「Ald」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing a precursor and a method for producing a Hf-based oxide gate insulation film by using the precursor, by specifying the precursor having little Zr content and physically and economically suitable for an ALD (Atomic Layer Deposition) and CVD (Chemical Vapor Deposition).例文帳に追加

ＡＬＤやＣＶＤ用として、物性的にも経済的にも好都合な、Ｚｒの少ないプリカーサーを特定し、その製造方法とそのブリカーサーを用いたＨｆ系酸化物ゲート絶縁膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of cycles of a second ALD process is sequentially conducted to deposit a layer of a second material on the layer of the first material in the deposition chamber.例文帳に追加

第２のＡＬＤプロセスの複数のサイクルを連続して実行し、前記堆積チャンバ内の前記第１の物質の膜上に、第２の物質の膜を堆積する。 - 特許庁

To provide a forming method of a thin film wherein the purge efficiency in the thin film forming process according to ALD method is increased to be able to prevent the remaining of a raw material gas and an oxidizing gas and to reduce the purge time.例文帳に追加

ＡＬＤ法による薄膜形成工程のパージ効率を高めることで、原料ガスおよび酸化性ガスの残留を防ぐとともに、パージ時間を短縮可能な薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film which can enhance the quality and productivity not depending upon a reaction furnace capacity, in a method for growing the thin film controlling an atomic layer (hereinafter referred to as the ALD).例文帳に追加

原子層制御薄膜成長法（以下ＡＬＤ）に於いて、反応炉容量に依らず品質及び生産性を向上することができる薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide doping which allows the concentration and uniformity of a deposited dopant to be controlled by blocking some of the available binding sites for a dopant precursor with a blocking reactant and allows the blocking reactant to be introduced prior to introduction of the dopant precursor in an ALD (atomic layer deposition) process or allows the blocking reactant and the dopant precursor to be introduced simultaneously.例文帳に追加

阻害反応物を用いてドーパント前駆体が利用可能な結合部位の一部を阻害することによって、堆積したドーパントの濃度および均一性を制御することができる。 - 特許庁

After the solutions are vaporized, the vapor phase precursors and reaction solvents are pulsed into a deposition chamber to assure ALD film growth of predetermined thickness.例文帳に追加

溶液が気化された後、気相前駆体溶液及び反応溶液はは交互に堆積室内にパルス状に供給し、所定厚のＡＬＤ膜を成長をする。 - 特許庁

When ALD (atomic layer deposition) film-forming treatment starts, a source-gas-supplying section 40 alternately switches an operation mode between a source-gas-supplying mode and a source-gas-charging mode.例文帳に追加

ＡＬＤ成膜処理が開始されると、原料ガス供給部４０は、原料ガス供給モードと原料ガス充填モードとを交互に切り換える。 - 特許庁

To provide a method of optimizing the supply amount of a raw material precursor to deposit a thin film while highly accurately realizing film thickness control at an atom layer level by an atomic layer deposition (ALD method).例文帳に追加

原子層堆積法（ＡＬＤ法）により原子層レベルでの膜厚制御を高精度に実現しながら薄膜を堆積するために、原料プレカーサの供給量を最適化する方法を提供する。 - 特許庁

In the ALD technique, the steps constituted under different conditions such as a "gas supplying/adsorbing step", a "purge step", a "gas supplying/reacting step", and the "purge step", are sequentially repeated multiple times for a growing face to obtain a desired film thickness.例文帳に追加

ＡＬＤ手法では、成長面に対し順次「気体供給・吸着過程」、「パージ工程」、「気体供給・反応過程」、及び「パージ工程」の如く、異なる条件から成るステップを複数回繰り返し所望の膜厚を得る。 - 特許庁

To apply atomic layer deposition (ALD) methods to various film formations to improve throughput, and to miniaturize a device simultaneously.例文帳に追加

原子層成長（ＡＬＤ）法を種々の成膜に適用すること及びスループットを向上させることを可能にし、同時に装置の小型化を実現することである。 - 特許庁

Since a nonmagnetic layer 15 with uniform thickness is deposited by an ALD method between the distal end part 40A and the two side shields 18R and 18L, spaces SR and SL are constant irrespective of positions.例文帳に追加

先端部４０Ａと２つのサイドシールド１８Ｒ，１８Ｌとの間に、ＡＬＤ法により形成された均一な厚さの非磁性層１５が設けられているため、間隔ＳＲ，ＳＬは位置によらずに一定である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which is deposited by the atomic layer deposition (ALD) method, capable of reducing contamination of a substrate due to Na.例文帳に追加

ＡＬＤ法により成膜を行う半導体デバイスの製造方法であって、Ｎａによる基板の汚染を低減できる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To perform film deposition processing with high in-plane uniformity in an ALD in which a plurality of semiconductor wafers are arranged along the circumferential direction of a table in a vacuum chamber and two reactant gases are sequentially supplied to the surface of the substrates for film deposition.例文帳に追加

真空容器内にてテーブルの周方向に沿って複数の半導体ウェハを配置し、２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜するＡＬＤにおいて面内均一性高く成膜処理を行うこと。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor devices, which forms a film by an ALD method and which can reduce contamination of a substrate with Na.例文帳に追加

ＡＬＤ法により成膜を行う半導体デバイスの製造方法であって、Ｎａによる基板の汚染を低減できる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a titanium precursor which excels in reactivity with a reactant suitable for a CVD method, an ALD method or the like, especially with an oxidant, and in which the improvement in film formation speed and the low-temperature thin film become possible.例文帳に追加

ＣＶＤ法、ＡＬＤ法等に好適な反応剤、特に酸化剤との反応性に優れ、成膜速度向上及び低温薄膜化が可能となるチタニウムプレカーサを提供すること。 - 特許庁

To provide a method to form silicon dioxide films that have an extremely low wet etch rate in HF solution using a thermal CVD process, ALD process or cyclic CVD process.例文帳に追加

熱ＣＶＤプロセス、ＡＬＤプロセス又はサイクリックＣＶＤプロセスを用いてＨＦ溶液中で極めて低いウェットエッチ速度を有する二酸化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a film quality equivalent to that when the process temperature is high even when the process temperature is low while allowing high speed and low temperature in a film deposition process, in the ALD deposition process utilizing plasma.例文帳に追加

プラズマを利用して行うＡＬＤ成膜処理につき、成膜プロセスの高速化と低温化とを両立させつつ、プロセス温度が低温の場合でも高温の場合と同等の膜質が得られるようにする。 - 特許庁

A plurality of cycles of a first atomic layer deposition (ALD) process is sequentially conducted to deposit a layer of a first material on the substrate in the deposition chamber.例文帳に追加

第１の原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスの複数のサイクルを連続して実行し、前記堆積チャンバ内の前記基板上に、第１の物質の膜を堆積する。 - 特許庁

To provide a film forming method of a thin insulating film having preferred characteristics with a low flatband voltage and a low interface state by employing an ALD method having a first step for depositing silicon atoms and a second step for nitriding the silicon atoms.例文帳に追加

絶縁膜の成膜方法において、シリコン原子を堆積させる第１ステップと、シリコン原子を窒化する第２ステップとを有するＡＬＤ法を用い、フラットバンド電圧及び界面準位の小さい好適な特性を有する薄い絶縁膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

The titanium oxide film of rutile crystal structure is obtained by forming an amorphous titanium oxide film on an amorphous zirconium oxide film by ALD method by using methyl cyclopentadienyl tris dimethylamino titanium as a titanium precursor, and then annealing the amorphous titanium oxide film at a temperature of 300°C or higher thereby crystallizing.例文帳に追加

非晶質の酸化ジルコニウム膜上に、チタンプリカーサとしてメチルシクロペンタジエニルトリスジメチルアミノチタンを用いてＡＬＤ法により非晶質の酸化チタン膜を形成し、３００℃以上の温度でアニールして結晶化することでルチル結晶構造を有する酸化チタン膜が得られる。 - 特許庁

A method of manufacturing a metal oxide film on a substrate using the ALD method includes a process of bonding a monomolecular layer of not more than one gas metal compounds onto a growth substrate, and a process of converting the bonded metal compounds into metal oxides.例文帳に追加

ＡＬＤ法によって基板上に金属酸化物薄膜を製造する方法は、成長基板に約１つを超えない気体金属化合物の単分子層を結合させる工程と、結合した金属化合物を金属酸化物に変換する工程とを含む。 - 特許庁

The purge step after feeding a raw material gas and a reactive gas is composed of a vacuum purge and a gas purge steps, and a dielectric is formed by an ALD film forming method consisting of a gas flow sequence of more divided reactive gas feed steps.例文帳に追加

原料ガスおよび反応ガス供給後のパージステップを真空パージとガスパージの２段階パージとし、且つ、反応ガス供給ステップをさらに細分化したガスフローシーケンスからなるＡＬＤ成膜法により誘電体を形成するようにした。 - 特許庁

A manufacturing method of the elastic wave device includes a process where the comb-shaped electrode 12 is formed on the piezoelectric substrate 10 and a process where the insulative film 16 including aluminum oxide is formed on the surface of the comb-shaped electrode 12 by using ALD method.例文帳に追加

圧電基板１０上に櫛形電極１２を形成する工程と、櫛形電極１２の表面に、ＡＬＤ法により酸化アルミニウムを含む絶縁膜１６を形成する工程と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。 - 特許庁

Silicon nitride film (second HCD-SiN film 9) is formed by a heat CVD method using hexachlorodisilane above the ALD-SiN film 3, and a hole 11a is formed by patterning the silicon nitride film, thereby forming a sacrificial layer pattern.例文帳に追加

ＡＬＤ−ＳｉＮ膜３の上方にヘキサクロロジシランを用いた熱ＣＶＤ法によって窒化シリコン膜（第２ＨＣＤ−ＳｉＮ膜９）を成膜し、これをパターニングすることによって孔１１ａを形成することで犠牲層パターンを形成する。 - 特許庁

The second chemically reactive precursor dose amount may likewise be insufficient to result in a maximum saturated ALD deposition rate on the wafer or, alternatively, sufficient to result in a starved saturating deposition on the wafer.例文帳に追加

第２の化学的に反応する前駆体ドーズ量は、同様に、ウェハ上で最大飽和ＡＬＤ堆積レートをもたらすのに充分に至らない量の、または、別法として、ウェハ上で不足状態の飽和堆積をもたらすのに充分であってもよい。 - 特許庁

In the ALD, supply ratios of TEMAZ and TEMASiH supplied at the same time are controlled by an Ar gas flow ratio, heating temperature or the like to form a metal silicon nitride film of resistivity in accordance with the supply ratios as a resistor thin film.例文帳に追加

ＡＬＤに際して、同時に供給されるＴＥＭＡＺとＴＥＭＡＳｉＨの供給比率をＡｒガス流量比や加熱温度等で制御して、当該供給比率に応じた抵抗率の金属シリコン窒化膜を抵抗体薄膜として成膜する。 - 特許庁

The method for producing a hydrogen generating agent includes a step of molding a body 1 of the hydrogen generating agent, and a step of adding a specific metal oxide 2 to the body 1 of the hydrogen generating agent using an ALD (atomic layer deposition) method or an LPD (liquid phase deposition) method before the molding step.例文帳に追加

水素発生剤の主体１を成型する工程と、前記成型する工程の前に、ＡＬＤ法またはＬＰＤ法を用いて、水素発生剤の主体１に特定の金属酸化物２を添加する工程とを含む水素発生剤の製造方法。 - 特許庁

This application provides a process in which a wafer is coated with a first chemically reactive precursor dose amount insufficient to result in a maximum saturated ALD deposition rate on the wafer, and then coated with a second chemically reactive precursor dose, the precursors being distributed in a manner to provide substantially uniform film deposition.例文帳に追加

ウェハを、ウェハ上で最大飽和ＡＬＤ堆積レートをもたらすのに充分に至らない量の、第１の化学的に反応する前駆体ドーズ量で被覆し、次に、第２の化学的に反応する前駆体ドーズ量で被覆され、前駆体は、ほぼ均一な膜堆積を実現するように分散されるプロセス。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a substrate processing apparatus capable of providing a titanium nitride film that is higher in quality than a titanium nitride film formed by the conventional CVD method at a higher film-forming rate, that is, with higher productivity than a titanium nitride film formed by an ALD (Atomic Layer Deposition) method.例文帳に追加

従来のＣＶＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して良質な窒化チタン膜を、ＡＬＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して速い成膜速度で、すなわち高い生産性で提供することが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a dense, low-resistive metal film having a smooth film surface at a low temperature in such a manner that its quality is made better compared with a titanium nitride film formed by a CVD method and the film deposition rate is made higher compared with a titanium nitride film formed by an ALD method, i.e., at high productivity.例文帳に追加

低温にて膜表面が滑らかであって緻密な抵抗率の低い金属膜を、ＣＶＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して良質とし、ＡＬＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して速い成膜速度で、すなわち高い生産性で提供する。 - 特許庁

The ALD-SiN film 3 is used in a stopper, and the sacrificial layer pattern made of the second HCD-SiN film 9 is alternatively removed by etching from the clearance of the oscillating beam 13a, thereby forming a space (a) under the oscillating beam 13a.例文帳に追加

ＡＬＤ−ＳｉＮ膜３をストッパに用いて振動ビーム１３ａの隙間から第２ＨＣＤ−ＳｉＮ膜９からなる犠牲層パターンを選択的にエッチング除去することにより、振動ビーム１３ａの下方に空間部ａを形成する。 - 特許庁

In a process in which dielectrics constituting the charge storage films CHS are formed on the bottom dielectric film BTM, the dielectric (the first film CHS1) brought into contact with a boundary with at least the bottom dielectric film BTM in the dielectrics is formed by using atomic-layer deposition(ALD).例文帳に追加

電荷蓄積膜ＣＨＳを構成する誘電体をボトム誘電体膜ＢＴＭ上に形成する工程において、その誘電体のうち、少なくとも、ボトム誘電体膜ＢＴＭとの境界に接する誘電体（第１の膜ＣＨＳ１）を原子層堆積（ＡＬＤ）を用いて形成する。 - 特許庁

The method is used in a test for a solution or a solid phase such as a nylon film, and the later method may be used in measurement by a device or tool such as a color reader, and in combination of another ALD testing means and a pH testing means.例文帳に追加

この方法は溶液又はナイロン膜等の固相での試験、また後者の方法は色読取装置等の装置又は器具による測定、更に別のＡＬＤ試験手段及びｐＨ試験手段との組み合わせにおいて使用することもできる。 - 特許庁

ALD bar alley 2 is emitted by a pulse current more than several times of a rated continuous current, the laser beam linearly emitted is converged by a cylindrical lens 8, a flat plate 20 of an object to be worked is irradiated with the laser beam as a linear beam converging spot 10.例文帳に追加

ＬＤバーアレイ２を定格連続電流の数倍以上のパルス電流によって発光させ、ライン状に出射されるレーザー光をシリンドリカルレンズ８によって集光して被加工物である平板２０にライン状集光スポット１０として照射する。 - 特許庁

To solve the problem that the reliability of a dielectric formed on the pore bottom more reduces as pores for capacitors, etc. are more fined and deepened on a semiconductor substrate in an ALD film forming process using a longitudinal batch processor advantageous in improving the throughput.例文帳に追加

スループット向上に有利な縦型バッチ処理装置を用いたＡＬＤ成膜では、半導体基板上に形成されているキャパシタ用などの孔が微細化され深くなるほど、孔底に形成される誘電体の信頼性が低下する問題を解決する。 - 特許庁

A pinhole is hardly generated, even when a film thickness of the metal base layer is set thinly, to enhance a production efficiency of the heat-resistant resin film with the metal base layer, since the metal base layer is formed on the metal seed layer free from the pinhole film-formed by the ALD method, according to the above method.例文帳に追加

この方法によれば、ＡＬＤ法により成膜されたピンホールのない金属シード層上に金属ベース層を形成しているため、金属ベース層の膜厚を薄く設定してもピンホールが生じ難く金属ベース層付耐熱性樹脂フィルムの製造効率の向上が図れる。 - 特許庁

In the gas barrier film alternately having barrier layers which consist of much more inorganic substance at least, and organic layers much more at least on a plastic plate; at least one layer of the barrier layers is a gas barrier film formed by the atomic layer depositing method (the Atomic Layer Deposition: ALD method).例文帳に追加

プラスチック基板上に、少なくとも一層の無機物からなるバリア層と少なくとも一層の有機層とを交互に有するガスバリアフィルムであって、前記バリア層の少なくとも一層が原子層デポジッション法（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ法）によって形成されたことを特徴とするガスバリアフィルム。 - 特許庁

The method has a step of forming a high dielectric film using an organic metal material on a substrate 1 at ≤350°C using an ALD or CVD method, and a step of irradiating the high dielectric film with an ultraviolet ray in a low-pressure oxygen-containing atmosphere to desorb the hydrogen in the film.例文帳に追加

基板１上に有機金属原料を用いて３５０℃以下の温度でＡＬＤまたはＣＶＤにより高誘電体膜を成膜する工程と、低圧の酸素含有雰囲気で高誘電体膜に紫外線を照射して膜中の水素を脱離させる工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method for producing a thin film consisting of oxide or multiple oxide by a CVD process including an ALD (Atomic Layer Deposition) process by which the production of a satisfactory thin film is made possible in the case a metallic compound having low hydrolysis reaction such as alkoxide and a β-diketone complex is used as a precursor.例文帳に追加

ＡＬＤ法を含むＣＶＤ法による酸化物又は複合酸化物からなる薄膜の製造方法において、前駆体にアルコキシドやβ−ジケトン錯体等の加水分解反応の遅い金属化合物を用いる場合に良好な薄膜の製造が可能となる薄膜の製造方法を与えること。 - 特許庁

When an HfO_x film to be becoming the film 17 is formed on the electrode 16 by, for instance, an ALD method, because the substrate is the amorphous titanium nitride film 16B, the HfOx film to be becoming the film 17 is formed as an amorphous dielectric film without taking over a crystalline property of the substrate.例文帳に追加

下部電極１６上に例えばＡＬＤ法により容量絶縁膜１７となるＨｆＯ_x 膜を成膜すると、下地が非晶質の窒化チタン膜１６Ｂであるため、容量絶縁膜１７となるＨｆＯ_x 膜は下地の結晶性を受け継ぐことなく非晶質の誘電体膜として成膜される。 - 特許庁

The method comprises a process for forming the barrier metal layer 5 in a prescribed position on a Cu wiring layer 3 formed on a semiconductor substrate by a CVD method or an ALD method, and a process for forming an Al layer 6 on the barrier metal layer without air-exposing the barrier metal layer 5.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたＣｕ配線層３上の所定位置に、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法によりバリアメタル層５を形成する工程と、前記バリアメタル層５を大気暴露することなく、前記バリアメタル層上にＡｌ層６を形成する工程を備える。 - 特許庁

Further, it is confirmed that the communication-disturbing agent which is prepared as a mixture, by mixing 6 mg of the E4,Z6-16:Ald into 100 mg of the E4,Z6-16:OAc, and comprises a two-component system is extremely improved in a communication-disturbing effect, when compared with that of a one-component system.例文帳に追加

そして、１００ｍｇのＥ４，Ｚ６−１６：ＯＡｃに対し、６ｍｇのＥ４，Ｚ６−１６：Ａｌｄを混合した混合物を作成し、交信攪乱剤を二成分系とすることにより、一成分系と比べ、交信攪乱効果が著しく向上することが確認された。 - 特許庁

The barrier film is constructed by forming a TiN film with an ALD (Atomic Layer Deposition) method, and a film selected from those of Ti, Ru, and Co, or an alloy film including at least two out of those is stacked on the TiN film surface with a CVD method or a PVD method.例文帳に追加

バリアメタル膜を、ＡＬＤ法によりＴｉＮ膜を形成し、当該ＴｉＮ膜表面に、Ｔｉ、Ｒｕ及びＣｏの中から選択される膜またはこれらのうち少なくとも二種を含む合金膜をＣＶＤ法またはＰＶＤ法により積層して構成する。 - 特許庁

To provide a film deposition operating method where, as a vacuum flow rate control valve is used in opening/closing in which the number of operations is reduced for retaining a vacuum in a chamber, vacuum pressure control in the chamber can be performed at high frequency and high velocity for ALD (atomic layer deposition) film deposition.例文帳に追加

真空流量調整バルブをチェンバーの真空維持のために作動回数の少ない開閉で使用しながら、ＡＬＤ成膜のために、高頻度、高速でチェンバー内の真空圧力調整を行うことを可能にした成膜操作方法を提供する。 - 特許庁

The film forming method using the atomic layer deposition (ALD) method is characterized in that a liquid raw material composed of an organic metal compound is directly jetted into a film forming chamber 2 holding a substrate W therein by a liquid raw material jetting valve 41.例文帳に追加

原子層成長（ＡＬＤ）法を用いた成膜方法であって、基板Ｗを内部に保持する成膜室２内に、有機金属化合物からなる液体原料を液体原料噴射弁４１により直接噴射することを特徴とする。 - 特許庁