「Ald」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The step of depositing the first metal oxide layer may include a step of depositing a metal oxide layer by using an ALD cycle one to five times.例文帳に追加

第１の金属酸化物の層を堆積する工程は、１〜５回のＡＬＤサイクルを用いて、金属酸化物の層を堆積する工程を含んでもよい。 - 特許庁

To improve uniformity and reproducibility when a film layer is deposited by using an ALD reactor or a CVD reactor.例文帳に追加

ＡＬＤ反応器またはＣＶＤ反応器で膜層を堆積させる場合の均一性と再現性を改良する。 - 特許庁

The thickness of the head gap fill layer formed by the ALD method is in the range from about 5 nm to 100 nm, more preferably from about 10 nm to 40 nm.例文帳に追加

ＡＬＤ−形成されたヘッドギャップフィルレイヤーの厚みは、約５ｎｍ〜１００ｎｍの間、好ましくは約１０ｎｍ〜４０ｎｍの間である。 - 特許庁

To provide synthesis of metal chalcogenides using chemical vapor deposition (CVD) process, atomic layer deposition (ALD) process, or wet solution process.例文帳に追加

本発明は化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又は湿式溶液プロセスを用いた金属カルコゲニドの合成を開示する。 - 特許庁

To provide a dielectric substance forming method using an atomic layer deposition method (ALD) and a method for forming the dielectric film from the dielectric substance on the semiconductor device.例文帳に追加

原子層蒸着法を利用して誘電物質を形成する方法及び半導体装置上に物質から誘電膜を形成する方法を開示する。 - 特許庁

A first film is formed by ALD method first and thereafter, a second film is formed by MOCVD method.例文帳に追加

初めにＡＬＤ法により第１の膜を形成し、その後でＭＯＣＶＤ法により第２の膜を形成する。 - 特許庁

IN-SITU HYBRID DEPOSITION OF HIGH DIELECTRIC CONSTANT FILM USING ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD)例文帳に追加

原子層堆積（ＡＬＤ）法及び化学気相成長（ＣＶＤ）法を用いた高誘電率膜のその場ハイブリッド堆積 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition apparatus which can form a thin film having higher density by using a plasma ALD method.例文帳に追加

プラズマＡＬＤ法を用いた場合により高密度の薄膜を形成することができる原子層堆積装置を提供する。 - 特許庁

When an oxidant and the MBTH are mixed before the ALD is added, a pale green to green/blue color is generated.例文帳に追加

酸化剤とＭＢＴＨをＡＬＤの添加の前に混合すると薄い緑色乃至緑／青色が生じる。 - 特許庁

The phase change layer can be formed by using a MOCVD method, cyclic-CVD method or an ALD method.例文帳に追加

相変化層は、ＭＯＣＶＤ、サイクリック−ＣＶＤ及びＡＬＤのうちいずれか一方式で形成しうる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for growing a thin film on a substrate by an ALD process.例文帳に追加

ＡＬＤプロセスによって基板上に薄膜を成長させるための方法および装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a film deposition method which can deposit a silicon nitride film with better film quality than in the past by ALD.例文帳に追加

ＡＬＤにより従来よりも膜質の良好なシリコン窒化膜を形成することができる成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To improve a film forming speed while maintaining good film quality and uniformity, when using an ALD method as a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法としてＡＬＤ法を用いる際に、良好な膜質、均一性を維持しつつ、成膜速度を向上させる。 - 特許庁

To meet the needs of thin film and to achieve a high deposition rate by improving the shortcomings of conventional CVD method and ALD method.例文帳に追加

従来のＣＶＤ法の欠点とＡＬＤ法の欠点を改善し、薄膜化の要求に応えるとともに、高い成膜速度を実現する。 - 特許庁

Moreover, the processor starts ALD operation and outputs a control voltage enough to provide a predetermined fixed attenuation level to a VAT controller.例文帳に追加

そして、ＡＬＤ動作を開始して、所定の固定減衰量となるような制御電圧をＶＡＴ制御部に出力する。 - 特許庁

To provide a technique capable of stably obtaining a thin film of high quality restraining impurities from being mixed into the film or defects from occurring in the film in an ALD method.例文帳に追加

ＡＬＤ法において、不純物の混入や膜の欠陥を抑制し、良好な膜質の薄膜を安定的に得る技術を提供する。 - 特許庁

To provide a process of atomic layer deposition (ALD) to form a silicon dioxide thin film at low temperature under various conditions.例文帳に追加

種々の状況において低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。 - 特許庁

To provide a method for forming a film wherein oxygen shortage scarcely occurs when an oxide film is formed by an ALD method.例文帳に追加

ＡＬＤ手法により酸化膜を形成する際に、酸化不足が生じ難い成膜方法を提供すること。 - 特許庁

IMPROVEMENT OF SUPER OIL REPELLENCY THROUGH MULTISCALE ROUGHNESS BY ALD/CVD TECHNIQUE IN INKJET APPLICATIONS AND DECREASE OF ADHESIVENESS例文帳に追加

インクジェット用途においてＡＬＤ／ＣＶＤ技術によるマルチスケールの粗さを介して超撥油性を高め、粘着を減少させること - 特許庁

To supply a solid film deposition material stably in such a state that the solid film deposition material can be used in conventional film deposition method, e.g. CVD or ALD.例文帳に追加

固体成膜原料を、従来からのＣＶＤ法やＡＬＤ法による成膜方法に使用できる形態で安定的に供給する。 - 特許庁

A method for depositing thin film, such as by ALD or CVD, using such a compound, is also provided.例文帳に追加

かかる化合物を用い、例えばＡＬＤおよびＣＶＤなどによりの薄膜を堆積させる方法も提供される。 - 特許庁

By now growing this seed layer with atomic layer deposition (ALD) or chemical vapor deposition (CVD), a high quality layer can be grown.例文帳に追加

ここで前記シード層を原子層堆積法又は化学気相成長法によって成長させることによって、高品質の層を成長させることができる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING AMORPHOUS NIO THIN FILMS BY ALD PROCESS AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ＡＬＤ工程による非晶質ＮｉＯ薄膜の製造方法、及び該非晶質ＮｉＯ薄膜を利用した不揮発性メモリ素子 - 特許庁

On the High-k film 412, an extremely thin silicon nitride film 413 of 10 Å or less is further formed by an ALD (atomic layer deposition) method or the like.例文帳に追加

このＨｉｇｈ−ｋ膜４１２上にＡＬＤ法などにより１０Å以下の極薄のシリコン窒化膜４１３を形成する。 - 特許庁

To provide a precursor which can deposit at low temperature via CVD, ALD or other processes for forming films containing silicon oxide or silicon nitride.例文帳に追加

酸化ケイ素又は窒化ケイ素をＣＶＤやＡＬＤなどのプロセスにより、低温で堆積できる前駆体を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus capable of efficiently depositing a film without necessitating frequent maintenance of a film deposition chamber, in vacuum film deposition by an ALD (atomic layer deposition) method.例文帳に追加

ＡＬＤ法による真空成膜において、成膜室の頻繁なメンテナンスが不要で効率良く成膜しうる装置を提供する。 - 特許庁

The second barrier metal film 7 is deposited by at least one method of a CVD method and an ALD method.例文帳に追加

第２のバリアメタル膜７は、ＣＶＤ法およびＡＬＤ法の少なくとも一方の方法により成膜される。 - 特許庁

To provide a vapor deposition method wherein an ALD gives superior conformality, film formation speed, and uniformity in comparison with a CVD.例文帳に追加

ＡＬＤがＣＶＤに比べて優れたコンフォーミティ（ｃｏｆｏｒｍａｌｉｔｙ）、成膜速度及び均一性を備えた気相堆積方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition method where, at the time of depositing a metal-containing thin film by an ALD (Atomic Layer Deposition) method, the film deposition rate can be increased.例文帳に追加

ＡＬＤ法によって金属を含む薄膜を形成する際に、成膜速度を上昇させることができる成膜方法を提供すること。 - 特許庁

The insulative film 16 is formed by ALD method, thereby stabilizing filter characteristics and improving the reliability.例文帳に追加

絶縁膜１６をＡＬＤ法により形成することで、フィルタ特性の安定及び信頼性の向上を図ることができる。 - 特許庁

Also provided are methods of depositing thin films, such as by ALD and CVD, using such compounds or their solutions in organic solvents.例文帳に追加

例えばＡＬＤおよびＣＶＤ等により、かかる化合物またはそれらの有機溶媒中溶液を用いて、薄膜を堆積させる方法も提供される。 - 特許庁

The method comprises a process that contacts an exposed copper surface with a gaseous compound comprising a noble metal, and a process that selectively forms a noble metal layer on the exposed copper surface by a copper substitution reaction or a noble metal selective depositing (for example, ALD or CVD).例文帳に追加

当該方法は、露出した銅表面を貴金属から成る気相化合物と接触させる工程と、銅置換反応または貴金属の選択的蒸着（例えば、ALDまたはCVD）により、露出した銅表面上に貴金属の層を選択的に形成する工程から成る。 - 特許庁

After forming a groove 12 in the insulating layer 11 formed on a semiconductor substrate 10, a barrier metal layer 13 is formed on the insulating layer 11 by an ALD method to cover the side faces and the bottom face of the groove 12, and impurity layers 14, 17 are formed on the surface thereof according to an ion implantation method or ALD method.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成された絶縁層１１内に溝１２を形成した後、溝１２の側面及び底面を覆うように、絶縁層１１上にＡＬＤ法でバリアメタル層１３を形成し、その表面に、イオン注入法またはＡＬＤ法により不純物層１４、１７を形成する。 - 特許庁

A processor generates transition of internal state by changing the ALC state to the ALD state, even in the protection period when state transition to the ALD state from the ALC state should not be generated, if an impressed output optical level is lower than the threshold level of ALC transition read from a memory.例文帳に追加

プロセッサは、ＡＬＣ状態からＡＬＤ状態への状態遷移が行われない保護期間中であっても、入力した出力光レベルが、メモリから読込んだＡＬＣ遷移閾値を下回っている場合には、ＡＬＣ状態からＡＬＤ状態に内部状態を切り替えて遷移させる。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD (Atomic Layer Deposition) process in the case a film deposition system is composed so that film deposition by an ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a treatment substrate on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film which uses an ALD (Atomic Layer Deposition) method of forming a metal silicate film whose residual impurity concentration is reduced by carrying out a process of removing impurities in the film using a chamber which is the same used for forming the film, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

成膜と同一の処理チャンバーを用いて膜中の不純物除去処理を行い、残留不純物の濃度が低減された金属シリケート膜を形成するALD法を用いた薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD process in the case that a film deposition system is composed so that film deposition by the ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a substrate to be treated on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

A variable temperature and/or reactant dose atomic layer deposition (VTD-ALD) process modulates ALD reactor conditions (such as temperature and flow rate) during the growth of a film (such as a metallic film) on a wafer to produce different film properties and different film depths.例文帳に追加

温度および（または）反応物の投与量を調節可能な原子層堆積（ＶＴＤ−ＡＬＤ）プロセスは、異なるフイルム特性および異なるフイルムの奥行きを生成するために、ウェーハ上のフイルム（例えば金属）の成長段階において、ＡＬＤ反応装置の条件（例えば温度、流量など）を調節する。 - 特許庁

Using a vacuum flow rate control valve dealing with ALD composed of the main valve 1 for operating the opening and closing of a valve member 15 via a valve shaft 20 by a valve driving mechanism part 4 and a butterfly valve 2 fitted to the main port 11 of the main valve, a film deposition operation by ALD is performed.例文帳に追加

弁駆動機構部４により弁シャフト２０を介して弁部材１５を開閉操作する主弁１と、主弁のメインポート１１に付設したバタフライ弁２によって構成されたＡＬＤ対応真空流量調整バルブを用いて、ＡＬＤによる成膜操作を行う。 - 特許庁

To provide an oxide thin film or a nitride thin film deposition element which can maintain the interface property of the oxide thin film by ALD and can highly maintain the substrate certainly, and without a possibility that an ALD high film quality layer which makes an interface with the substrate may be damaged and deteriorated, by utilizing a CVD method without lowering the throughput of depositing.例文帳に追加

ＡＬＤによる酸化物薄膜又は窒化物薄膜と基板との界面特性を確実に高く維持することができると共に、成膜のスループットを低下せず、更にＣＶＤ法を利用することによって基板との界面をなすＡＬＤ高膜質層が損傷劣化する虞のない酸化物薄膜又は窒化物薄膜堆積体を提供すること。 - 特許庁

In an integrated circuit, a method of forming the layer of the high-κ dielectric material includes a step of preparing a silicon substrate, a step of depositing a first metal oxide layer by an ALD which uses a metal nitrate precursor, a step of depositing another metal oxide layer by an ALD which uses a metal chloride precursor, and a step of completing the integrated circuit.例文帳に追加

集積回路において、高κ誘電材料の層を形成する方法は、シリコン基板を準備する工程と、硝酸金属前駆物質を用いるＡＬＤを用いて第１の金属酸化物の層を堆積する工程と、塩化金属前駆物質を用いるＡＬＤを用いて他の金属酸化物の層を堆積する工程と、集積回路を完成させる工程とを含む。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of forming a first film made of silicon oxide or silicon oxide nitride film on a silicon substrate, a step of forming a second film made of tetrachlosilane single molecular layer 1 in an ALD-CVD method, and a step of forming a third film made of silicon nitride single molecular layer by nitriding treatment or oxide-nitriding treatment in the ALD-CVD method.例文帳に追加

シリコン基板上にシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなる第１の膜を形成する工程と、ＡＬＤ−ＣＶＤ法によりテトラクロロシラン単分子層１層からなる第２の膜を形成する工程と、ＡＬＤ−ＣＶＤ法により窒化処理または酸窒化処理して窒化ケイ素単分子層１層からなる第３の膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a hafnium silicate film by an ALD method by supplying and using a material particularly required by the ALD method which has high steam pressure and a small particle size, and readily reacts with an oxygen supply source or a silicon supply source.例文帳に追加

ＡＬＤ法によるハフニウムシリケート薄膜の製造方法に関し、ＡＬＤ法用の原料として特に求められている、蒸気圧が高く、分子サイズが小さく、酸素供給源やケイ素供給源と反応しやすい原料を提供し、且つそれを用いてＡＬＤ法にてハフニウムシリケート薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

When a silicon dioxide film is formed using the ALD method, a siloxane compound substituted with a halogen element or -NCO radical is used as a Si source.例文帳に追加

ＡＬＤ法により二酸化シリコン膜を形成するにあたってハロゲン元素または−ＮＣＯ基に置換されたシロキサン化合物をＳｉソースとして使用する。 - 特許庁

After the deposition of the amorphous hafnium oxide by ALD method, the amorphous hafnium oxide is re-oxidized by an oxygen radical generated by low temperature remote plasma, etc., to obtain an amorphous hafnium oxide film having little dopant.例文帳に追加

ＡＬＤ法により堆積させた後、低温リモートプラズマなどで生成される酸素ラジカルにより再酸化させることにより、非晶質で、不純物の少ない酸化ハフニウム膜を実現することが可能である。 - 特許庁