「電荷結合素子」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

その結果、第２の電極部のピンチオフ電圧が、第１の電極部のピンチオフ電圧より小さくなる電荷結合素子を形成することができる。例文帳に追加

Consequently, an electric charge couple element, where the pinch-off voltage of the second electrode part becomes smaller than that of the first electrode part can be formed. - 特許庁

また、外側カップ５の他方の側部上側には、基板表面の外観検査を行うＣＣＤ（Charge Coupled Device ：電荷結合素子）カメラ２０が配設されている。例文帳に追加

A CCD(Charge Couple Device) camera 20 for appearance inspection of a substrate surface is arranged in an upper side of the other side of the outer cup 5. - 特許庁

ゲート間ギャップの小さいショットキー接合型の電荷結合素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a Schottky junction type charge coupled device which has an inter-gate gap, and its manufacture. - 特許庁

単層のゲート電極構造を有しながら、良好な性能を得ることが可能な電荷結合素子を提供する。例文帳に追加

To provide a charge coupled device providing excellent performance regardless of having a structure of a single layer gate electrode. - 特許庁

電荷結合素子（ＣＣＤ）に使用される時の電子増倍構造体、及び特にその較正に関する技術を提供する。例文帳に追加

To provide an electron multiplying structure when used for a charge-coupled device (CCD), and to provide a technique regarding its calibration, in particular. - 特許庁

電子増倍管、特に「電子増倍電荷結合素子（ＥＭＣＣＤ）」におけるものの利得を判断する方法。例文帳に追加

This is the method for determining an electron multiplier, for determining the gain, in particular, of one in "an electron multiplying charge-coupled device (EMCCD)." - 特許庁

本発明は、電荷結合素子が汚れることを防止し、撮像の質を高めるデジタルカメラモジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a digital camera module which improves imaging quality, by preventing a charge coupled device from becoming contaminated. - 特許庁

インターライン転送方式の電荷結合素子内の垂直シフトレジスタによる光の積分を補償する方法例文帳に追加

METHOD OF COMPENSATING INTEGRATION OF LIGHT BY VERTICAL SHIFT REGISTER IN CHARGE COUPLED DEVICE OF INTERLINE TRANSFER SYSTEM - 特許庁

本発明は、工業用あるいは医用で使用される電荷結合素子を用いたＸ線画像撮影装置に関するものである。例文帳に追加

To obtain an X-ray image pick up apparatus employing a charge coupled element for industry or medical use. - 特許庁

この量子演算回路では、一対の超伝導電荷量子ビット素子（超伝導量子箱電極１０１、１０２）に対して静電的に結合された２次元電子ガス層を電気的に制御することによって、超伝導電荷量子ビット素子（超伝導量子箱電極１０１、１０２）間の結合の強さを制御する。例文帳に追加

The quantum operation circuit adjusts a coupling force between a pair of superconducting charge quantum bit elements (superconducting quantum box electrodes 101, 102) by electrically controlling a two-dimensional electron gas layer electrostatically coupled to the pair of bit elements (superconducting quantum box electrodes 101, 102). - 特許庁

ディジタルスチルカメラ(DSC)(10)において、複数の個々のRGBフィルタ素子(20)の各々が、電荷結合素子のアレイ等の画像センサ(18)からなる複数の光電性素子の対応する1つに重なっている。例文帳に追加

Each of RGB filter elements (20) of a digital still camera(DSC) (10) is piled in a photoconductive element consisting of image sensors (18) such as an array of charge coupled devices and corresponding to the elements (20). - 特許庁

受光センサとして電荷結合素子を有し、その電荷転送部に対する水平転送駆動パルスの制御により受光センサの動作状態を設定する。例文帳に追加

As a light receiving sensor, a charge coupled device is provided and the operating state of the light receiving sensor is set under the control of a horizontal transfer driving pulse to a charge transfer part thereof. - 特許庁

電力消費を低減し且つ低暗電流を維持しながら一様な暗領域を生成する、過剰電荷の消去動作を有する電荷結合素子を提供する。例文帳に追加

To provide a charge coupled device (CCD) for reducing power consumption while retaining minimum dark current, having a substantially uniform dark field and flushing of excess current. - 特許庁

本発明の駆動回路は、白色ＬＥＤ２０を駆動するものであり、電荷転送素子とこの電荷転送素子に結合されたコンデンサとを含み、コンデンサに印加されるクロックＣＬＫに応じて電荷転送素子に入力される電源電圧Ｖｄｄを１．５Ｖｄｄに変換する昇圧回路５０を備える。例文帳に追加

The drive circuit for driving a white LED 20 comprises a charge-transfer device, a capacitor coupled to the charge-transfer device, and a step-up circuit 50 for transforming a power supply voltage Vdd inputted to the charge-transfer device to 1.5Vdd in accordance with a clock CLK applied to the capacitor. - 特許庁

電荷結合素子の電荷転送電極を、半導体基板にショットキー接触する第１の電極部と第２の電極部で構成し、クロック電圧を第１の電極部には直接印加し、第２の電極部には容量素子を介して印加する構成とする。例文帳に追加

This charge transfer electrode of a charge coupled device comprises first and second electrode parts making Schottky contact with a semiconductor substrate, and a clock voltage is applied directly to the first electrode part, while it is applied to the second electrode component through a capacity element. - 特許庁

ピンチオフ電圧のバラツキや半導体基板のダメージに起因する素子特性の劣化をなくし、電荷転送電極間の距離を微細化した２相駆動型電荷結合素子を形成するのに好適な半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the structure of the semiconductor device and its manufacturing method which are suitable for forming a two-phase driving charge-coupled element, wherein the distance between charge transfer electrodes is fined by eliminating deterioration of element characteristics caused by dispersion in pinch-off voltage and damage on a semiconductor substrate. - 特許庁

電荷の安定化及び電子と正孔との再結合速度を向上させ、プログラム状態や消去状態で、反対電荷が電荷トラップ層内に残っていることを減らしたりまたは防止し、プログラム／消去状態の安定性を確保させる不揮発性メモリ素子の作動方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile memory element operating method that can improve the speed of stabilizing the charges and re-coupling electrons and holes, reduce or prevent the reverse charges remaining in the charge trap layer in a programmed state and erased state, and secure the stabilized programmed state and erased state. - 特許庁

電荷移動を制御し再結合損失を減少させる受光面側半導体層（拡散層）を還元雰囲気又は不活性ガス雰囲気で形成可能な素子構造を有する光電変換素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a photoelectric conversion element with an element structure which makes it possible to form a light receiving surface side semiconductor layer (diffusion layer) reducing recoupling loss by controlling electric charge migration in a reducing atmosphere or inert gas atmosphere and its manufacturing method. - 特許庁

焦点距離の短い半円柱のレンズ（１）に対し、（１）と同じもう一個のレンズ（２）を直角に配し両レンズを繋いだ結合レンズを作り、その結合レンズの平面（３’）に撮像用ＣＣＤ（電荷結合素子）回路（４）を直接取り付けることを特徴とする。例文帳に追加

At right angles to a semicylindrical lens (1) having short focal length, another lens (2) which is the same as (1) is arranged and both the lenses are cemented together to form a cemented lens; and the image pickup CCD (charge coupled device) circuit (4) is fitted directly to a plane (3') of the cemented lens. - 特許庁

この電荷結合素子は、単層のゲート電極構造を有する電荷結合素子であって、シリコン基板１上に形成されたゲート絶縁膜１０と、ゲート絶縁膜１０上に形成された絶縁物からなる複数の隔壁２０と、隣接する隔壁２０間に配置され、隔壁２０の側部に沿って形成された側面を有する凹形状のゲート電極３０とを備えている。例文帳に追加

This charge coupled device, having a single layer gate electrode structure, comprises a gate insulator film 10 formed on a silicon substrate 1; a plurality of barriers 20, consisting of an insulator, formed on the gate insulator film 10; and recess gate electrodes 30, arranged between adjacent ones of the barriers 20, having side faces formed along side portions of the barriers 20. - 特許庁

隣接するゲート電極間の間隔を小さくすることにより電荷の転送効率を向上させるとともに、ノイズの小さい信号を得ながら、寄生容量を低減することにより消費電力を低減することが可能な電荷結合素子を提供する。例文帳に追加

To provide a charge coupled device capable of improving the transfer efficiency of electric charge by shortening an interval between adjacent gate electrodes and capable of reducing power consumption by reducing parasitic capacity while obtaining a signal of small noise. - 特許庁

そしてデータ保持部に保持される電位は、電荷をリークすることなくデータの出力が可能なデータ電位保持回路及び電荷をリークすることなくデータ保持部に保持した電位を容量素子を介した容量結合により制御可能なデータ電位制御回路で制御される。例文帳に追加

A potential held in the data holding section is controlled by a data potential holding circuit capable of outputting the data without leaking a charge and by a data potential control circuit capable of controlling the potential held in the data holding section without leaking a charge by means of a capacitive coupling via the capacitive element. - 特許庁

ウィンドウがフォトダイオード、電荷結合素子、活性ピクセルセンサー、低エネルギーＸ線センサー、及び他の放射検出器のような光子感知シリコンデバイスに設けられる。例文帳に追加

The window is applied to photon-sensitive silicon devices such as photodiodes, charge-coupled devices, active pixel sensors, low-energy X-ray sensors and other radiation detectors. - 特許庁

また、画像撮影部においては、銀塩フィルムを用いずに、ＣＣＤ（電荷結合素子）などのデバイスを用いて、電子的にデータとして画像情報を取り込む方式とした。例文帳に追加

The image photographing section uses a method of taking in image information as electronic data using a device such as CCD (charge coupled device) without using a silver salt film. - 特許庁

トランジスタ素子の特性調整を行う可変抵抗が不要で信頼性を向上させた中性子束計測システムにおける結合コンデンサ電荷補正制御回路を提供する。例文帳に追加

To provide a coupling capacitor charge correction control circuit for eliminating a variable resistor for adjusting a transistor element characteristic and improving reliability in a neutron flux measurement system. - 特許庁

このような構造の電荷結合素子は、半導体基板上にショットキー接続する第１、第２の電極部を形成した後、絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に第３の電極部を形成することによって形成する。例文帳に追加

Related to such charge coupled device as this structure, after the first and second electrode parts are subjected to Schottky-connected to the semiconductor substrate are formed, an insulating film is formed, on which the third electrode part is formed. - 特許庁

カラーで単板式の電荷結合素子において画素加算される場合でも、被写体に関する色温度を容易に検出できるデジタルカメラの技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology of a digital camera that can easily detect a color temperature associated with an object even when a charge coupling device of a color single board type sums pixels. - 特許庁

半円柱のレンズ二個と撮像用ＣＣＤ（電荷結合素子）回路を使うことにより、テレビ電話（固定・携帯）等の実現が可能になると考えられる小型で薄型・軽量な簡易撮像ブロックを提供する。例文帳に追加

To provide a small-sized, thin, lightweight and simple image pickup block which can actualize television telephone (fixed, portable, etc.), by using two semicylindrical lenses and an image pickup CCD(charge coupled device). - 特許庁

ハロゲン照明下に電荷結合素子でウェル底面の中央付近を観察し、オートフォーカス機能により結晶位置の高さ（Z）を確定し、結晶画像を撮像する。例文帳に追加

The vicinity of the center of the well's ground surface is observed by a charge-coupled device under halogen lighting. - 特許庁

１回のＸ線照射に電荷結合素子への読み出しパルス間隔を変化させて複数回撮像することで、最終的にダイナミックレンジが広いＸ線画像を得ることができる。例文帳に追加

An X-ray image having a wide dynamic range can be obtained finally by picking up an image a plurality of times while varying the interval of read pulse to a charge coupled element during single time irradiation with X-rays. - 特許庁

伝導パスが＋Ｚおよび−Ｚ面を結合して、光素子の温度変化と熱電気効果に起因して電荷差が＋Ｚおよび−Ｚ面間に展開するのを防止する。例文帳に追加

The conduction path couples the +Z and -Z face faces to prevent the development of a charge difference between the +Z face and -Z faces in consequence of the temp. change and pyroelectric effect of the optical element. - 特許庁

主走査方向に２本以上配列する構造のライン状電荷結合素子において、画像読取領域の位置ずれを確実に抑え、高品質の画像を読み取れるようにする。例文帳に追加

To read out a high-quality image by limiting a positional shift of an image reading region in a linear charge coupled device having such a structure as its charge coupled devices are arranged in two or more arrays in the main scanning direction. - 特許庁

伝導パスが＋Ｚおよび−Ｚ面を結合して、光素子の温度変化と熱電気効果に起因して電荷差が＋Ｚおよび−Ｚ面間に展開するのを防止する。例文帳に追加

A conductive path couples the +Z and -Z faces to prevent a charge differential from developing between the +Z and -Z faces due to a change in temperature of the optic chip and the pyroelectric effect. - 特許庁

不揮発性メモリ素子にプログラムや消去に寄与するＤＣパルスと電荷の再結合や再配置を促進するＡＣ摂動パルスとの複合パルスを印加してプログラムや消去を行う作動方法である。例文帳に追加

This method performs programming and erasing by applying composite pulses of DC pulses contributing to programming or erasing and AC perturbations pulses promoting re-coupling and relocating of charges to a nonvolatile memory element. - 特許庁

これにより、モザイク状（例えば未加工、または未加工の電荷結合素子ＣＣＤ）画像のための効率的なロスレス画像圧縮システムの実装が可能になる。例文帳に追加

As a result, mounting of effective lossless picture compression system for a mosaiced (e.g. rawness or raw charge-coupled device CCD) image is enabled. - 特許庁

操作部２３のレリーズ操作に応答して、撮像レンズ１により結像された被写体光学像をＣＣＤ（電荷結合素子）固体撮像素子３により電子的な画像情報に変換し、ディジタル信号処理部６等により該画像情報に所要の処理を施して、ＰＣカード１０に書き込む。例文帳に追加

A CCD(chare coupled device) solid-state image pickup element 3 converts an object optical image formed by an image pickup lens 1 into electronic image information in response to a release operation of an operation section 23, a digital signal processing section 6 or the like applies required processing to the image information and the processed information is written to a PC card 10. - 特許庁

第１の電極、第２の電極、および、該２つの電極間に配置され電荷担体の再結合によって発光する有機層を備えた有機ＥＬ半導体素子を準備し、少なくとも有機層の一部を有機層への熱作用により選択的に破壊して半導体素子にパターンを形成する。例文帳に追加

The organic EL semiconductor element provided with a first electrode and a second electrode and an organic layer which emits light by a re-combination of a load carrier arranged between the electrodes is prepared and at least one part of the organic layer is selectively destroyed by a thermal action to the organic layer and a pattern is formed on the semiconductor element. - 特許庁

全画素読み出し型の固体撮像素子１０１であって、複数の画素（フォトダイオード１２１（１２２））を配列した画素列が複数列に配列されていて、前記画素（フォトダイオード１２１（１２２））が１画素当たり２本の垂直電荷結合素子（垂直ＣＣＤ）１４１、１４２（１４３、１４４）を有することを特徴とする。例文帳に追加

The solid-state imaging device 101 capable of reading all picture elements contains picture element arrays arranged in lines with multiple picture elements (photo diode 121(122)), each having two lines of vertical charge-coupled devices (vertical CCDs) 141, 142 (143, 144). - 特許庁

量子ドットを含む発光層を備えた発光素子において、電荷（ホール、エレクトロン）をトラップして再結合し易く、且つその再結合によって生じた励起子を効果的に発光現象に変換できる発光層を備えた発光素を提供する。例文帳に追加

To provide a light emitting element with a luminescent layer capable of effectively converting an exciton which is easily recombined by trapping charges (hole, electron) and is generated by its recombination to a luminous phenomenon, in the light emitting element having the luminescent layer containing the a quantum dot. - 特許庁

インクノズルからインクを吐出するための容量性素子であるキャパシタＣ１に電荷が蓄積されている状態で、別のインクノズルからインクを吐出するための容量性素子であるキャパシタＣ２を駆動する必要が生じた場合には、キャパシタＣ１に蓄積されている電荷を、コイルＬ１とコイルＬ２とのコイル結合を用いて、キャパシタＣ２移動する。例文帳に追加

In case that a capacitor C2 needs to be driven as a capacitive element for ejecting an ink from another ink nozzle with charge being accumulated in a capacitor C1 as a capacitive element for ejecting an ink from an ink nozzle, the charge accumulated in the capacitor C1 is moved to the capacitor C2, using the coil coupling of a coil L1 and a coil L2. - 特許庁

電荷注入電極と電荷検出電極との間に、一の電荷注入制御電極と複数の電荷転送電極が配置され、分配器で分配された入力信号がそれぞれ電荷転送電極に入力し、電荷検出電極から取り出された信号を電荷注入制御電極に供給するとともに、インピーダンス変換回路を介して出力信号として取り出す電荷結合素子を用いたプリスケーラにおいて、一つの電荷転送電極をストレージゲート部と、それよりチャネルポテンシャルの低いバーチャルゲート部とからなるショットキー電極で構成し、電荷注入制御電極をバーチャルゲート部と同じ構造のショットキー電極で構成する。例文帳に追加

A charge coupled element in the prescaler using has one charge injection control electrode and a plurality of a plurality of charge transfer electrodes disposed between a charge injection electrode and a charge detecting electrode, inputs input signals distributed by a distributor to the respective charge transfer electrodes, feeds the signals taken from the charge detection electrode to the charge injection control electrode and takes output signals through an impedance converter circuit. - 特許庁

このバーコード４に、たとえば８〜１０個の発光ダイオード５を順次的に駆動して可視光を照射し、電荷結合素子ＣＣＤから成る受光手段９によって、バーコード４の集光レンズ８を介する画像を読取る。例文帳に追加

A visible radiation is irradiated to this bar code 4, for example, by subsequently driving eight to ten light emission diode 5 and an image of the bar code 4 through a condenser lens 8 is read by a light- receiving means 9 comprising a charge coupled device CCD. - 特許庁

ＣＣＤ（電荷結合素子）またはＣＭＯＳ（相補性金属酸化膜半導体）センサの受光面に２酸化チタン等の光触媒の薄膜を形成するか、２酸化チタン等の光触媒の微粉末を混入したポリマーを塗布して、撮像感度を向上する。例文帳に追加

The thin film of photo-catalyst such as titanium dioxide is formed, or polymer into which the micro-powder of the photo-catalyst such as the titanium dioxide is mixed is applied on the light receiving face of a CCD(charge coupled device) or a CMOS(complementary metallic oxide film semiconductor) sensor so that image pickup sensitivity can be improved. - 特許庁

撮像装置は、撮像光路の光軸Ａ上に結像光学系１と、赤外線カットコート３の形成された光学ローパスフィルタ２と、入射光を光電変換し撮像イメージを得るＣＣＤ（電荷結合素子）４が配列された構成である。例文帳に追加

The image pickup device is configured with an image forming optical system 1 on an optical axis A of an image pickup optical path, an optical low pass filter with an infrared ray cut coat 3 formed thereto, and a CCD(charge coupled device) 4 that applies photoelectric conversion to an incident light to obtain a picked-up image. - 特許庁

撮像装置は、撮像光路の光軸Ａ上に結像光学系１と、赤外線カットコート３の形成された光学ローパスフィルタ２と、入射光を光電変換し撮像イメージを得るＣＣＤ（電荷結合素子）４が配列された構成である。例文帳に追加

This imaging device is composed by arranging, on an optical axis A of an imaging optical path, an image formation optical system 1, an optical low-pass filter 2 on which an infrared ray cut coat 3 is formed, and a CCD (charge coupled element) 4 for executing photoelectric conversion of incident light and for obtaining an imaging image. - 特許庁