「電荷注入」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

例えば外部からのノイズのような外的要因によって、出力トランジスタに電荷が注入されてしまうような場合であっても、降圧電圧が上昇してしまうのを抑制できるようにする。例文帳に追加

To suppress a step-down voltage from increasing even when charge may be injected into an output transistor due to such an external factor as a noise from the outside. - 特許庁

帯電促進粒子ｍを用いた注入帯電・クリーナレスの画像形成装置において、転写残の現像剤３１の電荷を適正にすると同時に、像担持体１表面に過剰に帯電促進粒子ｍが付着するのを防ぐ。例文帳に追加

To make the charge of developer 31 left after transfer proper and to prevent electrification accelerating particles (m) from excessively adhering to the surface of an image carrier 1 in an injection-electrification and cleaner- less type image forming device using the particles (m). - 特許庁

本発明は、簡便な工程で製造可能な、電荷注入効率に優れた薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供することを主目的とする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a thin film transistor substrate which can be manufactured in a simple step and has excellent charge injection efficiency. - 特許庁

放射線画像検出器において、電極端部からの電荷注入による画像欠陥を抑制するとともに、感度および残像特性を良好に保つ。例文帳に追加

To maintain the sensitivity and image retention properties in proper conditions, while suppressing image defects due to charge injection from electrode edge parts, in a radiographic image detector. - 特許庁

このように、イオン注入を継続しながら、スリット９をウェハ７の温度及びチャージ電荷が所定値を越えたか否かに応じて開閉制御する。例文帳に追加

In this way, the slit 9 is controlled to be opened or closed, according to whether or not a wafer temperature and/or accumulated charge exceeds a prescribed value while the ions are continuously implanted. - 特許庁

固体撮像装置において、保護回路部のソース領域からｎ型半導体基板への注入電子を大幅に低減して、該基板に印加される内部発生電圧の低下を大幅に抑え、フォトダイオードの蓄積電荷量を最適化する。例文帳に追加

To remarkably suppress lowering of inside generation voltage applied on a substrate and optimize an accumulation charge amount of a photodiode. - 特許庁

領域３への横方向の空間電荷ゾーンの侵入を表面で制限するため、３の表面に近い中央の領域に第２の伝導型の濃縮層５を注入する。例文帳に追加

In order to limit lateral intrusion of the space charge zone to the region 3 with the surface, a concentration layer 5 of the second conductive type is injected into a central region near the surface of region 3. - 特許庁

この液晶物質の自発分極の大きさを、スイッチング素子がオンとなっている場合に各画素に注入される最大の電荷量の１／２以下とする。例文帳に追加

The size of the spontaneous polarization of the liquid-crystalline material is adjusted to ≤1/2 of the maximum quantity of electric charges injected into each pixel when a switching element is on. - 特許庁

耐熱性に優れるとともに高い正孔注入・輸送能を有し、低電圧で駆動可能な有機電界発光素子を得ることができる、優れた電荷輸送膜用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an excellent composition for a charge-transporting film which make it possible to obtain an organic electroluminescent element that can be driven at a low voltage with excellent heat resistance and high hole injecting/transporting ability. - 特許庁

セルＣ１〜Ｃ４へのデータの書き込み時には、ＭＯＳトランジスタ１０〜１３の各しきい値電圧がいずれも異なるものとなるように、フローティングゲート内への電荷の注入量を調整する。例文帳に追加

Injected quantity of electric charges in a floating gate is adjusted so that each of threshold voltage of MOS transistors 10-13 is made different respectively at the write-in of data for cells C1-C4. - 特許庁

このため、書き込み動作時の電荷注入効率が高いと言う特長を有したまま、従来の構造よりも読み出し電流量を多くすることができる。例文帳に追加

Therefore, while the characteristic that charge implantation efficiency is kept high during the write operation, the read current can be increased more than that in the structure of the related art. - 特許庁

印刷処理では、制御回路２が、この電流垂下点によって定電流電源回路３を制御しつつ、帯電器４による感光ドラム６への電荷の注入を行い、印刷処理を実行する。例文帳に追加

Regarding the printing processing, while the constant-current power supply circuit 3 is controlled by the control circuit 2 based on the current drooping point, injection of charges to the photoreceptor drum 6 is conducted by the charger 4, and then printing processing is carried out. - 特許庁

２次転写時に転写紙が中間転写ベルト８から分離するときに生じる剥離放電や紙転写ローラ１１による電荷の注入等により、トナーの極性が一定ではなくなり、逆極性の変化も生じる。例文帳に追加

In consequence of the separation discharge caused when transfer paper is separated from the intermediate transfer belt 8 at the time of secondary transferring, injection of the electric charge by the paper transfer roller 11, or the like, a polarity of the toner is made unsteady, and even reversed in polarity. - 特許庁

低電圧でも高効率で電荷注入を行うことができ、静電潜像の電位、サイズを安定させ高分解能、高画質の画像を形成する。例文帳に追加

To obtain an imaging apparatus in which charges can be injected with high efficiency even under a low voltage and an image can be formed with a high resolution and a high image quality by stabilizing the potential and size of an electrostatic latent image. - 特許庁

帯電促進粒子ｍを用いた注入帯電クリーナレスの画像形成装置において、転写残の現像剤に対して適正な電荷を与えて現像装置３への回収性を高める。例文帳に追加

To improve a recovery function to a developing device 3 by applying an appropriate charge to developer remaining after a transfer in an image forming device that is injection electrifying and not clean utilizing electrifying accelerating particles 'm'. - 特許庁

第一電極４及び電荷注入輸送層７ａの総膜厚Ｔが、視野角θに対する表示光の色相の変化が認識されない範囲内であることを特徴とする。例文帳に追加

The organic EL element is characterized in that the total film thickness T of the first electrode 4 and the charge injection/transport layer 7a is in a range where the change of the hue of the display color with respect to the view angle θ is not recognized. - 特許庁

トンネル電流を流すトンネル領域に２重のトンネル絶縁膜層を形成し、フローティングゲートへの電荷の注入あるいは引き抜きにおいて、従来のＦＮトンネル効果のかわりに共鳴トンネル効果を用いることとした。例文帳に追加

A double tunnel insulating layer is formed in a tunnel region to flow tunnel current, and a resonance tunnel effect, instead of FN tunnel effect, is used when charging and discharging electricity. - 特許庁

電荷注入により潜像担持体に長期間、安定して静電潜像を形成できる画像形成方法および精度の高い画像を形成することのできる画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide an imaging method which enables the formation of an electrostatic latent image stably in a latent image carrier for a long time by injecting electric charge, and an imaging device capable of forming a highly precise image. - 特許庁

一方、データ「１」の書き込みでは、チャネル幅Ｗ_ＢのＭＯＳＦＥＴのフローティングゲート電極３６に電荷を注入して、しきい値電圧Ｖｔを上げ、ＭＯＳＦＥＴをオフ状態とする。例文帳に追加

On the other hand, in writing of data "1", the MOSFET is turned in an OFF state by by raising a threshold Vt while pouring charges into the floating gate electrode 36 of the MOSFET having the channel width W_B. - 特許庁

半導体装置の製造方法において、ポケット注入によるロールオフ現象の抑制と共に、セルキャパシタにおいて電荷を長期間保持できるようにすること。例文帳に追加

To suppress a roll-off phenomenon due to pocket implantation and to ensure hold a potential in a cell capacitor for a long period, in the method of manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

これにより、転写材に注入される電荷を抑えて、転写部の手前での異常放電による異常画像の発生を抑制することができるようになる。例文帳に追加

Thus, the charge injected in the transfer material is restrained and the occurrence of the abnormal image caused by the abnormal discharge before the transfer part is restrained. - 特許庁

注入電荷増幅器(30)は、センシングされたメモリセルが基準セルと比較して第1の抵抗状態であるか、又は第2の抵抗状態であるかを判定する。例文帳に追加

The injection charge amplifier (30) determines whether a sensed memory cell is in a first or second resistive state as compared to a reference cell. - 特許庁

電界の印加時、使用する電気的機能を保証しつつ、隣接する電気絶縁層への空間電荷の注入を制限することが可能な半導体遮蔽を作製する。例文帳に追加

To fabricate a semiconductor shield which enables to restrict the injection of space charge into the adjacent electrically insulating layer, when the electric field is applied, while assuring the electric function to be used. - 特許庁

ＭＯＳスイッチがオフである間、ＭＥＭＳ可変コンデンサ内への電荷注入が、次第に減少させられることを可能にすることで、チャージエラーを低減する。例文帳に追加

To reduce charge errors by enabling the gradual reduction of charge injection in a MEMS variable capacitor during switch-off in a MOS switch. - 特許庁

電荷注入により発光させる無機ＥＬ素子用の発光材料として有用であり、発光輝度に優れ長寿命を有する半導体の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor with a long life, which is excellent in luminescent brightness and is useful as a light-emitting material for an inorganic EL element made to emit light by charge injection. - 特許庁

有機層からなる発光ユニットを積層させたスタック型の表示素子において、電荷発生層の少なくとも一部に安定材料を用いることで耐環境性の向上を図ることができ、かつ電荷発生層から発光ユニットへの電荷の注入効率の向上を図ることができ、作製の容易な表示素子を提供する。例文帳に追加

To provide a stack-type display element, in which light emitting units comprising an organic layer are stacked, capable of improving environmental resistance by using a stable material for at least a part of a charge generation layer, capable of improving injection efficiency of a charge from the charge generation layer to the light emitting units, and capable of being manufactured easily. - 特許庁

導電性支持体上に光導電性半導体層と電荷移動層を有し、その上に対向電極を有する光電変換素子において、前記光導電性半導体層を形成する半導体の表面に、電荷注入剤層とその上に電荷発生剤層が順次形成されていることを特徴とする光電変換素子。例文帳に追加

The photoelectric conversion element has a photoconductive semiconductor layer and a charge transfer layer on a conductive support and counter electrodes on it, and a charge injection agent layer and a charge generation agent layer are formed, in the order, on the surface of a semiconductor that forms the photoconductive semiconductor layer. - 特許庁

本発明の固体撮像素子１は、光電変換を行う受光部３と、電荷読み出し部４と、垂直電荷転送部５と、前記垂直電荷転送部５の転送電極１７を覆う遮光膜１９とを備え、前記遮光膜１９の直下の界面にイオン注入による凹凸面３１が形成されることを特徴とする。例文帳に追加

The solid-state imaging element 1 includes: a light receiving unit 3; an electric charge read unit 4; a vertical electric charge transfer unit 5; and a light shield film 19 for covering a transfer electrode 17 of the vertical electric charge transfer unit 5, and a rugged face 31 by ion implantation is formed on a boundary face immediately below the light shield film 19. - 特許庁

絶縁膜内に周期律表のＩＶ族から選択され、０．５ｃｍ^２／ｓ以下の熱拡散度を有するＧｅ等の元素のイオンを注入して絶縁膜内に電荷保存領域を形成するが、電荷保存領域の下部にトンネル絶縁膜１３５を、電荷保存領域の上部にキャッピング絶縁膜１４０を有するように形成する。例文帳に追加

Ions of an element selected from group IV of the periodic table and having a thermal diffusivity no larger than 0.5 cm^2/s, such as Ge, are injected into the dielectric film to form a charge storing region in the dielectric film with a tunnel dielectric film 135 formed under the charge storing region and a capping dielectric film 140 formed on the charge storing region. - 特許庁

湿式成膜法により安定性の高い均一な膜を成膜可能で、良好な電荷輸送性を有し、更に優れた電子注入性を兼ね備えた有機電荷輸送性化合物及びその製造方法、及び当該有機電荷輸送性化合物を用いた素子特性が向上した有機電子デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an organic charge-transporting compound which can form a highly stable uniform film by a wet film-forming method and has an excellent charge transporting property and an excellent electron injection property, to provide a method for producing the compound, and to provide an organic electronic device using the organic charge-transporting compound and having improved element characteristics. - 特許庁

溶融樹脂シートに電荷を付与して移動冷却体表面に密着させ急冷固化する熱可塑性樹脂シートの製造方法において、前記熱可塑性樹脂シートの厚さ方向における電荷密度の最大値が５μＣ／ｃｍ^3以上になるように樹脂シート内部に電荷を注入することを特徴とする熱可塑性樹脂シートの製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing the thermoplastic resin sheet by applying charge to a molten resin sheet and bringing the charged sheet into close contact with the surface of the moving cooling body to quench and solidify the same, charge is injected in the resin sheet so that the maximum value of charge density in the thickness direction of the thermoplastic resin sheet becomes 5 μC/cm^3 or more. - 特許庁

電荷蓄積層（２４）の上のメモリゲート（２１）と、第１サイドゲート（２２）と、第２サイドゲート（２３）と、第１サイドゲート（２２）側の第１不純物注入領域（３１）と、第２サイドゲート（２３）側の第２不純物注入領域（３２）と、チャネル領域（３３、３４、３５）とを具備する不揮発性半導体記憶装置を構成する。例文帳に追加

A nonvolatile semiconductor memory device is includes: a memory gate (21) on a charge accumulation layer (24); a first side gate (22); a second side gate (23); a first impurity implantation region (31) in the first side gate (22) side; a second impurity implantation region (32) in the second side gate(23) side; and channel regions (33, 34, 35). - 特許庁

対向する２つの電極（ＩＴＯ電極１２とＡｌ電極１７）の間に、液晶相を有する有機電荷輸送材料からなる液晶性電子注入層１５を含有し、液晶性電子注入層１５の液晶相の分子長軸は、前記電極の平面に対して略平行に配列されていることを特徴とする。例文帳に追加

This light emitting element contains a liquid-crystal electron injection layer 15 comprising the organic charge transport material having a liquid-crystal phase between two electrodes (ITO electrode 12 and Al electrode 17) facing each other, and the molecular major axes of the liquid-crystal phase of the liquid-crystal injection layer 15 are arranged almost parallel to the plane of the electrode. - 特許庁

有機材料を、大面積の基板に連続的かつ再現性よく、均一に積層できる素子用薄膜層の蒸着方法、蒸着装置、および電荷注入層の膜面内における電子輸送性有機物と電子注入性材料との組成比の均一化を実現できる有機ＥＬ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for vapor-depositing a thin film layer for a element by which an organic material can be continuously and uniformly laminated with excellent reproducibility on a substrate large in area, and to provide an organic EL element which is capable of unifying the composition ratio of an electron-carrying organic matter to an electron injection material in a film of an electric charge injection layer. - 特許庁

感光体１の感光層の外周面に、いわゆるコンデンサの電極的役割を果たす電荷注入層の機能を有する表面層を形成し、その表面層に帯電装置２の磁気ブラシローラ２１に帯電キャリア２４により形成される磁気ブラシ部を接触させて感光体１を注入帯電する。例文帳に追加

Relating to this image-forming device, a photoreceptor 1 is injection charged by forming a surface layer provided with a function of the charge injection layer functioning as so called 'electrode role of condenser', on an outer peripheral surface of a photoreceptor 1, and bringing a magnetic brush part forming charged carriers 24 into contact with the magnetic roller 21 of the charging device 2 on the surface layer. - 特許庁

有機系材質層或いは有機系材質部材の材質は、有機半導体層と接合するだけでは自発的には電荷移動を生じないが、ソース電極、ドレイン電極、或いはゲート電極に電圧がかけられた時に、有機半導体層との間で、電荷移動を生じさせることにより、有機半導体層中にキャリアを注入し或いは誘起する材質から選択される。例文帳に追加

The material of the organic material layer or the organic material member is selected from materials which do not cause spontaneous charge transfer when simply bonded to the organic semiconductor layer, but inject carriers into the organic semiconductor layer or induce carriers therein by causing charge transfer to or from the organic semiconductor layer when a voltage is applied to the source electrode, the drain electrode or the gate electrode. - 特許庁

電荷検出部に、浮遊ゲート１０８と、浮遊ゲートの電位変動を検出する手段１０４とを有する電荷転送装置において、浮遊ゲート１０８に絶縁膜を介して電子を注入する、または浮遊ゲート１０８から絶縁膜を介して電子を引き抜くことにより、浮遊ゲートの電位を一定の電圧に収束させる。例文帳に追加

In an electric charges transfer device having a floating gate 108 and a means 104 detecting potential variation in a floating gate in an electric charges detecting section, a potential of the floating gate is converged to fixed voltage by injecting electrons to the floating gate 108 through an insulation film, or drawing out electrons from the floating gate 108 through the insulation film. - 特許庁

化学的な量の大きさに対応して深さを変化するように構成されたポテンシャル井戸６を複数個二次元的に配置し、これらのポテンシャル井戸６に電荷を注入して、前記化学的な量をこのポテンシャル井戸の大きさに応じた電荷に変換するように構成された化学ＣＣＤ１のセンサ面６ａ上に分子認識層２１を形成した。例文帳に追加

A plurality of potential wells 6 formed so that their depths vary with the magnitude of a chemical quantity are two-dimensionally arranged, electric charge is injected into the potential wells 6 so that the chemical quantity is converted to an electric charge corresponding to the size of the potential well, and a molecule recognition layer 21 is formed on a sensor surface 6a of a chemical CCD 1. - 特許庁

このような構成であれば、半導体基板表面へイオン注入を行う事無く、電極３０、４０直下のＮウェル１２に、Ｐ型ポリシリコンとＮ型ポリシリコンとの仕事関数差に起因したポテンシャル勾配が生じさせることが出来、このポテンシャル勾配が電荷転送方向と一致するため、電荷転送効率を向上させることが出来る。例文帳に追加

In such a configuration, a potential gradient due to a difference in work function between the p- and n-type polysilicons can be generated on an n-well 12 immediately below the electrodes 30, 40 without implanting ions onto the surface of a semiconductor substrate and the potential gradient matches the charge transfer direction, the charge transfer efficiency can be improved. - 特許庁

この素子は、基板上にゲート絶縁膜を介在して形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲート上に形成されたトンネル絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を通じる電荷の注入を誘導する選択ゲート電極と、前記トンネル絶縁膜を通じる電荷のトンネリングを誘導する制御ゲート電極と、を含む。例文帳に追加

This device comprises: a floating gate which is formed on a substrate by interposing a gate insulating film therebetween; a tunnel insulating film which is formed on the floating gate; a selecting gate electrode for inducing an implantation of an electric charge through the gate insulating film; and a controlling gate electrode for inducing a tunneling of an electric charge through the tunnel insulating film. - 特許庁

このビット線加工マスク２２を用いて、開口部に露出した電荷トラップ層３の除去、電荷トラップ層３が除去された基板表面へのビット線絶縁膜１０の形成、及びビット線絶縁膜１０を介しての基板１中へのイオン注入による埋め込みビット線５の形成の一連の工程を行う。例文帳に追加

A series of processes is performed by using the bit line work mask 22, i.e., the removal of the charge trap layer 3 exposed in the opening, the formation of a bit line insulating film 10 on a substrate surface with the charge trap layer 3 removed therefrom, and the formation of the embedded bit line 5 by ion implantation to the substrate 1 via the bit line insulating film 10. - 特許庁

疎水性に表面処理された酸化チタン微粒子が電荷発生層に含有されることにより、アルミ基体欠陥からの正電荷注入を防止する事が出来、黒班状の画像欠陥が発生せず、且つ高感度で残留電位が小さいデジタル複写機及びプリンター用に適した電子写真感光体を提供する。例文帳に追加

To provide such an electrophotographic photoreceptor that injection of positive charges from defects of an aluminum substrate can be prevented by incorporating titanium oxide fine particles subjected to the surface treatment to impart hydrophobicity into a charge generating layer, that the photoreceptor does not generate image defects in black speckles but has high sensitivity and low residual potential and that the photoreceptor is suitable for a digital copying machine and printer. - 特許庁

中間層３は、電荷移動錯体からなる層または３．７ｅＶ以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層３ａと、導電体材料を含有する光透過性の層３ｂと、電荷輸送性有機材料からなる層３ｃと、ホール注入材料からなる層３ｄとを備えて形成されている。例文帳に追加

The interlayer 3 is formed having a layer composed of an electron donor acceptor complex or metal, or a metal compound layer 3a having a work function of 3.7 eV or smaller, a light transmitting layer 3b containing a conductive material, a layer 3c composed of a charge transport organic material, and a layer 3d composed of a hole injection material. - 特許庁

２相駆動型の電荷結合素子の電荷注入電極１７に印加するバイアス電圧Ｖｉｇを発生するバイアス電圧発生手段としてトランジスタ２２を備え、該トランジスタ２２を飽和領域で動作させ、該トランジスタ２２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓをオペアンプ２４で増幅して前記バイアス電圧Ｖｉｇとする。例文帳に追加

A transistor 22 is provided as a bias voltage generating means for generating a bias voltage Vig to be applied to the charge injection electrode 17 of a biphase driven type charge coupled device, the transistor 22 is operated in a saturation area, and a voltage Vgs between the gate and source of the transistor 22 is amplified by an operational amplifier 24 as the bias voltage Vig. - 特許庁

光電変換部となるフォトダイオードＰＤの形成工程において、イオン注入によりフォトダイオードＰＤの電荷蓄積領域１７を形成した後、熱拡散により電荷蓄積領域１７を素子分離膜１３の下方に延在し、かつ拡散層１４に当接または近接するように形成する。例文帳に追加

During a step of forming a photo diode PD to serve as a photoelectric converter after a charge accumulation region 17 of the photo diode PD is formed by ion implantation, the region 17 is formed to extend below an element separation film 13 by heat diffusion and to come into contact with or closer to a diffusion layer 14. - 特許庁