Aldを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 227件
PLASMA ALD OF TANTALUM NITRIDE FILM例文帳に追加
窒化タンタル膜のプラズマＡＬＤ - 特許庁
DOPING WITH ALD TECHNOLOGY例文帳に追加
ＡＬＤ技術を用いたドーピング - 特許庁
To form a sealing layer before a high conformality ALD layer is formed on a porous layer in an integrated circuit.例文帳に追加
集積回路において、多孔層上の高いコンホーマリティALD層前にシーリング層を形成する。 - 特許庁
To prevent problems of corrosion of piping or the like in a film formation method of a silicon oxide film by an ALD method and a film formation apparatus of a silicon oxide film by the ALD method.例文帳に追加
ALD法によるシリコン酸化膜の成膜方法及びALD法によるシリコン酸化膜の成膜装置に関し、配管腐食等の問題が生じないようにする。 - 特許庁
PLASMA TREATMENT FOR ALD SURFACE TREATMENT例文帳に追加
ＡＬＤ表面処理のためのプラズマ処理 - 特許庁
ALD METHOD AND REACTOR FOR MANUFACTURING HIGH QUALITY LAYER例文帳に追加
ＡＬＤ法および高品質層製造用リアクタ - 特許庁
To solve the problem that impurities are easy to remain in an oxide thin film deposited as a demerit by an ALD process while having the most of the merits therein.例文帳に追加
ALD法の長所をそのまま活かしつつ、その短所である、生成した酸化物膜に不純物が残留しやすいという問題を解決する。 - 特許庁
To provide an ALD (atomic layer growth) method and to provide a reactor for forming a high quality ALD layer in the state of an optimized process.例文帳に追加
ＡＬＤ法と、最適化されたプロセス状態で高品質ＡＬＤ層を形成するためのリアクタを提供する。 - 特許庁
The film deposition apparatus 1 comprises an ALD chamber 40, a heating and etching chamber 30 provided separately from the ALD chamber 40.例文帳に追加
成膜装置１は、ＡＬＤ室４０と、ＡＬＤ室４０とは別個に設けられた加熱＋エッチング室３０とＡＬＤ室４０とを備える。 - 特許庁
ALD OF SILICON DIOXIDE AT LOW TEMPERATURE FOR IMPORTANT APPLICATIONS例文帳に追加
重要な用途のための二酸化ケイ素の低温熱でのＡＬＤ - 特許庁
An ALD reactor 10 having a single reactive space 12 is prepared.例文帳に追加
単一反応空間１２を有するＡＬＤ反応器１０を用意する。 - 特許庁
CVD and ALD deposition processes use the complex.例文帳に追加
上記錯体を用いるＣＶＤ及びＡＬＤ堆積法がまた、含まれる。 - 特許庁
FILM DEPOSITION OPERATING METHOD BY VACUUM FLOW RATE CONTROL VALVE DEALING WITH ALD例文帳に追加
ＡＬＤ対応真空流量調整バルブによる成膜操作方法 - 特許庁
The seed layer can be formed by an atomic layer deposition (ALD) method (102).例文帳に追加
シード層は原子層堆積法によって形成されることが出来る（１０２）。 - 特許庁
To provide a method for forming a thin film by using an atomic layer deposition(ALD).例文帳に追加
原子層蒸着（ＡＬＤ）を利用して薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁
Therefore, a large amount of blue color is generated in a small amount of ALD and a small amount of color is generated in a large amount of ALD, by using the limited amount of MBTH in order to detect the POI of ALD.例文帳に追加
それ故、ＰＯＩのＡＬＤを調べるために制限量のＭＢＴＨを用いることにより、少量のＡＬＤ程多量の青色を生じ、多量のＡＬＤ程少量の色を生じる。 - 特許庁
To restrain the generation of gaseous ammonia with the existence of water when aluminum dust(AlD) is utilized.例文帳に追加
ＡｌＤ（ＡｌＤ）を利用する際に、水の存在によるアンモニアガスの発生を抑制する。 - 特許庁
When the sufficient ALD exists, all the MBTH is converted to the azine not to form a blue color.例文帳に追加
十分なＡＬＤが存在する場合は、全ＭＢＴＨがアジンに変換されて青色が形成されない。 - 特許庁
ZnO SEED LAYER BY ALD FOR DEPOSITING ZnO NANOSTRUCTURE ON SILICON SUBSTRATE例文帳に追加
シリコン基板上にＺｎＯナノ構造を堆積するための、ＡＬＤよるＺｎＯシード層 - 特許庁
Silicon nitride film (ALD-SiN film 3) is formed on the substrate 1 by an atomic layer deposition method.例文帳に追加
基板１上に、原子層蒸着法によって窒化シリコン膜（ＡＬＤ−ＳｉＮ膜３）を成膜する。 - 特許庁
SELECTIVE GROWTH OF ZnO NANOSTRUCTURE USING PATTERNED ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) ZnO SEED LAYER例文帳に追加
パターニングされたＡＬＤＺｎＯシード層を用いたＺｎＯのナノ構造の選択的な成長 - 特許庁
To provide a microwave plasma processing apparatus capable of reducing plasma processing time in an ALD method.例文帳に追加
マイクロ波プラズマ処理装置において、ＡＬＤ法プラズマ処理の処理時間を短くする。 - 特許庁
ALD THIN FILM VAPOR DEPOSITION APPARATUS PROVIDED WITH CLEANING APPARATUS AND CLEANING METHOD THEREOF例文帳に追加
クリーニング装置を備えたＡＬＤ薄膜蒸着装置及びそのクリーニング方法 - 特許庁
Then, the silicon nitride film is oxidized and an alumina film is formed by an ALD method.例文帳に追加
窒化シリコン膜を酸化処理し、ＡＬＤ法によりアルミナ膜を形成する。 - 特許庁
Especially, the cap conductor film MC1 is selectively formed on the wiring MW1 by an ALD method.例文帳に追加
特に、キャップ導体膜ＭＣ１はＡＬＤ法によって配線ＭＷ１上に選択的に形成する。 - 特許庁
A wide range of low volatility solid ALD precursors are used as dissolved in solvents such as THF.例文帳に追加
ＴＨＦなどの溶媒中に溶解している広範囲の低揮発性固体ＡＬＤ前駆体を用いる。 - 特許庁
To provide an atomic layer growth method (ALD method) for improving chemical characteristics and electric characteristics of a deposited layer.例文帳に追加
堆積層の化学的特性及び電気的特性を改善するためのＡＬＤ方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for correctly controlling film formation conditions of ALD (atomic layer deposition).例文帳に追加
ＡＬＤ（原子層堆積）の成膜条件を適正に制御する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a structure of selective ALD of ZnO and a method for manufacturing the same.例文帳に追加
本発明は、ＺｎＯを選択的にＡＬＤさせた構造物およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an ALD thin-film vapor deposition apparatus which effectively forms a high-quality thin film.例文帳に追加
高品質な薄膜を効率的に形成するＡＬＤ薄膜蒸着装置を提供する。 - 特許庁
To provide an atomic layer deposition (ALD) system capable of preventing the formation of powder in exhaust routes.例文帳に追加
排気経路におけるパウダ生成を防止できる原子層蒸着装置（ＡＬＤ）を提供する。 - 特許庁
To provide a method for depositing an oxide thin film on a base material by an ALD type method.例文帳に追加
ＡＬＤ式方法によって基材上に酸化物薄膜を製造する方法の提供。 - 特許庁
A wide range of the low volatility solid ALD precursors dissolved in the solvents, such as THF, are used.例文帳に追加
ＴＨＦなどの溶媒中に溶解している広範囲の低揮発性固体ＡＬＤ前駆体を用いる。 - 特許庁
To provide an atomic layer deposition (ALD) process for forming a silicon dioxide thin film at low temperature.例文帳に追加
低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。 - 特許庁
To provide a novel combination of solution stabilization and delivery technologies with special ALD operational modes that allows the use of low-volatility solid ALD precursors dissolved in solvents.例文帳に追加
溶媒中に溶解している低揮発性固体ＡＬＤ前躯体の使用を可能にする溶液安定化技術及びデリバリ技術と特定のＡＬＤ操作モードとの新規な組み合わせを提供する。 - 特許庁
To make it possible to form a high accurate resistance element through film formation by a plasma atomic layer deposition method (plasma ALD method) without reducing any insulating performance of an insulating film as a grounding in the plasma ALD method.例文帳に追加
本発明は、プラズマ原子層堆積法（プラズマＡＬＤ法）の下地の絶縁膜の絶縁性能を低下させず、プラズマＡＬＤ法での膜形成により高精度の抵抗素子の形成を可能にする。 - 特許庁
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