「電荷注入」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

遮光画素において、まずフローティングディフュージョン１４からフォトディテクタ１１へ電荷を注入する。例文帳に追加

In a light-shielding pixel, an electric charge is first injected from a floating diffusion 14 to a photodetector 11. - 特許庁

周辺回路領域の電荷蓄積層へのホットキャリア注入の影響を少なくする半導体装置等を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device or the like for reducing an influence of the injection of hot carriers to a charge storage layer in a peripheral circuit region. - 特許庁

またＲを３Ｖに戻すことにより、Ｖ１部からの電荷注入はなくなり、Ｖ２の電圧はそのまま保持され記憶状態になる。例文帳に追加

By returning the R to 3V, charge injection from the V_1 point is eliminated, and the voltage at V_2 is held as it is and put in a memory state. - 特許庁

これにより、ビット線ＢＬ，ＺＢＬには同量の電荷が注入され、Ｖｓｓレベルから同電位にシフトする。例文帳に追加

Thereby, electric charges of same quantity are injected to the bit lines BL, ZBL, potentials of the bit lines are shifted to the same potential from the Vss level. - 特許庁

セルが過充電になることを確実に防止しつつ、多くの電荷を注入して、充電時間を短縮する。例文帳に追加

To shorten the charging time by injecting a large number of charges, while surely preventing a cell from overcharging. - 特許庁

ゲート電極を有する従来のアノード基板では、エミッタから放出される電子が拡散し、電荷注入効率が悪い。例文帳に追加

To solve the following problems: electrons emitted from an emitter are diffused; the charge injection efficiency is low; and the charge injection efficiency is easily fluctuated among respective cathode substrates on the conventional anode substrate having a gate electrode. - 特許庁

その後、コーティングされた導電材２ｃ_1を研磨することにより、独立分散した多数の電荷注入部２ｃが簡単に形成される。例文帳に追加

Then, the conductive material 2c1 coated is grounded, so that many electric charge injection parts 2c independently dispersed are easily formed. - 特許庁

電荷注入による電子源の破壊を防止して、表示欠陥の発生のない高信頼性の画像表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high-reliability image display device without causing a display defect by preventing destruction of an electron source by charge injection. - 特許庁

積分回路１０，比較回路２０，電荷注入回路３０および計数回路４０は、ＡＤ変換機能を有する。例文帳に追加

The integrating circuit 10, the comparator 20, the electric charge implanting circuit 30, and the counter circuit 40 have A-D converting functions. - 特許庁

ソース領域とドレイン領域に異なる電圧を付与して行う電荷注入方法においてホットキャリアの発生効率を高める。例文帳に追加

To enhance generation efficiency of hot carriers, in a charge injection method which is carried out by providing different voltages to a source region and a drain region. - 特許庁

ＳＯＩ構造の半導体記憶装置のフローティングゲート電極に短時間で電荷を注入する手段を提供する。例文帳に追加

To provide a means for injecting an electric charge into a floating gate electrode of a semiconductor memory of an SOI structure in a short time. - 特許庁

これにより、周辺回路トランジスタの電荷注入を防止出来、周辺回路トランジスタのホットキヤリア特性が向上する。例文帳に追加

Accordingly, the charge injection of the peripheral-circuit transistors can be prevented, and the hot-carrier characteristics of the peripheral-circuit transistors are improved. - 特許庁

障害強度マトリクスにはまた、電荷の注入または消失のいずれかを示すエラーの方向も含むことができる。例文帳に追加

The disturb-strength matrix can also include the direction of the error which indicates either a gain or loss of charge. - 特許庁

電荷注入効率が高く、かつ被帯電体（感光体）に対して傷などの不具合を少なく出来る接触型帯電器を提供する。例文帳に追加

To provide a contact charger having high charge injection efficiency and reducing failurs such as scratching of the object to be electrostatically charged (photoreceptor). - 特許庁

これにより、電荷注入による像担持体１の帯電をより確実にかつ均一に、長期にわたって安定して行うことができる。例文帳に追加

Thus, charging of the image carrier 1 by charge injection can be more reliably and uniformly performed in a stable manner over a prolonged period of time. - 特許庁

この発明は、導電性支持体から感光層への電荷（正孔）の注入を十分に抑制可能な感光体を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a photoreceptor capable of satisfactorily suppressing injection of electric charges (holes) from a conductive support to a photosensitive layer. - 特許庁

メモリトランジスタは、アバランシェブレークダウンにより発生した電荷の制御ゲートＣＧへの注入によってしきい値電圧が制御される。例文帳に追加

The threshold voltage of the memory transistor is controlled through injecting the charges generated by an avalanche breakdown into the control gate CG. - 特許庁

これにより、ＩＧＢＴ（ＴＲ１）の入力端子に電源９からその設定時間だけ電荷が注入される。例文帳に追加

Thereby, charges are injected from the power supply 9 to an input terminal of the IGBT (TR1), only for the preset time interval. - 特許庁

遮光画素において、まずフローティングディフュージョン１４からフォトディテクタ１１へ電荷を注入する。例文帳に追加

At a light-shield pixel, electric charge is injected into a photodetector from a floating diffusion layer 14 first. - 特許庁

容量部Ｃは、データ書き込み・消去用の電荷注入放出部ＣＷＥとデータ読み出し用のＭＩＳ・ＦＥＴＱＲとの間に配置した。例文帳に追加

The capacitor unit C is arranged between the data writing/erasing electric charge injection/discharge unit CWE and the data readout MISFET QR. - 特許庁

表面改質透明導電性膜、その表面処理方法およびそれを用いた電荷注入型発光素子例文帳に追加

SURFACE MODIFIED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, ITS SURFACE TREATMENT, AND CHARGE INJECTION TYPE LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME - 特許庁

演算回路５は、注入電荷信号１０３及びステップ信号１０１の電位差に基づいて、電話回線６の線間容量を求める。例文帳に追加

The circuit 5 determines the line capacitance of the telephone line 6, based on the potential difference between the charge signal 103 and the step signal 101. - 特許庁

有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）１１０は、電圧の印加によって注入される電荷量に応じて発光する。例文帳に追加

An organic EL(electroluminescence) 110 emits light in accordance with a charge amount to be injected by the application of a voltage. - 特許庁

転写部において転写ローラから像担持体への逆電荷注入を防止することのできる画像形成装置を提供することである。例文帳に追加

To provide an imaging apparatus capable of preventing reverse charge injection from a transfer roller to an image carrier in a transfer part. - 特許庁

電子機器の半導体材料に改良された電荷注入を備える新規電極構造を提供する。例文帳に追加

To provide a new electrode structure by which improved charge injection is provided to a semiconductor material of an electronic apparatus. - 特許庁

データ書き換え時、ホットホールが絶縁膜３０のポテンシャル障壁を超えて電荷蓄積層４０に注入される。例文帳に追加

When rewriting data, the hot hole is injected to the charge storage layer 40 over the potential barrier of the insulating film 30. - 特許庁

窒化物のプログラム可能な読み取り専用（ＮＲＯＭ）セルを形成する方法は、ＮＲＯＭセルの電荷捕捉層中へのチャンネル高温電子注入を電荷捕捉層中への非チャンネル電子の注入からデカップリングする段階を含む。例文帳に追加

A method for forming a programmable read only (NROM) cell of a nitride has the step of decoupling injection of channel hot electrons into a charge trapping layer of the NROM cell from injection of non-channel electrons into the charge trapping layer. - 特許庁

また、本発明に係る有機薄膜の検査装置は、有機薄膜に電荷を注入する電荷注入手段と、有機膜中に光電子を発生させる光電子発生手段と、有機薄膜から放出される光電子を可視化する光電子可視化手段と、を有することを特徴とする。例文帳に追加

The inspection device of the organic thin film of this invention includes an electrical charge injection means for injecting the electrical charge to the organic thin film, a photoelectron generation means for generating photoelectron in the organic thin film and a photoelectron visualizing means for visualizing the photoelectron discharged from the organic thin film. - 特許庁

電荷注入効率の高いｐ型有機薄膜トランジスタ、および、金属酸化物を電荷注入層として用いても、金属酸化物が溶解することで電極剥離を起こすことのないｐ型有機薄膜トランジスタの製造方法、ならびに、この製造方法に用いる塗布溶液を提供する。例文帳に追加

To provide a p-type organic thin film transistor with high efficiency of charge injection, to provide a method of manufacturing the p-type organic thin film transistor in which a metal oxide does not melt to cause electrode peeling even if the metal oxide is used as a charge injection layer, and to provide a coating liquid used for the manufacturing method. - 特許庁

導電性支持体上に感光層及び電荷注入層を有する有機感光体において、該電荷注入層が平均一次粒径が０．０２μｍ以上、０．２０μｍ未満、結晶化度が４０％以上９０％未満の含フッ素樹脂微粒子を含有することを特徴とする有機感光体。例文帳に追加

In the organic photoreceptor which has a photosensitive layer and the charge injection layer on a conductive support, the charge injection layer contains the fluorine-containing resin fine particles of which the average primary particle size is ≥0.02 μm and <0.20 μm and the degree of crystallinity is ≥40% and <90%. - 特許庁

本発明の凝集剤注入制御システムは、原水に含まれる濁質粒子表面の電荷量を推定する原水濁質電荷量推定手段１と、凝集剤注入後の荷電状態を測定する凝集後荷電状態測定手段２とを備えている。例文帳に追加

This flocculating agent injection control system has raw water turbid matter charge quantity estimating means 1 for estimating the charge quantity on the surfaces of the turbid matter particles included in the raw water and post-flocculation charge state measuring means 2 for measuring the charge state after the flocculating agent injection. - 特許庁

透明導電性膜の電荷注入効率を選択的に変化させ、もって所望の発光パターンを付与する表面処理方法、かかる方法により表面改質され、高輝度の発光領域と非発光領域とを選択的に有する透明導電性膜及び電荷注入型発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a surface treatment method for changing the charge injection efficiency of a transparent conductive film and, in turn, granting a desired luminescent pattern thereto, the transparent conductive film with a surface modified by using the same having selectively high-luminance luminescent regions and non-luminescent regions, and a charge injection luminescence element. - 特許庁

垂直電荷転送部１６Ｒに隣接するチャンネルストップ領域２０を形成する際に、少なくとも最表面のチャンネルストップ領域２０ａに対して、垂直電荷転送部１６Ｒ側から斜め方向にイオン注入して、垂直荷転送部１６Ｒへの注入を防ぐ。例文帳に追加

Upon forming a channel stop region 20 neighbored to the vertical charge transfer unit 16R, ion is poured at least into the uppermost surface channel stop region 20a in oblique direction from the side of the vertical charge transfer unit 16R to prevent the pouring into the vertical charge transfer unit 16R. - 特許庁

読み出し回路１１ｃのリセットドレインＲＤから画素１の接続部Ｃ１に電荷を注入するとき、リセットドレインＲＤの電位よりも画素２の転送ゲートの電位を浅くして、リセットドレインＲＤから画素２の蓄積部ＳＤ２に電荷が注入されるのを防止する。例文帳に追加

When injecting electric charges from a reset drain RD of the readout circuit 11c to a connecting part C1 of a pixel 1, a potential of a transfer gate of a pixel 2 is made shallower than that of the reset drain RD, thereby preventing electric charges from being injected from the reset drain RD to a storage part SD2 of the pixel 2. - 特許庁

書込電極３ａ_2から像担持体２の裏面への電荷注入により像の背面書込が行われると、電荷注入位置に対応する像担持体２の表面位置に、対向電極３ｂにより静電気が誘起されて静電潜像が形成される。例文帳に追加

When back face writing of an image is performed by injecting charges from the write electrode 3a_2 to the rear surface of the image carrier 2, static electricity is induced at a surface position of the image carrier 2 corresponding to the charge injecting position and an electrostatic latent image is formed. - 特許庁

本発明に係る負帯電用電子写真感光体１０は、導電性基体１０Ａと、該導電性基体１０Ａ上に位置する電荷注入阻止層１０１と、該電荷注入阻止層１０１上に位置する光導電層１０２と、を備えている。例文帳に追加

The electrophotographic photoreceptor 10 for negative charge comprises a conductive substrate 10A, a charge injection arresting layer 101 located on the conductive substrate 10A, and a photoconductive layer 102 located on the charge injection inhibition layer 101. - 特許庁

また、注入電極８ａと表面電極７との組み合わせを選択することでメモリの所望位置の電荷蓄積部に電子を選択的に注入できる。例文帳に追加

The electrons are selectively implanted in the storage part of a desired position of the memory by selecting a combination of the electrodes 8a and the electrodes 7. - 特許庁

誘電体フィルム３上のフロート電極Ｅｆに注入電極Ｅｉから電荷注入を行うことで、誘電体フィルム３上に形成しようとする画像に応じた静電潜像を形成する。例文帳に追加

Electric charges are injected into a float electrode Ef on a dielectric film 3 from an injection electrode Ei to form an electrostatic latent image corresponding to an image to be formed on the dielectric film 3. - 特許庁

電荷注入制御回路が、前記半導体スイッチに関連付けられて、前記コンデンサの前記固定プレートと前記可動プレートとのうちの前記選択された一方の中への電流注入を減衰させる。例文帳に追加

The charge injection control circuit is related to the semiconductor switch to attenuate the charge injection into the one selected from the fixed plate and movable plate. - 特許庁

主として、簡単な構成で空間電荷効果の有無によるイオン注入の均一性の不安定さを解消したイオン注入装置の静電偏向器を提供する。例文帳に追加

To provide a static deflector of an ion planter in which the instability of uniformity of an ion injection is solved that is incurred with or without space electric charge effect principally by a simple constitution. - 特許庁

第３の電荷注入ステップにおいて第２局部（Ａ部と反対側の局部）にホールを注入する場合はソースとドレインの機能を入れ替える。例文帳に追加

In the third charge injection step, when holes are injected into the second part (a part located opposite to the A part), the function of the source is replaced with that of the drain. - 特許庁

本発明では、メモリトランジスタのドレイン電圧とドレイン電流とを制御することによって、電荷注入速度がしきい値電圧に依存しないことを特徴とするホットエレクトロン注入方式の書き込み動作を行う。例文帳に追加

Write-in operation being characterized in that electric charges injection speed does not depend on threshold voltage that is a hot electron injection system is performed by controlling drain voltage and a drain current of a memory transistor. - 特許庁

注入効率が高いソースサイドインジェクションによる電荷注入が可能で、標準的なＣＭＯＳプロセス工程内で基板上に実装可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a non-volatile semiconductor memory device into which charge can be injected by source side injection having a high injection efficiency, and which can be mounted onto a substrate in a standard CMOS process. - 特許庁

高効率のソースサイド注入に好適なチャネル構造を新たに提案し、それを用いた不揮発性半導体メモリ装置と、電荷注入方法とを提供する。例文帳に追加

To newly propose a channel structure suitable for source side injection of high efficiency, and to provide a nonvolatile semiconductor storage device which uses the structure, and an electric charge injecting method. - 特許庁

原水に含まれる濁質粒子の表面の電荷量に応じて凝集剤注入率設定装置１０において、基本凝集剤注入率を算出する。例文帳に追加

A basic flocculating agent injection rate is calculated in a flocculating agent injection rate setter 10 according to the charge quantity on the surfaces of the turbid matter particles included in the raw water. - 特許庁