「電荷結合素子」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

電荷結合素子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRIC CHARGE COUPLED ELEMENT - 特許庁

電荷結合素子及びその製造法例文帳に追加

CHARGE COUPLED DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF - 特許庁

電荷結合素子を用いたプリスケーラ例文帳に追加

PRESCALER USING CHARGE COUPLED ELEMENT - 特許庁

電荷結合素子検出器を有する発光分光計例文帳に追加

EMISSION SPECTROMETER HAVING CHARGE COUPLED DEVICE DETECTOR - 特許庁

電荷結合素子（ＣＣＤ）を認証する方法例文帳に追加

METHOD FOR AUTHENTICATING CHARGE-COUPLED DEVICE (CCD) - 特許庁

電荷結合素子相関器用制御回路例文帳に追加

CONTROL CIRCUIT FOR CHARGE COUPLED DEVICE CORRELATOR - 特許庁

クロック生成回路及び電荷結合素子駆動回路例文帳に追加

CLOCK GENERATING CIRCUIT AND CHARGE-COUPLED ELEMENT DRIVING CIRCUIT - 特許庁

容量制御ゲートを有する電荷結合素子例文帳に追加

CHARGE COUPLED ELEMENT WITH CAPACITY CONTROL GATE - 特許庁

電荷結合素子のサブサンプリングの高速化方法例文帳に追加

METHOD FOR SPEEDING UP SUB-SAMPLING OF CHARGE COUPLED DEVICE - 特許庁

電荷結合素子およびその製造方法例文帳に追加

CHARGE COUPLED DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

電荷結合素子の駆動装置、空間情報検出装置例文帳に追加

DRIVE DEVICE OF ELECTRIC CHARGE COUPLED DEVICE AND SPACE INFORMATION DETECTING DEVICE - 特許庁

電荷結合素子の製造方法及び固体撮像装置例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING CHARGE-COUPLED DEVICE, AND SOLID-STATE IMAGING APPARATUS - 特許庁

非反射コーティングを施した電荷結合素子例文帳に追加

CHARGE-COUPLING ELEMENT WITH NON-REFLECTION COATING - 特許庁

電荷結合素子及びその製造法例文帳に追加

CHARGE COUPLED ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

電荷結合素子およびその駆動方法例文帳に追加

CHARGE COUPLED DEVICE AND DRIVE METHOD THEREOF - 特許庁

電荷結合素子およびその製造方法例文帳に追加

CHARGE COUPLED DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

電荷結合素子及びその製造方法例文帳に追加

CHARGE COUPLED DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

電荷結合素子およびその製造方法例文帳に追加

CHARGE-COUPLED DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

小型電荷結合素子カメラ接写用照明装置例文帳に追加

CLOSE-UP ILLUMINATION DEVICE FOR COMPACT CHARGE COUPLING ELEMENT CAMERA - 特許庁

電荷結合素子の電圧制御装置、および制御方法例文帳に追加

VOLTAGE CONTROL DEVICE OF CHARGE COUPLED DEVICE - 特許庁

電荷結合素子およびその製造方法例文帳に追加

CHARGE COUPLED DEVICE AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

ＣＣＤ撮像部１００（電荷転送装置）は、垂直ＣＣＤ１１０，１２０（第一の電荷結合素子、第二の電荷結合素子）を有する。例文帳に追加

This CCD imaging part 100 (charge transfer device) includes vertical CCDs 110, 120 (first charge-coupled devices, second charge-coupled devices). - 特許庁

撮像素子として電荷結合素子１２を使用する画像読み取り装置において、前記電荷結合素子１２を構成する電荷結合素子チップ反りを抑制する制御手段として圧電素子１１を利用する。例文帳に追加

The image reading apparatus for using a charge coupled device 12 as an imaging element utilizes a piezoelectric element 11 acting like a control means to suppress a bent of a charge coupled device chip configuring the charge coupled device 12. - 特許庁

電荷結合素子を有するカメラのシャッタ較正方法を提供する。例文帳に追加

To provide a calibration method for shutter for a camera, having a charge coupled device. - 特許庁

結合超伝導電荷量子ビット素子、それを用いた制御否定ゲート例文帳に追加

COUPLED SUPERCONDUCTIVE CHARGE QUANTUM BIT ELEMENT AND CONTROL IGNORE GATE USING SAME - 特許庁

電荷結合素子などの容量素子を駆動する駆動装置にいおいて、消費電力を低減する。例文帳に追加

To reduce power consumption in a drive device for driving a capacitive element such as a charge coupled device. - 特許庁

固体撮像素子は、ライン状に配列された画素と、配列された画素に対応する電荷を転送する電荷結合素子とを有する。例文帳に追加

The solid-state image pickup device comprises pixels arrayed in a line, and charge coupled devices for transferring charges corresponding to arrayed pixels. - 特許庁

アライメントマーク構造、半導体素子製造方法、半導体素子、電荷結合素子、及び固体撮像装置例文帳に追加

ALIGNMENT MARK STRUCTURE, SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR ELEMENT, CHARGE COUPLED ELEMENT, AND SOLID IMAGE PICK-UP DEVICE - 特許庁

センサモジュール２５２において、格子状に配列された全ての受光素子２６１と電荷結合素子２６３を異なる基板上に作成し、電荷転送ゲート２６２を介して各々の受光素子２６１と電荷結合素子２６３を接続する。例文帳に追加

At a sensor module 252, all photo-detectors 261 arrayed in a lattice shape and a charge coupled device 263 are created on different substrates, and the photo-detectors 261 and the charge coupled device 263 are connected via a charge transfer gate 262. - 特許庁

望ましくは、送信ユニットはレーザ源を含み、受信ユニットは電荷結合素子（ＣＣＤ）を含む。例文帳に追加

Preferably, a transmission unit comprise a laser source and the receiver unit comprises a charged-coupled device(CCD). - 特許庁

スイッチトキャパシタ増幅器、および、それを用いた電荷結合素子用アナログインターフェース回路例文帳に追加

SWITCHED CAPACITOR AMPLIFIER, AND ANALOG INTERFACE CIRCUIT FOR CHARGE COUPLED DEVICE EMPLOYING THE SAME - 特許庁

グリッチの無いスムーズな波形を出力する電荷結合素子を提供する。例文帳に追加

To provide a charge coupled element for generating a smooth waveform without a glitch. - 特許庁

単層電極構造の電荷結合素子を製造する際に、位置合わせの精度を向上する。例文帳に追加

To manufacture a charge coupled element in a single layer electrode structure while improving aligning accuracy. - 特許庁

電荷結合素子は、第３層ポリシリコンを用いて、高速ダンプゲートを形成する。例文帳に追加

A charge coupling device forms a fast damp gate(FDG) while using a third layer polysilicon. - 特許庁

浮動拡散型増幅器を有する電荷結合素子型イメージセンサを提供する。例文帳に追加

To provide a charge coupled device type having a floating diffusion type amplifier. - 特許庁

電荷結合素子を用いた一次元データ補完装置および二次元データ補完装置例文帳に追加

ONE-DIMENSIONAL DATA COMPLEMENTARY DEVICE AND TWO- DIMENSIONAL COMPLEMENTARY DEVICE BY USING CHARGE COUPLED DEVICE - 特許庁

電荷転送用駆動装置２６４が、行選択信号線２６５を介して全ての電荷転送ゲート２６２に行選択信号を供給すると共に、電荷転送信号線２６６を介して電荷結合素子２６３に電荷転送信号を供給し、受光素子２６１から電荷結合素子２６３に転送された電荷を、バケツリレー式にいずれか一端に転送させる。例文帳に追加

A charge transfer driving device 264 supplies row selecting signals to all the charge transfer gates 262 via a row selecting signal line 265 and supplies a charge transfer signal to the charge coupled device 263 via a charge transfer signal line 266, and charges transferred from the photo-detectors 261 to the charge coupled device 263 are transferred to any one terminal in a bucket relay manner. - 特許庁

ピンチオフ電圧のバラツキや半導体基板のダメージに起因する素子特性の劣化のない電荷結合素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an electric charge coupled element, having no deterioration of element characteristic due to the dispersion of pitch-off voltage and the damages to a semiconductor substrate. - 特許庁

電荷結合素子型固体撮像素子の駆動に適用でき、新規な構成を有するタイミングジェネレータを提供する。例文帳に追加

To provide a timing generator which has a new constitution and is applicable to drive a charge-coupled device type solid-state image pickup element. - 特許庁

受光素子の空間電荷効果の抑制および受光素子の高光結合効率の両方を実現する光半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide an optical semiconductor device which achieves both suppression of a spatial charge effect of a light receiving element and a high optical coupling efficiency of the light receiving element. - 特許庁

この色フィルタアレイは、電荷結合素子の前面側に配置されて固体撮像素子に用いられる。例文帳に追加

The color filter array is disposed in the front side of a charge-coupled device and used for a solid-state image pickup device. - 特許庁

転送ゲート（４４）は光電性素子（４１）に結合され、電荷転送レジスタ（４７）は転送ゲート（４４）に結合される。例文帳に追加

The transfer gate 44 is coupled to the photosensitive elements 41, and the charge transfer register 47 is coupled to the transfer gate 44. - 特許庁

電荷結合素子１５０は、絶縁層６０によって、第２導電型のウェル１７０または基板１８０内の第１導電型の埋込みチャンネル１６０から分離された３相以上の相から成るゲート（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４）と、電荷結合素子１５０から電荷を転送させるクロックドライバとを備える。例文帳に追加

The charge coupled device 150 is provided with gates (V1, V2, V3, V4), consisting of 3 phases and more separated from a second conductivity type of well 170 or a first conductivity type of buried channel 160 in a substrate 180 by an insulating layer 60, and a clock driver to transfer a charge through the charge coupled device 150. - 特許庁

記憶素子に結合されたセンサが、明るい光源にさらされると、記憶素子過負荷がその記憶素子から他の記憶素子へ転送ラインに沿ってリーク電荷をリークさせる。例文帳に追加

When a sensor coupled to a storage element is exposed to a bright light source, storage element overload can cause a leakage charge to leak from the storage element to other storage elements along a transfer line. - 特許庁

半導体基板面内で均一にピンチオフ電圧差を形成し、半導体基板のダメージに起因する素子特性劣化がなく、電荷転送電極間の距離を微細化した電荷結合素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a charge-coupled device which generates a pinch-off voltage difference uniformly in a semiconductor substrate surface to be free of element characteristic deterioration due to damage to the semiconductor substrate, and is made extremely short in distance between charge transfer electrodes, and a manufacturing method thereof. - 特許庁