「ANTI-FERROMAGNETIC」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Three phases formed of at least a layer-like anti-ferromagnetic metal phase, an anti-ferromagnetic load charge arrangement insulation phase and a ferromagnetic metal phase coexist in a magnetic oxide thin film 2.例文帳に追加

磁性酸化物薄膜２は、少なくとも層状反強磁性金属相、反強磁性電荷整列絶縁相及び強磁性金属相からなる３相が共存する。 - 特許庁

The method for manufacturing the magnetoresistance effect element comprises the step of depositing a first ferromagnetic layer (fixed layer) 103 on an anti ferromagnetic layer 102.例文帳に追加

反強磁性体層１０２の上に、第１の強磁性体層（固定層）１０３を堆積する。 - 特許庁

The magnetic layer 20 is a laminated film holding a non-magnetic layer 22 between a ferromagnetic layer 21 and a ferromagnetic layer 23 and functions as an artificial anti-ferromagnetic substance.例文帳に追加

磁性層２０は、非磁性層２２を強磁性層２１および強磁性層２３で挟んだ積層膜であり、人工反強磁性体として機能する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium, two layers of ferromagnetic films each of which consists of perpendicular magnetization are brought into exchange coupling with each other in an anti-ferromagnetic manner through a non-ferromagnetic spacer film.例文帳に追加

垂直磁化からなる２層の強磁性膜が、非強磁性スペーサ膜を介して反強磁性的に交換結合している磁性記録媒体。 - 特許庁

Also, the anti-ferromagnetic film is made of MnIr or MnFe based alloy.例文帳に追加

また、反強磁性膜をＭｎＩｒまたはＭｎＦｅ系合金で形成する。 - 特許庁

An exchange-coupling film 30 has an anti-ferromagnetic layer 22 and a fixed layer 23.例文帳に追加

交換結合膜３０は、反強磁性層２２と固定層２３を備えている。 - 特許庁

Then the anti-ferromagnetic layer 7 is thermally processed before etching.例文帳に追加

この後、反強磁性層７に対して熱処理を施し、その後でエッチングを施す。 - 特許庁

The information storage medium includes a storage layer and an anti-ferromagnetic layer.例文帳に追加

本件開示の情報記憶媒体は、記憶層と反強磁性層とを備えている。 - 特許庁

A surface of a sacrifice layer 120 is adjacent to another surface of the anti-ferromagnetic layer 130.例文帳に追加

犠牲層１２０は、一面が反強磁性層１３０の他面に隣接している。 - 特許庁

Impartation of an exchange coupled magnetic field to the bcc ferromagnetic film (fixed layer) 200 is performed by a CrMnPt anti-ferromagnetic film 300.例文帳に追加

ｂｃｃ強磁性膜（固定層）２００への交換結合磁界の付与は、ＣｒＭｎＰｔ反強磁性膜３００で行う。 - 特許庁

To provide anti-ferromagnetic half metallic semiconductor having anti-ferromagnetism and consisting of half metallic new spintronics material.例文帳に追加

反強磁性を有し、且つハーフメタリックな新規なスピントロニクス材料である反強磁性ハーフメタリック半導体を提供する。 - 特許庁

A second non-magnetic layer, a third ferromagnetic layer and a second anti- ferromagnetic layer can be stacked on the second ferromagnetic layer in order.例文帳に追加

また前記第二の強磁性体層上に、更に第二の非磁性体層、第三の強磁性体層及び第二の反強磁性体層を順に積層しても構わない。 - 特許庁

The spin valve film 8 has a fixed layer 19 in which four layers of ferromagnetic layers 12, 141, 142, 143 are laminated on the upper part of an anti-ferromagnetic layer 11, and through anti-ferromagnetic coupling layers 131, 132, 133 between respective layer.例文帳に追加

ＧＭＲヘッド１０は、下部磁気シールド層及び上部磁気シールド層の間に、スピンバルブ膜８と、スピンバルブ膜８の両端部に配置された下地層４と磁区制御層５と電極層６の積層構造とを有する。 - 特許庁

The method also includes a step for forming a first and a second anti-ferromagnetic layers.例文帳に追加

また、第１の反強磁性層と第２の反強磁性層を設ける段階を含む。 - 特許庁

In this case, the second ferromagnetic layer 14 is anti-ferromagnetically connected through the non-magnetic spacer layer 13 with a third ferromagnetic layer 12.例文帳に追加

ここで、第２の強磁性層１４と第３の強磁性層１２が非磁性スペーサ層１３を介して反強磁性的に結合している。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element having a first anti-ferromagnetic layer for pinning a stacked ferromagnetic type magnetization fixation layer and a second anti-ferromagnetic layer for controlling the magnetic domain of a magnetiszation free layer which are crossed nearly orthogonally to each other.例文帳に追加

積層フェリ型の磁化固定層をピン止めするための第１反強磁性層と磁化フリー層を磁区制御するための第２反強磁性層を有し、これらが略直交に設定されている磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

A TMR element is constituted of a anti-ferromagnetic layer 41, a first ferromagnetic layer (fixed layer) 42, an insulation layer 43, a second ferromagnetic layer (free layer) 44 and a flux guide layer 6.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、反強磁性層４１、第１強磁性層（固定層）４２、絶縁層４３、第２強磁性層（自由層）４４およびフラックスガイド層６とから構成されている。 - 特許庁

SENSOR HAVING ANTI-PARALLEL FIXED MAGNETIZATION LAYER USING THIN RUTHENIUM SPACER AND FERROMAGNETIC FIELD HEAT TREATMENT例文帳に追加

薄いルテニウムスペーサおよび強磁場熱処理を用いた反平行固定磁化層を有するセンサ - 特許庁

The magnetic device includes a magnetic layer having a variable magnetization direction and known as a free layer; a first anti-ferromagnetic layer for trapping the magnetization direction of the free layer; and a layer formed of a ferromagnetic substance, brought into contact with the first anti-ferromagnetic layer via a surface opposite to the free layer, and known as a stabilization layer.例文帳に追加

本発明は、自由層として知られている、可変磁化方向を有する磁気層と、前記自由層と接触している、前記自由層の磁化方向をトラップすることができる第１の反強磁性層とを備えた磁気デバイスに関する。 - 特許庁

A magnetization direction of the ferromagnetic body B for bias is aligned in a specified direction nearly parallel to the direction of the external magnetic field Z by the anti-ferromagnetic body A.例文帳に追加

そしてこの反強磁性体Ａによって、バイアス用強磁性体Ｂの磁化方向が外部磁界Ｚに略平行となる一方向に決定される。 - 特許庁

The pair of vertical bias layers consists of only soft magnetic layers 34a, 34b and do not include an anti-ferromagnetic layer.例文帳に追加

一対の縦バイアス層は、軟磁性層３４ａ，３４ｂのみからなり、反強磁性層を含まない。 - 特許庁

Switched connection is obtained between an anti-ferromagnetic layer and a pinned layer by this pin-annealing processing.例文帳に追加

このピンアニール処理により、反強磁性層とピンド層との間に交換結合が付与されることとなる。 - 特許庁

A magnetoresistive device with a pinned ferromagnetic layer 118 and a free ferromagnetic layer 132 separated by a nonmagnetic spacer layer 120 has an exchange-coupled anti-ferromagnetic/ ferromagnetic structure that uses the semi-metallic ferromagnetic Heusler alloy with its near 100% spin polarization as the pinned ferromagnetic layer 118.例文帳に追加

非磁性スペーサ１２０で分離されているピンド強磁性体層１１８とフリー強磁性体層１３２を有する磁気抵抗素子であり、ピンド強磁性体層１１８として１００％近いスピン偏極の半金属強磁性体ホイスラー合金を使用する交換結合した反強磁性体層／強磁性体層構造を有している。 - 特許庁

A magnetoresistive laminated film 10 is formed by laminating a substrate film 14, an anti-ferromagnetic film 11, a ferromagnetic fixed layer 15, a non-magnetic intermediate layer 12, a soft magnetic free layer 13, a long distance anti-parallel coupling laminated film 17, and a differential soft magnetic free layer 16.例文帳に追加

磁気抵抗効果積層膜10は、下地膜14、反強磁性膜11、強磁性固定層15、非磁性中間層12、軟磁性自由層13、長距離反平行結合積層膜17、差動軟磁性自由層16を積層してなる。 - 特許庁

That is, the magnetization direction of the ferromagnetic body B for bias is determined by an intense interlayer coupling field He due to unidirectional anisotropy in the interface between the ferromagnetic body B for bias and the anti-ferromagnetic body A adjacently layered.例文帳に追加

すなわちこのバイアス用強磁性体Ｂは、隣接して積層された反強磁性体Ａとの界面における一方向異方性による強い結合磁界Ｈｅによってその磁化方向が決定される。 - 特許庁

The magnetoresistive effective element 1 includes a magnetoresistive film 1x having a ferromagnetic free layer 14 and a ferromagnetic pinned layer 10 laminated through a nonmagnetic intermediate layer 12, and an anti-ferromagnetic pining layer 8 fixing magnetization of the ferromagnetic pinned layer 10.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１は、非磁性中間層１２を介して積層された強磁性フリー層１４及び強磁性ピンド層１０と、強磁性ピンド層１０の磁化を固定する反強磁性ピニング層８とを備えた磁気抵抗効果膜１ｘを有している。 - 特許庁

As to a ferromagnetic tunnel junction element provided with a tunnel barrier layer pinched between ferromagnetic layers, the ferromagnetic layer (stationary layer) located on an anti-ferromagnetic layer side is formed of, at least, a two or more-layered ferromagnetic film.例文帳に追加

また、磁気抵抗効果素子は、強磁性層間にトンネルバリア層を挟み、一方の強磁性層の外側に反強磁性層を配置した強磁性トンネル接合素子において、反強磁性層側に位置する強磁性層（固定層）が少なくとも二層以上の強磁性体の多層膜より構成されることを特徴とする。 - 特許庁

It is desirable that the film thickness of the first ferromagnetic layer is 2 nm-10 nm and the film thickness of the anti-ferromagnetic layer is not less than 8 nm.例文帳に追加

その際、前記第一の強磁性体層の膜厚は２ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましく、前記反強磁性体層の膜厚は８ｎｍ以上が望ましい。 - 特許庁

When forming the GMR film 5, an anti-ferromagnetic film is epitaxially grown on the lower shield layer 4 first.例文帳に追加

ＧＭＲ膜５の形成に当たっては、先ず、下部シールド層４上に反強磁性膜をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The first magnetic conductor 3 of the first spin injection section 10 is fixed by a first anti-ferromagnetic conductor 4 and the second magnetic conductor 8 of the second spin injection section 11 is fixed by a second anti-ferromagnetic conductor 4 so that their directions of magnetization become anti-parallel to each other.例文帳に追加

第一のスピン注入部１０の第一の磁性導電体３は第一の反強磁性導電体４によって、第二のスピン注入部１１の第二の磁性導電体８は第二の反強磁性導電体４によって、互いの磁化の方向が反平行になるように固定する。 - 特許庁

Its ferromagnetic characteristic is adjusted by adding other anti-ferromagnetic transition metals such as Ti, Fe, Co, Ni, Cu, Rh, or Ru, etc., adding a dopant, or adjusting the concentration of the transition metals.例文帳に追加

そして、Ti, Fe, Co, Ni, Cu, Rh,またはRuなどその他の反強磁性の遷移金属の添加、ドーパントの添加などやこれらの遷移金属の濃度の調整、により強磁性特性を調整する。 - 特許庁

A first magnetic layer 3, non-magnetic layer 4, second magnetic layer 5, and anti-ferromagnetic layer 6 are laminated in this spin valve film 1, and the second magnetic layer 5 is film-formed at a prescribed film formation rate according to materials of which the anti-ferromagnetic layer 6 is formed.例文帳に追加

第１の磁性層３と、非磁性層４と、第２の磁性層５と、反強磁性層６とが積層されたスピンバルブ膜１のうち、反強磁性層６を形成する材料に応じて第２の磁性層５を所定の成膜レートで成膜する。 - 特許庁

A spacer layer 3 has a thickness (0.3 nm to 3 nm, for example) which forms an anti-parallel magnetic bond between a lower layer composed of an amorphous ferromagnetic layer 2 and an upper layer composed of the amorphous ferromagnetic layer 4 and the polycrystalline ferromagnetic layer 5.例文帳に追加

スペーサ層３の厚さは、アモルファス強磁性層２からなる下層と、アモルファス強磁性層４及び多結晶強磁性層５からなる上層との間で反平行の磁気結合が形成される厚さ（例えば０．３ｎｍ〜３ｎｍ）となっている。 - 特許庁

This ferromagnetic tunnel junction element has such a structure where a compound ferromagnetic layer 14 which contains N1 or a Ni alloy is arranged adjacent to a tunnel barrier layer 13, and a compound ferromagnetic layer 15 which contains Co or a Co alloy is arranged adjacent to Mn ordered alloy anti-ferromagnetic layer 16.例文帳に追加

トンネルバリア層１３と隣接するように、Ｎｉ、またはＮｉを含む合金、またはＮｉを含む化合物強磁性層１４を配置し、かつＭｎ系規則合金反強磁性層１６と隣接するようにＣｏ、またはＣｏを含む合金、またはＣｏを含む化合物強磁性層１５を配置する。 - 特許庁

A barrier metal layer 21, a protection layer 20, a free ferromagnetic layer 18b, a nonmagnetic intermediate layer 18a, a tunnel barrier layer 17, a pinned ferromagnetic layer 14b, a nonmagnetic intermediate layer 15, a pinned ferromagnetic layer 14a, an anti-ferromagnetic layer 13, and an alignment control film 12 are patterned by ion milling.例文帳に追加

イオンミリングを行うことにより、バリアメタル層２１、保護層２０、フリー強磁性層１８ｂ、非磁性中間層１９、フリー強磁性層１８ａ、トンネルバリア層１７、ピンド強磁性層１４ｂ、非磁性中間層１５、ピンド強磁性層１４ａ、反強磁性層１３及び配向制御膜１２をパターニングする。 - 特許庁

A first to eighth sensor units 511, 522, 523, 514, 531, 542, 543, 534 are manufactured from a spin valve magnetoresistance effect film using a self pin type ferromagnetic fixed layer composed of two layers of ferromagnetic films coupled strongly anti-ferromagnetically.例文帳に追加

強く反強磁性的に結合した２層の強磁性膜からなるセルフピン型強磁性固定層を用いたスピンバルブ磁気抵抗効果膜から第一から第八のセンサユニット５１１，５２２，５２３，５１４，５３１，５４２，５４３，５３４を作製する。 - 特許庁

At this time, the anti-ferromagnetic film is reflected by the crystal structure of the lower shield film 4, its surface also becomes a (111) plane or a (100) plane.例文帳に追加

この時、反強磁性膜は、下部シールド層４の結晶構造を反映し、その表面も（１１１）面又は（１００）面となる。 - 特許庁

A monopole vertical head 300 is obtained by an induction type writing head structure constituted by a structure obtained by alternately laminating a plurality of anti-parallel coupling layers 403, 406 and 410 and a plurality of ferromagnetic layers 402, 404, 408 and 412 for forming an anti-parallel coupling ferromagnetic stack.例文帳に追加

単極垂直書込ヘッド３００は、アンチパラレル結合強磁性スタックを形成するために、複数のアンチパラレル結合層４０３，４０６，４１０と、複数の強磁性層４０２，４０４，４０８，４１２を交互に積層した構造で構成される誘導型書込ヘッド構造により得られる。 - 特許庁

A backing magnetic layer of a two-layered perpendicular magnetic recording medium is composed of three layers of a ferromagnetic layer 42/a non-magnetic layer 43/a ferromagnetic layer 44 and the ferromagnetic layers 42 and 44 are anti-ferromagnetically bonded to each other to prevent magnetic flux emitted from domain walls of the backing magnetic layer from entering a reproducing head.例文帳に追加

２層垂直磁気記録媒体の裏打磁性層を強磁性層４２／非磁性層４３／強磁性層４４の３層構成とし、強磁性層４２，４４同士を反強磁性結合させることにより、裏打磁性層の磁壁から出る磁束が再生ヘッドに入るのを防ぐ。 - 特許庁

To obtain a magnetic head magnetically stabler and simple in manufacturing procase, reduced in leakage magnetic field from a magnetic shield layer provided with a laminated structure of a ferromagnetic layer and an anti- ferromagnetic layer to a magnetoresistance effect layer.例文帳に追加

強磁性層及び反強磁性層の積層構造を備えた磁気シールド層から磁気抵抗効果層への漏洩磁界を低減し、磁気的により安定でしかも製造工程を単純な磁気ヘッドを提供すること。 - 特許庁

A laminated ferrimagnetic thin film is composed of two ferromagnetic layers 308 and 309, and a nonmagnetic intermediate layer 304 interposed therebetween, and each ferromagnetic layer is anti-ferromagnetically coupled through the nonmagnetic intermediate layer.例文帳に追加

積層フェリ型磁性薄膜は、２つの強磁性層３０８，３０９と、それらに挟まれた非磁性中間層３０４よりなり、各強磁性層が非磁性中間層を介して反強磁性的に磁気結合する。 - 特許庁

Since the high anisotropic magnetic field and ferromagnetic resonance frequency are acquired by lamination of the anti-ferromagnetic layer 22 and optimization of a fine structure of the laminated granular film 12, after-the-fact processes, such as heat treatment and micro processing, are needless.例文帳に追加

積層グラニュラ膜１２の微細構造の最適化と、反強磁性層２２の積層によって高い異方性磁界と強磁性共鳴周波数を得るため、熱処理や微細加工等の事後プロセスが不要である。 - 特許庁

It is preferable that the film thickness of the first anti-ferromagnetic layer formed of alloy containing Mn is 8 nm-19 nm.例文帳に追加

その際、前記Ｍｎを含む合金からなる第一の反強磁性体層の膜厚は８ｎｍ以上１９ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁

To enhance a switched-connection magnetic field in a spin valve type magnetoresistance effect multilayered film formed using an X-Mn type anti-ferromagnetic material.例文帳に追加

Ｘ−Ｍｎタイプの反強磁性材料を使用したスピンバルブ型磁気抵抗効果多層膜において交換結合磁界を向上する。 - 特許庁

An anti-ferromagnetic layer 7 of a spin valve film 1 is film- formed to a thickness equal to a critical film thickness which has been known.例文帳に追加

スピンバルブ膜１における反強磁性層７を成膜するときに、先ず従来から知られている臨界膜厚と同じ厚さで形成する。 - 特許庁