「電荷注入」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

フリンジ電界の電荷注入のための電極構造例文帳に追加

ELECTRODE STRUCTURE FOR FRINGE FIELD CHARGE INJECTION - 特許庁

不揮発性半導体メモリ装置および電荷注入方法例文帳に追加

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CHARGE INJECTION METHOD - 特許庁

不揮発性メモリデバイス、および、その電荷注入方法例文帳に追加

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND ITS ELECTRON CHARGES INJECTION METHOD - 特許庁

メモリセルへの電荷注入方法および書き込み方法例文帳に追加

CHARGE INJECTION METHOD AND WRITING METHOD TO MEMORY CELL - 特許庁

電荷注入型発光素子及びその製造方法例文帳に追加

CHARGE INJECTION TYPE LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

電荷注入バリアを有する集積回路構造例文帳に追加

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE WITH CHARGE INJECTION BARRIER - 特許庁

また、トナー担持体４に対向配置される電荷注入部材８を有し、トナー担持体４と電荷注入部材８との間に現像電界より大きな電荷注入電界を作用させ、導電性トナー３に電荷注入すると共に電荷注入された導電性トナー３をトナー担持体４に担持させる電荷注入手段７を設ける。例文帳に追加

Additionally, a charge injecting means 7 is disposed which has a charge injecting member 8 placed opposite to the toner carrier 4 and makes a charge injecting electric filed higher than a developing electric field act between the toner carrier 4 and the charge injecting means 8 to inject charges into the conductive toner 3 and to make the toner carrier 4 carry the charge injected conductive toner 3. - 特許庁

電荷中和モニター300 は、イオン注入装置100 のための電荷中和装置120 の作業を監視する。例文帳に追加

An electric charge neutralizing monitor 300 monitors the operation of the electric charge neutralizing device 120 for an ion implanting device 100. - 特許庁

その結果、電荷蓄積手段が電荷加速方向に位置することとなり、注入効率が高まる。例文帳に追加

As a result, the charge accumulating means comes to be positioned in the direction of charge accumulation, and implantation efficiency rises. - 特許庁

電荷蓄積膜１２内に電子を注入して電荷分布をほぼ一様してデータを消去する。例文帳に追加

Electron is injected in a charge storage film 12, the charge distribution is made even, and data is deleted. - 特許庁

リテンション特性および電荷保持特性を改善し、電荷注入効率を上げる。例文帳に追加

To enhance charge injection efficiency by improving retention characteristics and charge retention characteristics. - 特許庁

電荷発生層ならびに電荷注入・輸送層、およびこれを用いた有機感光体例文帳に追加

CHARGE GENERATION LAYER AND CHARGE INJECTION AND TRANSFER LAYER AND ORGANIC PHOTORECEPTOR USING THE SAME - 特許庁

従って、電荷輸送性、電荷注入性に優れ、低電圧駆動ができることが認められた。例文帳に追加

The luminous layer is recognized to be excellent in charge-transfer ability and charge-injection ability and can be driven at a low voltage. - 特許庁

少なくとも１つの中間電極は、第１の電荷注入層と第２の電荷注入層との間に配設された金属−有機混合層を含む。例文帳に追加

At least one intermediate electrode contains a metal-organic mixture layer arranged between a first charge injection layer and a second charge injection layer. - 特許庁

半導体レーザＬＤに、ＥＳＤに係る放電電荷が注入されるとき、該半導体レーザＬＤは、注入電荷に応じた光を発生する。例文帳に追加

When discharge electric charge related to an ESD is injected to a semiconductor laser device LD, the semiconductor laser device LD generates light responding to the injected electric charge. - 特許庁

本発明の有機ＥＬ素子４０は、第一の電荷注入層２３と、有機層２４と、第二の電荷注入層２５を有している。例文帳に追加

The organic EL device 40 includes a first charge injection layer 23, an organic layer 24 and a second charge injection layer 25. - 特許庁

電荷注入阻止層が所望の膜厚に到達したら、印加電力を上昇させて電荷注入阻止層の変化領域を形成する。例文帳に追加

When the electric charge injection inhibitive layer attains a desired film thickness, the changing regions of the electric charge injection inhibitive layer are formed by increasing the impressed electric power. - 特許庁

不揮発性半導体メモリ装置およびその電荷注入方法例文帳に追加

NON VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS CHARGE INJECTING METHOD - 特許庁

不揮発性半導体メモリ装置とその電荷注入方法、および、電子装置例文帳に追加

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, ITS CHARGE INJECTION METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE - 特許庁

不揮発性半導体メモリデバイスとその電荷注入方法例文帳に追加

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS CHARGE INJECTION METHOD - 特許庁

ビーム空間電荷中和装置及びこれを備えたイオン注入装置例文帳に追加

BEAM SPACE CHARGE NEUTRALIZATION DEVICE AND ION IMPLANTATION DEVICE PROVIDED WITH THE SAME - 特許庁

不揮発性半導体メモリデバイスおよびその電荷注入方法例文帳に追加

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ELECTRIC CHARGE INJECTION METHOD THEREOF - 特許庁

半導体への電荷注入方法およびそれに基づく光電子デバイス例文帳に追加

METHOD FOR INJECTING CHARGE TO SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PHOTOELECTRIC DEVICE BASED ON THE SAME - 特許庁

電荷注入−溶媒牽引による駆動法及びこれを用いた駆動装置例文帳に追加

DRIVE METHOD BY CHARGE INJECTION-SOLVENT TRACTION AND DRIVE UNIT USING THE SAME - 特許庁

その場合、像担持体２は電荷注入層２ｃを備えており、この電荷注入層２ｃの電気抵抗が、電荷注入層２ｃの面方向に直交する縦方向の抵抗＜電荷注入層２ｃの面方向（横方向）の抵抗となる異方性を有している。例文帳に追加

The image carrier 2 comprises a charge injection layer 2c having an electric resistance exhibiting anisotropy such that the resistance in the longitudinal direction orthogonal to the plane direction of the charge injection layer 2c is lower than the resistance in the plane direction of the charge injection layer 2c (lateral direction). - 特許庁

不揮発性半導体メモリ装置およびその電荷注入方法例文帳に追加

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF CHARGE INJECTION FOR IT - 特許庁

不揮発性半導体メモリ装置とその電荷注入方法例文帳に追加

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR INJECTING CHARGE THEREOF - 特許庁

書込電極３ｂが電荷注入層２ｃに接触して書込電極３ｂと電荷注入層２ｃとの間の電荷注入による静電潜像の書込が支配的に行われる。例文帳に追加

A writing electrode 3b touches the charge injection layer 2c and performs writing of an electrostatic latent image dominantly by injecting charges between the writing electrode 3b and the charge injection layer 2c. - 特許庁

そして、多数の電荷注入部２ｃ′に書込電極３ｂが接触することにより、電荷注入部２ｃ′と書込電極３ｂとの間で電荷の注入が行われるようになっている。例文帳に追加

The injection of charge is performed between the charge injection parts 2c' and a write electrode 3b by allowing the write electrode 3b to come into contact with the charge injection parts 2c'. - 特許庁

そして、書込電極３ｂが電荷注入層２ｃに接触して、書込電極３ｂと電荷注入層２ｃとの間の電荷注入による静電潜像の書込が支配的に行われる。例文帳に追加

The writing electrode 3b touches the charge injection layer 2c and performs writing of the electrostatic latent image dominantly by injecting charges between the writing electrode 3b and the charge injection layer 2c. - 特許庁

目的に応じた仕事関数を持つ金属イオンを選択でき、電荷注入効率が向上し、電極と有機層との電荷注入障壁の低下に優れた電荷注入層を形成可能な有機デバイス用電荷注入材料、高電荷注入効率の有機デバイス及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a charge injection material for an organic device, allowing metal ions having a work function according to the purpose to be selected, capable of improving the charge injection efficiency, and of forming superior charge injection layer for lowering a charge injection barrier between an electrode and an organic layer, to provide an organic device having high charge injection efficiency, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

ゲート電極から電荷蓄積層に電荷を注入する不揮発性メモリにおいて、従来のゲート構造に比べて電荷の注入効率、電荷保持特性および信頼性を共に向上させる。例文帳に追加

To improve all of charge injection efficiency, charge retention characteristics and reliability compared with a conventional gate structure in a nonvolatile memory in which charge is injected from a gate electrode to a charge storage layer. - 特許庁

電荷検出回路２２０は、流れる電流の大きさを測定して有機ＥＬ１１０に注入される電荷量を測定し、電荷量を累積して所定時間内に有機ＥＬ１１０に注入される総電荷量を測定する。例文帳に追加

The circuit 220 measures a charge amount to be injected to the EL 110 by measuring the magnitude of a current flowing through the circuit and measurs a total charge amount to be injected to the EL 110 in a prescribed time by accumulating the charge amount. - 特許庁

導電性基板１上に、それぞれセレン／砒素合金からなる電荷注入層（Ｉ）２，電荷輸送層３，電荷注入層（ＩＩ）４，電荷発生層５が順次形成されてなる電子写真用感光体とする。例文帳に追加

The electrophotographic photoreceptor is obtained by successively forming an electric charge injecting layer (I) 2, a charge transport layer 3, a charge injecting layer (II) 4 and a charge generation layer 5 each comprising a selenium/arsenic alloy on an electrically conductive substrate 1. - 特許庁

フォトダイオード1に蓄積された電荷をキャパシタ3に蓄積する代わりに、電荷注入スイッチ8を用いてキャパシタ3に電荷を蓄積する。例文帳に追加

In stead of accumulating, in a capacitor 3, the charge accumulated in a photodiode 1, the charge is accumulated in the capacitor 3 using a charge injection switch 8. - 特許庁

書き込みにおいては、選択されたメモリトランジスタの電荷蓄積膜（ＯＮＯ膜）３０の第１局部と第２局部に独立に、いわゆるＣＨＥ注入により電子を注入する（第１および第２の電荷注入ステップ）。例文帳に追加

In a writing operation, electrons are separately injected into the first and second part of a charge storage film (ONO film) 30 of a selected memory transistor through a so-called CHE injection method (first and second charge injection step). - 特許庁

更に、電荷注入層２ｃにおいて電荷の横方向のリークを抑制して、書込電極と誘電体層２ｂとの間で効果的に電荷を注入できる。例文帳に追加

Furthermore, charges can be injected effectively between the writing electrode and the dielectric layer 2b by suppressing lateral leak of charges at the charge injection layer 2c. - 特許庁

電荷トラップ層に保存された電子を除去する消去モードで、消去ゲートは、電荷トラップ層ホールを注入して、電荷トラップ層に保存された電子と注入されたホールとを再結合させる。例文帳に追加

In the erase mode for eliminating the electrons stored in the charge trap layer, the erase gate injects holes into the charge trap layer and makes the electrons stored in the charge trap layer and the injected holes recombine. - 特許庁

飽和信号に基づいて、電荷注入回路３０により、積分回路１０の積分容量素子に蓄積される電荷と逆極性の一定量の電荷が積分容量素子に注入される。例文帳に追加

The charge accumulated in the integral capacity element of the integrating circuit 10, and a fixed amount of charge of reversed polarity are injected to the integral capacity element by an electric charge injection circuit 30, based on the saturation signal. - 特許庁

電荷保持層１ｃ上に電荷注入層１ｄを有する感光体ドラムを、その表面に接触する帯電磁気ブラシ２１を用いて電荷を注入し、該感光体ドラムを一様帯電する。例文帳に追加

This image forming device, makes a photoreceptor drum being provided with the static charge injection layer (d) on the charge holding layer (c) uniformly charged by adopting a charge magnetic brush held in contact with a surface thereof. - 特許庁

第２の電極が、第１の電極から注入されるキャリアとは反対の電荷を有するキャリアを活性層内に注入する。例文帳に追加

A second electrode injects another carrier having charges opposite to those of the carrier injected from the first electrode into the active layer. - 特許庁

メモリトランジスタ１の電荷蓄積層３Ｂに、たとえば、書き込み時に電子を注入し、消去時に正孔を注入する。例文帳に追加

In the charge storage layer 3B of a memory transistor 1, for example, electrons are injected at writing and holes are injected easily. - 特許庁

積分回路４は、注入電流信号１０２を積分し、注入電荷信号１０３として演算回路５に入力する。例文帳に追加

The circuit 4 integrates the current signal 102 and then inputs as an injected charge signal 103 to an arithmetic circuit 5. - 特許庁

ＣＭＯＳイメージセンサ１０の非撮像状態において、フォトダイオード１１１に画素単位で電荷の注入を行うことで、ストライプパターンやチェッカパターンを実現し、電荷が注入された画素と電荷が注入されない画素の各出力信号に基づいて検査を行うようにする。例文帳に追加

The inspection is performed, based on the output signals of electronic charge-injected picture elements and no-electronic charge-injected picture elements by realizing a stripe pattern or checker pattern by injecting electronic charges into a photodiode 111 in the unit of picture elements in a state where a CMOS image sensor 10 does not pick up any image. - 特許庁

像担持体２上に形成された静電潜像を現像剤により顕像化する画像形成装置であり、像担持体２は電荷注入層を有し、像担持体２の電荷注入層に電荷を直接注入して静電潜像を書き込む記録手段１を有する。例文帳に追加

In the imaging apparatus for developing an electrostatic image formed on an image carrier 2 with developer, the image carrier 2 has a charge injection layer and a recording means 1 writes in an electrostatic image by injecting charges directly into the charge injection layer of the image carrier 2. - 特許庁