「Ald」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Even when gas fed in the treatment container 10 in the ALD cycle is changed by the unit of several seconds, the exhaust conductance is kept constant, and the process pressure can be maintained stably.例文帳に追加

これにより、ＡＬＤサイクルで処理容器１０に送り込まれるガスが数秒単位で切り換わっても排気コンダクタンスを一定に保持し、プロセス圧力を安定に維持することができる。 - 特許庁

To provide a substrate useful for a semiconductor process, having a layer deposited by an ALD (atomic layer deposition) on a dielectric layer formed with an organic material-containing material.例文帳に追加

有機物含有材料でつくられている誘電体層上にＡＬＤにより堆積された層を有する、半導体プロセスに有用な基板を提供する。 - 特許庁

To provide a film depositing apparatus and a film depositing method in which an ALD method can be used with a high productivity without using any high-speed switching valve.例文帳に追加

高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができる成膜装置および成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor storage in which an ALD film of the same composition can be formed on a member such as an electrode having a spacial configuration.例文帳に追加

立体構造を有する電極などの部材上に、組成の同じＡＬＤ膜を形成することの可能な半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Such precursors are liquids at room temperature, and can be employed in vapor deposition processes such as ALD to form zirconium-containing films, e.g., high k dielectric films on microelectronic device substrates.例文帳に追加

そのような前駆体は、室温で液体であり、ジルコニウム含有膜、たとえば高κ誘電体膜をマイクロ電子デバイス基板上に形成するためのＡＬＤなどの気相堆積プロセスで利用されうる。 - 特許庁

To provide an improved process where, using an ALD process, a tungsten-containing material having satisfactory uniformity, hardly having contamination or having no contamination at all, and also having high electrical conductivity, i.e., low resistivity.例文帳に追加

ＡＬＤプロセスを使用して、均一性が良好で、ほとんどまたは全く汚染がなく、かつ導電率が高いつまり抵抗率が低いタングステン含有材料を堆積するための改良されたプロセスを提供する。 - 特許庁

At that time, the ALD method and the MOCVD method are continuously carried out essentially at the same substrate temperature in one and the same film formation apparatus without being exposed to the air in the middle of the process.例文帳に追加

その際、ＡＬＤ法とＭＯＣＶＤ法とを連続して、同一の成膜装置中において、途中で大気に露出することなく、実質的に同一の基板温度で実行する。 - 特許庁

An elastic wave device includes a piezoelectric substrate 10, a comb-shaped electrode 12 formed on the piezoelectric substrate 10, and an insulative film 16 formed on a surface of the comb-shaped electrode 12 by using Atomic Layer Deposition (ALD) method and including aluminum oxide.例文帳に追加

圧電基板１０と、圧電基板１０上に形成された櫛形電極１２と、櫛形電極１２の表面にＡＬＤ法により形成された酸化アルミニウムを含む絶縁膜１６と、を備えることを特徴とする弾性波デバイス。 - 特許庁

During the ALD treatment time, the feedback control to match the valve opening of the conductance valve 22 is matched with the reference value is performed by the pressure control unit 24.例文帳に追加

そして、ＡＬＤ処理時間中は、圧力制御部２４でコンダクタンスバルブ２２のバルブ開度を基準値に一致させるためのフィードバック制御を行う。 - 特許庁

To provide a film forming apparatus and a film forming method capable of utilizing an ALD (Atomic Layer Deposition) process at high productivity without using a high speed switch valve, and capable of cleaning in a chamber.例文帳に追加

高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができ、チャンバー内クリーニングが可能な成膜装置および成膜方法を提供すること。 - 特許庁

When the process for producing a thin film of metal oxide utilizing CVD or ALD is employed, a thin film having a fine structure is formed and thereby a thin film can be obtained with a small leak current.例文帳に追加

また本発明によるＣＶＤまたはＡＬＤを利用した金属酸化物薄膜の製造方法を使用すれば、微細構造を有する薄膜が成長するために漏れ電流の低い薄膜を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film in which a thin film having good film characteristics can be formed while suppressing defects on the film interface by atomic layer deposition (ALD method).例文帳に追加

原子層蒸着法（ＡＬＤ法）において、膜界面の欠陥が少なく、膜特性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

Deposition is performed by an atomic layer deposition (ALD) process utilizing a first reactant provided during a first pulse period and a second reactant provided during a second pulse period.例文帳に追加

第１パルス期間に供給される第１反応物と、第２パルス期間に供給される第２反応物とを利用する原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスにより成膜する。 - 特許庁

A metal atomic layer and an oxygen atomic layer are formed in this sequence through an ALD method and subjected to quick thermal annealing through an RTA (Rapid Thermal Annealing) method.例文帳に追加

ＡＬＤ法により、金属原子層、酸素原子層をこの順で形成した後、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）による急速熱アニールを行う。 - 特許庁

The dielectric layer is obtained by first deposition of a thin TiO_2 protective layer by atomic layer growth using water as an oxidant and subsequent deposition of a second dielectric body by ALD using O_3 as an oxidant.例文帳に追加

誘電体層は、酸化剤として水を用いた原子層成長による、薄いＴｉＯ_２保護層の最初の堆積と、これに続くＯ_３を酸化剤として用いたＡＬＤによる第２誘電体の堆積とにより得られる。 - 特許庁

This ZnOx semiconductor layer is formed by using various thin film forming techniques such as a spin coat method, a DC sputtering method, an RF sputtering method, a metal organic vapor phase deposition (MOCVD) or an atomic layer deposition (ALD).例文帳に追加

このＺｎＯｘ半導体層を、スピンコート法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）または原子層堆積法（ＡＬＤ）のような様々な薄膜形成技術を用いて形成する。 - 特許庁

The hafnium silicate film is formed by the ALD method by combining Hf[N(CH_3)_2]_4 and Si(OCH_3)_4 which are compounds each having a small particle size, sufficient steam pressure at a low temperature, and high reactiveness with water.例文帳に追加

分子サイズが小さく、低温でも十分な蒸気圧を持ち、水との反応性が高い化合物である、Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_４とＳｉ（ＯＣＨ_３）_４の組み合わせによって、ＡＬＤ法にてハフニウムシリケート薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a ALD processing kit and chamber components that is used for reforming a conventional chamber, can rapidly purge processing gas, and gives better gas, temperature, and pressure uniformity over the whole substrate.例文帳に追加

慣用のチャンバの改造に使用可能で、処理ガスの迅速なパージも可能としつつ、基板全体に亘ってより良好なガス、温度及び圧力均一性を付与するＡＬＤ処理キット及びチャンバ構成部品を提供する。 - 特許庁

To suppress plasma damage caused on a substrate when reaction products are laminated on a surface of the substrate by the ALD method and plasma modification is conducted to the reaction products.例文帳に追加

ＡＬＤ法により基板の表面に反応生成物を積層すると共にこの反応生成物に対してプラズマ改質を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。 - 特許庁

To provide a method for forming a film comprising a metal which has a uniform and conformal thickness and a smooth surface on the surface of a substrate by an ALD (Atomic Layer Deposition) process using specified metal precursors.例文帳に追加

特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

A method is disclosed that uses a low temperature atomic layer deposition (ALD) process to manufacture an Sr_xTi_yO_3 based metal-insulator-metal (MIM) capacitor.例文帳に追加

低温原子層堆積（ＡＬＤ）法を用いて、Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３ベースの金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタを製造する方法が開示される。 - 特許庁

To provide a film deposition method and a film deposition device that deposit a film of good quality on a substrate even when the film is deposited on the substrate by at a temperature of ≤200°C by applying an ALD method.例文帳に追加

２００℃以下の温度で、ＡＬＤ法を適用して基板上に膜を形成する場合であっても、基板上に良質な膜を生成することができる成膜方法および成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a surface structure capable of preventing residual impurity in vacuum, in particular, remaining water molecules from being produced, while keeping acid resistance and heat resistance, in a vacuum processing chamber, such as an ALD apparatus or a CVD apparatus.例文帳に追加

ＡＬＤ装置やＣＶＤ装置等などの真空処理室において、耐酸性や耐熱性を保ちながら、真空中の残留不純物、特に残留水分子の発生を防止した表面構造を提供する。 - 特許庁

To improve the within-wafer uniformity of the density of active species and ions supplied to the surface of a substrate and increase the amount of the active species and ions supplied to the surface of the substrate, when carrying out a substrate processing step by an ALD method.例文帳に追加

ＡＬＤ法による基板処理工程を実施する際に、基板表面に供給される活性種やイオンの密度の面内均一性を向上させ、基板表面に供給される活性種やイオンの量を増加させる。 - 特許庁

The structure and the method for manufacturing a magnetic reading head include a process of forming a fill layer for a magnetic reading head gap by using an atomic layer deposition(ALD) method.例文帳に追加

磁気読取りヘッドを製造する構造および方法は、原子層堆積（ＡＬＤ）を使用して磁気読取りヘッドギャップのためのフィルレイヤーを形成することを含む。 - 特許庁

To provide a method for preparing a metal-containing layer having uniform, conformal thickness and smooth surfaces by ALD (atomic layer deposition) process using specific metal precursors.例文帳に追加

特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

Metal alkylamide (TEMAZ) and silicon alkylamide (TEMASiH) are used as a metal precursor and a silicon precursor, respectively, and the precursors are supplied to a reaction vessel 103 at the same time to perform ALD (atomic layer deposition).例文帳に追加

金属アルキルアミド（ＴＥＭＡＺ）を金属前駆体とし、シリコンアルキルアミド（ＴＥＭＡＳｉＨ）をシリコン前駆体として、前駆体を同時に反応容器１０３に供給してＡＬＤ（原子層堆積）を行う。 - 特許庁

To provide a barium compound precursor which is a monomer or a dimer, and is thermally stable, easily volatile, much fitted to BST (barium strontium titanate) produced by ALD (atomic layer deposition) or CVD (chemical vapor deposition) and is not fluorinated.例文帳に追加

単量体又は二量体であり、熱的に安定な、易揮発性であり、且つＡＬＤ又はＣＶＤにより製造されるＢＳＴに非常に適したフッ素化されていないバリウム前駆体を提供する。 - 特許庁

A self-selecting storage device is formed by depositing a zinc oxide (ZnO) over a phase-change material through the use of atomic layer deposition (ALD).例文帳に追加

原子層堆積法（ＡＬＤ）を使用して、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）を層変化材料の上に堆積させることで、自己選択型記憶デバイスが形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a titanium amide complex (3) useful for manufacturing a titanium-containing thin film by a CVD method, an ALD method or the like from an easily available raw material simply in a good yield.例文帳に追加

チタン含有薄膜をＣＶＤ法やＡＬＤ法などにより製造するために有用なチタンアミド錯体（３）を、入手容易な原料から簡便に収率良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

To improve the uniformity of in-plane film thickness distribution while avoiding a change in throughput and film quality in a film forming method using a vertical tube ALD (atomic layer deposition) device.例文帳に追加

縦型チューブＡＬＤ（原子層堆積）装置を用いる成膜方法において、スループットや膜質の変化を回避しながら面内膜厚分布均一性を向上させる。 - 特許庁

To provide a vertical film deposition device wherein a concentration of Na in a film can be lowered stably when film deposition is carried out collectively for a plurality of treatment objects by plasma ALD, and to provide a using method thereof.例文帳に追加

プラズマＡＬＤにより複数の被処理体に一括して成膜を行う際に膜中のＮａ濃度を安定して低くすることができる縦型成膜装置およびその使用方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a metal complex having properties suitable for precursors of CVD method and ALD method, especially, excellent melting point, heat resistance and solubility in organic solvents.例文帳に追加

ＣＶＤ法、ＡＬＤ法のプレカーサに適した性質を有し、特に、融点、耐熱性、有機溶剤への溶解性において、良好な金属錯体を提供すること。 - 特許庁

The method of surface treatment includes: preparing a substrate; and forming a ceramic layer on a surface of the substrate by atomic layer deposition (ALD), wherein the ceramic layer has a thickness of 1 to 1,000 nm.例文帳に追加

基板を用意することと、原子層析出（ＡＬＤ）によって基板の表面にセラミック層を形成することとからなり、セラミック層は１〜１０００ｎｍの厚さを有する表面処理方法。 - 特許庁

To achieve a new-type raw gas supply that does not degrade the quality of a thin film formed on a substrate, as has been often the case with a conventional device, when forming a film through ALD.例文帳に追加

ＡＬＤにより膜を形成する際、従来の装置のように、基板に形成される薄膜の品質を劣化させることがない、新たな方式の原料ガスの供給を実現する。 - 特許庁

To provide a thin film-forming device that hardly has reaction products formed at an exhaust portion unlike a conventional thin film-forming device when a film is formed by ALD (atomic layer deposition), and is easy to maintain.例文帳に追加

ＡＬＤ（原子層成長法）により膜を形成する際、従来の薄膜形成装置のように排気部に反応生成物が形成されることが殆ど無く、メンテナンスのし易い薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁

Each of the ALD heads 11A and 11B is disposed so as to individually face the guide roll 13 so that the precursor gases 10A and 10B are locally output to the base material 20.例文帳に追加

各ＡＬＤヘッド１１Ａ，１１Ｂをガイドロール１３に対して個別に対向配置し、前駆体ガス１０Ａ，１０Ｂが基材２０に対して局所的に出力されるようにする。 - 特許庁

In the film forming apparatus, film formation is performed by atomic layer deposition by outputting precursor gases 10A and 10B to a base material 20 by a plurality of ALD heads 11A and 11B, while conveying the base material 20 by using a plurality of guide rolls 13 and 14.例文帳に追加

複数のガイドロール１３，１４を用いて基材２０を搬送しつつ、複数のＡＬＤヘッド１１Ａ，１１Ｂによって前駆体ガス１０Ａ，１０Ｂを基材２０に対して出力し、原子層堆積による成膜を行う。 - 特許庁

The raw material for chemical vapor deposition is suitable for a raw material for depositing a silicon-containing thin film, preferably, a silicon oxide- containing thin film by the chemical vapor deposition method, in particular, an ALD (Atomic Layer Deposition) method on a substrate.例文帳に追加

該化学気相成長用原料は、基体上に化学気相成長法、特にＡＬＤ法により、ケイ素含有薄膜、好ましくは酸化ケイ素薄膜を形成する原料として好適である。 - 特許庁

To provide an ALD(Atomic Layer Deposition) thin film vapor deposition apparatus provided with a cleaning apparatus by which dry cleaning is efficiently performed, and after the cleaning, thin film vapor deposition can easily be performed.例文帳に追加

効率良く乾式クリーニングし、クリーニング後、薄膜蒸着が容易に行えるクリーニング装置を備えたＡＬＤ薄膜蒸着装置を提供する。 - 特許庁

After the solutions are vaporized, a vapor phase precursor solution and a reaction solution are alternately pulsedly-supported into a deposition chamber to grow an ALD film of a predetermined thickness.例文帳に追加

溶液が気化された後、気相前駆体溶液及び反応溶液は交互に堆積室内にパルス状に供給し、所定厚のＡＬＤ膜を成長をする。 - 特許庁

In formation of a capacity extending over a capacity part, a capacity contact part, and a cell contact part, a sputtering device using the ALD method, for example, should preferably be used.例文帳に追加

なお、容量部、容量コンタクト部およびセルコンタクト部にまたがる容量の形成には、ＡＬＤ法などによるスパッタ装置を用いることが好ましい。 - 特許庁

Using the iridium-containing film deposition material as the raw material, an iridium-containing film is produced by a CVD (Chemical Vapor Deposition) process, an ALD (Atomic Layer Deposition) process, a spin coating process or the like.例文帳に追加

このイリジウム含有膜形成材料を原料として、ＣＶＤ法、原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法：ＡＬＤ法）、スピンコート法などによりイリジウム含有膜を製造する。 - 特許庁

To provide a precursory raw material mixture useful for CVD and ALD, to provide a method for growing a film by using the same and to provide a method for forming an electronic device having the same film incorporated therein.例文帳に追加

ＣＶＤ及びＡＬＤに有用な前駆原料混合物、これを用いて膜を成長させる方法、及びこの膜を組み込む電子素子を形成する方法の提供。 - 特許庁

In the film deposition method, an interlayer insulating film for insulating a reading head and a writing head from each other which are provided in a layer in a head of a hard disk or the like by the ALD method.例文帳に追加

成膜方法では、ＡＬＤ法によって、ハードディスク等のヘッドにおいて層状に設けられた読出し用ヘッドと書込み用ヘッドとの間を絶縁するための層間絶縁膜を成膜する。 - 特許庁