A.G.を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 2184件
METHOD FOR MANUFACTURING METAL FINE PARTICLE OR METAL COMPOSITE FINE PARTICLE, AND METHOD FOR MANUFACTURING Ag FINE PARTICLE OR Ag-NiO METAL COMPOSITE FINE PARTICLE THEREWITH例文帳に追加
金属微粒子又は複合金属微粒子の製造方法及び該方法によるAg微粒子又はAg−NiO複合金属微粒子の製造方法 - 特許庁
The wiring electrode films 3, 4, 5, 6 and 7 are formed of the Ag-based alloy containing 0.1 to 1.5at% Nd and consisting of the balance substantially Ag.例文帳に追加
前記Ag基配線電極膜3,4,5,6,7はNdを0.1〜1.5at%含有し、残部実質的にAgからなるAg基合金で形成される。 - 特許庁
Ag-ALLOY FILM FOR ELECTRONIC PART, FLAT PANEL DISPLAY DEVICE, AND SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR DEPOSITING Ag-ALLOY FILM FOR ELECTRONIC PART例文帳に追加
電子部品用Ag合金膜、平面表示装置および電子部品用Ag合金膜形成用スパッタリングターゲット材 - 特許庁
The Ag alloy film has a composition consisting of, by atom, 0.2 to 1.5% Ge as an additive element and the balance essentially Ag.例文帳に追加
添加元素として、Geを0.2〜1.5原子%含み残部実質的にAgからなるAg合金膜である。 - 特許庁
The Cu-Ag alloy wire has a wire diameter of ≤0.1 mm, tensile strength of ≥290 MPa, elongation of ≥10% and electric conductivity of ≥80% IACS.例文帳に追加
このCu-Ag合金線は、線径が0.1mm以下、引張強さが290MPa以上、伸びが10%以上、導電率が80%IACS以上である。 - 特許庁
In the process for forming the Cu film 3 or the Ag film 4, the Cu film 3 or the Ag film 4 is formed by electroplating.例文帳に追加
そして、Cu膜3またはAg膜4を形成する工程では、Cu膜3またはAg膜4を電解めっきによって形成している。 - 特許庁
To provide a method for forming an Ag-based film having the good adhesion with a substrate and to provide a laminate having the Ag-based film.例文帳に追加
基体との良好な密着性を有するAg系膜の成膜方法及びそのようなAg系膜を有する積層体を提供すること。 - 特許庁
The Cu wiring layer 11 is formed on the ceramic layer 12 or the Ag connection layer 14 via this Ag thin-film layer 15.例文帳に追加
Cu配線層11は、このAg薄膜層15を介してセラミック層12やAg接続層14上に形成されている。 - 特許庁
To provide a lead-free Sn-Ag based solder alloy and solder alloy powder, which are applicable under severe atmosphere related to the vibration and the heat.例文帳に追加
振動及び熱に関して過酷な環境下に適用可能な鉛フリーSn-Ag系半田合金及び半田合金粉末を提供する。 - 特許庁
(2) In the reflective film laminate, the Ag alloy contains totally 0.1 to 5 atom% of at least one of Au, Pt, Pd and Rh.例文帳に追加
7×[A]+13×[B]≦8 ------(1)式(2) 前記反射膜積層体においてAg合金がAu、Pt、Pd、Rhの1種以上を合計で0.1 〜5原子%含有するもの等。 - 特許庁
By performing the cold working under specified conditions before the final heat treatment, the Cu-Ag alloy wire having high elongation and excellent fatigue resistance can be obtained.例文帳に追加
最終熱処理前に特定の条件の冷間加工を施すことで、伸びが高く、耐疲労性に優れるCu-Ag合金線が得られる。 - 特許庁
Ag ALLOY, Ag ALLOY THIN FILM AND, THIN-FILM TRANSISTOR USING THE SAME, AND THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY AND MANUFACTURING METHOD OF THEM例文帳に追加
Ag系合金とAg系合金薄膜、およびそれを用いた薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイとそれらの製造方法 - 特許庁
Furthermore, 0.001-0.5 wt% of an oxidation control element such as P, Ge and Ga and/or 0.005-2 wt% of a wettability improving element such as Ag may be added.例文帳に追加
さらに、P 、Ge、Gaのような酸化抑制元素を 0.001〜0.5 質量%、および/またはAgのような濡れ性改善元素を 0.005〜2質量%の量で添加してもよい。 - 特許庁
The dummy ball for barrel plating includes one or two sorts of Ag of 5 mass% or less or Cu of 2 mass% or less, of 0.1 mass% or more, and the balance substantially Sn.例文帳に追加
Agを5mass%以下、またはCuを2mass%以下のうち一種または二種を0.1mass%以上含み、残部実質的にSnからなるバレルめっき用ダミーボール。 - 特許庁
Each contact touching part contains 1-9 mass% of Sn and is formed of an Ag alloy where Cd as an impurity is less than 1 mass%.例文帳に追加
接点接触部は、Snを1〜9質量%含み、不純物としてのCdが1質量%未満であるAg合金からなる。 - 特許庁
Each contact touching part contains 1-9 mass% of Sn and is formed of an Ag alloy where Cd as an impurity is less than 1 mass%.例文帳に追加
この接点接触部は、Snを1〜9質量%含み、不純物としてのCdが1質量%未満であるAg合金からなる。 - 特許庁
The obtained Ag-Cu-Ni alloy melt is continuously cast into an Ag-Cu-Ni alloy joining material.例文帳に追加
得られたAg−Cu−Ni合金溶融液を連続鋳造してAg−Cu−Ni合金接合材とする。 - 特許庁
A brain-wave signal detected by an Ag-AgCl electrode 4 is amplified by a signal processing part 5 and converted into a digital signal, which is inputted to a computer 6.例文帳に追加
Ag-AgCl電極4で検出した脳波信号を信号処理部5で増幅しデジタル信号に変換してコンピュータ6に入力する。 - 特許庁
Since the Ag film 4 is dissolved into Sn solder simultaneously with melting of the Sn solder film 3, the Ag film 4 doesn't hinder the connection.例文帳に追加
Snはんだ膜3の溶融と同時に、Ag膜4はSnはんだ中へ溶解するので、Ag膜4が接続を阻害することもない。 - 特許庁
To provide an ultrafine Cu-Ag alloy wire suitable for a shield conductor of a coaxial cable and method for manufacturing the same, and also to provide a coaxial cable.例文帳に追加
同軸ケーブルのシールド導体に適した極細のCu-Ag合金線及びその製造方法、並びに同軸ケーブルを提供する。 - 特許庁
The high frequency variation potential has a frequency of 1 kHz to 10 MHz and a potential width of ≤±1.0 V (vs Ag/AgCl).例文帳に追加
前記高周波変動電位は、周波数が1KHz〜10MHzの範囲であり、かつ±1.0V(vs Ag/AgCl) またはそれより小さい電位の幅とする。 - 特許庁
Further, the Al alloy wire can contain addition elements of one or more kinds selected from Cu, Si, Zr and Ag by 0.005-0.2 mass% in total.例文帳に追加
更に、Cu,Si,Zr及びAgから選択される1種以上の添加元素を合計で0.005質量%〜0.2質量%含有することができる。 - 特許庁
The whole surface of the Ag film 12 is coated with a SiN film 14 for protecting the Ag film 12.例文帳に追加
このAg膜12の表面の全体は、Ag膜12を保護するためのSiN膜14により覆われている。 - 特許庁
Further, a conductive paste filled in the radiation via holes 19 is preferably formed of material having high thermal conductivity such as Ag, Cu and Ag-Pd.例文帳に追加
さらに、放熱用ビアホール19内を充填する導電ペーストは、Ag,Cu,Ag−Pdなどの熱伝導率の良好な材料が好ましい。 - 特許庁
Without having to move the dispense syringe needle 13, the Ag paste adhesive bond 16 is injected at one-time dispensing.例文帳に追加
ディスペンスシリンジニードル13を移動させないで、1回のディスペンスでAgペースト接着剤16を射出する。 - 特許庁
Sn-Zn-containing low melting point PB free solder is used instead of the Sn-Ag-Cu-containing Pb free solder to improve the impact resistance reliability of the solder connections at a low cost.例文帳に追加
Sn-Ag-Cu系はんだの代わりにSn-Zn系低融点Pbフリーはんだを用いることによって低コストで耐衝撃信頼性を向上させる。 - 特許庁
One part of the ceramic layer 12 and the top surface of the Ag connection layer 14 are covered with an Ag thin-film layer 15.例文帳に追加
セラミック層12の表面の一部と、Ag接続層14の上面は、Ag薄膜層15で覆われている。 - 特許庁
To provide an Ag-Ni-based electrical contact material and its manufacturing method which can provide high uniform dispersion of Ag and Ni by inexpensive equipment.例文帳に追加
Ag−Ni系電気接点材料及びその製造方法において、低コストな設備でAgとNiとの高い均一分散を得ること。 - 特許庁
An Ag filler the surface of which is coated with the low melting point metal component can be used as the Ag filler.例文帳に追加
低融点金属成分によって表面が被覆されているAgフィラーをAgフィラー成分として用いることもできる。 - 特許庁
The major rear surface of the GaP substrate 7 is covered with an Ag based reflective metal layer 15, e.g. an Ag layer.例文帳に追加
GaP基板7の主裏面は、例えばAg層よりなるAg系反射金属層15にて覆われている。 - 特許庁
The metallized layer 5 may be formed from one or more elements selected among Mo, Mn, W, Ni, Ag, Cu, Ti, Nb, and Zr.例文帳に追加
また、メタライズ層5としては、Mo、Mn、W、Ni、Ag、Cu、Ti、NbおよびZrのうちから選択される1種以上の元素を用いることができる。 - 特許庁
Further, the aluminum alloy wire may further contain 0.005-1.0 mass% in total of one or more additive elements selected from Mg, Si, Cu, Zn, Ni, Mn, Ag, Cr and Zr.例文帳に追加
更に、質量%で、Mg、Si、Cu、Zn、Ni、Mn、Ag、Cr、及びZrから選択される1種以上の添加元素を合計で0.005質量%以上1.0質量%以下含有してもよい。 - 特許庁
PLANAR DISPLAY UNIT, Ag ALLOY-BASED REFLECTIVE FILM THEREFOR AND SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR Ag ALLOY- BASED REFLECTIVE FILM FORMATION例文帳に追加
平面表示装置用Ag合金系反射膜、Ag合金系反射膜形成用スパッタリングターゲット材および平面表示装置 - 特許庁
An aluminum anodized coating is immersed into an aqueous solution containing the fluoro-complex salt of Zr, Si, Ti, Au, Ag, Co, Ni, Mo, Mn, Nb, Ta, W, Zn, Fe, Ir or Sc.例文帳に追加
アルミニウム陽極酸化皮膜を、Zr 、Si、Ti、Au、Ag、Co、Ni、Mo、Mn、Nb、Ta、W、Zn、Fe、Ir、又はScのフルオロ錯塩を含む水溶液に浸漬させることを特徴とする。 - 特許庁
Further, 5 to 30% Pt, 10 to 30% Cr, >0 to 10% Ta, >0 to 30% Ni and >0 to 15% (Ti+Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au+Ru+Rh+Pd+ Os+Ir+rare earth elements) can be incorporated therein.例文帳に追加
30≧Pt≧5at%、30≧Cr≧10at%、10≧Ta>0at%、30≧Ni>0at%、さらには、15≧(Ti+Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au+Ru+Rh+Pd+Os+Ir+希土類元素)>0at%を含有させることが可能である。 - 特許庁
An Ag paste adhesive bond 16, injected by the dispense syringe needle 13 to a sub-mount 20, has an elongated applying shape, in the plan view.例文帳に追加
ディスペンスシリンジニードル13からサブマウント20に射出されたAgペースト接着剤16は、平面視で細長い塗布形状をしている。 - 特許庁
Preferably, the surface layer is to be a Pb-Ag alloy containing 0.25% by mass or more of Ag as well as Sb.例文帳に追加
好ましくは、表面層を0.25質量%以上のAgを含み、かつSbを含むPb−Ag合金とする。 - 特許庁
As the conductive sealing material, an Ag-Si-Ge alloy composed mainly of Ag and containing Si and Ge is used.例文帳に追加
導電性シール材料として、Agを主成分としSi及びGeを含有するAg−Si−Ge系合金を用いる。 - 特許庁
To provide an extra-fine Cu-Ag alloy wire having high strength, high toughness and high electric conductivity, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加
高強度、高靭性、高導電率である極細のCu-Ag合金線、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The bonding connection is made by fusing and integrating the Ag-Pt thick film 12a and the Ag-Pd thick film 12b.例文帳に追加
ここで、前記ボンディング接続部は、Ag−Pt系厚膜12aとAg−Pd系厚膜12bとが融合して一体化したものである。 - 特許庁
In addition, an Ag paste 9 is printed right on the metal mask 5 to arrange the Ag paste 9 on the lands 2 through the openings 6.例文帳に追加
そして、メタルマスク5上からAgペースト9を印刷し、開口部6を通じてランド2上にAgペースト9を配置する。 - 特許庁
Further, there is caused no quality deterioration like Ag-based conductive paste and an Ag plated electrode to raise reliability.例文帳に追加
また、Ag系導電ペーストやAgメッキ電極のように品質劣化が生じることがなく、信頼性を高めることができる。 - 特許庁
The frequency of the high-frequency fluctuating potential in the step (2) is in the range from 1 kHz to 10 MHz, and the potential width is in the range of ±1.0 V (vs Ag/AgCl) or smaller.例文帳に追加
工程(2)における高周波変動電位は、周波数が1KHz〜10MHzの範囲であり、かつ±1.0V(vs Ag/AgCl)またはそれより小さい電位の幅とする。 - 特許庁
The cars are made by Stuttgart-based Daimler AG. 例文帳に追加
これらの車はシュツットガルトを本拠とするダイムラー社が製造した。 - 浜島書店 Catch a Wave
Furthermore, an ozone generator 22 for supplying ozone to the Ag catalyst 20 is provided.例文帳に追加
また、Ag触媒20にオゾンを供給するオゾン発生器22を設ける。 - 特許庁
The Cr thin film prevents the intermetallic diffusion between Au and Ag.例文帳に追加
Crの薄膜がAuとAgの金属間拡散を防止する。 - 特許庁
Ag ALLOY THIN FILM ELECTRODE, ORGANIC EL ELEMENT AND TARGET FOR SPUTTERING例文帳に追加
Ag合金薄膜電極、有機EL素子及びスパッタリング用ターゲット - 特許庁
STRAIGHT ANGLE SILVER (Ag) CLAD COPPER RIBBON FOR HIGH-TEMPERATURE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
高温半導体素子用平角状銀(Ag)クラッド銅リボン - 特許庁
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