by an electronic deflection apparatus (not shown), and is radiated into a chamber 1 forming an electron beam radiation region where the atmosphere around the beverage vessel 30 (object) is managed in a negative pressure state. - 特許庁

電子線鏡筒装置１０を、電子線源１４から生じた電子ビーム１５をそのビーム光軸１９を平行に保ったまま偏向する１対の主偏向器２１及び２２の間に、電子ビーム１５がマスク３０に所定入射角度で入射するように電子ビーム１５を偏向する副偏向器５１及び５２を配置して構成する。例文帳に追加

The electron-beam tube device 10 is constituted by arranging sub-deflectors 51 and 52 deflecting electron beams 15 so that electron beams 15 are projected to a mask 30 at a specified incident angle between a pair of main deflectors 21 and 22 deflecting electron beams 15 generated from an electron-beam source 14 as the beam optical axis 19 of electron beams is kept in parallel. - 特許庁

一次電子ビームの入射角は、偏向器８−１を制御することにより約３５°以上に設定される。例文帳に追加

An incident angle of the primary electron beam is set at 35° or more through adjustment of a deflector 8-1. - 特許庁

本願発明の光検出器は、対応する電子正孔対を作成するために個々の入射光子を吸収する光吸収領域（１）を有する。例文帳に追加

A photodetector has a light absorbing region (1), in which individual incident photon is absorbed for dealing with corresponding electron-hole pairs. - 特許庁

電子分光器１１のビーム入射部位１１ｃを投影レンズ部７と像検出部１０との間に配置する。例文帳に追加

A beam incident portion 11c of the electron spectrometer 11 is disposed between a projecting lens part 7 and an image detecting part 10. - 特許庁

外光が入射しても、カラーバランスの良い高画質な表示ができる有機ＥＬ装置および電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide an organic EL device and an electronic apparatus which can display an image high in qualities like color balance even when receiving incident outer light. - 特許庁

側壁にすき間領域があっても高精度に入射角度を制限可能な光学センサー及電子機器等を提供すること。例文帳に追加

To provide an optical sensor and an electronic apparatus that are capable of limiting an incident angle with high accuracy even if there is a gap area in a side wall. - 特許庁

入射する光を効率よく利用可能な電気光学装置、およびこれを備えた電子機器を提供すること。例文帳に追加

To provide an electro-optic device capable of efficiently utilizing incident light and an electronic apparatus including the same. - 特許庁

入射光がデフォーカス状態となったときのクロストークの発生を抑制できる固体撮像装置と電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-state imaging device and an electronic device suppressing crosstalk when incoming light is defocused. - 特許庁

遮光キャップは、ユーザーにより操作可能であり、受光素子に入射される光を遮るために、電子機器に取り付けられる。例文帳に追加

The light-shielding cap can be operated by a user, and is attached on the electronic device to shield a light incident into a light-receiving element. - 特許庁

回折面アパチャー透過エネルギー制御方式の角度分解型電子分光器では、試料表面１０から放出される電子が取り込み口１６を介して静電型前段の電子レンズ１８に入射される。例文帳に追加

The angle resolving electron spectroscope of the diffraction plane aperture transmission energy control type allows electrons emitted from the surface of a sample 10 to be injected into a front-stage electrostatic lens 18 via an introducing port 16. - 特許庁

角度分解・リターディング独立動作型電子分光器では、試料表面から放出される電子が取り込み口を介して静電型前段の電子レンズに入射される。例文帳に追加

The angle resolving and retarding independently operating type electron spectroscope allows electrons emitted from the surface of a sample to be injected into a front-stage electrostatic lens via an introducing port. - 特許庁

電子スピン検出器は、複数の磁気抵抗素子504と、電子線の減速レンズ505を備え、各磁気抵抗素子504は減速レンズ505によって広がった電子線が垂直入射できるよう傾斜させて配置させることを特徴とする。例文帳に追加

The electron spin detector includes a plurality of magnetic resistance elements 504 and a deceleration lens 505 of the electron beam, and respective magnetic resistance elements 504 are arranged being inclined so as to make the electron beam spread by the deceleration lens 505 vertically incident. - 特許庁

それと共に、ウエハ６とレジストからは、反射電子７が発生するが、この反射電子７が電極板８ａに入射し、その電流値Ｉ_ｒが反射電子検出器８で検出される。例文帳に追加

At the same time, reflected electrons 7 are generated from the wafer 6 and the resist, these reflected electrons 7 is made incident on an electrode plate 8a, and the current value I_r thereof is detected by a reflected electron detector 8. - 特許庁

Ｘ線透過窓13を有する真空容器12内に、電子ビーム15を発生する電子銃14、電子ビーム15が入射して１次Ｘ線21を放出する１次ターゲット20を設ける。例文帳に追加

An electron gun 14 generating an electron beam 15, and a primary target 20 emitting a primary X-ray 21 by entering the electron beam 15 are arranged in a vacuum vessel 12 having an X-ray transmissive window 13 of a vacuum vessel 12. - 特許庁

入射電子線の強度Ｉ_０ と出射電子線の強度Ｉを電子線検出器６で測定して、β線吸収方式で試料１０の重量ｘを求める。例文帳に追加

The intensity I_0 of an incident electron beam and the intensity I of an outgoing electron beam are measured by an electron beam detector 6, and the weight x of the sample 10 is determined by a β-ray absorption system. - 特許庁

電子検出装置１は、光電面１１を有する光電面板１０と、光電面１１から放出された電子の進路を制限する電子遮蔽部材６０と、電子の入射に応じて信号を出力する電子検出器４０と、を備える。例文帳に追加

The electron detection device 1 has a photoelectric face plate 10 having a photoelectric face 11, an electron shielding member 60 limiting a path of the electron emitted from the photoelectric face 11, and an electron detector 40 outputting a signal according to incidence of the electron. - 特許庁

サイドオン型の光電子増倍管において、光電陰極２から放出された光電子を電子増倍部３に導くための平板状の電子レンズ電極１１を光電陰極２と密閉容器１の光入射部分５との間に配置し、この電子レンズ電極の光入射部分５に対向する部分に開口１１ａを設けたことを特徴とする。例文帳に追加

In a side-on type photomultiplier, a flat plate electron lens electrode 11 for guiding photoelectrons emitted from a photocathode 2 to an electron multiplier section 3 is arranged between the photocathode 2 and a light-incident portion 5 of a hermetic container 1, and an opening 11a is provided at a portion of this electron lens electrode facing the light-incident portion 5. - 特許庁

光電面１１に入射した光により放出される光電子は外囲器２内部の電界により収束されてＡＰＤ１５に入射し、増幅されて検出される。例文帳に追加

Photoelectrons discharged by light incident on a photoelectric surface 11 are converged by an electric field inside the envelope 2 and emitted to the APD 15, which are amplified and detected. - 特許庁

リソグラフィー用マスクの作成方法、リソグラフィー用マスクデータの作成方法、裏面入射型固体撮像装置の製造方法、裏面入射型固体撮像装置および電子機器例文帳に追加

METHOD OF FORMING MASK FOR LITHOGRAPHY, METHOD OF FORMING MASK DATA FOR LITHOGRAPHY, METHOD OF MANUFACTURING BACK-ILLUMINATED SOLID-STATE IMAGING DEVICE, BACK-ILLUMINATED SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE - 特許庁

本来の光の入射する前面以外から外来光が入射する場合であっても、それ自体で十分な遮光が可能な光センサおよびこのような光センサを配置した電子機器を得る。例文帳に追加

To provide an optical sensor which can sufficiently shield light by itself even if external light is made incident from a part except for a front face on which light is made incident in a former case and to provide an electronic apparatus. - 特許庁

レーザ光源６からのレーザＬａが非対称光学素子２０に入射すると非対称光学素子２０の表面法線Ｌｎａに対して入射角度と等しい角度で反射して加速器２の窓部２ｃから直線軌道部２ｂ内に入射して電子ｅ^-と正面衝突する。例文帳に追加

When laser La from a laser beam source 6 is made incident on an asymmetric optical element 20, it is reflected at an angle equal to the incident angle to the surface normal Lna of the optical element 20, made incident on a linear track part 2b through the window part 2c of an accelerator 2, and front-collides with electron e^-. - 特許庁

光源と導光体の光入射面との間が所定の距離よりも離れても、光源からの光を導光体の光入射面に充分に入射させることができる光源モジュール及びそれを備えた電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a light source module capable of making light from a light source sufficiently enter a light incident surface of a light guide body even if the spacing between the light source and the incident surface of the light guide body is separated more than a prescribed distance, and electronic equipment having the same. - 特許庁

試料６に対して走査する電子線（入射線）を断続的に照射し、該電子線が試料６に照射されたときに発生する後方散乱電子を後方散乱電子検出器２２で検出し、時間差検出部５３により、試料６に照射される電子線と後方散乱電子検出器２２で検出した後方散乱電子との時間差を比較計測し、試料表面の形状を測定する。例文帳に追加

Scanning electron rays (incident rays) are intermittently applied to a sample 6, backscattering electrons generated when the electrons are applied to the sample 6 are detected by a backscattering electron detector 22, and the time difference between the electrons applied to the sample 6 and the backscattering electrons detected by the backscattering electron detector 22 is compared and measured, thus measuring the shape of a sample surface. - 特許庁

本発明では、例えば直径１ｎｍ程度に収束させた電子線を、観察試料を支持する観察試料支持部材に比較的低加速電圧で入射させて該観察試料支持部材からＸ線を発生させ、電子線入射側とは反対側に配置された検出器によりＸ線を検知する。例文帳に追加

An electron beam converged to, for example, about 1 nm diameter is incident to an observation sample support member for supporting a sample to be observed with a relatively low acceleration voltage to generate X-ray from the observation sample support member, and the X-ray is detected by a detector disposed in the opposite side of the incident side of the electron beam. - 特許庁

電子源は前記容器内ＶＣに配置され、前記Ｘ線ターゲット管の入口開口から前記ターゲット管の内壁面に高エネルギー電子ビームを入射してＸ線を発生させ、前記Ｘ線にターゲット管の内壁面に入射するときに全反射させられるように配置されている。例文帳に追加

An electron source is disposed in the container VC, enters a high-energy electron beam into the inside wall surface of the target tube from the entrance opening of the X-ray target tube to generate an X ray, and is so disposed that the electron beam is totally reflected when entered into the inside wall surface of the X-ray target tube. - 特許庁

偏向制御手段１３は、１次ビーム走査に拘わらず試料から放出された２次電子がアナライザの光軸（入射スリット１５の中心）に沿って入射するように、１次ビームの走査に同期して２次電子を偏向させるための偏向信号を偏向器電源１２に送る。例文帳に追加

Deflection control means 13 transmits a deflection signal for deflecting a secondary electron in synchronization with a primary beam scanning to a deflector power supply 12 so that the secondary electron emitted from a sample is incident along an optical axis of an analyzer (a center of an incident slit 15) irrespective of the primary beam scanning. - 特許庁

このような構成によれば、環状暗視野電子検出器への取り込み角度と明視野電子検出器への取り込み角度を変更せずに、ＥＥＬＳスペクトロメータへの機械的な入射角度を小さくすることができる。例文帳に追加

According to this structure, it is possible to make a mechanical incident angle to the EELS spectrometer small without changing capturing angles to the electron detector of the dark-field and to the electron detector of the bright-field. - 特許庁

電子源、電子レンズ、電子線偏向器を有してなる電子顕微鏡装置において、さらに電子線パルス化手段、音波測定手段を備え、試料中に入射する電子のエネルギを１０００ｅＶ以下とし、電子線の走査情報と検出音の情報から試料内部の計測・検査をおこなう。例文帳に追加

This electronic microscope having an electron source, an electronic lens and an electron beam deflecting unit, further comprises an electron beam pulsing means and an acoustic wave measuring means, the energy of electrons entering into the sample is 1000 eV or less, and the measurement and examination of the inside of the sample are performed on the basis of the scanning information of the electron beam and the information of the detected sound. - 特許庁

主として、電子ビームの入射効率を向上させるとともに、セプタム電磁石の漏洩磁場の影響を電子ビームにほとんど与えない加速器用ビームダクトを提供する。例文帳に追加

To provide a beam duct for an accelerator which mainly improves the incident efficiency of an electron beam and hardly gives the influence of a leaked magnetic field of a septum electromagnet to the electron beam. - 特許庁